TW201415670A - 發光二極體晶片 - Google Patents
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Abstract
一種發光二極體晶片包含一基板、一N型半導體層、一發光層、一P型半導體層、一N型電極層以及一P型電極層。N型半導體層係設置於基板上。發光層係設置於N型半導體層上。P型半導體層係設置於發光層上。N型電極層係設置於N型半導體層上。P型電極層係設置於P型半導體層上，且P型電極層包含複數個封閉迴路圖案，這些封閉迴路圖案分別環繞著部分N型電極層。
Description
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種發光二極體晶片。
基於環保與節能的趨勢，具有低耗電、高效率等優勢的發光二極體(Light Emitting Diode,LED)已逐漸取代傳統的鎢絲燈泡等高耗電的光源。
目前常見的發光二極體晶片係在一基板上設置一磊晶堆疊結構，此磊晶堆疊結構係由一N型半導體層、一發光層及一P型半導體層依序層疊而成。N型半導體層上方設有N型電極，而P型半導體層上方設有P型電極。當N型電極與P型電極通電時，可驅使N型半導體層及P型半導體層的電子電洞於發光層中結合，而電子電洞結合後所釋放的能量則會以光的形式釋出。
現有發光二極體的N型電極及P型電極通常係為兩個圓點狀的導電圖案，其分別配置於發光二極體晶片頂面上的兩個對角，以電性連接導線。然而，倘若將這樣的電極配置方式用於較大尺寸的發光二極體晶片時，容易造成對角線以外的其他區域之電流不足，使得電流分佈不均，進而造成熱能集中、發光區域不均勻等問題。此外，電流分佈的不均勻亦會造成發光二極體晶片之電壓極限(又可稱正向電壓Vf)的上升，導致需要更大的電壓來驅動發光二極體晶片發光，而降低能量的轉換效率。
有鑑於此，本發明之一技術態樣是在提供一種發光二極體晶片，其目的係在於幫助電流及發光區域分佈得更為均勻，並減少熱能集中、電壓極限上升的現象。
為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，一種發光二極體晶片包含一基板、一N型半導體層、一發光層、一P型半導體層、一N型電極層以及一P型電極層。N型半導體層係設置於基板上。發光層係設置於N型半導體層上。P型半導體層係設置於發光層上。N型電極層係設置於N型半導體層上。P型電極層係設置於P型半導體層上，且P型電極層包含複數個封閉迴路圖案，這些封閉迴路圖案分別環繞著部分N型電極層。
於本發明之一或多個實施方式中，封閉迴路圖案係彼此相鄰成一列，且N型電極層包含複數個N型電極圖案，分別被封閉迴路圖案所環繞。
於本發明之一或多個實施方式中，部分N型電極圖案包含一N型打線區域，部分封閉迴路圖案包含一P型打線區域，而P型打線區域係位在封閉迴路圖案上與N型打線區域距離最遠的一第一角落。
於本發明之一或多個實施方式中，封閉迴路圖案上與N型打線區域距離最近的一第二角落為第一角落之對角。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極層更包含一電極連接圖案，連接N型電極圖案。
於本發明之一或多個實施方式中，部分封閉迴路圖案
係跨過電極連接圖案的上方。
本發明之一或多個實施方式中，發光二極體晶片更包含至少一絕緣層，設置於電極連接圖案與封閉迴路圖案之間。
於本發明之一或多個實施方式中，絕緣層之材料為透光氧化物。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極圖案呈條狀且相互平行。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極圖案與電極連接圖案組合呈U形。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極圖案呈U形。
於本發明之一或多個實施方式中，封閉迴路圖案各包含一P型延伸電極，其係由封閉迴路圖案之邊緣垂直延伸入U形開口中。
於本發明之一或多個實施方式中，封閉迴路圖案呈矩形。
於本發明之一或多個實施方式中，封閉迴路圖案係以二維陣列的形式排列。
於本發明之一或多個實施方式中，任一封閉迴路圖案之相鄰兩側均鄰接著其他封閉迴路圖案。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極層包含複數個N型電極圖案，其中該些N型電極圖案彼此相交，且其相交處係位於相鄰四個該些封閉迴路圖案之交接處下方。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極圖案各包含一N型打線區域，被部分之封閉迴路圖案所環繞，而另一部分之封閉迴路圖案各包含一P型打線區域。此P型打線區域係位於封閉迴路圖案上與N型打線區域距離最遠的一第一角落。
