TW200932946A - Vacuum processing system - Google Patents

Description

200932946 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在可保持爲真空的搬送室配置處理 腔室而成的真空處理系統。 ' 【先前技術】 在半導體元件之製造步驟中，爲了在作爲被處理基板 Q 的半導體晶圓（以下僅記爲晶圓）形成接觸件構造或配線 構造，而進行將複數金屬膜進行成膜的製程。如上所示之 成膜處理係在被保持於真空的處理腔室內進行，但是近來 ，由處理效率化的觀點、及抑制氧化或髒污（contamination )等污染的觀點來看，將複數個處理腔室經由閘閥而與被 保持於真空的搬送室相連結，藉由設在該搬送室的搬送裝 置，可在各處理腔室搬送晶圓之叢集工具（Cluster Tool )型多腔室系統已備受嗶目（例如日本特開平3-1 9252號 ❿ 公報）。在如上所示之多腔室系統中，由於無須將晶圓曝 露在大氣即可連續將複數的膜進行成膜，因此可進行極爲 有效且污染較少的處理。 但是，在如上所示之叢集工具型多腔室系統連接有進 行 CVD( Chemical Vappor Deposition，化學氣相沈積） 處理的CVD處理腔室時，當將閘閥開放而搬送晶圓時， 因CVD處理所發生的未反應氣體或副生成氣體等的污染 成分會在搬送室擴散，而會有擴散至其他處理腔室而引起 交叉污染（cross contamination)之虞。 -4- 200932946 以防止如上所示之情形的技術而言，係構成爲可在搬 送室導入沖洗氣（purge gas )，在將作爲處理對象物的晶 圓搬送至處理腔室時，使搬送室的壓力比該處理腔室的壓 力更高，由搬送室側朝向處理腔室側形成沖洗氣之流動的 技術已被提出（例如日本特開平1 0-270527號公報）。 _ 此外，在搬送室的閘閥附近設置排氣埠，自此局部進 行排氣，藉此迅速排出來自處理腔室之污染成分的技術亦 〇 已被提出（例如特開2007-149948號公報）。 但是，若爲藉由上述壓力差而由搬送室側朝處理腔室 側形成沖洗氣的流動的技術，通常由搬送室的一個部位導 入沖洗氣，朝向處理腔室之沖洗氣的流動密度較低，容易 變得不均一，而會有防止污染成分由處理腔室流入的防止 效果並不足夠的缺點。 此外，若爲在閘閥附近設置排氣埠的技術，由於搬送 室本身爲真空狀態，因此難以形成充分的排氣流，使其效 φ 果受到限定。 【發明內容】 本發明之目的在提供一種可有效抑制由處理腔室對搬 送室流入污染成分的真空處理系統。 根據本發明之第1觀點，係提供一種真空處理系統， 其具備有：對被處理基板在真空下進行預定處理的處理腔 室；具有將被處理基板進行搬入•搬出的搬入出口，透過 可將則述搬入出口開閉的蘭閥而連接有前述處理腔室，且 -5- 200932946 其內部被保持在真空狀態的搬送室；設在前述搬 將被處理基板藉由前述搬入出口對前述處理腔室 出的搬送機構；及設在前述搬入出口附近，在打 閥而使前述搬送室與前述處理腔室相連通的狀態 前述搬入出口，對前述處理腔室排出沖洗氣的沖 構件。 在上述第1觀點的真空處理系統中，另外具 述搬送室的壓力進行控制的壓力控制機構，前述 機構係可將前述搬送室的壓力控制爲適合於前述 的壓力，此時，前述壓力控制機構係以將前述搬 力控制爲比前述處理腔室更高的壓力爲佳。 