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TW201316446A - 晶圓狀物件之表面處理用裝置 - Google Patents

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TW201316446A
TW201316446A TW101132729A TW101132729A TW201316446A TW 201316446 A TW201316446 A TW 201316446A TW 101132729 A TW101132729 A TW 101132729A TW 101132729 A TW101132729 A TW 101132729A TW 201316446 A TW201316446 A TW 201316446A
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wafer
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TW101132729A
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TWI636522B (zh
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Ulrich Tschinderle
Andreas Gleissner
Thomas Wirnsberger
Rainer Obweger
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Lam Res Ag
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Publication date
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Abstract

一種晶圓狀物件之處理用裝置包含封閉處理腔室。該封閉處理腔室包含：提供氣密包圍區域的外殼；位於封閉處理腔室內且用以固持其上之晶圓狀物件的旋轉夾盤；及設置於該封閉處理腔室內的內部蓋件。該內部蓋件可於其中旋轉夾盤與封閉處理腔室之外壁相連的第一位置、與其中內部蓋件對鄰近旋轉夾盤的封閉處理腔室之內表面加以密封來定義氣密之內處理腔室的第二位置之間移動。

Description

晶圓狀物件之表面處理用裝置
本發明大致關於例如半導體晶圓的晶圓狀物件之表面處理用裝置，其中自封閉處理腔室內獲得一或更多處理流體。
半導體晶圓受到各種表面處理製程，例如蝕刻、清洗、拋光及材料沉積。為了容納這些製程，單一晶圓可由與可旋轉載具有關之夾盤相關於一或更多處理流體加以支撐，例如於美國專利第4,903,717及5,513,668號中所述者。
或者，可將用以支撐晶圓的呈環狀轉子形式之夾盤定位於封閉處理腔室內，並在不具物理性接觸的情況下經由主動磁性軸承(active magnetic bearing)加以驅動，例如於國際發表編號第WO 2007/101764號及美國專利第6,485,531號中所述者。因離心作用而自旋轉中晶圓之邊緣朝外驅動的處理流體被送至處置用之共同排放管線。
儘管習知之封閉處理腔室在腔室關閉時適當地容納用於晶圓處理之危險物質，但其必須開啟以供裝載及卸載晶圓。此導致處理氣體、化學煙霧、例如汽化異丙醇之熱蒸氣、臭氧及類似者可能釋放至工具環境的明顯風險，而可能導致明顯的安全風險及對於周圍構件及工具的損害。
本發明人已發展出一種改善的用以處理晶圓狀物件之封閉處理腔室，其中在外腔室內設有內腔室，而內腔室及外腔室之各者係配置成提供氣密包圍區域。
因此在一實施態樣中，本發明有關於一種晶圓狀物件之處理用裝置，包含封閉處理腔室。該封閉處理腔室包含：提供氣密包圍區域的外殼；位於該封閉處理腔室內且用以固持其上之晶圓狀物件的旋轉夾盤；及設置於該封閉處理腔室內的內部蓋件。該內 部蓋件可於其中旋轉夾盤與封閉處理腔室之外壁相連的第一位置、與其中內部蓋件對鄰近旋轉夾盤的封閉處理腔室之內表面加以密封來定義氣密之內處理腔室的第二位置之間移動。較佳地，介於第一位置與第二位置之間的該移動為沿旋轉夾盤之旋轉軸的軸向移動。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，當位於第二位置時，內部蓋件形成內處理腔室之一下部。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，內部蓋件包含基座及至少一直立壁，該基座係連接至經由密封件穿過封閉處理腔室之一軸，該密封件容許該軸與封閉處理腔室之間的相對移動、同時維持外處理腔室之氣密性。較佳地，該相對移動為沿旋轉夾盤之旋轉軸的軸向移動。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，至少一處理流體收集器形成於內部蓋件之下部中，該處理流體收集器與排出管連通，該排出管係自內部蓋件懸出、經由密封件穿過封閉處理腔室，該密封件容許排出管與封閉處理腔室之間的相對移動、同時維持外處理腔室之氣密性。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，封閉處理腔室包含獨立受到控制的排放埠，當內部蓋件位於第二位置時，第一排放埠通至封閉處理腔室、內腔室內之一區域中，且當內部蓋件位於第二位置時，第二排放埠通至封閉處理腔室、內腔室外之一區域中。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，內部蓋件包含可相對於內部蓋件獨立地軸向位移的複數防濺板，當內部蓋件位於第二位置時，該等防濺板及內部蓋件係用以在內腔室內定義複數分離處理區域。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，分離處理區域之每一者包含與其流體連通之個別液體排放管。