TW201036095A - Substrate processing system - Google Patents

Description

201036095 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用以製造例如有機EL元件等之 基板處理系統。 【先前技術】 近年來，已開發一種利用電發光（EL ; Electro Luminescence)之有機EL元件。由於有機EL元件幾乎 不會發熱，故相較於陰極射線管等其消耗功率較小， 又，由於係為自發光，故相較於液晶顯示器(LCD)等具 有視角良好等優點，今後的發展受到矚目。 該有機EL元件最基本的構造係在玻璃基板上重疊 陽極層、發光層及陰極層所形成之三明治構造。為了使 發光層的光放出’玻璃基板上的陽極層係利用 ITO(lndium Tin Oxide ;氧化銦錫）所構成之透明電極。 相關的有機EL元件一般係在表面預先形成有IT〇層（陽 極層）之玻璃基板上，依序成膜出發光層與陰極層，再 更進一步地成膜出封裝膜層所製造β 上述有機EL元件的製造一般來說，係藉由具有用 以形成發光層、陰極層、封裝膜層等之各種成膜處理裝 置或蝕刻裝置等的基板處理系統而進行。 專利文獻（日本特開2007-335203號公報)揭示了在 所謂正向型方式的狀態下進行基板處理之發光元件（有 機EL元件）的製造裴置。該專利文獻所記載之發光元件 201036095 製造裝置能以良好的産能來製造具有包含有機層之複 數層的發光元件(有機EL元件）。 上述專利文獻所記載之處理系統係在沿著特定的 搬送通路所設置之1個或2個以上的轉移模組側面處， 連接有成膜處理裝置或蝕刻處理裝置等複數個處理裝 置之結構。該處理系統一般係在真空中進行一連串的成 膜或蝕刻、封裝等各步驟來製造必須防止大氣中的水分 之有機EL元件。 然而，上述專利文獻所記載之處理系統具有連接於 轉移模組侧面處的各種處理裝置之間的間隔狹小，且維 修性不佳之問題。特別是習知的處理系統所使用之5角 形以上的多角形轉移模組中，相鄰接之各種處理裝置之 間的間隔非常狹小。 【發明内容】 因此本發明之目的在於提供一種可使連接於轉移 模組侧面處之各種處理裝置之間的間隔變寬，且維修性 良好之基板處理系統，並能避免產能的惡化，且可確保 充分的生産性之基板處理系統。 本發明係提供一種基板處理系統，其係用以處理基 板，藉由可抽真空之1個或2個以上的轉移模組而構成 直線狀之搬送通路；該轉移模組係由用以將基板相對於 處理裝置搬出入之複數個搬出入區域，以及設置於該等 搬出入區域之間的1個或2個以上之儲存區域所構成； 5 201036095 並且該轉移模組側面處連接有該處理裝置。 、—本發月之基板處理系統係於轉移模組内部設置 複數個搬出入區域，以及設置於該等搬出入區域之間之 组側面處，在對向於各搬出入 =域的位置連接有處理裝置。因此，於轉移模組侧面 J，„接之處理裝置之間，在對應於各搬出入區 5之:所⑦置之儲存區域的位置會形成有間隙。

該基板處理系統中，該轉移模_其長邊方向沿著 、=搬达通路而設置之長方體形狀。又，該轉移模組可為 儲？=而連接複數個搬出入區域與1個或2個以上的 儲存區域之結構。又，該轉移模 ;rr置有搬送臂，該儲存區域可設置有= 之間可設置有抽真空之收送室。又，亦可為在n 面進行成膜之正向型（face_up)方式。’，、、土$的上