根據本發明之第2觀點，係提供一種真空處 其具備有：對被處理基板在真空下進行預定處理 處理腔室；具有複數個將被處理基板進行搬入· 入出口，透過可將前述搬入出口開閉的閘閥而分 〇 入出口連接有前述處理腔室，且其內部被保持在 的搬送室；設在前述搬送室內，將被處理基板藉 一搬入出口對前述任一處理腔室選擇性地進行搬 送機構；分別設在前述複數個搬入出口附近，可 應的搬入出口排出沖洗氣的複數個沖洗氣排出構 打開前述任一閘閥而使前述搬送室與前述任一處 連通時，以由與該所連通的處理腔室相對應的沖 構件，經由所對應的搬入出口，對該所連通的處 出沖洗氣的方式進行控制的控制部。 送室內， 進行搬入 開前述閘 下，經由 洗氣排出 備有將前 壓力控制 處理腔室 送室的壓 理系統， 的複數個 搬出的搬 別對各搬 真空狀態 由前述任 入出的搬 朝向所對 件；及當 理腔室相 洗氣排出 理腔室排 -6 - 200932946 在上述第2觀點的真空處理系統中’另外具備有用以 控制前述搬送室之壓力的壓力控制機構’前述壓力控制機 構係可將前述搬送室的壓力控制爲適合於前述複數個處理 腔室中與前述搬送室相連通者的壓力，此時，前述壓力控 制機構係以將前述搬送室的壓力控制爲比前述複數個處理 ' 腔室中與前述搬送室相連通者的壓力更高的壓力爲佳。 在上述第1及第2觀點的真空處理系統中’前述壓力 〇 控制機構係具有：將前述搬送室進行真空排氣的排氣機構 、對前述搬送室導入氣體的氣體導入機構、及控制該等的 控制器，藉由前述控制器，對藉由前述排氣機構所進行的 排氣與藉由前述氣體導入機構所進行的氣體導入進行控制 ，可藉此控制前述搬送室內的壓力。此時，前述氣體導入 機構係具有前述沖洗氣排出構件，可將由前述沖洗氣排出 構件所排出的沖洗氣作爲壓力控制用的導入氣體使用。 在上述第1及第2觀點的真空處理系統中，前述沖洗 ❹ 氣排出構件係以沿著前述搬入出口之寬幅方向延伸，以帶 狀排出沖洗氣爲佳。此外，前述沖洗氣排出構件係以設在 比前述搬送室內之被處理基板之搬送路徑更爲下方爲佳。 此外，前述沖洗氣排出構件係以具有過瀘器功能爲佳。以 前述沖洗氣排出構件而言，係以由多孔質陶瓷所構成爲佳 〇 在上述第1及第2觀點的真空處理系統中，以前述處 理腔室而言，係可適用以金屬鹵素化合物爲原料之用以進 行CVD的CVD處理腔室。 -7- 200932946 根據本發明，在搬送室的搬入出口附近設置沖洗氣排 出構件，在打開閘閥而使搬送室與處理腔室相連通的狀態 下，由沖洗氣排出構件經由搬入出口而對處理腔室排出沖 洗氣，因此可將高密度的沖洗氣經由搬入出口而導引至處 理腔室，即使在處理腔室存在有污染成分，亦可有效抑制 如上所示之污染成分朝搬送室逆擴散。 φ 【實施方式】 以下參照所附圖示，具體說明本發明之實施形態。 第1圖係顯示本發明之一實施形態之多腔室類型之真 空處理系統的俯視圖。 真空處理系統1係具有：具備有用以進行CVD處理 之複數個處理腔室的處理部2;搬入出部3;及處理部2 與搬入出部3之間的加載互鎖室6a、6b，可對晶圓W實 施預定之金屬成膜。 〇 處理部2係具有：平面形狀呈六角形的搬送室11; 及與該搬送室11的4邊相連接的4個CVD處理腔室12 、1 3、14、1 5。在搬送室1 1之其他2邊係分別連接有加 載互鎖室6a、6b。CVD處理腔室12至15及加載互鎖室 6a、6b係經由閘閥G而連接於搬送室11的各邊，該等係 藉由開放所對應的閘閥，而與搬送室11相連通，藉由關 閉所對應的聞閥G，而由搬送室11遮斷。在搬送室11內 係設有對CVD處理腔室12至15、加載互鎖室6a、6b進 行晶圓W之搬入出的搬送機構16。該搬送機構16係被配 -8- 200932946 設在搬送室11的大致中央，在可旋轉及伸縮的旋轉•伸 縮部17的前端設有用以支持晶圓W的2個支持臂18a、 1 8b，該等2個支持臂18a、18b係以彼此朝向相反方向的 方式被安裝在旋轉·伸縮部17。