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TW201007771A - Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells - Google Patents

Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells Download PDF

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Publication number
TW201007771A
TW201007771A TW098112363A TW98112363A TW201007771A TW 201007771 A TW201007771 A TW 201007771A TW 098112363 A TW098112363 A TW 098112363A TW 98112363 A TW98112363 A TW 98112363A TW 201007771 A TW201007771 A TW 201007771A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic
tin
weight
aluminum
aluminum paste
Prior art date
Application number
TW098112363A
Other languages
English (en)
Inventor
Richard John Sheffield Young
Alistair Graeme Prince
Original Assignee
Du Pont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
Publication of TW201007771A publication Critical patent/TW201007771A/zh

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20Electrodes
    • H10F77/206Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Photovoltaic Devices (AREA)
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Description

201007771 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係針對鋁糊狀物及其於矽太陽能電池之製造中 (亦即,於矽太陽能電池之鋁背電極及各別矽太陽能電池 , 之製造中)之用途。 【先前技術】 具有P型基底之習知太陽能電池結構具有通常在電池之 前侧或向日側(sun side)上之負電極及在背側之正電極。吾 人熟知,落在半導體本體之p_n接面上之適當波長的輻射 用作外部能量源以在彼本體中產生電洞電子對。存在於p_ η接面處之電位差使電洞及電子在相對方向上跨越接面而 移動,且藉此引起能夠將電力傳遞至外部電路之電流之流 動。大多數太陽能電池係呈經金屬化(亦即,具備為導電 之金屬觸點)之石夕晶圓的形式。 在石夕太陽能電池之形成期間,紹糊狀物通常經絲網印刷 接著在高於鋁之熔點之溫度下
且乾燥於碎晶圓之背側上。接著在高戈 對晶圓進行燒製以形成鋁_矽熔融劑, 間’形成與鋁摻雜之矽磊晶生長層。j