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，可軸向位移的防濺板之每一者係選擇性地自封閉處理腔室外受驅動至一預先定義垂直位置。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，可軸向位移的防濺板之每一者可選擇性地加以定位，以捕獲從由旋轉夾盤所承載的旋轉中之晶圓散出的預先選定之處理流體。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，旋轉夾盤係用以在無物理接觸的情況下經由磁性軸承加以驅動，且旋轉夾盤及內部蓋件可相對彼此垂直地移動。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，磁性軸承包含位於封閉處理腔室外的一定子。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，磁性軸承可選擇性地加以定位，使得從由旋轉夾盤所承載的旋轉中之晶圓散出的預先選定之處理流體被導引至一預先選定之流體收集器。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，磁性軸承為主動磁性軸承。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，封閉處理腔室為半導體晶圓之單一晶圓濕式處理站中的一模組。
在依據本發明之裝置的較佳實施例中，封閉處理腔室係由以過氟烷氧基(perfluoroalkoxy)樹脂塗覆之鋁所製成。
現參照圖1，依據本發明之第一實施例的晶圓狀物件之表面處理用裝置包含外處理腔室1，其較佳地由以PFA(過氟烷氧基，perfluoroalkoxy)樹脂塗覆之鋁所製成。此實施例中的腔室具有主圓柱壁10、下部12及上部15。由蓋件36關閉的較窄之圓柱壁34自上部15延伸。
旋轉夾盤30係設置於腔室1之上部，且由圓柱壁34所圍繞。旋轉夾盤30在裝置使用期間可轉動地支撐晶圓W。旋轉夾盤30結合了包含環形齒輪38的旋轉驅動器，該旋轉驅動器接合並驅動用以選擇性地接觸及釋放晶圓W之周圍邊緣的可偏心移動之複數夾持構件。
在此實施例中，旋轉夾盤30為鄰近圓柱壁34之內表面而設 置的環形轉子。定子32係相對於環形轉子、鄰近圓柱壁34之外表面而設置。轉子30及定子32作為可藉以經由主動磁性軸承使環形轉子30(及從而受支撐之晶圓W)轉動的馬達。例如，定子32可包含複數電磁線圈或繞線，其可受到主動控制以經由設置於轉子上的對應之永久磁鐵而可轉動地驅動旋轉夾盤30。旋轉夾盤30之軸向及徑向軸承亦可藉由定子之主動控制或藉由永久磁鐵來實現。因此，可使旋轉夾盤30懸浮並在無機械性接觸的情況下可轉動地驅動。或者，轉子可由被動軸承支托，其中轉子之磁鐵係由圍繞地排列於腔室外之外轉子上的相對應之高溫超導磁鐵(HTS-magnets)所支托。在此選擇性之實施例的情況下，環形轉子之每一磁鐵被牽制於其對應的外轉子之高溫超導磁鐵。因此在不物理性地連接的情況下，內轉子做出與外轉子相同的移動。
蓋件36具有裝設於其外部上的歧管42，該歧管42供應穿過蓋體36並通至晶圓W上方之腔室中的介質入口44。值得注意的是，此實施例中之晶圓W自旋轉夾盤朝下懸吊、由夾持構件40所支撐，使得經由入口44供應之流體將衝擊於晶圓W之朝上表面上。
在晶圓W為例如300mm或450mm直徑之半導體晶圓的情形中，晶圓W之朝上側將為裝置側或晶圓W之正面側，其係藉由晶圓如何置於旋轉夾盤30上來判定，而因此由腔室1內執行之特定製程所支配。
圖1之裝置更包含可相關於處理腔室1移動的內部蓋件2。內部蓋件2在圖1中係顯示為位於其第一(或開啟)位置，其中旋轉夾盤30係與腔室1之外圓柱壁10連通。此實施例中之蓋件2大致上為杯狀、包含由圓柱壁21圍繞的基座20。蓋件2進一步包含中空軸22，其支撐基座20、且穿過腔室1之底壁14。
中空軸22由形成於主要腔室1中之軸套12所圍繞，且該等元件係經由動態密封件而連接，該動態密封件容許中空軸22相關於軸套12位移、同時對腔室1維持氣密。
在圓柱壁21之頂部附接有環狀折向器構件24，該折向器構 件24於其朝上之表面上載有墊片26。蓋件2較佳地包含穿過基座20之流體介質入口28，使處理流體及沖洗液體可被引入腔室至晶圓W的朝下表面上。
蓋件2進一步包含通至排出管25的處理液體排出開口23。鑑於排出管25係牢固地裝設於蓋件2的基座20，其經由動態密封件17通過腔室1之底壁14，使得該管可相關於底壁14軸向地滑動、同時維持氣密。
排出口16穿過腔室1之圓柱壁10，而分離之排出口46穿過靠近旋轉夾盤30之內表面的蓋件36。各排出口係連接至適合的排出導管(未顯示)，該等排出導管較佳地經由個別之閥及排放裝置而獨立地受到控制。
圖1中所繪之位置對應至晶圓W的裝載或卸載。尤其，可經由蓋件36、或更佳地經由腔室壁10中之側門(未顯示)而將晶圓W裝載於旋轉夾盤上。然而，當蓋件36在適當位置時、且當任何側門已被關閉時，腔室1為氣密且能維持所定義之內部壓力。
在圖2中，內部蓋件2已被移動至其對應至晶圓W之處理的第二(或關閉)位置。亦即，在將晶圓W裝載至旋轉夾盤30上後，蓋件2便藉由作用於中空軸22上之適合的馬達(未顯示)而相關於腔室1朝上移動。內部蓋件2之朝上移動持續直到折向器構件24與腔室1之上部15的內表面相接觸。尤其，由折向器24所承載的墊片26抵住上部15之下側而密封，而由上部15所承載之墊片18則抵住折向器24之上表面而密封。
當內部蓋件2到達如圖2所繪之其第二位置時，便因此在關閉之處理腔室1內產生第二腔室48。並且，內部腔室48係以氣密形式密封於腔室1之其餘部份之外。再者，腔室48較佳地與腔室1之其餘部份分離排放，其係於此實施例中藉由通至腔室48中之排出口46的供應來達成，該供應係獨立於大致上供應腔室1及圖2之配置中的腔室1之其餘部份的排出口16。
在晶圓處理期間，可將處理流體導引通過介質入口44及/或28至旋轉中之晶圓W，以執行各種處理，例如蝕刻、清潔、沖洗、 及受處理晶圓的任何其他期望之表面處理。