該搬送室11內係如後所 述被保持在預定的真空度。 ' 搬入出部3係具有：包夾上述加載互鎖室6a、6b而 設在處理部2的相反側，且連接有加載互鎖室6a、6b的 ❹ 搬入出室21。在加載互鎖室6a、6b與搬入出室21之間 係設有閘閥G。在與搬入出室21之連接有加載互鎖室6a 、6b的邊相對向的邊係設有用以連接收容作爲被處理基 板之晶圓W的載體C的2個連接埠22、23。在該等連接 埠22、23係分別設有未圖示的擋門（shutter )，在該等 連接埠22、23直接安裝有收容有晶圓W之狀態的載體C 或空的載體C，此時，掉下擋門，一面防止外氣侵入，一 面與搬入出室21相連通。此外，在搬入出室21的側面設 〇 有對準腔室24，在該處進行晶圓W的對準。在搬入出室 21內係設有：對載體C進行晶圓W之搬入出及對加載互 鎖室6a、6b進行晶圓W之搬入出的搬入出用搬送機構26 。該搬入出用搬送機構26係具有2個多關節臂’可沿著 載體C的排列方向，在軌條28上行走，使晶圓W載置於 各個前端的手部27上而進行其搬送。 接著詳加說明搬送室11。 第2圖係以模式顯示搬送室1 1的剖面圖，第3圖係 其俯視圖。在搬送室1 1的側壁係設有用以在與CVD處理 -9- 200932946 腔室12至1 5之間進行晶圓W之搬入出的搬入出口 3 1 ’ 該搬入出口 3 1係可藉由閘閥G而開閉。各閘閥G係藉由 致動器32予以開閉。 爲了在如上所述將晶圓W搬送至CVD處理腔室12 ' 至15之任一者時，與其CVD處理腔室相連通，而使其適 合於各CVD處理腔室之壓力的目的下，在搬送室11係設 有排氣機構40與氣體導入機構50。具體而言，對藉由排 ❿ 氣機構40進行排氣及藉由氣體導入機構50進行氣體導入 進行控制，藉此控制成使搬送室11的壓力適合於所連通 的CVD腔室的壓力。 排氣機構40係具有：與設在搬送室11底部之排氣口 41相連接的排氣配管42;介在於排氣配管42的排氣速度 調整閥43;及連接於排氣配管42的真空泵44。接著，一 面控制排氣速度調整閥43，一面藉由真空栗44，經由排 氣配管42將搬送室11進行真空抽吸，藉此可進行真空抽 〇 吸至預定的壓力。 氣體導入機構50係具有：分別設在搬送室11之各處 理腔室之搬入出口 31的下側附近，用以排出沖洗氣的沖 洗氣排出構件5 1 ;連接於各沖洗氣排出構件5 1的沖洗氣 配管52;介設於沖洗氣配管52的開閉閥53;該等沖洗氣 配管52集合而成的集合配管54;介設於集合配管54的 壓力調整閥55 ;及連接於集合配管54的沖洗氣供給源56 〇

如第2、3圖所示’沖洗氣排出構件5 i係在比晶圓W -10- 200932946 之搬送路徑的高度更低的位置，沿著搬入出口 31的長度 方向延伸，具有晶圓W之口徑長或該口徑長以上的長度 ，可將沖洗氣以帶狀排出。之所以設在比晶圓W之搬送 路徑的高度更低的位置，係爲了減低在晶圓W附著微塵 ' 之虞之故’當不需要考慮微塵的附著時，亦可設在比晶圓 W之搬送路徑的高度更高的位置。 該沖洗氣排出構件5 1係具有：將沖洗氣排出至CVD 〇 處理腔室12至15的功能；及爲了壓力調整而將沖洗氣排 出的功能。如第4圖所示，當發揮由沖洗氣排出構件5 1 係朝向搬入出口 31而排出沖洗氣例如Ar氣體，對CVD 處理腔室12至15排出沖洗氣的功能時，係打開閘閥G 而將搬送室11形成爲與CVD處理腔室相連通的狀態，形 成朝向與該搬入出口 31相連接之CVD處理腔室的沖洗氣 流。此時，沖洗氣排出構件5 1若由形成均一的氣流，並 且防止導入微塵的觀點來看，以具有過濾器功能的材料來 φ 構成爲佳。