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TW200937683A - Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device Download PDF

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Publication number
TW200937683A
TW200937683A TW097144567A TW97144567A TW200937683A TW 200937683 A TW200937683 A TW 200937683A TW 097144567 A TW097144567 A TW 097144567A TW 97144567 A TW97144567 A TW 97144567A TW 200937683 A TW200937683 A TW 200937683A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor light
emitting device
substrate
light
sealing material
Prior art date
Application number
TW097144567A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Ide
Hidenori Kamei
Isamu Yonekura
Kunihiko Obara
Koichi Nakahara
Kouji Nakatsu
Yoshirou Tooya
Toshirou Kitazono
Toshihide Maeda
Kenichi Koya
Takahiro Shirahata
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
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    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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Description

200937683 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種為了有效地利用從半導體發光元件的 側面出射的光而在密封材的側面設置了反射層之半導體發 光元件以及使用了該半導體發光元件之半導體發光裝置。 【先前技術】 . 半導體發光元件從發光層出射光，該發光層是由夹著活 性層的ρ型及η型半導體形成的。由此，光朝四面八方射 〇 出。但是，作為光源而言’大多希望使光朝一個方向照 射。此時，向與照射方向不同的方向行進的光將成為無用 光。若考慮到光的有效利用，理想的是使這些光朝半導體 發光元件的出光面方向反射。 .針對上述課題，提出了使半導體發光元件的側面朝出光 面方向傾斜之方法。譬如，在日本公開專利公報特開 2006-128659號公報中，公開了下述半導體發光元件， 即.在電極上具有經由加工而傾斜並且還設置有反射層的 ❹ 御1面。該半導體發光元件係在發光層的兩面形成有電極的 兀件。並且’ 4 了使來自發光層的光的取出效率提高，其 • 纟藉由雷射剝離了在形成發光層時所使用的藍寶石基板。 - 並且，在日本公開專利公報特開平6-268252號公報中， 公開了如下的半導體發光元件，即：在該半導體發光元件 _，在透明基板的-面形成有電極’為了不讓發光層生成 的光照射到該電極，而在成為屮 战馮出先面相反面的底面形成了 具有傾斜角度的斜面。 136192.doc 200937683 上述係用蒸鍍膜等金屬薄膜構成反射層之示例。不過， 為了用金屬薄膜等來構成反射層，而需要在真空室進行的 處理，因此不能稱之為適合量產之方法。 