整體處理腔室1內的內部腔室48之供應因此藉由允許用於晶圓處理之氣體及流體更佳地隔離於處理腔室之外部環境，而增進環境上封閉腔室的安全性，並減少處理氣體、化學煙霧、例如汽化異丙醇之熱蒸氣、臭氧及類似者被釋放至工具環境的風險。
圖3-6顯示依據本發明之第二實施例，其中內部蓋件2設有一組分隔器，以便在內腔室48內定義分離的處理區域。
具體而言，在內腔室48內設有一或更多可垂直移動之防濺板37、39。在圖3-6中顯示兩圓形防濺板37及39，然而吾人將察知可設置任何期望數量之防濺板，且藉由此揭露內容所思及的為，防濺板之真實數量在某種程度上係取決於欲分離地加以收集的不同處理流體之數量。
外防濺板37係同心地定位於內防濺板39的周圍。因此，內防濺板39在其內部中定義內處理流體收集器31。中處理流體收集器33係藉由形成於內防濺板39之外表面與外防濺板37之內表面之間的環狀區域而定義。外處理流體收集器35係藉由形成於外防濺板37之外表面與圓柱壁21之內表面之間的環狀區域而定義。
用以將自各流體收集器所收集之處理介質輸送至封閉處理腔室之外的排放管線係與每一此流體收集器連結而設置。如圖3所示，排放管線31、33及35各延伸通過內部蓋件之基座20，且亦通過主要腔室1之底壁14。排放管線31、33及35之組合係經由如上述之動態密封件與底壁14連結，以允許排放管線與外腔室1在內部蓋件2移動時的相對移動，同時維持氣密。
此實施例中之折向器27略為延長以容納防濺板37及39的上部，但其他部份則如以上關於第一實施例所述。
防濺板37及39係藉由適合的致動器(例如氣壓缸、氣壓缸及液壓缸之組合、線性馬達、鮑登線(Bowden wire)或其類似者)而相對於內部蓋件2上下移動。儘管並未顯示於隨附圖式，但供防濺板37及39用之致動器係經由動態密封件而相似地穿過底壁14加以裝設。
各防濺板可在垂直方向上獨立移動。因此，各防濺板可選擇性地相對旋轉夾盤30、相對認何其他防濺板、及相對內部蓋件2被升高及/或降低，使得自旋轉夾盤30之軌跡邊緣散出的過量處理流體被導向選定之流體收集器。
在圖3及4中，防濺板37及39二者均顯示為呈抬升狀態，使得在圖4之所繪的工作位置中，自旋轉夾盤30之軌跡邊緣散出的過量處理流體被導向對著內防濺板39之內表面並進入內流體收集器31，因此，來自受處理中之晶圓表面的過量流體可透過排放管線31而選擇性地獲得，並選擇性地加以回收或再利用。
在圖5中，防濺板37及39二者均位於其相對於內部蓋件2之下方位置，而內部蓋件2係位於其第二或關閉位置。在此配置中，自旋轉夾盤30之軌跡邊緣散出的過量處理流體被導向對著圓柱壁21之內表面並進入外流體收集器35。因此，來自受處理中之晶圓表面的過量流體可透過排放管線35而選擇性地獲得，並選擇性地加以回收或再利用。
在圖6中，相對於內部蓋件2，防濺板39係位於其下方位置，且防濺板37係位於其上方位置，而內部蓋件係位於其第二或關閉位置。在此配置中，自旋轉夾盤30之軌跡邊緣散出的過量處理流體被導向對著外防濺板37之內表面並進入中流體收集器33。因此，來自受處理中之晶圓表面的過量流體可透過排放管線33而選擇性地獲得，並選擇性地加以回收或再利用。
圖7及8顯示本發明之第三實施例，其中將第一實施例之腔室設計改成用於一旋轉夾盤，其中晶圓W係裝設於經由中心軸上之馬達的動作而旋轉的夾盤之上側。
尤其，晶圓W係於內部蓋件2位於圖7所繪之裝載/卸載位置時裝載至旋轉夾盤50上，且晶圓W係藉由夾持構件40相對於夾盤50朝一預定方向固定。然後將內部蓋件2移動至如以上相關於第一實施例所述之其第二位置，以定義內腔室48。
在此實施例中，將見到旋轉夾盤50係亦可相對於內部蓋件2垂直地移動，使得可將其抬升至腔室48內的最佳處理位置。然後 藉由作用於軸55上之馬達(未顯示)使旋轉夾盤50轉動。
圖9及10顯示本發明之第四實施例，其中先前實施例之旋轉夾盤50相對於內部蓋件2轉動，但不相對於內部蓋件2軸向地移動。
因此，晶圓W係於內部蓋件2位於圖9所繪之裝載/卸載位置的情況下裝載至旋轉夾盤50上，且晶圓W係藉由夾持構件40相對於夾盤50朝一預定方向固定。然後將內部蓋件2移動至如圖10所繪且於以上相關於第一實施例所述之其第二位置，以定義內腔室48。
由於此實施例之旋轉夾盤50無法相對於內部蓋件2垂直移動，因此內部蓋件2之移動同時用於將晶圓W定位於腔室48內之其最終處理位置。然後藉由作用於軸55上之馬達(未顯示)使旋轉夾盤50轉動。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧蓋件
10‧‧‧圓柱壁
12‧‧‧下部(軸套)
14‧‧‧底壁
15‧‧‧上部
16‧‧‧排出口
17‧‧‧動態密封件
18‧‧‧墊片
20‧‧‧基座
21‧‧‧圓柱壁
22‧‧‧中空軸
23‧‧‧處理液體排出開口
24‧‧‧折向器
25‧‧‧排出管
26‧‧‧墊片
28‧‧‧介質入口
30‧‧‧旋轉夾盤
31‧‧‧流體收集器
32‧‧‧定子
33‧‧‧流體收集器
34‧‧‧圓柱壁
35‧‧‧流體收集器
36‧‧‧蓋件
37‧‧‧防濺板
38‧‧‧環形齒輪
39‧‧‧防濺板
40‧‧‧夾持構件
42‧‧‧歧管
44‧‧‧介質入口
46‧‧‧排出口
48‧‧‧腔室
50‧‧‧旋轉夾盤
55‧‧‧軸
W‧‧‧晶圓