又，該轉移馳侧面處可賴有心將 =案的光罩重疊在基板之光罩對準裝置。此時，可且有 =以將使祕絲處軸鮮洗淨之鮮清潔處理裝 :二該光罩清潔處理裝置可具有利用《作用來將 體，化之清潔氣體產生部。又，該光罩清潔處 隔=可納光罩之處理容器，以及與該處理容器 2地設置之清潔氣體產生部；該清潔氣體產生部中， @由電漿仙》^被活性化之清潔氣體，可以 電裝方式料μ域理容兄下，該清ϋ 6 體產生部可利用下向流(downflow)電漿來將清潔氣體 活性化。藉由將利用下向流電漿而被活化之清潔氣體導 入該處理容器内，可將活性自由基在接近常溫的狀態下 導入處理容器内’且可在不會造成熱損傷的情況下將光 罩洗淨。又，該清潔氣體產生部可為利用誘導結合電漿 方式來產生高密度電漿之結構。又，該清潔氣體產生部 可為利用微波電功率來產生高密度電漿之結構。再者， 該清潔氣體可包含氧自由基、氟自由基、氣自由基中任 一者。 本發明之轉移模組侧面處，於相互鄰接之處理裝置 之間，在對應於各搬出入區域之間所設置之儲存區域的 位置處形成有間隙。如上所述藉由利用形成於各種處理 裝置之間的間隔，可獲得維修性良好的基板處理系統。 又，可獲得能避免產能惡化，並確保充分的生産性之基 板處理系統。 【實施方式】 以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。以下 的實施形態係以在基板G的上面進行成膜等各處理來 製造有機EL元件A之所謂的正向型方式基板處理系統 1為範例來加以具體說明。又，本說明書及圖式中，針 對實質上具有相同功能的構成要件則賦予相同的符號 而省略重複說明。 圖1係本發明實施形態之基板處理系統丨所製造之 201036095 有機EL元件八的製造步驟之說明圖。如 準備於上面成膜麵極⑽靖1()之麵G = 係由例如玻璃等所形成之透 土板 in在λ tiyvt τ 何計所構成。又，陽極層 係由 iT〇(indmm Tin 〇xide;氧化 材料所構成。又，陽極層ω似明導電性 成於基板G的上面 軸由例如_法等而形 首先，如圖1(b)所示，陽極層丨 膜有發光細層汨。又，發光声：由f鍍法； 電洞輸送層、非發光層(電子遮蔽層)、藍發:層層= 先層、綠發光層、電子輸闕Μ層結鱗 接下來，如圖⑽所示，發光層u上藉Γί鑛法 成膜有L!等所構成之處理參數調整層12。 接下來，如圖1⑷所示，處理參數調整層12上， 例如Ag、A1等所構成之陰極層13係藉由例如使用有光 罩之濺鐘法’而被圖案化成為特定的形狀。 接下來’如圖1(e)所示，藉由以陰極層13作為光 罩來將發光層U及處理參數調整層12進行例如電衆敍 刻’以將發光層11及處理參數調整層12圖案化。 接下來，如@1_示，以將發光層u、處理參數 雜層12、陰極層13❸周圍及陽極層-部份覆 盍之方式，而料例如&氡切(siN)賴成之絕緣性 保護層14。該保護層14的形成係藉由例如使用有光罩 之CVD法而進行。 接下來，如圖1(g)所示 與陰極層13電連接之例 201036095 =i、A1等所構叙導電層15被颜為特定圖宰。今 行〇 我係糟由例如使用有光罩之濺鍍法而進 覆蓋Ϊ圖1〇1)所示’以將導電層15的-部份 ίίΐ被 使例如氮切㈣所構成之絕緣性保 Ο ϋ /為特定圖案。該保護層16的形成係藉由 例如使时光RCVd法㈣行。抓成分猎由 層10與層 1製造之有機EL元件A可藉由在陽極 相關的有機KL元件H施加電壓來使發先層11發光。 (照明、光源等），介可適用於顯不裝置或面發光元件 圖2係用㈣可利用於其他各種電子機器。 之基板處理系統j有機EL元件A之本發明實施形態 著基板G的搬送&說明圖。該基板處理系統1中，沿 置20、第1轉移挺°泣® 2 +為朝向右方），將裝載裝 第2轉移模組23、、^21、發光層11之蒸鍍處理裝置22、 第2收送室26、笛1收达室24、第3轉移模組25、 地串:排列而構成裝置-依序 置2。與载第'置轉=，(在圖”為朝向左方)、裝載裝 鍍處理裝置22 、、、且21之間、第1轉移模組21與蒸 23之間、第2轅敕曰、蒸鍛處理製置22與第2轉移模組 收送室：與第ST崎第1收心^ 與第2收送室C組25之間、第3轉移模組25 6之間、第2收送室％與第4轉移模組 201036095 27之間、第4轉移模組27與卸載裝置28之間及卸載 裝置28的後方(在圖2為右方)設置有閘閥30，以分別 將裝載裝置20、第1轉移模組21、蒸鍍處理裝置22、 第2轉移模組23、第1收送室24、第3轉移模組25、 第2收送室26、第4轉移模組27及卸載裝置28的内 部密閉。又，裝載裝置20、第1轉移模組21、蒸鍍處 理裝置22、第2轉移模組23、第1收送室24、第3轉 移模組25、第2收送室26、第4轉移模組27及卸載裝 置28内部係藉由未圖示之真空幫浦被抽真空。 第1轉移模組21侧面處透過閘閥36連接有基板G 之洗淨處理裝置35。第1轉移模組21的内部設置有搬 送臂37。將該搬送臂37所載置之基板G沿著搬送通路 L從裝載裝置20搬送至蒸鍍處理裝置22,同時可將基 板G在第1轉移模組21内部與洗淨處理裝置35之間朝 向與搬送通路L呈直交之方向搬送。 第2轉移模組23的内部設置有前方搬出入區域 40、後方搬出入區域41以及設置於該等前方搬出入區 域40及後方搬出入區域41之間之一儲存區域42。第2 轉移模組23係其長邊方向沿著搬送通路而設置之長方 體形狀。第2轉移模組23的内部中，沿著搬送通路L 朝向基板G的搬送方向（在圖2中為朝向右方广依序串 聯地設置有前方搬出入區域40、儲存區域42、後方搬 出入區域41。 第2轉移模組23的内部中，前方搬出入區域40係 10 201036095 設置有搬送臂43，後方搬出人區域41係設置有搬 44。^ ’儲存區域42則設置有收送台45。 ❹ 第2轉移模組23侧面處，透過閘閥54分別連 處理參數調整層12之蒸鍍處理裝置50、濺鍍處理裝置 =、光罩財室52及鮮解裝置53。級處理裝置 /、光罩儲存室52係分別設置於第2轉移模組幻之 相反側的面。又’蒸鍍處理裝置5〇與光罩儲存室2係 ，置於與前方搬出人區域4G呈對向的位置。光罩儲存 室52處待機有用以形成特定的成膜圖案之光罩μ。 第2轉移模組23的内部中，設置於前方搬出入區 ♦之搬送臂43在將基板G沿雜送it路L從蒸鍍 二理裝置22搬送至儲存區域42的同時，可在第2。 部與蒸鑛處理裝置5〇之間將基板〇朝向與搬 运通路L呈直交之方向搬送。又，設置於前方搬 域40之搬送臂43可在光罩儲 & 間搬送光罩M。 ^慰域42之 第2 理裝置51與光罩對準裝置53係分別設置於 ^轉移模組23之相反侧的面n_ 、 =光罩對準裝置53係設置於與後方搬 ；· 向的位置。 law王對 第2轉移歡23的内部中，設置於後 之搬㈣44在將基板G沿著崎通路l ， :域42搬送至第1收送室24的同時’可在第2轉，二 組23内部與澉鍍處理裝置51及光罩對準:置轉= 11 201036095 ’將基板G朝向與搬送通路L呈直交之方 ’設置於後方搬出入區域41之搬送臂44可在、 42與光罩對準裴置53之間搬送光罩M = 又’第2轉移模組23的内部中，設置於 42之收送台45可使基板G及衫M待機。又，= 向於儲存區域42的位置處，於第2轉移模組幻側面處 未連接有各種處理裝置等。因此’於第2轉移模組2题3 側面處，於蒸鍍處理裝置50與濺鍍處理裝置51 =間及 光罩儲存室52與光罩對準裝置53之間在對向於儲存區 域42的位置處，會形成與收送台μ同等程度間隔的^ 第3轉移模組25内部係設置有前方搬出入區域 6〇、後方搬出人區域61以㈣置於料前方搬出入區 域60及後方搬出入區域61間之一儲存區域幻。第3 轉移模組25係其長邊方向沿著搬送通路而設置之長方 體形狀。第3轉移模組25的内部中，沿^送通路l 朝向基板G的搬送方向(在圖2巾為如右方），依 聯地設置有前方搬出人區域6Q、儲趣域&、後方搬 出入區域61。 第3轉移模組25的内部中，前方搬出入區域⑼係 設置有搬送臂63 ’後方搬出入區域61係設置有搬送臂 64。又，儲存區域62則設置有收送台65。 第3轉移模組25侧面處，透過閘閥M分別連接有 _處理裝置70 ' CVD處理裝置71、光罩儲存室^ 12 201036095 及光罩對準袭置73。麵刻處理裝置70與光罩儲存室72 3轉移模組25之相反侧的面。又，截 ® ^二m G與光罩館存室72係設置於與前方搬出入 二u、，向的位置。*罩儲存室72待機有用以形成 特疋的成膜圖案之光罩Μ。 Ο 、第3轉移模組25的内部中，㈣於前方搬出入區 域⑼之搬送臂63在將基板G沿著搬送通路L從第！ 收达至24搬送至儲存區域⑽的同時，可在第3轉移模 組25内部^刻處理裝置7〇之間’將基板G朝向與搬 ^通路L王直交之方向搬送。又，設置於前方搬出入區 間搬送光罩Μ。 储存室72與儲存區域62之 CVDa處理震置71與光罩對準裝置73係分別設置 於3轉移模組25之相反侧的面。又，CVD處理裝置71 ❹ 與光罩對準裝置73係設置於與後方搬出人區域61呈對 向的位置。 第3轉移模組25的内部中，設置於後方搬出入區 域61之搬送臂64在縣板G沿著搬賴路L從 區域62搬送至第2收送室26的同時，可在第3轉移模 組25内部與CVD處理裝置71及光罩對準裝置之 間，將基板G朝向與搬送通路L呈直交之方向搬送。 又’設置於後方搬出入區域61之搬送臂64可在儲 域62與光罩對準裝置73之間搬送光罩μ。 时 又’第3轉移模組25的内部中，設置於儲存區域 13 201036095 =之收送台65可使基板〇及 ^於館存區域62的位置處，^ M 1機。又’在對 未連接有各種處理裝置等。因此，於3組25側面處 則面處，麵刻處理裝置70與CVD广轉移模組25 光罩儲存室72與光罩對準裝置73:穿:置71之間及 區域犯的位置處，會形成 ：，在對向於錯存 的間隙。 ^收、13 65同等程度間隔 ⑽、後方内部係設置有前方搬出入區域 域8 及設置⑽轉前方搬出入區 及後方搬出入區域81間之一儲 轉移模組27職㈣方m搬 弟4