作為其它的解決方案，還存在如下方法，即：並不是在 半導體發光元件自身的側面設置反射層，而是在進一步包 括引導框架（lead frame)和密封材而構成的發光器件（下面 稱為"發光裝置”)的側面上形成反射層，從而使來自侧面的 光射向出光面。 作為上述解決方案’在日本公開專利公報特開2〇〇5_ 26400號公報中，提出了一種在密封半導體發光元件的密 封樹脂的側面具備反射框的半導體發光元件。 圖14是表示該半導體發光裝置之剖面圖。在引導框架 上形成的半導體發光元件92藉由接合導線（bonding)94與另 —引導框架96電氣連接。並且，整體被樹脂98密封在其 側面設置了反射框1〇〇 β經由形成為上述結構，從而構成 了半導體發光裝置，並使來自側面的光反射，然後從出光 面取出該反射光。 【發明内容】 解決課題 如曰本公開專利公報特開2006_128659號公報和曰本公 開專利公報特開平6-268252號公報中所示般在半導體發光 元件自身的側面形成反射層的方法由於需要在真空室内進 行的成膜處理，因此未必能稱其為適合量產之方法β 另一方面’日本公開專利公報特開2005-26400號公報的 136192.doc 200937683 半導體發光裝置是藉由在空氣中進行的製程就能製得的裝 置。不過，由於半導體發光元件自身的大小是數百帥到 數ΠΗΠ，因此反射框的大小則為數〇1〇1左右。而將上述尺寸 的反射框安裝在各個半導體發光元件上並不是一件容易 事情》 ’ 本發明係為了解決上述課題而想到的發明，其目的在 於.提供一種在密封材側面整個面上形成反射層以使發光 效率提高的半導體發光裝置及其製造方法。 解決手段 為了解決上述課題，本發明提供一種如下所示的半導體 發光裝置，其具備：半導體發光元件、搭載有上述半導體 發光元件的子基板、在上述子基板上密封上述半導體發光 元件的密封材、以及在將上述密封材的出光面作為上表面 時配置在該密封材侧面的反射層。 並且’作為上述半導體發光裝置之製造方法，提供了一
種如下所示的半導體發光裝置之製造方法，其具備：在子 基板用基板上固定複數個半導體發光元件的步驟、用密封 材密封上述半導體發光元件的步驟、向上述半導體發光元 件之間填充反射材的步驟、研磨上述密封材表面的步驟、 以及在填充有上述反射材的部分將反射材及子基板用基板 切斷的步驟。 發明效果 本發明之半導體發光裝置由於在密封材的側面形成有反 射層’因此從配置在密封材内的半導體發光元件出射的光 136192.doc 200937683 被在密封材和反射層之間的界面處形成的反射面反射。由 2從半導體發光裝置的侧面出射的光減少，從而能夠獲 得接近理想的面發光的特性。 並且’本發明之半導體發光裝置是藉由在空氣中進行的 製程就犯製得的裝置。而且，當在子基板用基板上搭載有 個個半導體發光兀件時’由於在子基板用基板上能夠同 ' 時形成密封材和反射層，因此量產性佳。 【實施方式】 ® (第1實施形態） 在圖1中示出本發明之半導體發光裝置1。半導體發光裝 置1的結構係在子基板21上固定了半導體發光元件1〇。 下面，對使用倒裝（flip chip)型半導體發光元件的示例 進行說明，不過本發明之半導體發光裝置並不依存於半導 體發光元件的類型。亦即，可以是面朝上（face_up)、單面 電極、兩面電極等類型的半導體發光元件。 _ 在子基板21上形成有引出電極22、23。引出電極是用來 向半導體發光元件10施加電流的電極。具有與半導體發光 元件的η型層一側連接的n側引出電極22、和與p型層一側 ‘ 連接的Ρ側引出電極23。並且在圖丨中，引出電極經由通孔 • 26、27與背面電極28、29連接。經由此，能夠使電流從背 面電極28、29流向半導體發光元件。此外，背面電極亦具 有η側背面電極28和ρ側背面電極29。 在引出電極上形成有凸塊24、25。與引出電極相同，凸 塊亦具有與η型層連接的η側凸塊24'和與ρ型層連接的ρ側 136192.doc -10- 200937683 凸塊25。在圖1中p側凸塊為複數個，彙總起來用符號25表 示。當然η側凸塊亦可以為複數個。 藉由該凸塊而將引出電極與半導體發光元件直接連接起 來。因此，該凸塊是連接線。