沄而由金屬糊狀物製成。 139694.doc 201007771 下文結合圖1來描述此製造方法之一實例。圖1A展示p型 砍基板10 ^ 在圖1B中,具有相反導電型之η型擴散層2〇係藉由磷(p) 或其類似物之熱擴散而形成。氧氣化磷(pod)通常用作 氣態磷擴散源,其他液體源為磷酸及其類似物。在不存在 任何特定改質時,擴散層20形成於矽基板1〇之整個表面 上。在Ρ型摻雜劑之濃度等於η型摻雜劑之濃度的情形下形 成ρ-η接面,具有靠近於向日側之ρ_η接面的習知電池具有 0·05 μηι與0.5 μπι之間的接面深度。 在形成此擴散層之後’藉由諸如氫氟酸之酸進行蝕刻而 自表面之其餘部分移除過多表面玻璃。 緊接著,藉由諸如(例如)電漿化學氣相沈積(CVD)之製 程以圖1D所示之方式而在η型擴散層2〇上形成抗反射塗層 (ARC)30達0.05 μπι與0_1 μιη之間的厚度。 如圖1Ε所示,用於前電極之前側銀糊狀物(前電極形成 銀糊狀物)500經絲網印刷且接著乾燥於抗反射塗層3〇上。 此外,背侧銀或銀/鋁糊狀物70及鋁糊狀物60接著經絲網 印刷(或某其他塗覆方法)且依次乾燥於基板之背側上。通 常’將背側銀或銀/鋁糊狀物首先作為兩個平行條帶(匯流 排條(busbar))或作為矩形(接頭片(tab))而絲網印刷至石夕上 以準備好用於焊接互連管柱(經預焊接之銅帶材),接著在 背側銀或銀/鋁上具有稍微重疊之情形下將紹糊狀物印刷 於裸露區域中。在一些狀況下,銀或銀/鋁糊狀物係在鋁 糊狀物經印刷之後加以印刷。接著,通常在帶式鍋爐中進 139694.doc 201007771 行燒製歷時丨至5分鐘之週期,其中晶圓達到在7〇〇1至 _°C之範圍内的峰值溫度。可順序地燒製或共燒製前電 極及背電極。 因此,如圖1F所示,來自糊狀物之熔融鋁在 ' 間溶料且接著在冷卻時形成自碎基底U)蟲晶生長之共熔 - 層,從而形成含有高濃度之鋁掺雜劑之P+層40。此層通常 ,為背表面場(BSF)層’且有助於改良太陽能電池之能 φ 1轉換效率。鋁薄層通常存在於此磊晶層之表面處。 藉由燒製而使鋁糊狀物自乾燥狀態6〇轉化成鋁背電極 61。同時燒製背側銀或銀/鋁糊狀物7〇,從而變成銀或銀/ 銘背電極71。在燒製期間,背側銘與背側銀或銀/銘之間 的邊界呈現合金狀態且亦經電連接。部分地歸因於對形成 P+層40之需要呂電極佔據背電極之大部分區域。銀或銀/ 銘背電極作為用於藉由經預谭接之銅帶材或其類似物來互 連太陽能電池的電極而形成於背側之部分上(通常作為2 •"""至6 mm寬的匯流排條)。此外’前侧銀糊狀物500在燒 製期間燒結且穿透抗反射塗層3〇,且藉此能夠電接觸η型 • 層2〇。此製程類型通常被稱為「燒製貫穿」(firing though)。此燒製貫穿狀態在圖1F之層5〇1中顯而易見。 由矽晶圓製成且具有鋁背電極之矽太陽能電池為矽/鋁 雙金屬條帶且可展現所謂的彎曲行為。彎曲係不良的,此 在於.其可能導致太陽能電池之破裂及斷裂。彎曲亦導致 關於碎晶圓之處理的問題。在處理期間,通常利用使用在 過多彎曲之狀況下可能不會可靠地工作之抽吸襯墊的自動 139694.doc 201007771 化處置設備而提起梦晶圓。光伏打工業内之f曲要求通常 為太陽能電池之<丨.5 mm偏轉。克服彎曲現象在尤其著眼 於由大及/或薄之珍晶圓(例如,厚度低於18()㈣(特別地在 120 至低於180 μηΐ2範圍内)且面積在高於25() em2至 4〇〇 cm2之範圍内的矽晶圓)製成之矽太陽能電池的情形下 為一種挑戰。 與鋁糊狀物相關聯之另一問題為自由鋁或氧化鋁粉塵之 成塵及其至其他金屬表面之轉移,藉此降低固定至該表面 之帶材的可焊性及黏著性。此在以堆疊式太陽能電池而執 行燒製製程時尤其相關。 US_A_2007/0079868揭示可用於形成矽太陽能電池之鋁 背電極的鋁厚膜組合物。除了鋁粉、作為媒劑之有機介質 及作為可選成份之玻璃粉以外’鋁厚膜組合物亦包含作為 基本成份之非晶形二氧化矽。非晶形二氧化矽特別地用來 降低矽太陽能電池之彎曲行為。 現已發現’在揭示於US-A-2007/0079868中之鋁厚膜組 合物不包含非晶形二氧化矽而包含特定錫-有機組份或除 了包含非晶形二氧化矽以外亦包含特定錫-有機組份時, 可獲得具有類似或甚至更佳之效能的鋁厚膜組合物。 【發明内容】 本發明係關於用於形成矽太陽能電池之p型鋁背電極的 銘糊狀物(鋁厚膜組合物)。其進一步係關於形成鋁糊狀物 之製程及其於矽太陽能電池之製造中之用途以及矽太陽能 電池自身。 139694.doc 201007771 本發明係針對紹糊狀物’其包含微粒銘、錫·有機组 份、有機媒齊!,及作為可選組份之鋅_有機組份、一或多 種玻璃粉組合物及非晶形二氧化石夕。 本發明進—步係針對形切太陽能電池之製程及石夕太陽 此電池自S,其利用具有p型及η型區域及p_n接面之石夕晶 圓’該製程包含將本發明之銘糊狀物塗覆(特別地為絲網 印刷)於石夕晶圓之背側上,及燒製經印刷之表面,藉以晶 圓達到在700°C至90(TC之範圍内的峰值溫度。 