體形狀。第4轉移模組27:==設置之長方 釦人a· k 〇 Μ 1 T沿者搬送通路L ^向基板G的搬送方向(在圖2中為朝向右方），依序串 聯地設置有前方搬出入區域8〇、儲 串 出入區域81。 錯存區域82、後方搬 第二轉移模組27的内部中，前方搬出入區 〜置有搬送臂83，後方搬出人區域8ι _ 二 料。又，儲存區域82則設置有收送台幻。 送, 第4轉移模組2 7侧面處’透過P:閥9 4分別連接有 機錢處理裝置90、CVD處理裝晉Ql J連接有 及光罩對準裝置93。濺鍍處理誓置光罩對準裝置92 %係分別設置於第4轉==7置^〇與光罩對準裝置 说^ 稞、，且27之相反侧的面。又， 璣鑛處理裝置90與光罩對準裝置9 出入區域80 |對向的位^。 糸"又置於”剛方撤 201036095 第4轉移模組27的内部中，設置於前方搬出入區 域80之搬送臂83在將基板G沿著搬送通路l從第2 收送室26搬送至儲存區域82的同時，可在第*轉移模 組27内部與濺鍍處理裝置90及光罩對準裝置92之 間’將基板G朝向與搬送通路[呈直交之方向搬送。 Ο

CVD處理裝置91與光罩對準裝置93係分別設置 於4轉移模組27之相反側的面。又，CVD處理裝置9ι 與光罩對準裝置93係設置於與後方搬出人區域81 向的位置。 、第4轉移模組27_部卜妓於後方搬出入區 域81之搬送臂84在將基板G沿著搬送通路l從 區域82搬送至卸載裝X28的同時，可在第 27内部與㈣處理裝置91與光罩對準裝㈣之間、且 將基板G朝向與搬送通w呈直交之方向搬送。 又，第4轉移模組27的内部中， 82之收送台85可使基板（}拣擁^ ^ 、儲存&域 域_立置處，於第4轉於儲存區 種處理裝置等。因此未連接有各 祕各从 第4轉移模組27側面處，淼 鍍處理裝置90與CVD處理裝置91 =表 置92盥光罩對準梦詈Qq 3光罩對準震 罝光罩對準裝置93之間在對向於 位置處，會形成有與收送台 子衩82的 SI 3 # ® ^ 同專程度間隔的間隙。 '、?>、、又裝置22之概略說明圖。圖3所亍 之4鍍處理裝置22係Μ ώ •德A 所不 光層… 1 糸藉由蒸鍍來形成圖Kb)所示之發 201036095 洛鏟處理褒置22具有密閉處理容器⑽。處理容 器=係其長邊方向沿著搬送通就㈣置之長 狀，處理容器100的前後面透過間閥30分別連接有第 1轉移模組21與第2轉移模組23。 -= 理Λ11100的底面處連接有具有真空幫浦（未圖 不)之排氣管101，以使處理容器刚的内部減壓。處Ξ 容器刚的内部具有將基板G保持於水平 102。基板G係在形成有陽極層1G之上面為朝向上= 正向型方式陳態下被毅於料台⑽。保持 係在沿著搬送通路L所設置之軌道1〇3上行走 板G沿著搬送通路搬送。 令暴 處理容器1GG的頂面處’係沿著基板G的搬送方 (搬送通路L)設置有複數個蒸鍍頭1(>5。各蒸鍍頭^ 透過配管107分別連接有供給用以形成發光層u之 膜材料的蒸氣之複數個蒸氣供給源1〇6。藉由一邊將該 等蒸氣供給源106所供給之成膜材料的蒸氣從各蒸= 頭105噴出，一邊將被保持於保持台1〇2上之基板a 沿著搬送通路L搬送，可依序在基板G的上面成骐形 成出電孔輸送層、非發光層、藍發光層、紅發光声、'綠 發光層、電子輸送層等，而在基板G的上面形成^光層| 圖4係蒸鍍處理裝置5〇的概略說明圖。圖4所厂、 之蒸鍍處理裝置50係藉由蒸鍍而形成圖1(c)所示之= 理參數調整層12。 201036095 ιιοίίίΓίί 5G具有密閉處理容11 11G。處理容器 置之長方體tli著^!送通路L呈直交之方向而設 ^ 处理容器U0的前面係透過閘閥54 而連接於f 2轉移模組23之侧面處。