將包括子基板、引出電極、 背面電極、通孔、凸塊的整體稱作支撐體20 ^此外，根據 實施形態，有時亦可以在支撐體2〇中省略背面電極、通孔 或者凸塊。 在半導體發光元件1〇的周圍亦可以配置螢光體層35。在 螢光體層35中分散有一種或複數種螢光體。並且使來自半 導體發光元件10的光在進行波長變換後射出。經由此，半 導體發光裝置1能夠出射各種顏色的光。 在螢光體層35的周圍配置有透明的密封材38。密封材“ 疋介質或使機能性材料分散到介質中而製得的。密封材經 由覆蓋半導體發光元件，從而對半導體發光裝置丨進行保 護。作為能夠用作密封材之介質，能夠使用矽樹脂、環氧 樹脂、及以氟樹脂為主要成分的樹脂。特別是作為矽樹 脂’理想的是矽氧烷系樹脂、聚烯、矽•環氧複合 (silicone · epoxy hybrid)樹脂等。 並且，介質不僅能夠使用樹脂，亦能夠使用藉由溶膠凝 膠法製作的玻璃材料。具體而言，是由通式Si(x)n(R)“ (n=l〜3)表示的化合物。在此，尺是烷基，χ是從画素 (hal〇gen)(a、F、Br、I)、經基（_〇Η)、烧氧基（ 〇r)中選 出的。在該玻璃材料中亦能夠添加機能性材料或由通式 M(OR)n表示的烧氧化物。經由添加貌氧化物，能夠改變^ 136192.doc 200937683 封材自身的折射率。 並 這些玻璃材料中亦具有硬化反應溫度在攝氏200 度左右的材料，當考慮到在凸塊或電極各部中所使用的材 料的耐熱性時，亦能稱其為理想的材料。 並且，在介質中分散的機能性材料並沒有被特別限定。 不過，由於密封材存在於半導體發光元件和密封材的出光 面之間，因此使光透過率降低的材料和尺寸是不適合的。 譬如，作為—個理想的示例若使氧化矽的微粒作為機能性 材料分散在介質中並以此作為密封材時，由於使半導體發 光儿件發出的光在密封材内均勻擴散，因此能夠使密封材 的出光面呈面狀均勻地進行發光。 密封材的表面成為半導體發光裝置1的出光面36。經由 使出光面36成為平坦面，從而能夠獲得面發光。不過，由 於密封材3 8和空氣之間的折射率的關係，若設為完全鏡面 時’則有時會由於全反射而導致半導體發光裝置的光取出 效率降低。為了避免上述情況，能夠使出光面36具有微小 的凹凸結構。 在本發明之半導體發光裝置中，在密封材的側面進一步 設置有反射層40。反射層40使從半導體發光元件10出射後 向側面行進的光難於從侧面射出。因此，反射層40亦可以 不進行鏡面反射。 譬如’亦可以為下述情況，即··在反射層中使用將微粉 末分散在介質中而獲得的材料，從而照射到反射層40的光 X將成為散射光。 136192.doc -12- 200937683 作為在反射層40所能使用的介質，能夠適當地使用樹 脂、玻料。具體而言，能夠使用作為上述密封材的介質 已介紹過的材料。 並且，作為所能利用的微粉末，能夠適當地使用氧化 鈦、氧化鋁等金屬氧化物、或金、銀、鎳等金屬微粉末、 * 或者鐵氟龍（註冊商標）等白色系樹脂微粉末。 ' 特別疋由於氧化鈦能夠提高反射層的反射率，因此是理 想的材料。經由將分散在反射層中的氧化鈦的重量濃度設 〇 定在10°/°〜80%這一範圍，並適當調整反射層的厚度，從而 倉b夠保持較咼的反射率。為了調整用於反射層的介質粘 度，亦可以使氧化矽或氧化鋁的微粉末與氧化鈦一起同時 分散在介質中0 由於存在上述反射層40’因此在從半導體發光元件出射 的光中朝側面方向行進的光照射到反射層4〇後，朝大致與 入射角相對應的反射角方向反射。 反射層40配置在密封材38侧面的至少一部分上。當然， 參 理想的是配置在側面的整個面上。特別是在密封材3 8的高 度方向上皆存在反射層為好。這是為了防止從側面漏光。 換言之，到與密封材38的一部分即出光面36齊平的位置為 止皆存在反射層40。 並且，反射層40與密封材38和子基板21這兩者皆接觸。 這是由於經由亦與子基板21接觸而能覆蓋密封材38側面的 整個面之故。 反射層40與密封材38之間的界面是反射面41。反射面41 \36192.doc -13 - 200937683 與子基板21的表面19的關係並沒有被特別限定。