於本發明之一或多個實施方式中，發光二極體晶片更包含一絕緣層，設置於N型電極圖案之交接處與其上方的封閉迴路圖案之間。於本發明之一或多個實施方式中，絕緣層之材料為透光氧化物。
於本發明之一或多個實施方式中，N型電極圖案呈條狀。於本發明之一或多個實施方式中，N型電極圖案相互垂直。
於上述實施方式中，由於P型半導體層的每個封閉迴路圖案均圍繞著部分N型電極層，故P型電極層與N型電極層之間的距離會比傳統位於對角的N型電極層與P型電極層更近，從而幫助電流分佈得更均勻，以使得發光二極體晶片的發光區域更為均勻，並減少熱能集中及電壓極限上升的現象。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
以下將以圖式揭露本發明之複數實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然
而，熟悉本領域之技術人員應當瞭解到，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節並非必要的，因此不應用以限制本發明。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示依據本發明之第一實施方式之發光二極體晶片之俯視圖。第2圖繪示第1圖之發光二極體晶片沿著A-A’線之剖面圖。如第1及2圖所示，本實施方式之發光二極體晶片可包含一基板10、一N型半導體層20、一發光層30、一P型半導體層40、一N型電極層50以及一P型電極層60。N型半導體層20係設置於基板10上。發光層30係設置於N型半導體層20上。P型半導體層40係設置於發光層30上。N型電極層50係設置於N型半導體層20上。P型電極層60係設置於P型半導體層40上，且P型電極層60包含複數個封閉迴路圖案600，這些封閉迴路圖案600分別環繞著部分N型電極層50。
於本實施方式中，複數個封閉迴路圖案600係彼此相鄰成一列，N型電極層50包含複數個N型電極圖案500，分別被封閉迴路圖案600所環繞。具體來說，封閉迴路圖案600可為矩形圖案且呈封閉的迴圈狀，這些矩形圖案係依序鄰接成列，且在每個封閉迴路圖案600中可環繞一個N型電極圖案500。
由於P型電極層60及N型電極層50分別具有多個封閉迴路圖案600及多個N型電極圖案500，且每一個封閉
迴路圖案600均環繞著一個N型電極圖案500，故即使發光二極體晶片的尺寸較大，N型電極圖案500與封閉迴路圖案600之間的距離亦不致於過大，故可使發光二極體晶片的各個區域的電流均勻分佈，而不致於集中於特定區域，從而以減少熱能集中的現象，以助降低發光二極體晶片的電壓極限，並使得發光二極體晶片的發光區域更為均勻。
於本實施方式中，N型電極圖案500可包含一N型打線區域502，而封閉迴路圖案600包含一P型打線區域602。P型打線區域602係位在封閉迴路圖案600上與N型打線區域502距離最遠的一第一角落604。進一步來說，N型打線區域502係位於N型電極圖案500之一端，且最接近封閉迴路圖案600上的一第二角落606，其係封閉迴路圖案600上與N型打線區域502距離最近的轉角處。由於第二角落606為第一角落604之對角，因此，在封閉迴路圖案600所包圍的區域內，N型打線區域502與P型打線區域602係大致上位於封閉迴路圖案600的兩個對角，故可避免電流過度集中於封閉迴路圖案600中的特定區域。換句話說，封閉迴路圖案600之第一角落604上具有P型打線區域602，而封閉迴路圖案600之第二角落606旁具有N型打線區域502，由於第一角落604與第二角落606互為對角，故可使電流均勻分佈於封閉迴路圖案600中的任意位置，而不會僅侷限於特定區域。
於本實施方式中，N型打線區域502與P型打線區域602均係用以電性連接外部導線(例如：金線，未示於圖
中)。換句話說，外部導線之端部可直接設置在N型打線區域502及P型打線區域602上。於部分實施方式中，N型打線區域502與P型打線區域602之形狀可為圓形或橢圓形的導電圖案，但不以此為限。
於本實施方式中，N型電極圖案500可呈條狀且相互平行，且不同的N型電極圖案500彼此互相分離且位於不同的封閉迴路圖案600中。具體來說，N型電極圖案500可進一步包含一條狀電極圖案504，其係由N型打線區域502平行封閉迴路圖案600的長邊所延伸。不同的N型電極圖案500之條狀電極圖案504係互相平行。