处理各器U0的底面處連接有具有真空幫浦(未圖 排氣管111 ’以使處理容器110的内部減壓。處理 谷盗110的内部具有將基板G保持於水平之保持台 112。基板G係在形成有發光層u之上面為朝向上方之 正向型方式的狀態下被載置於保持台112。保持台112 係在沿著搬送通路L所㈣之執道113上行走，以將基 板G沿著與搬送通路L呈直交之方向搬送。 處理容器11〇的頂面處設置有蒸鍍頭115。蒸鍍頭 115透過配管117連接有供給用以形成處理參數調整層 12之Li等成膜材料的蒸氣之蒸氣供給源116。藉由一 邊將蒸氣供給源116所供給之成膜材料的蒸氣從蒸鍍頭 115喷出，一邊將被保持於保持台112上之基板G沿著 與搬送通路L呈直交之方向搬送，可在基板G的上面 形成出處理參數調整層12。 圖5係濺鍍處理裝置51、90的概略說明圖。又， 賤鍍處理裝置51、90具有同樣的結構。圖5所示之減 鍍處理裝置51、90係藉由濺鏡而成膜出圖Rd)所示之 陰極(陰極)層13及圖1(g)所示之導電層15。 濺鐘處理裝置51、90具有密閉處理容器120。處 理容器120係其長邊方向沿著與搬送通路乙呈直交之方 17 201036095 向所设置之長方體形狀’雜處理裝置51之處理容器 120的丽面係透過閘閥54而連接於第2轉移模組”之 侧面處’濺鍍處理裝置9〇之處理容器12〇的前面係透 過閘閥94而連接於第4轉移模組27之側面處。 —處理容器12〇的底面處連射具有真空幫浦(未圖 示)之排氣管121，以使處理容器12〇的内部減壓。處理 容器12G _部具有將基板^保持於水平之保持台 122。基板G係在形成有發光層u之上面為朝向上方之 正向型方式的狀態下被載£於簡台122。保持台122 係在沿著與搬送通路L呈直交之方向所設置之軌道123 上行走，以將基板G沿著與搬送通路£呈直交之方向 搬送。 該濺鍍處理裝置51、90係將一對平板狀標靶125 分隔特定間隔所對向設置之對向標靶濺鍍(FTS ; Facing target sputtering)。標靶 125 為例如 Ag、Ai 等 q票靶 i 25 的上下處设置有接地電極126，從電源127在標乾125 與接地電極126之間施加電壓。又，標靶125的外側處 a又置有用以使標乾125間產生磁場之磁石128。又，處 理容器120之壁面處，係開口有用以將Ar等濺鍍氣體 供給至處理容器120内之氣體供給部129。 相關之濺鍍處理裝置51、90係在一邊將被保持於 保持台122上之基板G沿著與搬送通路L呈直交之方 向搬送，一邊在標靶125間產生磁場的狀態下，來使標 輕125與接地電極126之間產生輝光放電，以在標乾 18 201036095 125間產生電漿^藉由利用該電漿來產生濺鍍現象，以 使標靶125的材料附著在基板G的上面，而可利用濺鍍 法來連續地成膜出陰極層13或導電層15。 圖6係截刻處理裝置70之概略說明圖。圖6所示 之蝕刻處理裝置70係藉由電漿蝕刻來將發光層n及處 理參數調整層12如圖1(e)所示般地圖案化。 蝕刻處理裝置70具有密閉處理容器130。蝕刻處 理裝置70之處理容器13〇的前面係透過閘閥74而連接 於第3轉移模組25之側面處。 _處理容器13〇的底面處連接有具有真空幫浦（未圖 不）之排氣管131，以使處理容器uo的内部減壓。處理 容器130的内部具有將基板G保持於水平之保持台 132。基板G係在形成有發光層u之上面為朝向上方之 正向型方式的狀態下被载置於保持台132。 處理容器130的頂面處，係與保持台132的上面對 向設置有大地電極133。處理容器13〇的外侧處設置有 從向頻電源134施加高頻電功率之線圈135。保持台 為從高頻電源136被施加高頻電功率之構造。處理容器 130的内部從氣體供給機構供給有例如等餘 刻氣體^相關之蝕刻處理裝置7〇中，利用施加於線圈 135之尚頻電功率來將被供給至處理容器13〇内之蝕刻 氣體電漿激發，可將發光層u及處理參數調整層12蝕 刻而圖案化成特定的形狀。 圖7係CVD處理裝置71、91之概略說明圖。又， 19 201036095 CVD處理裝置71、91係具有相同的結構^圖示之 CVD處理裝置7卜9U系藉由㈣法而成膜出圖 所不之保護層14或圖1(h)所示之保護層16。 CVD處理裝置71、91係具有密閉處理容器刚。 CVD處理裝置71之處理容器14〇的前面係透過閑問％ 而連接於第3轉移模組25側面處，CVD處理裝置％

的處理容器140的前面係透過閘閥94而連第 移模組27側面處。 H 處理谷器140的底面處連接有具有真空幫 示)之排氣管⑷，以使處理容器⑽的内部減壓。(= 容器140的内部具有將基板G保持於水平之保持台 142。基板G係在形成有發光層u之上面為朝向上方之 正向型方式的狀態下被載置於保持台142。 處理容器120的頂面處設置有天線145，天線145 從電源146被施加有微波。又，天線145與保持台142 之間設置有將用以進行成膜之成膜原料氣體供給至處 理容器140内之氣體供給部147。氣體供給部147係形 成為例如格子狀，可使微波通過。相關之CVD處理裝 置71、91中’於被保持於保持台142上之基板G的上 面處’係藉由天線145所供給之微波來將氣體供給部 147所供給之成膜原料氣體電漿激發，可成膜出例如由 氮化矽(SiN)所構成之絕緣性保護層14、16。 接下來說明以上述方式所構成之基板處理系統1 中的有機EL元件A之製造步驟。首先，將透過裝裁裝 201036095 置20被搬入至基板處理系統1之基板G，藉由第i榦 之搬送臂37搬人至洗淨處理裝置％。此時， 基板G表面以特定賴_先形 =^1G。基板G麵形成有陽極層K)之表面= Ο