不過，若 是垂直於表面19或與表面19形成鈍角時，則能更容易地使 光朝出光面36的方向反射，因此是理想的。 圖2係示出當反射面41與子基板21的表面19形成鈍角“ 時的半導體發光裝置之剖面圖。若反射面41與子基板表面 構成圖2所示的角度時，則來自半導體發光元件1〇的光將 進一步朝出光面36的方向反射，從而使得發光效率提高。 此外，在子基板上亦可以搭載半導體發光元件以外的其 匕元件譬如，_子基板為氮化銘等陶竟時，亦可以搭載 保護用元件，譬如二極體、電阻、保護電路等。 下面，對子基板和半導體發光元件進行詳細說明。 子基板21能夠使用矽稽納二極體（silic〇n zener⑴“匀、 矽二極體、矽、氮化鋁、氧化鋁以及其它陶瓷等。 通孔是貫通子基板的貫通孔，在内部含有銅、鋁、金等 導電材料。f面電極28、29與通孔電氣連接，並且該背面 電極28、29是由銅、銀、金等導電材料製成的。引出電極 使用銅、鋁、金、銀等導電性材料。 ，凸塊具有將半導體發光元件固定在子基板21上並使該 半導體發光元件Π)與引出電極22、23之間電氣接合起來的 作用。 作為凸塊的材料，能夠使用金、金.錫、焊料、銦合 金、導電性聚合物等’其中特別理想的是使用金或以金為 主要成分的材料。能夠使用上述材料，藉由喷鍍法、真空 4鍍法、網印（screen printing)法、液滴射出法、線凸塊 136I92.doc •14· 200937683 (wire bump)法等形成凸塊β 譬如，當利用線凸塊法時，經由下述步驟，即：製作金 線，並用接合設備（bonder)將金線的一端接合在子基板上 的引出電極之上，然後再切斷金線，從而形成了金凸塊。 並且，亦能夠利用液滴射出法，即：利用與喷墨印刷相同 • 的方法以使金等高導電性材料的微粒奈米粒子分散於揮發 • 性溶劑中而成的液體進行印刷，然後使溶劑揮發來除去該 溶劑，從而形成作為奈米粒子的聚合體的凸塊。 ® 圖3係示出半導體發光元件10之剖面圖，圖4係示出從基 板上部方向所看到的平面圖。半導體發光元件1〇由基板 11、η型層12、活性層1 3、P型層14、n侧電極丨6以及p側電 極17構成。 基板11起到保持發光層之作用。作為材質，能夠使用絕 緣性的藍寶石。不過，當考慮到發光效率和發光部分以氮 化鎵（GaN)作為基材的情況時，為了減少在η型層12和基板 11之間的界面的光反射，理想的是使用具有與發光層同等 _ 折射率的 GaN、SiC、AlGaN、Α1Ν。 成為發光層的η型層12、活性層13及p型層14依次積層在 基板11上。材質沒有特別受到限制，不過理想的材質是氮 化鎵系化合物。具體而言’分別為GaN的η型層12、InGaN 的活性層13、GaN的p型層14。此外，作為η型層12、p型 層14亦可以使用AlGaN或InGaN，並且亦能夠在η型層12和 基板11之間設置由GaN或InGaN構成的緩衝層β並且，譬 如活性層1 3亦可以成為使InGaN和GaN交替層疊起來的多 136192.doc 15 200937683 層結構（量子井（quantum well)結構）。 從如上述般在基板11上層積的11型層12、活性層13及？型 層14的一部分中，除去活性層13和？型層14,從而使^型層 12露出。在該露出的η型層12上形成的是^^側電極16。此 外’當用導電性材料製作基油時，亦可以使基板露出， 從而在基板上直接形成η側電極。 並且，在Ρ型層14上同樣形成有卩側電極17。亦即，經由 除去活性層13和ρ型層14,使η型層12露出，從而能夠在基 板同一側的面上形成發光層、ρ側電極及11側電極。 為了使發光層發出的光向基板丨^一側反射，從而使用反 射率高的Ag、Α卜Rh等的第一電極來作為卩側電極17。亦 即，基板11的頂面一側成為出光面18。為了降低ρ型層μ 和P側電極17的歐姆接觸電阻，更理想的是在p型層μ和ρ 側電極之間設置 Pt、Ni、Co、ITO(Indium Tin 〇xide :氧 化銦錫）等的電極層。並且，在n侧電極丨6中能夠使用A卜 Τι等》為了提高與凸塊的接合強度，理想的是在ρ側電極 17及η側電極16的表面使用Au*A1。