【實施方式】 可藉由新賴紹厚^組合物來最小化或甚至消除上文所描 述之铭成塵問題。該㈣㉟厚膜組合物切太陽能電池之 銘背電極之製造中的用途導致不僅展現低彎曲行為及良好 電氣效能而且展現鋁背電極與矽晶圓基板之間的黏著性損 耗之減小趨勢或甚至無此趨勢的梦太陽能電池。紹背電極 與矽晶圓基板之間#良好黏著料致矽太陽能電池之延長 之耐久性或使用壽命。 本發明之鋁糊狀物包含微粒鋁、錫_有機組份及有機媒 劑(有機介質)。在不同實施例中,其亦包含-或多種玻璃 粕鋅-有機組份或一或多種玻璃粉及辞-有機組份。 微粒鋁可包含鋁或與一或多種其他金屬(如(例如),鋅、 錫、銀及鎂)之鋁合金。在鋁合金之狀況下,鋁含量為(例 如)99.7重量%至低於100重量°/❶。微粒鋁可包含呈各種形狀 之鋁粒子,例如,鋁片、球體狀鋁粉、結節狀(不規則狀) 鋁粉或其任何組合。在一實施例中,微粒鋁係呈鋁粉之形 139694.doc 201007771 式。藉由雷射散射而測定,鋁粉具有(例如)4 μιη至1〇 μιη 之平均粒徑(意謂粒子直徑)。微粒鋁可基於總體鋁糊狀物 組合物以50重量%至80重量%或在一實施例中以7〇重量0/〇 至75重量%之比例而存在於本發明之鋁糊狀物中。 在本描述及申請專利範圍中關於平均粒徑所進行之所有 敍述皆係關於存在於鋁糊狀物組合物中之相關材料之平均 粒徑。 存在於鋁糊狀物中之微粒鋁可伴隨有其他微粒金屬,諸 如(例如),銀或銀合金粉。此(此等)其他微粒金屬之比例 基於微粒鋁加微粒金屬之總體為(例如)〇重量%至1〇重量 %。 本發明之鋁糊狀物包含錫-有機組份;在一實施例中, 錫-有機組份可為液體錫·有機組份。本文中之術語「錫_有 機組份」指固體錫-有機化合物及液體錫-有機組份。術語 「液體錫-有機組份」意謂一或多種錫-有機化合物在有機 溶劑中之溶液’或在一實施例中意謂一或多種液體錫-有 機化合物自身。 在本發明之内容中’術語「錫-有機化合物」包括在分 子中包含至少一有機部分之此等錫化合物。舉例而言,在 存在大氣氧或空氣濕度時,在製備、儲存及塗覆本發明之 銘构狀物期間主要的條件下,錫-有機化合物係穩定或基 本上穩定。在塗覆條件下(詳言之,在將鋁糊狀物絲網印 刷至妙晶圓之背侧上期間主要的彼等條件下)同樣如此。 然而,在繞製鋁糊狀物期間,錫-有機化合物之有機部分 139694.doc 201007771 將或基本上將被移除,例如,被燃燒及/或碳化。因而, 在一實施例中,錫-有機化合物具有在25重量%至35重量% 之範圍内的錫含量。錫-有機化合物可包含共價錫_有機化 合物;詳言之,其包含錫-有機鹽化合物。合適錫_有機鹽 , 化合物之實例特別地包括樹脂酸錫(酸性樹脂(詳言之,具 有羧基之樹脂)之錫鹽)及羧酸錫(羧酸錫鹽)。在一實施例 中,錫-有機化合物可為辛酸錫(11),或更精確而言,可為 • 2-乙基己酸錫(η),其在室溫下為液體。2乙基己酸錫(η) 可購自(例如)Rohm及Haas。在諸如2-乙基己酸錫(π)之液 體錫-有機化合物的狀況下,未溶解之液體錫_有機化合物 自身可在製備本發明之鋁糊狀物時加以使用;2_乙基己酸 錫(II)可形成液體錫-有機組份。 錫·有機組份可基於總體鋁糊狀物組合物以對應於〇〇1重 里/。至0·5重量或在一實施例令為〇丨重量%至〇 15重量% 之錫貝獻的比例而存在於本發明之紹糊狀物中。在2_乙基 齡 己酸錫(II)之狀況下’其在铭糊狀物中之比例可基於總體 鋁糊狀物組合物在〇.丨重量%至丨重量%或在一實施例中為 〇.3重量%至〇.5重量%的範圍内。 本發明之鋁糊狀物可進一步包含鋅-有機組份;在一實 施例中’鋅·有機組份可為液體鋅-有機組份。本文中之術 語「鋅-有機組份」指代固體鋅-有機化合物及液體鋅_有機 組伤。術語「液體鋅-有機組份」意謂一或多種鋅_有機化 合物在有機溶劑中之溶液,或在—實施例中意謂一或多種 液體鋅-有機化合物自身。 139694.doc 201007771 在非限制性實施例中,本發明之鋁糊狀物之鋅_有機 組伤大體上不含非氧化鋅金屬;在另一實施例令辞-有 機組份可大於90%地不含非氧化鋅金屬;在另—實施例 中,鋅-有機組份可大於95%、97%或90%地不含非氧化辞 屬在實施例中,辞-有機組份可不含非氧化鋅金 屬。 