M it·(正向型方式的狀態)下被搬入洗淨處理裝 ί 35。然後，在洗淨處理衫35 t對基板G進行洗淨 ，理’將洗淨後的基板G藉由第移模組2 臂37從洗淨處理裝置35搬人至蒸鑛處理裝置22。L 接著’蒸鍍處理裝置22中，在已減壓之處理容器 基板係在表面(賴面)為躺上方之狀態(正向 型方式的狀態)下被保持於保持台搬上並沿著搬送通 ^ 搬送。又另—方面’在處理容器副内，成膜材 枓之魏雜各蒸鍍頭1G5被嘴出。藉此，依序在基板 G的上面成膜出電洞輸送層、非發光層、藍發 工 =層、祕光層、電子輪送層，以如圖所示般地 在基板G的上面形成發光層u。 4接著，蒸錢處理裝置22中，形成有發光層η之基 板g，係藉由設置於第2轉移模組23的前方搬出入區 域40之搬送臂43從蒸鑛處理裳置22被搬出並被搬入 至蒸鍍處理裝置50。 接著，蒸鐘處理裝置5〇 _，於減紐之處理容器 别士1基板係在表面(成膜面)為朝向上方之狀態(正向 方式的狀態)下被保持於保持台112上並沿著與搬送 、路L呈直父之方向被搬送。又另—方面，處理容器 21 201036095 〇 上 U0内’ Li等成膜材料之蒸氣係從蒸艘頭出被喷出 藉此’如目1(e)所示，在基板G上面，於發光層、u 形成處理參數調整層12。 整声置⑽中’形成有處理參數調 整層2之基板（^健由設置於第2轉移模_的前方 搬出^區域40之搬送臂43從蒸鍍處理裝置％被搬 出’亚被㈣設置於第2轉移模組23内的儲存區 之收送台45。 接著，被送到收送台45之基板G ,係於第2轉移 模組23的内部’藉由設置於後方搬出入區域41之搬送 臂44而從收送台45被取出並被搬入至光罩對準裝置 接著，於鮮對準|置53巾，光罩M會被定位並 ^放在基板G的上面。又，光罩M係藉由例如設置於 刖方搬出入區域40之搬送臂43從光罩儲存室52被搬 出，並被送到設置於第2轉移模組23内的儲存區域42 之收送台45，更進一步地，藉由設置於後方搬出入區 域41之搬送臂44從收送台45被取出並被搬入至光罩 對準裝置53。 接著’於上面定位有光罩Μ狀態下的基板〇，係 藉由設置於第2轉移模組23的後方搬出入區域41之搬 送臂44從光罩對準襞置53被取出並被搬入至濺鍍處理 裝置51。 接著’濺鍍處理裝置51中，於減壓後之處理容器 22 201036095 1汾内，基板係在表面(成膜面)為朝向 型方式的狀態)下被保持於雜台122 通路L呈直交之方向被搬送π 與搬送 120内，在禪靶方面於處理容器 _ 初乾125與接地電極126之間施加雷嚴，、， 從氣體供給部129供給軸。觀，如 ’厂亚 在基板G的上面，處理參數調整不’ Μφ^,Ι m m λ>γ 上之陰極層13 Ο Ο =由利用先罩Μ之騎法會被_化而形成特定的形 接著，濺鐘處理裝置51中，成膜有陰極層 ^ G ’係藉由設置於第2轉移模組23的後方搬出入^ =第之/!=44從雜處理裝置51輪岐被搬入 至被第1收送室24。 接著，藉由設置於第3轉移模組25的前 區域60之搬送臂63將基板G從第i收送室％搬出並 搬入至姓刻處理裝置7〇。 接者，I虫刻處理裝置70中，減壓後之處理容器13〇 内，基板係在表面(成膜面)為朝向上方之狀態(正向型方 式的狀態）下被保持於保持台132上。 一 八乃一万面，從 面頻電源136對保持台132施加高頻電功_，並於處理 容器130内從氣體供給機構137供給例如N2/Ar等之蝕 刻氣體。藉此，如® i⑷所示，在基板（}的上面，以陰 極層13作為光罩，發光層u及處理參數調整層η會 被電漿蝕刻，而使得發光層u及處理參數調整2 圖案化。 23 201036095 λ 接者，钱刻處理裝置7〇中，發光層η及處理參數 =，層12被圖案化後之基板G，係藉由設置於第3轉 理，組25的前方搬出入區域6〇之搬送臂63從蝕刻處 沾二置7〇被搬出，並被送到設置於第3轉移模組25内 々館存區域62之收送台65。 榱接著，被送到收送台65之基板G，係於第3轉移 6^t25的内部藉由設置於後方搬出入區域61之搬送臂 k收送台65被取出並被搬入至光罩對準裝置73。 ，著，於光罩對準裝置73中，光罩M會被定位並 在基板G的上面。又，光罩M係藉由例如設置於 』搬出入區域60之搬送臂63從光罩儲存室72被搬 之你亚被运到設4於第3轉賴組25内的儲存區域62 送台65，更進-步地，藉由設置於後方搬出入區 對準臂64從收送台65被取出並被搬入至光罩 藉if者’於上面定位有光罩M狀態下的基板G，係 叹置於第3轉移模組25的後方搬出入區

=光罩對準製置73被取出並被搬入至cvJ u〇 Γ其：理裳置71中，於減壓後之處理容器 型方(成膜面)為朝向上方之狀態(正向 =式陳灯F被簡於保料142上。 迷從氣體供必部147伹！ 對天線145施加微波， 疋氣紅、4 147供給成膜原料氣體。藉此，如圖 24 201036095 1(f)所示，在基板G的上面，以將發光層n、處理參數 調整層12、陰極層13的周圍及陽極層1〇的一部份覆 蓋之方式，而圖案化形成有絕緣性保護層14。 接著，於CVD處理裝置71中，成膜有保護層14 之基板G，係藉由設置於第3轉移模組25的後方搬出 入區域61之搬送臂64從CVD處理裝置71被搬出並被 搬入至被第2收送室26。 Ο 接著，藉由設置於第4轉移模纽27的前方搬出入 區域80之搬送臂83，基板G會從第2收送室26被搬 出並被搬入至光罩對準裝置92。 接著，光罩對準裝置92 t ,光罩Μ會被定位並置 放在基板G的上面。接著，於上面定位有光罩Μ狀態 下的基板G，係藉由設置於第4轉移模組27的前方^ 出入區域80之搬送臂83從光罩對準裝置犯被取出並 被搬入至濺鑛處理裝置9〇。 接著，濺鍍處理裝置90中，於減壓後之處理容器 120内，基板係在表面（成膜面）為朝向上方之狀態（正向 型方式的狀態)下被保持於保持台122上並沿著與搬送 通路L呈直交之方向被搬送。又另一方面，於處理容器 120内，在標靶125與接地電極126之間施加電壓，並 從氣體供給部129供給濺鍍氣體。藉此，如圖〗(g)所示， 在基板G的上面，導電層15藉由利用光罩M之濺鍍法 會被圖案化而形成特定的形狀。 接著，濺鍍處理裝置90中，形成有具有特定形狀 25 201036095 的導電層15之基板G，係藉由設置於第4轉移模 的前方搬出入區域80之搬送臂83從濺鍍處理 '詈 被搬出，並被送到設置於第4轉移模組27内的^ 域82之收送台85。又，收送台85係兼 = 模組27之光罩儲存室。 矛々轉移 接著，被送到收送纟85之基板G，係於第 模組27的内部藉由設置於後方搬出入區域幻之 84從收送台85被取出並被搬入至光罩對準裝置％ 接著，光罩對準裝置％中，光罩M會被定位並置 放在基板G的上面。接著，於±面定位#光罩心大熊 下的基板G，係藉由設置於第4轉移模組27的後方^ 出入區域81之搬送臂84從光罩對準裝置刃被取出並 被搬入至CVD處理裝置91。 、， 接著，⑽處理裝置91中，於減壓後之處理容器 140内’基板係在表面(成膜面）為朝向上方之狀態(正向 型方式的狀態）下被保持於保持台142上。又另—方面， 於處理容器140内’從電源146對天線145施加微波， 並從氣體供給部147供給賴原料«。藉此，如圖 =所不’在基板G的上面，以將導電層15的一部份 之方式，而圖案化形成有絕緣性保護層16。 之其’於尸VD處理裝置91令，成膜有保護層16 入^ δ ’储由設置於第4轉移模組27的後方搬出 搬:至之搬送臂84從⑽處理裳置91被搬出並被 裝置28。依上述方式製造之有機EL元件會 26 201036095 透過却載裝置28被搬出至基板處理系統i外。 Μ上的基板處理系統1係藉由連續進行各 處理步驟或㈣處理㈣，而可在真 止 Ο ❹ 大f的水分之有㈣元件。該基板處理系統C止 於苐2轉移模組23的内部設置有2個搬出入區域 搬出入區域40與後方搬出人區域41)，以及設置於 前方搬出人區域4G與後方搬出入區域41之間之， 域42。然後，第2轉移模組23側面處，在對向於前; 搬出入區域4G的位置處連接有驗處理裝置50及光罩 儲存室52，而在對向於後方搬41的位 接有誠處理裝置51及光罩對準1置53。因此，在^ 2轉移模組23侧面處’於蒸鍍處理裝置5Q與崎處理 裝置51之間會形成與儲存區域42才目對應之間隙。又同 樣地’光罩儲存室52與光罩對準裝置53之間亦會形成 與儲存區域4 2相對應之_。_上述方式所形成的 間隙，可進行例如蒸鍍處理裝置5G與濺鍍處理裝置51 之清潔、修理等，又，亦可針對光罩儲存室52盥 對準装置53進行光罩μ之搬出人、清潔、修理等。 又同^地，第3轉移模1 且25的内部設置有2個搬 出入齒域(刖方搬ίϋ人區域6G與後方搬出人區域61)， 以及毅置於該等前方搬出入區域6〇與後方搬出入區域 6!之間之f存區域6 2。然後，第3轉移模、組2 5側面處， 在對向於前方搬出人區域6G的位置處連接有姓刻處理 裝置7G及光罩儲存室I而麵向於後方搬出入區域 27 201036095 61的位置處連接有CVD處理裝置71及光罩對準裝置 73。因此，在第3轉移模組2s侧面處，於蝕剡處理 置7〇與CVD處理裝置71之間會形成與儲存區域62相 對應之間隙。又同樣地，光罩儲存室72與光罩對準裝 置73之間亦會形成與儲存區域62相對應之間隙。利用 依上述方式所形成的間隙，可進行例如蝕刻處理裝置 70與CVD處理裝置71之清潔、修理等，又，亦針 對光罩儲存室72與光罩對準裝置73進行光罩Μ之搬 出入、清潔、修理等。 -弟4轉移模組27的内部設罝有2個 出入區域(前方搬出入區域80與後方搬出入區域81)， 以及設置於該等前方搬出人區域8G與後方搬出入區域 81之間之儲存區域82。然後，第4轉移模組打側面處， ，對向於前方搬出人區域8G的位置處連接有賤鍍處理 j置90及光罩對準裝置92，而在對向於後方搬出入區 域81的位置處連接有CVD處理裝置91及光罩對準裝 二此’在第4轉移模組27側面處，於賤鍍處理 處理裝置91之間會形成與儲存區域犯 間隙。又同樣地，光罩對钱置於與光罩對 =裳置93之間亦會形成與儲存區域& Q用依上述方式所形成的間隙，可進心 “ 置9〇與CVD處理裝置91之清潔、修 蜒裒 針對光罩對準裝置92與光罩對準心、^又^可 之搬出入、清潔、修理等。 置93進仃光罩^ 28 201036095 因此，該基板處理系統i可使連接於各轉移模組 、25、27侧面處之各種處理裝置間的間隔，且 維修性良好。 ' 以上 〇 你§兄奶本發明較佳實施形態之一範例，惟本 發明不限於圖示之形態。本發明所屬技術領呈 1者，應當可在中請專騎記载之思想範脅内， t到各種變更例或修正例，t然該等亦屬本發明之技 術範圍内。 只 1 列如，上述實施形