以具有過濾器功能的材料而言，係可列舉多孔 質陶瓷爲適合的例子。 使用排氣機構40及氣體導入機構50來控制搬送室 1 1的壓力時，係打開閘閥G，而將搬送室1 1形成爲與預 定的CVD處理腔室相連通的狀態，藉由後述的控制器 101，來控制排氣速度調整閥43及壓力調整閥55，藉此 控制藉由排氣機構40所進行的排氣及藉由氣體導入機構 所進行的氣體導入，形成爲適合於該CVD處理腔室的壓 力。此時，沖洗氣排出構件51係具有藉由沖洗氣排出來 -11 - 200932946 調整搬送室11內之壓力的功能。 接著，參照第5圖的剖面圖，說明處写 處理腔室12。該CVD處理腔室12係形成 60的一部分，在其中進行CVD處理。亦即 處理裝置60的CVD處理腔室12的內部係 ' 置晶圓W的載置台61，在該載置台61內

62。該加熱器62係藉由由加熱器電源63被 φ 在CVD處理腔室12的天壁係以與載S 的方式設置有用以將供CVD處理之用的處 狀導入CVD處理腔室12內的淋洗頭64。勿 其上部具有氣體導入口 65，在其內部形成 間66，在其底面形成有多數的氣體排出孔 入口 65係連接有氣體供給配管68，此外， 管68係連接有用以供給供CVD處理之用的 即供進行反應而形成預定薄膜之用的原料氣 © 供給系69。因此，可由處理氣體供給系69 配管68及淋洗頭64而在CVD處理腔室12 體。在CVD處理腔室12的底部設有排氣丨 氣口 7〇連接有排氣配管71，在排氣配管： 72。接著，一面供給處理氣體，一面使該真 ’藉此將CVD處理腔室12內保持在1χ10] 約 lxlO·1 至 lxlOjorr)程度。 在上述載置台61係以可對載置台61的 的方式設有晶圓搬送用的3支（僅圖示2支 I部2的CVD CVD處理裝置 ，在構成CVD 配置有用以載 係設有加熱器 供電而發熱。 [台61相對向 理氣體以淋洗 长洗頭64係在 有氣體擴散空 67。在氣體導 在氣體供給配 處理氣體，亦 體的處理氣體 經由氣體供給 內供給處理氣 3 70，在該排 ^設有真空栗 空泵72作動 至 lxl03Pa( 表面突出埋没 )晶圓支持銷 -12- 200932946 73，該等晶圓支持銷73係被固定在支持板74。接著，晶 圓支持銷73係藉由氣缸等驅動機構76而將桿件75升降 ，藉此透過支持板74予以升降。其中，元件符號77係波 紋管（bellows)。另一方面，在CVD處理腔室12的側 壁係形成有晶圓搬入出璋78，在已將閘閥G打開的狀態 下，在與搬送室11之間進行晶圓W的搬入出。 接著，在一面將CVD處理腔室12內藉由真空泵72 φ 進行排氣，一面由加熱器62，透過載置台61將晶圓W加 熱至預定溫度的狀態下，由處理氣體供給系69經由氣體 供給配管68及淋洗頭64而將處理氣體導入至CVD處理 腔室12內。藉此，在晶圓W上進行處理氣體的反應，在 晶圓W的表面形成預定的薄膜。爲了促進反應，亦可以 適當的手段來產生電漿。 以在CVD處理腔室12內所進行的CVD處理而言， 係例示Ti膜、TiN膜、W膜、WSi膜等以金屬鹵素化合 ® 物爲原料氣體之成膜。CVD處理係在晶圓上使原料氣體 產生化學反應而將預定的膜成膜在晶圓上者，若例如爲 Ti膜時，以H2氣體將TiCl4氣體還原，藉此形成Ti膜， 但是有助於反應的氣體比例較少，未進行反應狀態下的未 反應氣體或副生成氣體等的污染成分會大量發生而殘留在 處理腔室內。 其中，CVD處理腔室13至15基本上均具有與上述 CVD處理腔室12相同的構造。 