在本發明之内容中,術語「辞-有機化合物」包括在分 子中包含至少一有機部分之此等鋅化合物。舉例而言在 存在大氣氧或空氣濕度時,在製備、儲存及塗覆本發明之 ㈣狀物期間占優的條件下,鋅·有機化合物穩定或基本 上穩=。I塗覆條件下(詳言之,在將銘減物絲網印刷 至矽明圓之背側上期間占優的彼等條件下)同樣如此。然 而,在燒製鋁糊狀物期間,鋅_有機化合物之有機部分將 或基本上將被移除,例如,被燃燒及/或碳化。因而,在 實施例中,鋅-有機化合物具有在15重量%至3 0重量。/〇之 範圍内的鋅含量。鋅·有機化合物可包含共價鋅·有機化合 物詳Q之,其包含鋅•有機鹽化合物◊合適鋅_有機鹽化 合物之實例特別地包括樹脂酸鋅(酸性樹脂(詳言之,具有 羧基之樹脂)之鋅鹽)及羧酸鋅(羧酸鋅鹽)。在一實施例 中,辞·有機化合物可為新癸酸辞,其在室溫下為液體。 新*酸鋅可購自(例如)ShePherd Chemical Company。在諸 如新*酸辞之液趙辞·有機化合物的狀況下,未溶解之液 體鋅-有機化合物自身可在製備本發明之銘糊狀物時加以 使用;新癸酸鋅可形成㈣鋅有機組份。 139694.doc 201007771 在鋁糊狀物包含鋅·有機組份之狀況下,後者可基於總 體紹糊狀物組合物以對應於0 05重量%至〇6重量%或在一 實施例中為(M重量%至〇.25重量%之鋅貢獻的比例而存在 於铭糊狀物中。在新癸酸鋅之狀況下,其在銘糊狀物中之 • 比例可基於總體鋁糊狀物組合物在0.5重量❶/。至3 · 〇重量。/0戋 在一實施例中為〇.5重量%至1.2重量。/。的範圍内。 在一實施例中,本發明之鋁糊狀物包含作為無機黏合劑 _ 之至少一玻璃粉組合物。玻璃粉組合物可含有pb〇 ;在一 實施例中’玻璃粉組合物可為無錯的。玻璃粉組合物可包 含在燒製後便經歷再結晶或相分離且釋放具有分離相之玻 璃料(其具有低於原始軟化點之軟化點)的玻璃粉組合物。 玻璃粉組合物之(原始)軟化點(藉由在10 K/min之加熱速 率下之差熱分析DTA而測定的玻璃轉變溫度)可在325。(:至 600°C之範圍内。 玻璃粉展現藉由雷射散射而測定的為(例如)2 μηι至20 _ 之平均粒徑(意謂粒子直徑)。在鋁糊狀物包含玻璃粉的 狀況下,玻璃粉含量可基於總體鋁糊狀物組合物為0.01重 量%至5重量%,或在一實施例中為〇.1重量%至2重量%, • 或在另一實施例中為0.2重量°/〇至1.25重量%。 • 適用於鋁糊狀物中之一些玻璃粉在此項技術中係習知 的。一些實例包括硼矽酸鹽及鋁矽酸鹽玻璃。實例進一步 包括氧化物之組合,諸如:B2〇3、Si〇2、Al2〇3、CdO、 CaO、BaO、ZnO、Na20、Li20、PbO及 Zr02,其可獨立地 或組合地用以形成玻璃黏合劑。 139694.doc •11· 201007771 習知玻璃粉可為棚碎酸鹽玻璃料,諸如,鄉衫r酸錯玻璃 料、硼矽酸鉍玻璃料、硼矽酸鎘玻璃料、硼矽酸鋇玻璃 料、硼石夕酸妈玻璃料或其他驗土蝴石夕酸鹽玻璃料。此等玻 璃粉之製備係熟知的’且其(例如)在於:將玻璃之成份以 該等成份之氧化物的形式炫融於一起,且將此炼融組合物 倒入水中以形成玻璃料。當然,配料組成份可為將在玻璃 料製造之通常條件下產生所要氧化物的任何化合物。舉例 而S ’將自领酸獲得氧化蝴’將自燒石製造二氧化石夕,將 自碳酸鋇製造氧化鋇,等等。 玻璃可在球磨機中以水或惰性低黏度、低沸點之有機液 體進行研磨,以減小玻璃料之粒徑且獲得大艎上均一尺寸 之玻璃料。其可接著沈降於水或該有機液體中以分離細 料,且可移除含有細料之上層清液。亦可使用其他分類方 法。 利用習知玻璃製造技術藉由以所要比例而混合所要組份 且加熱混合物以形成熔融劑來製備玻璃。如此項技術中所 熟知,可將加熱進行至峰值溫度且持續一段時間,使得熔 融劑完全變成液體且均質。 本發明之鋁糊狀物可包含非晶形二氧化矽。非晶形二氧 化矽為經精細分開之粉。在一實施例中,其可具有藉由雷 射散射而測疋的為(例如)5 11111至丨〇〇 之平均粒徑(意謂粒 子直徑)。特疋言之,其包含經合成製造之矽石,例如, 熱解矽石或藉由沈澱而製造之矽石。此等矽石係由各種製 造商以廣泛種類之類型而供應。 139694.doc 201007771 在本發明之銘糊狀物包含非晶形二氧化石夕的狀況下後 者可基於總體鋁糊狀物組合物以(例如)高於〇重量。a至 重量%(例如,0.01重量%至0.5重量或在—實㈣中為 0·05重量%至(U重量%之比例而存在於鋁糊狀物中。