於本實施方式中，N型電極層50及P型電極層60可由金屬或銦錫氧化物(ITO)所形成，但不以此為限。於本實施方式中，N型半導體層20可由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，例如：N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(如：矽)所形成。於本實施方式中，P型半導體層40可由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成，例如：P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二A族元素雜質(如：鎂)而形成。於本實施方式中，發光層30內可包含複數個量子井(quantum well)結構，以幫助N型半導體層20及P型半導體層40所提供的電子及電洞結合。
第3圖繪示依據本發明第二實施方式之俯視圖。第4圖繪示第3圖之發光二極體晶片沿著B-B’線之剖面圖。如
第3級第4圖所示，本實施方式與第一實施方式的主要差異係在於：本實施方式之N型電極層51可進一步包含一電極連接圖案516，其係連接於兩個N型電極圖案510之間。
具體來說，N型電極圖案510具有N型打線區域512於其端部，而電極連接圖案516係連接於兩個N型打線區域512之間。每個N型電極圖案510均具有條狀電極圖案514且彼此平行，而電極連接圖案516與其兩端所連接之N型電極圖案510可共同組合呈U形。換句話說，電極連接圖案516之長度方向與條狀電極圖案514之長度方向大致上垂直。
由於P型電極層61及N型電極層51分別具有多個封閉迴路圖案610及多個N型電極圖案510，且每一個封閉迴路圖案610均環繞著一個N型電極圖案510，故即使發光二極體晶片的尺寸較大，N型電極圖案510與封閉迴路圖案610之間的距離亦不致於過大，故可使發光二極體晶片的各個區域的電流均勻分佈，而不致於集中於特定區域，從而以減少熱能集中的現象，降低發光二極體晶片的電壓極限，並使得發光二極體晶片的發光區域更為均勻。
於本實施方式中，P型打線區域612係位在封閉迴路圖案610上與N型打線區域512距離最遠的一第一角落614，且封閉迴路圖案610上具有一第二角落616，其係封閉迴路圖案610上與N型打線區域512距離最近的轉角處。由於第二角落616為第一角落614之對角，因此，N型打線區域512與P型打線區域612大致上位於封閉迴路
圖案610的兩個對角，故可使電流分佈得更為均勻。
於本實施方式中，部分封閉迴路圖案610係跨過電極連接圖案516的上方。於本實施方式中，發光二極體晶片可進一步包含至少一絕緣層81(請參第4圖)，其係設置於電極連接圖案516與封閉迴路圖案610之間，以避免電極連接圖案516與封閉迴路圖案610互相接觸。換句話說，封閉迴路圖案610係設置於絕緣層81的上方，而電極連接圖案516係設置於絕緣層81的下方，故電極連接圖案516與封閉迴路圖案610會被絕緣層81所分隔而電性絕緣。
於部分實施方式中，絕緣層81之頂面高度與P型半導體層41之頂面高度可為相等，俾利位於絕緣層81上的部分封閉迴路圖案610與位於P型半導體層41上的部分封閉迴路圖案610均設置於等高的平面上。於部分實施方式中，電極連接圖案516與發光層31之頂面高度可為相等，俾利絕緣層81與P型半導體層41設置於等高的平面上。於部分實施方式中，絕緣層81可由透光氧化物所形成，舉例而言，透光氧化物可為二氧化矽(SiO2)，但不以此為限。
於本實施方式中，電極連接圖案516與N型電極圖案510之材料可相同，兩者均可由金屬或ITO所形成，但其材料並不以此為限。於本實施方式中，N型半導體層20可由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，例如：N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(如：矽)所形成。於本實施方式中，P型半導體層41可由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成，例如：P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二A族元素雜質
(如：鎂)而形成。於本實施方式中，發光層31內可包含複數個量子井(quantum well)結構，以幫助N型半導體層20及P型半導體層41所提供的電子及電洞結合。
第5圖繪示依據本發明之第三實施方式之發光二極體晶片之俯視圖。第6圖繪示第5圖之發光二極體晶片沿著C-C’線之剖面圖。如第5及第6圖，本實施方式與第二實施方式之主要差異係在於：本實施方式之封閉迴路圖案620之數量為三個，且彼此相鄰成一列。此外，N型打線區域522係位於上下兩個封閉迴路圖620中，而在中間的封閉迴路圖案620中，電極連接圖案526可進一步延伸出一N型延伸電極528。