在參照隨附圖式的情況下，於閱讀以上的本發明之較佳實施例詳細說明後，本發明之其他目的、特徵及優點將變得更為顯而易見，其中：圖1為依據本發明之第一實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第一位置；圖2為依據本發明之第一實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第二位置；圖3為依據本發明之第二實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第一位置；圖4為依據本發明之第二實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第二位置、且防濺板呈第一配置；圖5為依據本發明之第二實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第二位置、且防濺板呈第二配置；圖6為依據本發明之第二實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第二位置、且防濺板呈第三配置； 圖7為依據本發明之第三實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第一位置；圖8為依據本發明之第三實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第二位置；圖9為依據本發明之第四實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第一位置；及圖10為依據本發明之第四實施例的處理腔室之說明性剖面側視圖，而內蓋顯示為位於其第二位置。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧蓋件
10‧‧‧圓柱壁
12‧‧‧下部(軸套)
14‧‧‧底壁
15‧‧‧上部
16‧‧‧排出口
17‧‧‧動態密封件
18‧‧‧墊片
20‧‧‧基座
21‧‧‧圓柱壁
22‧‧‧中空軸
23‧‧‧處理液體排出開口
24‧‧‧折向器
25‧‧‧排出管
26‧‧‧墊片
28‧‧‧介質入口
30‧‧‧旋轉夾盤
32‧‧‧定子
34‧‧‧圓柱壁
36‧‧‧蓋件
38‧‧‧環形齒輪
40‧‧‧夾持構件
42‧‧‧歧管
44‧‧‧介質入口
46‧‧‧排出口
W‧‧‧晶圓

Claims (15)

  1. 一種晶圓狀物件之處理用裝置，包含一封閉處理腔室，該封閉處理腔室包含：一外殼，提供氣密包圍區域；一旋轉夾盤，位於該封閉處理腔室內，該旋轉夾盤係用以固持其上之一晶圓狀物件；及一內部蓋件，設置於該封閉處理腔室內，該內部蓋件可於一第一位置與一第二位置之間移動，在該第一位置中，該旋轉夾盤與該封閉處理腔室之一外壁相連，在該第二位置中，該內部蓋件對鄰近該旋轉夾盤的該封閉處理腔室之一內表面加以密封，以定義氣密之一內處理腔室。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中當位於該第二位置時，該內部蓋件形成該內處理腔室之一下部。
  3. 如申請專利範圍第2項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該內部蓋件包含一基座及至少一直立壁，該基座係連接至經由一密封件穿過該封閉處理腔室之一軸，該密封件容許該軸與該封閉處理腔室之間的相對移動、同時維持該外處理腔室之氣密性。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之處理用裝置，更包含形成於該內部蓋件之下部的至少一處理流體收集器，該處理流體收集器與一排出管連通，該排出管係自該內部蓋件懸出、經由一密封件穿過該封閉處理腔室，該密封件容許該排出管與該封閉處理腔室之間的相對移動、同時維持該外處理腔室之氣密性。
  5. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該封閉處理腔室包含獨立受到控制的排放埠，當該內部蓋件位於該第二位置時，一第一排放埠通至該封閉處理腔室、該內腔室內之一區域中，且當該內部蓋件位於該第二位置時，一第二排放埠通至 該封閉處理腔室、該內腔室外之一區域中。
  6. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該內部蓋件包含可相對於該內部蓋件獨立地軸向位移的複數防濺板，當該內部蓋件位於該第二位置時，該等防濺板及該內部蓋件係用以在該內腔室內定義複數分離處理區域。
  7. 如申請專利範圍第6項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該等分離處理區域之每一者包含與其流體連通之一個別液體排放管。
  8. 如申請專利範圍第6項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中可軸向位移的該等防濺板之每一者係選擇性地自該封閉處理腔室外受驅動至一預先定義垂直位置。
  9. 如申請專利範圍第6項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中可軸向位移的該等防濺板之每一者可選擇性地加以定位，以捕獲從由該旋轉夾盤所承載的旋轉中之晶圓散出的預先選定之處理流體。
  10. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該旋轉夾盤係用以在無物理接觸的情況下經由一磁性軸承加以驅動，且其中該旋轉夾盤及該內部蓋件可相對彼此垂直地移動。
  11. 如申請專利範圍第10項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該磁性軸承包含位於該封閉處理腔室外的一定子。
  12. 如申請專利範圍第10項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該磁性軸承可選擇性地加以定位，使得從由該旋轉夾盤所承載的旋轉中之晶圓散出的預先選定之處理流體被導引至一預先選定之流體收集器。
  13. 如申請專利範圍第10項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該磁性軸承為一主動磁性軸承。
  14. 如申請專利範圍第3項之晶圓狀物件之處理用裝置，更包含通過該內部蓋件之該基座的一流體介質入口，使處理流體得以被引導至該內腔室中、一晶圓之一向下表面上。
  15. 如申請專利範圍第1項之晶圓狀物件之處理用裝置，其中該封閉處理腔室係由以過氟烷氧基(perfluoroalkoxy)樹脂塗覆之鋁所製成。