本發明之IS糊狀物包含有機媒劑。廣泛種類之惰性黏性 材料可用作有機媒劑。有機媒劑可為在其中微粒成份(微 粒鋁、非晶形二氧化矽(若存在)、玻璃粉(若存在D可以適 當穩定度而分散之有機媒劑。有機媒劑之性質(詳言之, 流變性質)可使得其提供鋁糊狀物組合物良好的塗覆性 質,包括:不可溶解固體之穩定分散性、用於塗覆(詳言 之,用於絲網印刷)之適當黏度及搖變性、矽晶圓基板及 糊狀物固體之適當可濕性、良好乾燥速率及良好燒製性 質。用於本發明之鋁糊狀物中之有機媒劑可為非水惰性液 體。有機媒劑可為有機溶劑或有機溶劑混合物;在一實施 例中’有機媒劑可為有機聚合物在有機溶劑中之溶液。在 一實施例中,用於此目的之聚合物可為乙基纖維素。可經 單獨地或組合地使用之聚合物之其他實例包括乙羥乙基纖 維素、木松香、酚系樹脂及低級醇之聚(甲基)丙烯酸酯。 合適有機溶劑之實例包含酯醇及萜類(諸如,α品醇或p箱 品醇)或其與其他溶劑(諸如,煤油、鄰苯二甲酸二丁醋、 二甘醇丁基醚、二甘醇丁基醚乙酸酯、己二醇及高沸點 醇)之混合物。此外,可在有機媒劑中包括用於在將鋁糊 狀物塗覆於矽晶圓之背側上之後促進快速硬化的揮發性有 機溶劑。此等溶劑及其他溶劑之各種組合可經調配以獲得 139694.doc -13- 201007771 所要之黏度及揮發性要求。 本發明之銘糊狀物中之有機溶劑含量可基於總體銘糊狀 物組合物在5重量。/。至25重量%或在一實施例中為ι〇重量。A 至20重量%的範圍内。5重量%至25重量%之數目包括來自 液體錫-有機組份及可選液體鋅·有機組份之可能有機溶劑 貢獻。 有機聚合物可基於總體銘糊狀物組合物以在〇重量^ 20重量%或在一實施例中為5重量 置/0主重置0/〇之範圍内g
比例而存在於有機媒劑中。 本發明之銘糊狀物可包含一或多種有機添加劑,例如 界面活性劑、增稠劑、流變改質劑及穩定劑。有機添加! 可^有機㈣之-部分H亦有可能在製仙糊㈣ 時單獨地添加有機添加劑。有機添加劑可基於總體紹糊法 物組合物以(例如)G重量%至1()重量%的總體比例而存在方 本發明之鋁糊狀物中。
本發明之is糊狀物中之有機媒劑含量可視塗覆糊狀物之 方法及所使用之有機媒劑類別而定,且其可變化。在一實 施例中纟可基於總體鋁糊狀物組合物為20重量。/❶至45重 量%’或在—實施射,其可基於總體雜狀物組合物在 2重量/〇至35重量%之範圍内。2〇重量〇/。至45重量%之數目 包括錢溶劑、可能有機聚合物及可能有機添加劑。 在實施例中,本發明之鋁糊狀物包含: 70重量%至75重量%之微粒鋁; 乂對應於0.1重量%至〇15重量%(特別地為〇 3重量%至〇 5 139694.doc •14- 201007771 重量%)之2-乙基己酸錫(II)之錫貢獻之比例的錫-有 份; ' 〇·2重量%至1.25重量◦/〇之一或多種玻璃粉; 〇重量°/〇至0.5重量%之非晶形二氧化矽; 10重量。/〇至20重量%之一或多種有機溶劑; 5重量%至1〇重量%之一或多種有機聚合物;及 〇重量%至5重量%之一或多種有機添加劑。 在一實施例中,本發明之鋁糊狀物包含: 70重量%至75重量%之微粒銘; 以對應於0.1重量%至0.15重量%(特別地為〇3重量%至〇5 重量%)之2-乙基己酸錫(11)之錫貢獻之比例的錫_有機組 份; ' 以對應於(M重量%至0.25重量%(特別地為〇5重量Mi 2 重量%)之新癸酸鋅之辞貢獻之比例的鋅_有機組份; 〇_2重量%至1.25重量%之一或多種玻璃粉; 〇重量°/。至0.5重量%之非晶形二氧化妙; 10重量。/〇至20重量%之一或多種有機溶劑; 5重量%至10重量%之一或多種有機聚合物;及 〇重量%至5重量%之一或多種有機添加劑。 本發明之紹糊狀物為黏性組合物’其可藉由機械地混合 微粒鋁、錫-有機組份、可選鋅-有機組份、可選玻璃粉組 合物及可選非晶形二氡化矽與有機媒劑而製備。在一實施 例中’可使用製造方法動力混合,—種等效於傳統親壓法 之分散技術;亦可使用輥壓法或其他混合技術。 139694.doc •15· 201007771 可因而使用本發明之鋁糊狀物,或可(例如)藉由添加額 外有機溶劑而稀釋本發明之鋁糊狀物;因此,可降低銘糊 狀物之所有其他成份之重量百分比。 