上述電極能藉由真空 蒸鑛法、濺射（sputtering)法等形成。 沒有特別限定半導體發光元件1〇的大小，不過為了增加 光量，使用總面積大的元件為好，理想的是一邊（8及9)在 6〇〇 μιη以上。並且，半導體發光元件1〇的一邊（8或9)亦可 以比其他邊長。這是由於在半導體發光元件的用途中亦包 括用於攜帶電話機、移動電腦等的情況，因而亦需要長= 形的發光裝置。 136192.doc -16 - 200937683 此外’作為半導體發光元件，對倒裝型半導體發光元件 進行了詳細說明，不過在本發明之半導體發光裝置中，半 導體發光元件可以為任意類型。 下面’關於螢光體層35進行說明。螢光體層35係使無機 或有機螢光體材料的粒子分散於樹脂或玻璃等透明介質中 而形成的。 譬如’當半導體發光元件1〇發出藍色光，而欲使半導體 發光裝置1自身的發光色成為白色時，則螢光體接收來自 〇 半導體發光元件1〇的藍色光，並藉由波長轉換而使其成為 黃色光後射出。作為上述螢光體材料，理想的是摻雜稀土 元素氮化物系或摻雜稀土元素氧化物系螢光體。更加具體 而言’能夠適當使用摻雜稀土元素鹼土金屬硫化物'摻雜 稀土元素石榴石的（γ· Sm)3(A1 . Ga)5〇i2 : Ce或 (YowGdmCeowSmo.o^AlsOu、摻雜稀土元素鹼土金屬原 石夕酸鹽（ortho Silicate)、摻雜稀土元素鎵硫化合物 (thiogallate)、摻雜稀土元素鋁酸鹽等。並且，作為黃色發 ® 光的螢光體材料亦可以使用矽酸鹽螢光體（sri.al.b2.x
BaalCab2Eux)2Si〇4 或 α-賽隆（a_sial〇n:Eu)Mx(Si，A1)i2(〇, N)16。 - 作為介質，能夠使用在上述密封材中已說明過的介質。 舉例而言，能夠使用矽樹脂、環氧樹脂及以氟樹脂為主要 成分的樹脂、或藉由溶膠凝膠法製作的玻璃材料。並且， 這些玻璃材料亦具有硬化反應溫度在攝氏2〇〇度左右的材 料，因此當考慮到在凸塊或電極各部中所使用的材料的耐 136192.doc •17- 200937683 熱性時，其亦能被稱作理想材料。將螢光體和介質混合而 成的混合物稱作螢光體塗料。 在圖5中示出製造本發明半導體發光裝置之製造方法。 在形成子基板21的子基板用基板210上，形成引出電極 22、23。根據需要亦可以事先形成通孔、背面電極。在引 - 出電極22、23上形成凸塊24、25。並且，固定上半導體發 光元件10(圖5(A))。 在子基板用基板210上形成有複數個半導體發光元件。 〇 經由此’能夠同時獲得很多半導體發光裝置。 然後’形成螢光體層35。螢光體層35是經由在半導體發 光元件10上塗佈螢光體塗料而形成的。形成方法並沒有被 特別限定’不過藉由印刷來塗佈螢光體塗料的方法不但簡 單’而且製作時間亦短（圖5(B))。 在圖ό中示出後續之製程。在形成螢光體層後，在子基 板用基板210的整個面上形成密封材3 8(圖6(α))。在此，對 ❹ 用樹脂作密封材的示例進行說明。密封材的形成方法並沒 有被特別限定。若藉由下述方法，即：使密封樹脂與溶劑 一起成為液態後，進行塗佈、乾燥，則能夠以短時間且高 厚度精度來進行密封樹脂的塗佈。此外，並不一定要形成 榮光體層。這是由於亦存在直接使用半導體發光元件之發 光色的情況。 甘 、 八-人’進行溝加工’即在半導體發光元件之間形成溝 (圖6(B))。已形成的溝5〇成為用來填充反射材的空間。在 ' Τ能夠適當使用切割機（dicing machine)等。經由使 136192.doc -18- 200937683 子基板用基板210成為水平狀態後再進行溝加工，從而能 夠形成與子基板表面垂直的反射面。另外，此時經由設置 成使子基板用基板210傾斜於切割機的形態，從而還能形 成與子基板用基板210形成角度的反射面。 譬如’在圖6(A)中，如果使子基板用基板21〇向左傾斜 (抬高右侧）後，在各個半導體發光元件的左侧進行溝加 • 工，然後再使子基板用基板210向右傾斜後，在各個半導 體發光元件的右側進行溝加工，則能夠形成與子基板表面 〇 形成鈍角的反射面。圖2的半導體發光裝置係按照上述方 法製作的》 使溝50不僅形成在密封材中，而且還形成到子基板用基 板210中為好。