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Families Citing this family (276)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9633890B2 (en) * 2011-12-16 2017-04-25 Lam Research Ag Device for treating surfaces of wafer-shaped articles and gripping pin for use in the device
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
KR101501362B1 (ko) 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20140283994A1 (en) 2013-03-22 2014-09-25 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9597701B2 (en) 2013-12-31 2017-03-21 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US10043686B2 (en) 2013-12-31 2018-08-07 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9657397B2 (en) 2013-12-31 2017-05-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
WO2015162194A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-29 Struers A/S A method of, and an apparatus for, rinsing materialographic samples
KR102255792B1 (ko) 2014-06-26 2021-05-27 주식회사 만도 페달감 모사 장치
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10014198B2 (en) * 2015-08-21 2018-07-03 Lam Research Corporation Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US9887120B2 (en) * 2015-11-03 2018-02-06 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
TW201731600A (zh) * 2016-03-02 2017-09-16 Els System Technology Co Ltd 晶圓清洗機的防噴濺裝置
US10249521B2 (en) * 2016-03-17 2019-04-02 Lam Research Ag Wet-dry integrated wafer processing system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102518220B1 (ko) * 2016-11-09 2023-04-04 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 공정 챔버에서 마이크로전자 기판을 처리하기 위한 자기적으로 부상되고 회전되는 척
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI765936B (zh) 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10843236B2 (en) 2017-01-27 2020-11-24 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Systems and methods for rotating and translating a substrate in a process chamber
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6947437B2 (ja) * 2017-03-06 2021-10-13 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体基板洗浄装置
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497B (zh) 2018-02-14 2025-06-17 Asmip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
TW201939572A (zh) 2018-02-19 2019-10-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 具有可控制噴束尺寸之處理噴霧的微電子處理系統
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN120591748A (zh) 2018-06-27 2025-09-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
CN112242318A (zh) 2019-07-16 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理装置