本發明之銘糊狀物可用於製造矽太陽能電池之鋁背電極 或分別用於製造矽太陽能電池。可藉由將鋁糊狀物塗覆至 矽晶圓之背侧(亦即,至其未由或將不由其他背側金屬糊 狀物(如,特別地為背側銀或銀/鋁糊狀物)塗覆之彼等表面 部分)而執行製造。矽晶圓可包含單晶矽或多晶矽。在一 實施例中,矽晶圓可具有100 cm2至250 em2之面積及18〇 μιη至300 μιη之厚度。然而,本發明之鋁糊狀物甚至可成 功地用於在較大及/或具有較低厚度之矽晶圓(例如,厚度 低於180 μιη(特別地為在140 μιη至低於18〇 μιΠ2範圍内)及/ 或面積在高於250 cm2至400 cm2之範圍内的矽晶圓)的背側 上製造鋁背電極。 銘糊狀物經塗覆成達(例如)15 0〇1至6〇 μηι之乾燥膜厚 度。鋁糊狀物塗覆之方法可為印刷,例如,聚矽氧移印或 在一實施例中為絲網印刷。當藉由效用杯(utiHty cup)使用
Brookfield HBT黏度計及#14心轴而在1〇 rpm之心轴速度及 25C下進行量測時,本發明之鋁糊狀物的塗覆黏度可為2〇 Pa-s至 200 pa.s。 在將铭糊狀物塗覆至矽晶圓之背側之後,其可經乾燥 (例如)歷時1至100分鐘之週期’其中晶圓達到在l〇(rc至 300 C之範圍内的峰值溫度。可利用(例如)帶式、旋轉式或 固定式乾燥器(詳言之,IR(紅外)帶式乾燥器)而進行乾 139694.doc 201007771 燥。 在其塗覆之後’或在一實施例中,在其塗覆及乾燥之 後’本發明之鋁糊狀物經燒製以形成鋁背電極。燒製可經 執行(例如)歷時1至5分鐘之週期’其中矽晶圓達到在7〇〇。^ 至90 〇C之範圍内的峰值溫度。可利用(例如)單區或多區帶 式鍋爐(詳言之,多區IR帶式鍋爐)而進行燒製。在存在氧 時(詳言之,在存在空氣時)發生燒製。在燒製期間,包括 非揮發性有機材料及在可能乾燥步驟期間未經蒸發之有機 部分的有機物質可被移除,亦即,被燃燒及/或碳化(特別 地為被燃燒)。在燒製期間所移除之有機物質包括有機溶 劑、可能有機聚合物、可能有機添加劑、一或多種錫-有 機化合物之有機部分及可能一或多種辞_有機化合物之有 機部分。錫在燒製之後可作為氧化錫而保留。在一實施例 中,在燒製之後的氧化錫可為(例如)Sn〇、Sn〇2或其混合 物。在鋁糊狀物包含鋅-有機化合物之狀況下,辞在燒製 之後可作為氧化鋅而保留。在鋁糊狀物包含玻璃粉之狀況 下,在燒製期間可存在另一製程,即,玻璃粉之燒結。可 將燒製執行為所謂的與經塗覆至矽晶圓之其他金屬糊狀物 (亦即,經塗覆以在燒製製程期間於晶圓之表面上形成前 侧及/或背側電極的前側及/或背側金屬糊狀物)一起共燒 製。一實施例包括前側銀糊狀物及背側銀或背側銀/鋁糊 狀物。 緊接著,參看圖2來解釋一非限制性實例,其中矽太陽 能電池係使用本發明之铭糊狀物而製備。 139694.doc -17- 201007771 首先,製備矽晶圓基板1〇2。在矽晶圓之光接收側面(前 側表面)(通常具有靠近於該表面之接面)上,安裝前側 電極(例如,主要由銀構成之電極)1〇4(圖2A)。在矽晶圓之 背側上,展布銀或銀/鋁導電糊狀物(例如,可購自ei Du
Pont de Nemours and Company之PV202 或 PV502或 PV583 或 PV581)以形成匯流排條或接頭片,以賦能與經設定成並聯 電組態之其他太陽能電池的互連。在石夕晶圓之背側上,藉 由絲網印刷而使用圖案來展布用作太陽能電池之背側(或p 型觸點)電極的本發明之新穎鋁糊狀物1〇6,該圖案賦能與 上文所提及之銀或銀/鋁糊狀物的稍微重疊,等等,接著 乾燥鋁糊狀物1〇6(圖2B)。舉例而言,在IR帶式乾燥器中 執行糊狀物之乾燥歷時〗至1〇分鐘之週期,其中晶圓達到 l〇〇C至300°C的峰值溫度。又,鋁糊狀物可具有15 4111至 60 μιη之乾燥膜厚度,且銀或銀/铭糊狀物之厚度可為 μιη至30 μπι。又’鋁糊狀物與銀或銀/鋁糊狀物之重疊部分 可為約0·5 mm至2.5 mm。 緊接著’舉例而言,在帶式鍋爐中燒製所獲得之基板歷 時1至5分鐘之週期,其中晶圓達到7〇(rc至9〇(rc的峰值溫 度,使得獲得所要矽太陽能電池(圖2D)。