加載互鎖室6a、6b係用以進行大氣環境的搬入出室 -13- 200932946 21與真空環境的搬送室11之間之晶圓W的搬送者，具有 排氣機構與氣體供給機構（均未圖示），可將其中在大氣 環境與適合於搬送室11之真空環境之間在短時間內進行 切換，在與搬入出室21之間進行晶圓W的交接時，在密 閉狀態下形成爲大氣環境之後與搬入出室21相連通，在 搬送室11之間進行晶圓之交接時，係在密閉狀態下形成 爲真空環境後與搬送室11相連通。 Φ 該真空處理系統1係具有用以控制各構成部的控制部 100。該控制部100係具備有：由執行各構成部之控制的 微處理器（電腦）所構成的控制器101;由操作人員爲了 管理真空處理系統1而進行指令之輸入操作等的鍵盤、或 將真空處理系統的運轉狀況可視化且予以顯示的顯示器等 所構成的使用者介面102;及儲放有用以利用控制器101 的控制來實現在真空處理系統1所執行之各種處理的控制 程式、各種資料、及用以按照處理條件而使處理裝置的各 Ο 構成部執行處理的程式亦即處理處方（recipe )的記憶部 103。其中，使用者介面1 〇2及記憶部103係與控制器 1 0 1相連接。 上述處理處方係記憶在記憶部1 03中的記憶媒體。記 憶媒體可爲硬碟，亦可爲CDROM、DVD、快閃記憶體等 具可搬性者。此外，亦可由其他裝置，經由例如專用線路 而適當地傳送處方。 接著，視需要，以來自使用者介面102的指示等，將 任意處方由記憶部1 〇 3叫出且使控制器1 0 1執行，藉此在 14 - 200932946 控制器1 0 1的控制下，進行真空處理系統1下之所希望的 處理。 尤其，在本實施形態中’如上述第2、3圖所示，控 制器1 0 1係藉由對閘閥G的致動器3 2、氣體導入機構5 0 的開閉閥53或壓力調整閥55、排氣機構40的排氣速度 調整閥43進行控制，進行對任一 CVD處理腔室進行晶圓 W之搬入出時之閘閥的開閉控制及搬送室1 1的壓力控制 0 及氣流控制。 接著說明如上所示之真空處理系統1中的處理動作。 該真空處理系統1可爲CVD處理腔室12至15均形 成相同的膜的單膜形成用者，亦可爲用以形成複數種的膜 者（例如將Ti膜與TiN膜的層積膜進行成膜者）。若爲 後者，例如（^0處理腔室12、13爲以膜成膜用’（^0 處理腔室14、15可形成爲TiN膜成膜用。 在成膜時，首先，由任一載體C藉由搬入出用搬送機 〇 構26取出晶圓W而搬入至加載互鎖室6a。接著，將加載

互鎖室6a形成爲密閉狀態而進行真空排氣，在形成爲與 搬送室1 1相同程度的壓力之後，打開搬送室1 1側的閘閥 G，藉由搬送機構16，將加載互鎖室6a的晶圓W取出至 搬送室11內。之後，藉由排氣機構40及氣體導入機構 5〇，將搬送室11的壓力控制爲適合於CVD處理腔室12 至15中應搬入晶圓W的腔室的壓力，將與該CVD處理 腔室相對應的閘閥G開放，透過搬入出口 3 1，將晶圓W 搬入至該CVD處理腔室。接著，在其中進行預定的CVD -15- 200932946 成膜處理、例如Ti膜的成膜。 預定的CVD成膜處理結束後，若爲單膜成膜，即打 開與進行處理的CVD處理腔室相對應的閘閥G，藉由搬 送機構16，由該CVD處理腔室將晶圓W取出至第1搬送 室11，接著將晶圓W搬入至加載互鎖室6b，將加載互鎖 室6b內形成爲大氣壓之後，藉由搬入出用搬送機構26, 將晶圓W收納在任一載體C。 φ 在進行2層之層積膜的成膜時，在上述一個CVD處 理腔室的CVD成膜處理結束後，打開與CVD處理腔室相 對應的閘閥G，藉由搬送機構16，由該CVD處理腔室將 晶圓W取出至第1搬送室1 1，接著打開與供進行下一次 成膜處理之用的CVD處理腔室相對應的閘閥G，在該 CVD處理腔室內，進行與最初的膜相異的膜，例如TiN 膜的成膜。