生 ，υ。〜⑺从裂造有機EL·元 ί田八之基板處理系統1中，不只是基板表面，親中所 =之光罩Μ上亦會成膜有氮化膜等崎膜。依上述 罩Μ上所成膜之堆積物—直放置下去的話會 成為污染的根源，而對成膜處理會有不好的 因此有必要在適當的時候清潔光去除_物、。 因此，於® 8所示之基板處理系統ι中接 2轉移模組23側面處之光罩儲存室幻，更進地透 過閘閥151而連接有光罩清潔處理裝置 如圖9所示，光罩清潔處理裳置15〇具有密閉處理 谷器155’且光罩Μ係透過閑閱151而從光罩儲存室 52被搬入至處理容器155内。又，處理容1155連接 有用以供給經清潔氣體產生…56活性化後的清潔氣 體之清潔氣體供給配管仏清潔氣體產生部156係隔 離地設置於處理容器155料部，清潔_產生部156 中，藉由«作获被活性化之清1氣義以遠端感應 29 201036095 式電漿方式被導入至處理容器155内。 如圖9所示，清潔氣體產生部156具有活性化反應 室160、將清潔氣體供給至活性化反應室160之清潔氣 體供給源161以及將惰性氣體供給至活性化反應室160 之惰性氣體供給源162。 此處，利用圖10、11說明活性化反應室160的具 體範例。圖10所示之活性化反應室160的外侧處設置 有從高頻電源163施加高頻電功率之線圈164。又，活 性化反應室160連接有具有真空幫浦（未圖示）之排氣管 165，以將活性化反應室160的内部減壓。該圖10所示 之活性化反應室160係藉由從清潔氣體供給源161及惰 性氣體供給源162將清潔氣體與惰性氣體供給至活性 化反應室160内，並使高頻電源136所施加之高頻電功 率穿透介電體169，而利用誘導結合電漿方式 (Inductively Coupled Plasma ; ICP)來產生高密度電聚之 結構。該圖10所示之活性化反應室160能以下向流電 漿方式來使清潔氣體活性化，並能將活性化自由基在接 近常溫的狀態下導入至光罩清潔處理裝置150内，故可 在不會造成熱損傷的情況下將光罩洗淨。 圖11所示之活性化反應室160中，於微波產生裝 置166所產生之微波會通過設置於導波管167及漏斗型 天線168之介電體169被導入至活性化反應室160内。 活性化反應室160連接有具有真空幫浦（未圖示)之排氣 管165，以將活性化反應室160的内部減壓。該圖11 201036095 所示之活性化反應室160係將清潔氣體供給源161所供 給之清潔氣體與惰性氣體供給源162所供給之惰性氣 體，於活性化反應室160内藉由微波電功率而激發，以 產生高密度電漿之結構。該圖11所示之活性化反應室 160亦同樣地，能以下向流電漿方式來使清潔氣體活性 化，並能將活性化自由基在接近常溫的狀態下導入至光 罩清潔處理裝置150内，故可在不會造成熱損傷的情況 下將光罩洗淨。又，亦可利用槽孔天線等來取代漏斗型 天線168。 清潔氣體供給源161係將包含有氧氣、氟氣、氯 氣、氧氣化合物、氟氣化合物、氯化合物氣體(例如〇2、 a、nf8、稀釋 f2、cf4、c2f6、c8f8、sf6 及 cif8)中 的任一者之清潔氣體供給至活性化反應室160。惰性氣 體供給源162係將Ar、He等惰性氣體供給至活性化反 應室160。活性化反應室160藉由利用ICP或微波電功 率所產生之電漿的作用來將上述方式供給的清潔氣體 與惰性氣體活性化，而可產生氧自由基、氟自由基、氯 自由基等。然後，經清潔氣體產生部156之活性化反應 室160活性化後的清潔氣體會經由清潔氣體供給配管 157而被供給至處理容器155内。依上述方式，清潔氣 體產生部156係在被隔離於處理容器155的狀態下，將 經活性化反應室160内活性化後的清潔氣體，經由清潔 氣體供給配管157而供給至處理容器155内，即採用所 謂的遠端感應式電漿方式。 31 201036095 圖8所示之基板處理系統1藉由於光罩清潔處理裝 置150的處理容器155内，在任意的時間·點，利用包含 有經活性化之氧自由基等㈣性高的清料體來清潔 例如於雜處理裝置51在缝時所使狀光罩m，而 可貫現良好的成膜處理。藉由進行所謂的原機清潔 (in-situ cleaning) ’可縮短處理系統i的停機時間並^ 向製造效率。 ' 又，雖然係以將光罩清潔處理裝置15〇連接於被連 接在第2轉移模組23侧面處之光罩儲存室52為代表範 例加以說明，但亦可將同樣的光罩清潔處理裴置15〇連 接於濺鍍處理裝置51、光罩對準裝置53、CVD處理裝 置71、光罩儲存室72、光罩對準裝置73、濺鍍處理裝 置90、CVD處理裝置91、光罩對準裝置92、光罩對準 裝置93等。又，亦可將同樣的光罩清潔處理裝置15〇 連接於第2轉移模組23、第3轉移模組25、第4轉移 模蚯27侧面處。 又’於光罩清潔處理裝置150清潔光罩Μ時，係 於處 理容器 155 内將 〇2/Αι’=2000〜10000sccm/4000〜l〇〇〇〇Sccm( 例 如 〇2/Ar=2000sccm/6000sccm)供給至例如清潔氣體產生部 161 ’並使處理容器155内的壓力為2.5Torr〜8Torr左 右。又，可添加少量的N2等作為添加氣體。 又，圖2中’雖然係以將裝载裝置20、第1轉移 模組21、發光層11之蒸鍍處理裝置22、第2轉移模組 32 201036095 =3、第1收送室24、第3轉移模Μ 25、第2收送室％、 Ο