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7703317B2 (ja) 2019-12-17 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4448799A (en) * 1983-04-21 1984-05-15 Multi-Arc Vacuum Systems Inc. Arc-initiating trigger apparatus and method for electric arc vapor deposition coating systems
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5156174A (en) * 1990-05-18 1992-10-20 Semitool, Inc. Single wafer processor with a bowl
DE59407361D1 (de) 1993-02-08 1999-01-14 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige Gegenstände
US5352898A (en) * 1993-05-18 1994-10-04 Atlantic Richfield Company Method and apparatus for preparing slurry specimens for cryo-scanning electron microscopy
US5472502A (en) * 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5626913A (en) * 1994-03-09 1997-05-06 Tokyo Electron Limited Resist processing method and apparatus
JP3099054B2 (ja) * 1994-09-09 2000-10-16 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及びその方法
US5772770A (en) 1995-01-27 1998-06-30 Kokusai Electric Co, Ltd. Substrate processing apparatus
EP0819330B1 (de) * 1995-04-03 2001-06-06 Levitronix LLC Rotationsmaschine mit elektromagnetischem drehantrieb
DE19622402C1 (de) * 1996-06-04 1997-10-16 Siemens Ag Vorrichtung zum Behandeln wenigstens eines Substrats sowie Verwendung der Vorrichtung
JPH11297800A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nec Kyushu Ltd 半導体装置製造用装置
US6416647B1 (en) * 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
JP4526136B2 (ja) * 1998-06-08 2010-08-18 株式会社日立国際電気 被処理物搬送装置、半導体製造装置及び被処理物の処理方法
EP0986162B1 (de) * 1998-08-24 2007-12-05 Levitronix LLC Sensoranordnung in einem elektromagnetischen Drehantrieb
US6485531B1 (en) * 1998-09-15 2002-11-26 Levitronix Llc Process chamber
US6680253B2 (en) * 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6221781B1 (en) * 1999-05-27 2001-04-24 Fsi International, Inc. Combined process chamber with multi-positionable pedestal
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US6774056B2 (en) * 1999-11-10 2004-08-10 Semitool, Inc. Sonic immersion process system and methods
JP2002134596A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Tokyo Electron Ltd 処理装置
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US7171973B2 (en) * 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3984004B2 (ja) * 2001-07-16 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2003021642A2 (en) 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100422452B1 (ko) * 2002-06-18 2004-03-11 삼성전자주식회사 로드락 챔버용 스토리지 엘리베이터 샤프트의 실링장치
JP3866655B2 (ja) * 2002-12-26 2007-01-10 励起 渡辺 処理装置及び処理方法