若爲3層以上時，亦同樣地反覆進行在其他 CVD處理腔室的成膜處理。接著，打開與最後的CVD處 〇 理腔室相對應的閘閥G，藉由搬送機構16，由該CVD處 理腔室將晶圓w取出至第1搬送室11，接著將晶圓|搬 入至加載互鎖室6b，在將加載互鎖室6b內形成爲大氣壓 之後，藉由搬入出用搬送機構26，將晶圓W收納在任一 載體C。 但是，CVD處理係如上所述在晶圓上使原料氣體產 生化學反應而將預定的膜成膜在晶圓上者，在Ti膜、TiN 膜等的成膜中’未反應氣體或副生成氣體等之污染成分會 大量存在於腔室內’保持在IxlO1至lxl〇3pa (約“〖ο·1 -16- 200932946 至lxli^Torr)程度之較爲高壓，在打開閘閥G時，若污 染成分（contamination )在搬送室11內逆擴散’則會有 在與其他CVD處理腔室之間產生交叉污染之虞。 由如上所示之防止污染成分逆擴散的觀點來看，在習 知技術中，由搬送室11的一個部位導入氣體而保持在比 CVD處理腔室12至15中所欲連通者爲稍微高的壓力， 爲了對CVD處理腔室進行晶圓的搬入出，在打開閘閥時 〇 ，形成由搬送室11朝向CVD處理腔室的氣流，抑制由 CVD處理腔室朝向搬送室11逆擴散。 但是，在如上所示之技術中，由於對於搬送室1 1的 氣體供給埠爲一個部位，因此當打開作爲對象之CVD處 理腔室與搬送室11之間的閘閥G而使該等之間相連通時 ’由搬送室至該CVD處理腔室之沖洗氣的流動密度較低 ’而且容易形成爲不均一，而會產生並不一定可充分抑制 由相連通的CVD處理腔室朝向搬送室11之污染成分的逆 ® 擴散的情形。 因此，在本實施形態中，將沖洗氣排出構件51設在 各CVD處理腔室的附近位置，具體而言，設在與各CVD 處理腔室相連通之搬入出口 31的附近，由與搬送室11相 連通之CVD處理腔室相對應的沖洗氣排出構件51朝向搬 入出口 31排出沖洗氣。如上所示，由於排出沖洗氣的沖 洗氣排出構件51被設在搬入出口 31的附近，因此藉由由 沖洗氣排出構件5 1所排出的沖洗氣，如第6圖所示，可 形成由搬送室11朝向與其相連通的CVD處理單元（在第 -17- 200932946 6圖之例中係CVD處理單元12)的高密度氣流，而可有 效抑制來自CVD處理腔室之污染成分的逆擴散。此外， 沖洗氣排出構件51係沿著搬入出口 31的長度方向延伸， 具有晶圓W之口徑長或該口徑長以上的長度，因此形成 由搬送室1 1朝向CVD處理腔室之均一的沖洗氣流，而可 ' 更進一步確實地抑制污染成分逆擴散。 此外，在CVD處理腔室12至15的各個設置沖洗氣 φ 排出構件51，藉由閥的切換，可選擇性地排出沖洗氣， 因此可僅在爲了防止與搬送室相連通的污染成分逆擴散的 CVD處理腔室形成沖洗氣。 此時，最好藉由排氣機構40及氣體導入機構50，以 搬送室1 1的壓力比CVD處理腔室12至15中相連通者更 高的壓力的方式進行壓力控制。藉此，可更進一步有效地 防止污染成分逆擴散。 此外，以沖洗氣排出構件51而言，使用多孔質陶瓷 〇 等具有過濾器功能者’藉此可形成更爲均一的氣流，並且 可防止微塵導入。 其中，本發明並非限定於上述實施形態，可在本發明 之思想範圍內作各種變形。例如，在上述實施形態中係就 在搬送室設置4個CVD處理腔室的情形加以說明，但是 該個數並不限於4個’若爲1個以上即可。此外，使用沿 著搬入出口延伸者作爲沖洗氣排出構件，但是並不限於此 ，例如亦可以朝向搬入出口獲得均一氣流的方式形成爲環 狀。 -18- 200932946 此外，在上述實施形態中，係按各CVD處理腔室設 置沖洗氣排出構件，但是亦可僅在特定的CVD處理設置 氣體排出構件。 