$ 4及卸載裝置28所構成的直線狀搬送通 路L β又置A歹’!之範例加以說明，4旦亦可如圖u所示 之處理系統1般將搬送通路L設置為二列。該圖12所 示之處理系統1令，於二個搬送通路[之間，第i轉移 模組21彼此之間雖設置有新的光罩儲存冑17〇,但第2 轉移模組23彼此之間係制光罩儲存室％及光罩對準 裝置53，第3轉移模組25彼此之間係共用光罩儲存室 72及光罩對準裝置73，第4轉移模組27彼此之間μ

用=對準裝置92、93。依上述方式，亦可設數 列搬送通路L。 I ’如圖13所示，亦 之方式來構成第1 3轉移模组25、第 又’設置複數列搬送通路L日¥ 可為能於搬送通路L間搬送基板g 轉移模組21、第2轉移模組23、第 4轉移模組27中。 又，轉移模_内部亦可妓有能沿著搬送通路l 移動之搬送臂。圖14係顯示於轉移模組2〇〇的内邱 前方搬出入區域2〇1、後方搬出人區域观以及該 方搬出入區域201及後方搬出入區域2〇2之間的儲存月區 域203係沿著搬送通路L而形成之—範例情況。^ l4(a)所示，搬送臂205可向前方搬出入區域2(n、中 的儲存區域2〇3與後方搬出入區域2〇2移動。根據‘ 14所示之範例，如圖14(a)所示，使搬送臂2〇5向^ 搬出入區域201移動，並將基板G相對於連接在轉^模 33 201036095 組200側面處之各處理裝置搬出入。又，如圖M(b)所 示，使搬送臂205移動至儲存區域2〇3，並於前方搬出 入區域201及後方搬出入區域2〇2之間保持基板α。 又，如圖14(c)所示，使搬送臂205向後方搬出入區域 2〇2移動’並將基板(^相對於連接在轉移模組2〇〇侧面 處之各處理裝置搬出入。 該圖14所示之轉移模組2〇〇亦同樣地，在轉移模 组200侧面處’於各處理裝置之間形成與儲存區域2〇3 相對應之間隙。利用上述方式所形成的間隙，可進行例 如各處理裝置之清潔、修理等，又，亦可進行光罩Μ 之搬出入、清潔、修理等而提升維修性。再者，可減少 該圖14所示之_移模組2〇〇之搬送臂2〇5的台數，並 提供低廉的裝置。 又’圖2中，雖然第2轉移模組23、第3轉移模 組25及第4轉移模組27係分別與前方搬出入區域(4〇、 6〇 8〇)、後方搬出入區域(41、61、81)及儲存區域42、 62、82串連地一體配置之結構，但本發明中轉移模組 的結構不限於圖2所示之形態。例如，轉移模組可由透 過閘閥所連接之複數個搬出入區域與1個或2個以上的 儲存區域所構成。再者，構成轉移模組之各搬出入區域 及各儲存區域内的壓力亦可分別獨立控制。 圖15係顯示本發明另一範例的情況，其中轉移模 、’且220係由沿著搬送通路[所依序設置之前方搬 儲存區域222及後方搬出入區域223所構成， 34 201036095 ：, I： 各搬出入區域221、223與儲存區域222之間設置有閑 閥225、226。此處，各搬出入區域221、223及储存區 [ 域222的内壓可分別獨立控制。又，雖基板處理系统設 j 置有複數個轉移模組，但此處係以其中的1個作為範例 ji 而加以圖示、說明。

I

[ 如圖15所示，前方搬出入區域221與儲存區域222 ! 係透過閘閥225而相連接，儲存區域222與後方搬出入 !0 區域223係透過閘閥226而相連接。又，分別於前方搬 出入區域内設置有搬送臂228、於後方搬出入區域内設 置有搬送臂229，基板G係透過閘閥225、閘閥226而 在前方搬出入區域221與儲存區域222之間及儲存區域