應瞭解到，於本實施方式中，封閉迴路圖案620係繪示為三個，惟實際上，P型電極層62亦可包含三個以上的封閉迴路圖案620(例如：四個、五個、六個...或N個封閉迴路圖案620，N為大於3之自然數)。每個封閉迴路圖案620均環繞有N型延伸電極528或條狀電極圖案524。封閉迴路圖案620的數量可視製造者需求而定(例如根據發光二極體晶片的尺寸)，藉由封閉迴路圖案620的增加，可使發光二極體晶片的各個區域的電流分佈得更為均勻。
於本實施方式中，條狀電極圖案524係由N型打線區域522朝向P型打線區域622所延伸。另外，N型延伸電極528係大致上平行於條狀電極圖案524，且兩者均大致上垂直於電極連接圖案526，以共同呈一梳狀結構。
於本實施方式中，發光二極體晶片之絕緣層82(請參第6圖)係設置於電極連接圖案526與封閉迴路圖案620之間，以避免電極連接圖案526與封閉迴路圖案620互相接觸。換句話說，跨過電極連接圖案526之封閉迴路圖案620均係設置於絕緣層82的上方，而電極連接圖案526係設置於絕緣層82的下方，故電極連接圖案526與封閉迴路圖案620會被絕緣層82所分隔而電性絕緣。
於部分實施方式中，絕緣層82之頂面高度與P型半導體層42之頂面高度可為相等，俾利位於絕緣層82上的部分封閉迴路圖案620與位於P型半導體層42上的部分封閉迴路圖案620可設置於等高的平面上。於部分實施方式中，電極連接圖案526與發光層32之頂面高度可為相等，俾利絕緣層82與P型半導體層42可設置於等高的平面上。於部分實施方式中，絕緣層82可由透光氧化物所形成，舉例而言，透光氧化物可為二氧化矽(SiO2)，但不以此為限。
於本實施方式中，電極連接圖案526、N型延伸電極528與N型電極圖案520之材料可相同，例如，三者之材料均可為金屬或ITO，但不以此為限。於本實施方式中，N型半導體層20可由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，例如：N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(如：矽)所形成。於本實施方式中，P型半導體層42可由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成，例如：P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二A族元素雜質(如：鎂)而形成。於本實施方式中，發光
層32內可包含複數個量子井(quantum well)結構，以幫助N型半導體層20及P型半導體層42所提供的電子及電洞結合。
第7圖繪示依據本發明之第四實施方式之俯視圖。如圖所示，本實施方式與前述實施方式之主要差異係在於：本實施方式之N型電極圖案530呈U形。具體來說，N型電極層53之N型電極圖案530可進一步包含U形開口531，P型電極層63之封閉迴路圖案630可進一步包含一P型延伸電極638。P型延伸電極638係由封閉迴路圖案630之邊緣延伸入N型電極圖案530之U形開口531中。
由於P型延伸電極638係延伸入N型電極圖案530之U形開口531中，故可縮短P型延伸電極638與N型電極圖案530之間的距離，從而幫助發光二極體晶片電流分佈得更為均勻。
於部分實施方式中，P型延伸電極638係由封閉迴路圖案630之邊緣垂直地延伸入U形開口531中。換句話說，P型延伸電極638之延伸方向係平行於N型電極圖案530之條狀電極圖案534的長度方向。
於本實施方式中，P型打線區域632係位在封閉迴路圖案630上與N型打線區域532距離最遠的一第一角落634，且封閉迴路圖案630上具有一第二角落636，其係封閉迴路圖案630上與N型打線區域532距離最近的轉角處。由於第二角落636為第一角落634之對角。由於N型
打線區域532與P型打線區域632大致上位於封閉迴路圖案630的兩個對角，故可使封閉迴路圖案630內的電流分佈更為均勻。
第8圖繪示依據本發明之第五實施方式之發光二極體晶片之俯視圖。第9圖繪示第8圖之發光二極體晶片沿著D-D’線之剖面圖。如第8及第9圖，本實施方式與前述實施方式之主要差異係在於：封閉迴路圖案640係以二維陣列的形式排列，而非僅排成單獨一列。具體來說，任一封閉迴路圖案640之相鄰兩側均鄰接著其他封閉迴路圖案640，故整體可形成至少為2x2的陣列形式。