此外，在上述實施形態中，係就進行CVD成膜處理 作爲真空處理的情形爲例加以說明，但是並不限於CVD 成膜處理，亦可同樣地適用於其他真空處理。 φ 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之一實施形態之多腔室類型之真 空處理系統的俯視圖。 第2圖係顯示第1圖之真空處理系統中之搬送室的剖 面圖。 第3圖係顯示第1圖之真空處理系統中之搬送室的俯 視圖。 第4圖係顯示搬送室之沖洗氣排出構件與搬入出口之 〇 位置關係的模式圖。 第5圖係顯示第1圖之真空處理系統中之CVD處理 腔室的剖面圖。 第6圖係顯示藉由由沖洗氣排出構件所排出的沖洗氣 ’形成由搬送室至CVD處理腔室之沖洗氣之流動之狀態 的模式圖。 【主要元件符號說明】 1 ·真空處理系統 -19- 200932946 2 :處理部 3 :搬入出部 6a、6b :加載互鎖室 1 1 :搬送室 12、13、14、15: CVD 處理腔室 16 :搬送機構 17 :旋轉·伸縮部 Q 18a、18b :支持臂 21 :搬入出室 22、23 :連接埠 2 4 :對準腔室 26:搬入出用搬送機構 27 :手部 2 8 :軌條 3 1 :搬入出口 〇 32 :致動器 40 :排氣機構 4 1 :排氣口 42 :排氣配管 43 :排氣速度調整閥 44 :真空泵 50 :氣體導入機構 5 1 :沖洗氣排出構件 52 :沖洗氣配管 -20- 200932946 5 3 :開閉閥 54 :集合配管 5 5 :壓力調整閥 5 6 :沖洗氣供給源 60 : CVD處理裝置 6 1 ·載置台 6 2 :加熱器 H 6 3 :加熱器電源 64 :淋洗頭 65 :氣體導入口 66 :氣體擴散空間 67 :氣體排出孔 68 :氣體供給配管 69 :處理氣體供給系 70 :排氣口 〇 7 1 :排氣配管 72 :真空泵 73 :晶圓支持銷 74 :支持板 75 :桿件 76 :驅動機構 77 :波紋管 78:晶圓搬入出：t阜 1 0 0 :控制部 -21 - 200932946 1 ο 1 :控制器 1 0 2 :使用者介面 1 〇 3 :記憶部 C :載體 G :聞閥 W :晶圓

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Claims (1)

1. 200932946 十、申請專利範圍 1. 一種真空處理系統’其特徵爲具備有： 對被處理基板在真空下進行預定處理的處理腔 具有將被處理基板進行搬入·搬出的搬入出口 可將前述搬入出口開閉的閘閥而連接有前述處理腔 ' 其內部被保持在真空狀態的搬送室： 設在前述搬送室內，將被處理基板藉由前述搬 〇 對前述處理腔室進行搬入出的搬送機構；及 設在前述搬入出口附近，在打開前述閘閥而使 送室與前述處理腔室相連通的狀態下，經由前述搬 ’對前述處理腔室排出沖洗氣的沖洗氣排出構件。 2. 如申請專利範圍第1項之真空處理系統，其 外具備有將前述搬送室的壓力進行控制的壓力控制 前述壓力控制機構係將前述搬送室的壓力控制爲適 述處理腔室的壓力。 © 3.如申請專利範圍第2項之真空處理系統，其 述壓力控制機構係將前述搬送室的壓力控制爲比前 腔室更高的壓力。 4.如申請專利範圍第2項之真空處理系統，其 述壓力控制機構係具有：將前述搬送室進行真空排 氣機構、對前述搬送室導入氣體的氣體導入機構、 該等的控制器，藉由前述控制器，對藉由前述排氣 進行的排氣與藉由前述氣體導入機構所進行的氣體 行控制，藉此控制前述搬送室內的壓力° 室； ，透過 室，且 入出口 前述搬 入出口 中，另 機構， 合於前 中，前 述處理 中，前 氣的排 及控制 機構所 導入進 -23- 200932946 5.