電極11〇係由鋁 糊狀物形成,其中該糊狀物經燒製以移除有機物質且在鋁 糊狀物包含玻璃粉之狀況下燒結後者。 如圖2D所示,使用本發明之鋁糊狀物而獲得的矽太陽能 電池具有在矽基板102之光接收面(表面)上之電極丨〇4、在 背側上主要由鋁構成之鋁電極u〇,及在背側上主要由銀 139694.doc -18· 201007771 或銀及鋁構成之銀或銀/鋁電極112(藉由燒製銀或銀/鋁糊 狀物108而形成)。 實例 此處所引用之實例係關於經燒製至習知太陽能電池上之 厚膜金屬化糊狀物,該等習知太陽能電池具有氮化矽抗反 射塗層及前側η型觸點厚膜銀導體。 雖然本發明在諸如光電二極體及太陽能電池之光接收元 件中尤其有效,但其可應用於寬廣範圍之半導體裝置。下 文中之論述描述如何利用本發明之組合物而形成太陽能電 池及如何針對其技術性質而對其進行測試。 (1)太陽能電池之製造 太陽能電池係如下形成: ⑴在前表面上具有20 μπι厚之銀電極(可購自Ε· I. Du Pont de Nemours and Company 之 PV145 Ag 組合物)的 Si 基板(面 積為243 cm之200 μm厚的多晶梦晶圓’ p型(棚)塊體碎, 其具有η型擴散POCl3發射極,表面係以酸而進行紋理化, 晶圓之發射極上的SiNx抗反射塗層(ARC)係藉由CVD而塗 覆)之背面上,將Ag/Al糊狀物(可購自E. I· Du Pont de Nemours and Company 之 PV202,Ag/Al組合物)印刷且乾燥 為5 mm寬之匯流排條。接著,將用於太陽能電池之背面電 極的鋁糊狀物絲網印刷為3 0 μπι之乾燥膜厚度,此提供鋁 膜與Ag/Al匯流排條在兩個邊緣處達1 mm之重疊以確保電 連續性。經絲網印刷之鋁糊狀物係在燒製之前得以乾燥。 實例鋁糊狀物包含72重量%之空氣霧化鋁粉(平均粒徑為 139694.doc •19· 201007771 μ ) 26重量/。之聚合樹脂與有機溶劑有機媒劑及〇 w 重量/〇之非形矽石。實例鋁糊狀物c至F(根據本發明)包 3在0.1重量/。至〇.5重量%之範圍内的2_乙基己酸錫(η)添 加物,而對照實例鋁糊狀物八及B(比較實例)不包含錫有 機化合物之添加物。對照實例鋁糊狀物A不包含鋅-有機化 口物,而對照實例鋁糊狀物B及實例鋁糊狀物C至F包含i 〇 重量%之新癸酸鋅。 (11)接著在Centrotherm鍋爐中以3000 mm/min之帶式速度而 燒製經印刷之晶圓,其中區溫度經定義為區1=45〇充、區 2=520 C、區3=570。(:最終區經設定為950。(:,因此,晶圓 達到850°C的峰值溫度。在燒製之後,經金屬化之晶圓變 成功能光伏打裝置。 採取對電氣效能、燒製黏著性及彎曲之量測。 (2)測試程序 效率 出於量測光轉換效率之目的,將根據上文中所描述之方 法而形成的太陽能電池置放於商用I-V測試器(由EETS Ltd 供應)中。I-V測試器中之燈模擬具有已知亮度(大約1〇〇〇 W/m2)的日光且照明電池之發射極。隨後藉由4個電探針而 接觸經印刷至經燒製之電池上的金屬化。在電阻之配置上 量測由太陽能電池所產生之光電流(Voc,開路電壓;Ise, 短路電流)以計算I-V回應曲線。隨後自I-V回應曲線導出填 充因數(FF)及效率(Eff)值。 燒製黏著性 139694.doc -20- 201007771 為了量/則A1金屬化之内聚強度,使用剝離測試來測定自 經燒製之晶圓之表面所移除的材料量。為此,塗覆透明黏 著帶層且隨後將其剝落。表1中之黏著性數字說明糊狀物 之黏著性之增加,如同組合物中錫_有機含量之相應增 加。實例糊狀物之剝離強度可藉由添加玻璃粉而得以進一 步增強。 彎曲量測 f曲(電池翹曲)經定義為當在平坦表面上進行量測時在 室溫下經燒製之電池之中心的最大偏轉高度。藉由將電池 置放於金屬平板上且使用具有μΓη解析度之針盤量規以量 測母一電池之最大偏轉(亦即,測定晶圓之中心距平板表 面的距離)而執行彎曲量測。 表1中所引用之實例C至F將鋁糊狀物之電氣性質說明為 錫-有機含量與不含錫-有機添加劑之組合物(對照Α及β)比 較的函數。表1中之資料證明:對於實例C至F而言,弯曲 隨著黏著性之進一步增強而降低。 