於本實施方式中，N型電極層54所包含之N型電極圖案540彼此相交，且這些N型電極圖案540的相交處係位於相鄰四個封閉迴路圖案640之交接處下方。具體來說，兩個不同的N型電極圖案540之條狀電極圖案544之長度方向不平行，且這些條狀電極圖案544會交叉於封閉迴路圖案640的交接處，藉此，每個封閉迴路圖案640均可環繞部分條狀電極圖案544，從而幫助發光二極體晶片的電流分佈更為均勻。
如圖所示，一N型電極圖案540係由圖中左上方的封閉迴路圖案640延伸至右下方的封閉迴路圖案640，而另一N型電極圖案540則係由圖中左下方的封閉迴路圖案640延伸至右上方的封閉迴路圖案640，以使發光二極體晶片的電流分佈更為均勻。
於本實施方式中，圖中左上方的封閉迴路圖案640可環繞一N型電極圖案540之N型打線區域542a，其中N型打線區域542a係靠近左上方的封閉迴路圖案640之第二角落646a。圖中右下方的封閉迴路圖案640可包含P型打線區域642b，其係位於右下方的封閉迴路圖案640之第一角落644b。第一角落644b與第二角落646a係位在此2×2陣列中的兩對角處，換句話說，N型打線區域542a與P型打線區域642b係大致上位於此2×2陣列的兩對角處，以避免兩者的距離過近而影響電流分佈的均勻性。相似地，圖中左下方的封閉迴路圖案640可環繞另一N型電極圖案540之N型打線區域542b，其中N型打線區域542b係靠近左下方的封閉迴路圖案640之第二角落646b。圖中右上方的封閉迴路圖案640可包含P型打線區域642a，其係位於右上方的封閉迴路圖案640之第一角落644a。第一角落644a與第二角落646b係位在此2×2陣列中的另外兩對角處，換句話說，N型打線區域542b與P型打線區域642a係大致上位於此2×2陣列的另外兩對角處，以避免兩者的距離過近而影響電流分佈的均勻性。
於本實施方式中，如第9圖所示，發光二極體晶片之絕緣層84係設置於N型電極圖案540之交接處與其上方的封閉迴路圖案640之間，以避免N型電極圖案540與封閉迴路圖案640互相接觸。換句話說，封閉迴路圖案640係跨過N型電極圖案540且設置於絕緣層84的上方，而N型電極圖案540係設置於絕緣層84的下方，故N型電極圖案540與封閉迴路圖案640可被絕緣層84所分隔而電性
絕緣。於部分實施方式中，絕緣層84可由透光氧化物所形成，舉例而言，透光氧化物可為二氧化矽(SiO2)，但不以此為限。
於部分實施方式中，N型電極圖案540可相互垂直。具體來說，兩個不同N型電極圖案540之條狀電極圖案544可相互垂直，亦即，兩者之夾角可為90度。
於本實施方式中，N型半導體層20可由摻雜有N型雜質的氮化物半導體所構成，例如：N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(如：矽)所形成。於本實施方式中，P型半導體層44可由摻雜有P型雜質的氮化物半導體所構成，例如：P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二A族元素雜質(如：鎂)而形成。於本實施方式中，發光層34內可包含複數個量子井(quantum well)結構，以幫助N型半導體層20及P型半導體層44所提供的電子及電洞結合。
應瞭解到，本說明書全文中關於第一特徵設置於第二特徵的上方或是第二特徵上的敘述，應包含了第一特徵與第二特徵兩者係直接接觸，以及第一特徵與第二特徵之間具有額外特徵而使第一特徵與第二特徵並非直接接觸形成等實施方式。舉例來說，N型半導體層20設置於基板10上除了代表N型半導體層20與基板10直接接觸，亦不排除在N型半導體層20與基板10之間還存在其他元件的實施方式。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和
範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧基板
20‧‧‧N型半導體層
30,31,32,34‧‧‧發光層
40,41,42,44‧‧‧P型半導體層
50,51,52,53,54‧‧‧N型電極層
500,510,520,530,540‧‧‧N型電極圖案
502,512,522,532,542a,542b‧‧‧N型打線區域
504,514,524,534,544‧‧‧條狀電極圖案
516,526‧‧‧電極連接圖案
528‧‧‧N型延伸電極
531‧‧‧U形開口
60,61,62,63,64‧‧‧P型電極層
600,610,620,630,640‧‧‧封閉迴路圖案
602,612,622,632,642a,642b‧‧‧P型打線區域
604,614,634,644a,644b‧‧‧第一角落
606,616,636,646a,646b‧‧‧第二角落
638‧‧‧P型延伸電極
81,82,84‧‧‧絕緣層