如申請專利範圍第4項之真空處理系統，其中，前 述氣體導入機構係具有前述沖洗氣排出構件，將由前述沖 洗氣排出構件所排出的沖洗氣作爲壓力控制用的導入氣體 使用。 ' 6.如申請專利範圍第1項之真空處理系統，其中，前 述沖洗氣排出構件係沿著前述搬入出口的寬幅方向延伸， 以帶狀排出沖洗氣。 φ 7.如申請專利範圍第1項之真空處理系統，其中，前 述沖洗氣排出構件係設在比前述搬送室內之被處理基板之 搬送路徑更爲下方。 8.如申請專利範圍第1項之真空處理系統，其中，前 述沖洗氣排出構件係具有過濾器功能。 9 ·如申請專利範圍第8項之真空處理系統，其中，前 述沖洗氣排出構件係由多孔質陶瓷所構成。 10. 如申請專利範圍第1項之真空處理系統，其中， Φ 前述處理腔室係以金屬鹵素化合物爲原料之用以進行 CVD的CVD處理腔室。 11. 一種真空處理系統，其特徵爲具備有： 對被處理基板在真空下進行預定處理的複數個處理腔 室； 具有複數個將被處理基板進行搬入.搬出的搬入出口 ’透過可將前述搬入出口開閉的閘閥而分別對各搬入出口 連接有前述處理腔室，且其內部被保持在真空狀態的搬送 室； -24- 200932946 設在前述搬送室內，將被處理基板藉由前述任 出口對前述任一處理腔室選擇性地進行搬入出的搬 » 分別設在前述複數個搬入出口附近，可朝向所 搬入出口排出沖洗氣的複數個沖洗氣排出構件；及 當打開前述任一閘閥而使前述搬送室與前述任 腔室相連通時，以由與該所連通的處理腔室相對應 φ 氣排出構件，經由所對應的搬入出口，對該所連通 腔室排出沖洗氣的方式進行控制的控制部。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之真空處理系統， 另外具備有用以控制前述搬送室之壓力的壓力控制 前述壓力控制機構係將前述搬送室的壓力控制爲適 述複數個處理腔室中與前述搬送室相連通者的壓力 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之真空處理系統， 前述壓力控制機構係將前述搬送室的壓力控制爲比 φ 數個處理腔室中與前述搬送室相連通者的壓力更高 〇 14. 如申請專利範圍第12項之真空處理系統’ 前述壓力控制機構係具有：將前述搬送室進行真空 排氣機構、對前述搬送室導入氣體的氣體導入機構 制該等的控制器，藉由前述控制器’對藉由前述排 所進行的排氣與藉由前述氣體導入機構所進行的氣 進行控制，藉此控制前述搬送室內的壓力° 15. 如申請專利範圍第14項之真空處理系統’ 一搬入 送機構 對應的 一處理 的沖洗 的處理 其中， 機構， 合於前 〇 其中， 前述複 的壓力 其中， 排氣的 、及控 氣機構 體導入 其中， -25- 200932946 前述氣體導入機構係具有前述沖洗氣排出構件，將由前述 沖洗氣排出構件所排出的沖洗氣作爲壓力控制用的導入氣 體使用。 16.如申請專利範圍第11項之真空處理系統，其中， 前述沖洗氣排出構件係沿著前述搬入出口之寬幅方向延伸 ，以帶狀排出沖洗氣。 17_如申請專利範圍第11項之真空處理系統，其中， φ 前述沖洗氣排出構件係設在比前述搬送室內之被處理基板 之搬送路徑更爲下方。 18. 如申請專利範圍第11項之真空處理系統，其中， 前述沖洗氣排出構件係具有過濾器功能。 19. 如申請專利範圍第18項之真空處理系統，其中， 前述沖洗氣排出構件係由多孔質陶瓷所構成。 2〇·如申請專利範圍第11項之真空處理系統，其中， 前述處理腔室係以金屬鹵素化合物爲原料之用以進行 ❹ CVD的CVD處理腔室。 -26-