ATE421165T1 (de) 2003-03-20 2009-01-15 Sez Ag Einrichtung und verfahren zur nassbehandlung scheibenförmiger artikel
US8261757B2 (en) * 2003-06-24 2012-09-11 Lam Research Ag Device and method for wet treating disc-like substrates
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US20070000527A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Aegerter Brian K Workpiece support for use in a process vessel and system for treating microelectronic workpieces
JP2007088398A (ja) * 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
WO2006107549A1 (en) 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US7416607B2 (en) * 2005-05-25 2008-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluid injection apparatus for semiconductor processing
TWI343840B (en) * 2005-07-06 2011-06-21 Applied Materials Inc Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
JP4757882B2 (ja) * 2006-01-10 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
US7794546B2 (en) * 2006-03-08 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Sealing device and method for a processing system
JP4937278B2 (ja) * 2006-03-08 2012-05-23 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト 板状物品の流体処理用装置
KR100797079B1 (ko) * 2006-07-12 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100816740B1 (ko) * 2006-08-30 2008-03-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US7378618B1 (en) 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
TWI359456B (en) * 2006-12-15 2012-03-01 Lam Res Ag Device and method for wet treating plate-like arti
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP2012513185A (ja) * 2008-12-19 2012-06-07 ラム・リサーチ・アーゲー ディスク状の物品を扱うための装置およびその動作方法
EP2372749B1 (de) * 2010-03-31 2021-09-29 Levitronix GmbH Behandlungsvorrichtung zur Behandlung einer Oberfläche eines Körpers
US8485204B2 (en) * 2010-05-25 2013-07-16 Lam Research Ag Closed chamber with fluid separation feature
US20130101372A1 (en) * 2011-10-19 2013-04-25 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US8899246B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-02 Lam Research Ag Device and method for processing wafer shaped articles
US8974632B2 (en) * 2011-11-30 2015-03-10 Lam Research Ag Device and method for treating wafer-shaped articles
US9548223B2 (en) * 2011-12-23 2017-01-17 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013035019A3 (en) 2014-10-30
US10269615B2 (en) 2019-04-23
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CN104160496A (zh) 2014-11-19
JP2015506087A (ja) 2015-02-26

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