222與後方搬出入區域223之間被搬送。又，前方搬出 入區域221及後方搬出入區域223側面處透過閉闕連接 有未圖示之例如蒸鍍處理裝置等各種處理裝置，藉由搬 送臂228、229而在轉移模組220與各種處理裝置之間 搬送基板G。 該圖15所示之轉移模組220亦與上述實施形能同 樣地在轉移模組220侧面處，於各處理裝置之間形成有 與儲存區域222相對應之間隙。利用上述方式所形成的 間隙，可進行例如各處理裝置之清潔、修理等，又，亦 可進行光罩Μ之搬出入、清潔、修理等而提升維修性。 又，各搬出入區域221、223與儲存區域22^之間 設置有閘閥225、226，以獨立地進行各搬出入區域 221、223及儲存區域222的内部壓力控制。因此，在 35 201036095 各搬出入區域221、223與連接於其側面之各種處理裝 置（未圖示)之間進行基板G的搬出入時，可有效地進行 壓力調整（用以調整基板移動時之裝置間的内壓），並提 高基板處理系統的產能。此係因為基板搬送時所必須調 整壓力的容積，相對於在圖2的情況中為轉移模組整 體’由於在圖15的情況中藉由閘閥的作用而可獨立地 控制各搬出入區域的内壓’只要利用各搬出入區域的容 積即可進行壓力調整，故可大幅縮短該壓力調整的時 間。特別是製造近年來需求提高之用於TV等用途之大 型面板(例如G6尺寸：1500mmxl800mm以上）等時，由 於搬送及進行壓力調整之轉移模組的容積很大，故該壓 力調整需花費極長的時間，而有產能降低或產能惡化之 虞，但藉由利用如上所述各搬出入區域的容積來進行壓 力調整，而能在處理大型基板時防止産能降低或産能惡 化，並可在適當的條件下進行基板處理。 再者，前方搬出入區域221與後方搬出入區域223 的内壓會有因該分別連接於搬出入區域側面處之處理 裝置種類不同而相異的情況。在具有相異内壓之前方搬 出入區域221與後方搬出入區域223之間進行基板g 的搬送時，藉由進行儲存區域222之壓力調整，而可使 各搬出入區域的内壓變化為最小，並縮短壓力調整的時 間，其結果會縮短無法進行基板搬送或成膜的時間，從 而可實現系統整體產能的提高。特別是使用必須在大氣 壓下來進行處理步驟之處理裝置的情況等，可有效地1 36 201036095 大氣壓與略真空之間進行壓 即，可改昱所袖 双裡馬有利。亦 里之上 轉移模組的塵力調整時間有报大差 …之問賴’亚防止生纽降低。 差 又以上係根據有機EL元件Α的製造範例加 二，可適用於其他各種電子元件等處= 用2板處理系統。處理對象之基板〇可為玻璃基線、 Ο 石夕基板、方形、圓料基㈣’本發料剌於各種基 板又本發明亦可適用於基板以外的被處理體。又， 各處理裝置之台數、配置可變更任意。 本發明可適用於用以製造例如有機EL元件 板處理系統。 、土 【圖式簡單說明】 圖1(a)〜(h)係有機EL元件之製造步驟的說明圖。 圖2係本發明實施形態之基板處理系統的說明圖。 圖3係用以形成發光層之蒸鐘處理裝置的概略說 明圖。 圖4係用以成膜出處理參數調整層之蒸鍍處理裝 置的概略說明圖。 圖5係濺鍍處理裝置的概略說明圖。 圖6係蝕刻處理裝置的概略說明圖。 圖7係CVD處理裝置的概略說明圖。 圖8係具有光罩清潔處理裝置之本發明實施形態 基板處理系統的說明圖。 37 201036095 圖9係光罩清潔處理裝置的概略說明圖。 圖10係ICP方式之清潔氣體產生部的說明圖。 圖11係利用微波電功率來產生高密度電漿之清潔 氣體產生部的說明圖》 圖12係設置有二列搬送通路之本發明實施形態之 基板處理系統的說明圖。 圖I3係以可在搬送通路間搬送基板之方式所構成 之本發明實施形態基板處理系統的說明圖。 圖14(a)〜(c)係設置有可沿著搬送通路移動的搬 臂之轉移模組的說明圖。 、 圖15係在各搬出入區域與儲存區域之間設置 閥之轉移模组的說明圖。 甲 【主要元件符號說明】 A 有機EL元件 G 基板 L 搬送通路 Μ 光罩 I 基板處理系統 1〇 陽極屬 II 發光層 12 處理參數調整層 13 陰極層 38 14 保護層 15 導電層 16 保護層 20 裝載裝置 21 弟1轉移模組 22 蒸鍍處理裝置 23 第2轉移模組 24 第1收送室 25 第3轉移模組 26 第2收送室 27 第4轉移模組 28 卸載裝置 201036095 30、36、54、74、94、151、225、226 閘閥 35 洗淨處理裝置 37、43、44、63、64、83、84、205、228、229 搬送臂 40、 60、80、201、221 前方搬出入區域 41、 61、81、202、223 後方搬出入區域 42、 62、82、203、222 儲存區域 45、65、85 收送台 39 201036095 50 蒸鍍處理裝置 51、 90 濺鍍處理裝置 52、 72、170 光罩儲存室 53、 73、92、93光罩對準裝置 70 蝕刻處理裝置 71、91 CVD處理裝置 100、 110、120、130、140、155 處理容器 101、 111、121、131、141、165 排氣管 102、 112、122、132、142 保持台 103、 113、123 軌道 105、 115 蒸鍍頭 106、 116 蒸氣供給源 106、117 配管 125 標靶 126 接地電極 133 大地電極 127、146 電源 128 磁石 129 氣體供給部 134、136、163 高頻電源 201036095 、164 線圈 氣體供給機構 天線 Ο 氣體供給部 光罩清潔處理裝置 清潔氣體產生部 清潔氣體供給配管 活性化反應室 清潔氣體供給源 惰性氣體供給源 微波產生裝置 導波管 漏斗型天線 介電體 、220轉移模組 41

Claims (1)

1. 201036095 七、申請專利範圍： 1.二種基板處理系統’係㈣處理基板，藉由可抽直 或2個以上的轉移模組而構成直線狀之搬 搬出基板相對於處理裝置 復數個搬丨入區域，m設置於 =域之間的1個或2個以上之物域所構成； 2. 該轉移模組侧面處連接有該處理 如申請專利範圍第1項之某柘考搜 移模％縣^^ 處系統，其中該轉 方雜形:長邊方向沿著該搬送通路而設置之長 ===項之基板處理系統，其中 4. 座?:？ Γ:闕而連接複數個搬出入區域 "個或2個以上的儲存區域之結構。 :申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中 :模組内部於該各搬出入區域分別設置有= 5. 該儲存區域設置有基板的收送台。 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中 移模組内部設置有可在該各搬出入區儲 區域移動之紐臂。 該储存 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，苴中係具 :複數個該轉移模組’該等轉移模組 有插 真空之㈣t。 42 6. 201036095 7. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其係在基 板的上面進行成膜之正向型（face-up)方式。 8. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該轉 移模組侧面處連接有用以將形成有特定圖案的光 罩重疊在基板之光罩對準裝置。 9. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中係具 有用以將使用於基板處理的光罩洗淨之光罩清潔 處理裝置。 10. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中該光 罩清潔處理裝置係具有利用電漿作用來將清潔氣 體活性化之清潔氣體產生部。 11. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中該光 罩清潔處理裝置係具有收納光罩之處理容器，以及 與該處理容器隔離地設置之清潔氣體產生部； 該清潔氣體產生部中，藉由電漿作用而被活性 化之清潔氣體會以遠端感應式電漿方式被導入至 該處理容器内。 12. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中該 清潔氣體產生部係利用下向流(downflow)電漿來 將清潔氣體活性化。 13. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理系統，其 中該清潔氣體產生部係利用誘導結合電漿方式來 產生高密度電漿之結構。 14. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理系統，其 43 201036095 中該清潔氣體產生部係利用微波電功率來產生高 密度電漿之結構。 15. 如申請專利範圍第10至12項任一項之基板處理系 統，其中該清潔氣體係包含氧自由基、氟自由基、 氯自由基中任一者。 16. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中該 清潔氣體係包含氧自由基、氟自由基、氯自由基中 任一者。 17. 如申請專利範圍第14項之基板處理系統，其中該 清潔氣體係包含氧自由基、氟自由基、氯自由基中 任―者。 44