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依據本發明之第一實施方式之發光二極體晶片之俯視圖；第2圖繪示第1圖之發光二極體晶片沿著A-A’線之剖面圖；第3圖繪示依據本發明第二實施方式之俯視圖；第4圖繪示第3圖之發光二極體晶片沿著B-B’線之剖面圖；第5圖繪示依據本發明之第三實施方式之發光二極體晶片之俯視圖；第6圖繪示第5圖之發光二極體晶片沿著C-C’線之剖面圖；第7圖繪示依據本發明之第四實施方式之俯視圖；第8圖繪示依據本發明之第五實施方式之發光二極體晶片之俯視圖；第9圖繪示第8圖之發光二極體晶片沿著D-D’線之剖面圖。
10‧‧‧基板
50‧‧‧N型電極層
500‧‧‧N型電極圖案
502‧‧‧N型打線區域
504‧‧‧條狀電極圖案
60‧‧‧P型電極層
600‧‧‧封閉迴路圖案
602‧‧‧P型打線區域
604‧‧‧第一角落
606‧‧‧第二角落
Claims (22)
- 一種發光二極體晶片，包含：一基板；一N型半導體層，設置於該基板上；一發光層，設置於該N型半導體層上；一P型半導體層，設置於該發光層上；一N型電極層，設置於該N型半導體層上；以及一P型電極層，設置於該P型半導體層上，該P型電極層包含複數個封閉迴路圖案，該些封閉迴路圖案分別環繞著部分該N型電極層。
- 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該些封閉迴路圖案係彼此相鄰成一列，該N型電極層包含複數個N型電極圖案，分別被該些封閉迴路圖案所環繞。
- 如請求項2所述之發光二極體晶片，其中部分該些N型電極圖案包含一N型打線區域，部分該些封閉迴路圖案包含一P型打線區域，而該P型打線區域係位在該封閉迴路圖案上與該N型打線區域距離最遠的一第一角落。
- 如請求項3所述之發光二極體晶片，其中該封閉迴路圖案上與該N型打線區域距離最近的一第二角落為該第一角落之對角。
- 如請求項2所述之發光二極體晶片，其中該N型電極層更包含一電極連接圖案，連接該些N型電極圖案。
- 如請求項5所述之發光二極體晶片，其中該些部分封閉迴路圖案係跨過該電極連接圖案的上方。
- 如請求項6所述之發光二極體晶片，更包含至少一絕緣層，設置於該電極連接圖案與該些封閉迴路圖案之間。
- 如請求項7所述之發光二極體晶片，其中該絕緣層之材料為透光氧化物。
- 如請求項5所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案與該電極連接圖案組合呈U形。
- 如請求項5所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案與該電極連接圖案組合呈梳狀結構。
- 如請求項2所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案呈條狀且相互平行。
- 如請求項2所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案呈U形。
- 如請求項12所述之發光二極體晶片，其中該些封閉迴路圖案各包含一P型延伸電極，該P型延伸電極係由該封閉迴路圖案之邊緣垂直延伸入該N型電極圖案之U形開口中。
- 如請求項2所述之發光二極體晶片，其中該些封閉迴路圖案呈矩形。
- 如請求項1所述之發光二極體晶片，其中該些封閉迴路圖案係以二維陣列的形式排列。
- 如請求項15所述之發光二極體晶片，其中任一該些封閉迴路圖案之相鄰兩側均鄰接著其他該些封閉迴路圖案。
- 如請求項15所述之發光二極體晶片，其中該N型電極層包含複數個N型電極圖案，其中該些N型電極圖案彼此相交，且其相交處係位於相鄰四個該些封閉迴路圖案之交接處下方。
- 如請求項17所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案各包含一N型打線區域，被部分之該些封閉迴路圖案所環繞，而另一部分之該些封閉迴路圖案各包含一P型打線區域，該P型打線區域係位於該封閉迴路圖案上與該N型打線區域距離最遠的一第一角落。
- 如請求項17所述之發光二極體晶片，更包含一絕緣層，設置於該些N型電極圖案之交接處與其上方的該些封閉迴路圖案之間。
- 如請求項19所述之發光二極體晶片，其中該絕緣層之材料為透光氧化物。
- 如請求項17所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案呈條狀。
- 如請求項21所述之發光二極體晶片，其中該些N型電極圖案相互垂直。
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