表1 實例 重量%之 Sn-有機 重量%之 玻璃粉 Voc (mV) Isc (A) Eff(%) FF(%> 弩曲 (μιη) 黏著性 (%) 對照A 0.0 0.0 603.0 8.405 14.70 70.7 1242 15 對照B 0.0 0.0 603.6 8.321 14.95 73.0 1507 60 C 0.1 0.0 603.1 8.323 14.85 72.0 1123 80 D 0.2 0.0 604.7 8.243 14.97 72.4 814 85 E 0.5 0.0 605.6 8.371 15.30 73.6 520 90 F 0.5 0.5 605.3 8.298 15.15 73.4 601 98 【圖式簡單說明】 圖1A至圖1F表示例示性地說明石夕太陽能電池之製造的 139694.doc •21 · 201007771 製程流程圖;及 圖2A至圖2D解釋用於使用本發明之導電鋁糊狀物而製 造矽太陽能電池的製造製程❶下文解釋圖2所示之參考數 字。 【主要元件符號說明】 10 p型矽晶圓 20 η型擴散層 30 抗反射塗層,例如,SiNx、TiOx、SiOx 40 P +層(背表面場,BSF) 60 形成於背側上之銘糊狀物 61 紹背電極(藉由燒製背側鋁糊狀物而獲得) 70 形成於背側上之銀或銀/鋁糊狀物 71 銀或銀/銘背電極(藉由燒製背側銀或銀/鋁 糊狀物而獲得) 102 矽基板(矽晶圓) 104 光接收表面側電極 106 用於第一電極之糊狀物組合物 108 用於第二電極之導電糊狀物 110 第一電極 112 第二電極 500 形成於前側上之銀糊狀物 501 銀前電極(藉由燒製前侧銀糊狀物而獲得) 139694.doc •22-

Claims (1)

  1. 201007771 七、申請專利範圍: 1. 一種鋁糊狀物,其包含微粒鋁、錫-有機組份及包含有機 溶劑之有機媒劑。 2·如請求項1之鋁糊狀物,以總體鋁糊狀物組合物計,其 另外包含0.01重量%至5重量%之總體比例的一或多種玻 璃粉。 3. 如請求項1或2之鋁糊狀物,以總體鋁糊狀物組合物計, 其另外包含0.05重量%至0.6重量%對應於鋅貢獻之比例 的锌-有機組份》 4. 如請求項1或2之鋁糊狀物,以總體鋁糊狀物組合物計, 其另外包含高於0重量。/〇至0.5重量%之比例的非晶形二氧 化矽。 5. 如請求項1或2之鋁糊狀物,其中該微粒鋁係基於總體铭 糊狀物組合物以50重量%至80重量%之比例而存在。 6. 如請求項1或2之鋁糊狀物,其中該錫-有機組份係選自由 以下各者'組成之群:一種固體錫-有機化合物、兩種或兩 種以上固體錫-有機化合物之組合、一種液體錫-有機化 合物、兩種或兩種以上液體錫·有機化合物之組合、固體 與液體錫-有機化合物之組合,及一或多種錫-有機化合 物在有機溶劑中之溶液。 7_如請求項6之鋁糊狀物’其中該錫-有機組份係基於總體 鋁糊狀物組合物以0.01重量%至0·5重量%對應於錫貢獻 的比例而存在。 8,如請求項6之鋁糊狀物’其中該(該等)錫-有機化合物為 139694.doc 201007771 選自由樹脂酸錫及羧酸錫組成之群的錫-有機鹽化合&。 9_如請求項6之鋁糊狀物,其中該錫-有機組份為基於總體 鋁糊狀物組合物以0.1重量%至1重量°/〇之比例而存在的2-乙基己酸錫(II)。 1〇_如請求項1或2之鋁糊狀物,其中該有機媒劑進一步包含 有機聚合物及/或有機添加劑。 11· 一種形成矽太陽能電池之方法,其包含以下步驟: (i) 將如上述請求項中任一項之鋁糊狀物塗覆於具有一 P型區域、一 η型區域及一卩…接面的一矽晶圓之背側 上;及 (ii) 燒製具備該鋁糊狀物之表面,使該晶圓達到7〇〇〇c 至900°C之峰值溫度。 12.如請求項11之方法,其中該鋁糊狀物之塗覆係藉由印刷 而執行。 13·如請求項^或12之方法,其中燒製係與經塗覆至該矽晶 圓以在燒製期間於其上形成前側及/或背側電極之其他前 側及/或背側金屬糊狀物一起共燒製。 14. 一種矽太陽能電池,其係藉由如請求項11至13中任—項 之方法製造。 15. —種矽太陽能電池,其包含鋁背電極其中該鋁背電極 係利用如請求項1至中任一項之鋁糊狀物製造。 16. 如請求項15之矽太陽能電池,其進一步包含一矽晶圓。 139694.doc
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