這是為了用反射材確實地將密封材的側面 部分覆蓋起來。在半導體發光元件的四邊進行溝加工。這 是為了在密封材的四個侧面形成反射面。不過，當由於其 匕原因等而有意識地不在某些側面形成反射面時，亦可以 不在該面進行溝加工。 若溝加工結束，則向溝5〇填充反射材43(圖。此 外，反射材43硬化後，形成反射層4〇。充填方法並沒有被 #別限定。譬如，亦可以經由在密封材上表面的整個面上 ' 塗佈反射材的方法來進行填充。而且，還能藉由滴下、印 刷、噴塗、旋轉塗佈等方法進行填充。 在圖7中示出後續之製程。在填充了反射材43後研磨 密封材38的上表面(圖7(A))D經由向溝5〇填充了反射材43 後再對密封材的上表面進行研磨，從而使得反射層具有與 136192.doc 19- 200937683 密封材的出光面36齊平的面。研磨方法並沒有被特別限 定。能夠適當使用研磨設備（lap master)等。並且，亦可以 邊依次改變研磨粒的大小邊進行研磨，而非進行一成不變 的研磨。 在圖8中示出從出光面一側所看到的狀態。在子基板用 基板210上配置的半導體發光裝置是以上下左右等間距的 形態設置的。能夠看到出光面36，並且虛線圍成的四邊形 表示螢光體層35。在各個半導體發光裝置之間填充有反射 材43。經由此’本發明之半導體發光裝置能夠進行面發 光。 返回到圖7 ’其後在反射材43之間進行切斷，從而形成 了一個個半導體發光裝置丨（圖7(B))。 (第2實施形態） 在第1實施形態中’如圖6(A)及圖6(B)所示，在設置有 半導體發光元件的子基板用基板21〇的整個面上形成了密 封材38，其後又進行了溝加工。此方法是能夠在短時間内 大量進行處理的方法β不過，由於在子基板用基板21〇的 整個面上形成了密封材，因此存在密封材硬化時的應力變 大之情況。若應力過大，則將存在子基板用基板彎曲或在 形成了密封材的部分產生裂痕之情況。因此，亦可以在各 個半導體發光元件上分別形成密封材。 在圖9中示出本發明的半導體發光裝置之製造方法的一 邛/刀。圖9(A)是與圖6(Α)對應的附圖，圖9(Β)是與圖6 相同的附圖。在本實施形態之製造方法中除了圖9(A)所 I36192.doc •20· 200937683 示的密封材的形成方法以外，其它可以與以實施形態的 製造方法完全相同。 在本實施形態十當形成了螢光體層35後，在各個半導體 發光元件上分別形成了密封材。或者亦可以在排列成圖8 m示的半導體發光元件陣列的情況τ，沿橫向或縱向連續 ' 地形成密封材。這是由於只要沒有-下子形成整面密封 • 材’就能夠降低樹脂硬化時的應力。 本實施形態之製造方法能夠獲得與第丨實施形態所形成 Ο 的半導體發光裝置相同的裝置。 (第3實施形態） 在本實施形態中，對能夠省略製程數之製造方法進行說 明。 參照圖10’在子基板用基板21〇上形成引出電極22、23 後，進一步形成凸塊24、25，其後再設置半導體發光元件 10(圖10(A))。在半導體發光元件1〇的周圍亦形成了螢光體 層3 5(圖10(B))。上述製程與第1實施形態相同。 ® 然後，在每個半導體發光元件上分別形成密封材38(圖 10(C))。形成方法並沒有被限定。不過’藉由印刷等來形 • 成密封材的方法既簡便又快捷。 在圖11中示出後續之製程。在形成了密封材後，在子基 板用基板210的整個面上塗佈形成了反射材43(圖11(A)) » 在本實施形態中沒有進行溝加工。 藉由研磨而形成了成為出光面36的面（圖11(B))。這一結 果與圖8相同。並且，在反射材43的填充部分進行切斷（圖 136192.doc •21- 200937683 11 (C))。經由上述製程，能夠獲得在側面形成有反射層之 半導體發光裝置。 在本實施形態所示的半導體發光裝置之製造方法中，能 夠省略進行溝加工的步驟，因此能夠用更短的時間製造出 半導體發光裝置。不過’密封材形成時的形狀將直接反映 在反射面41上。由此，亦存在下述情況，即：子基板21與 反射面所形成的角成為比直角小的角度。 (第4實施形態）
在圖12中示出本實施形態所涉及的半導體發光裝置。在 本實施形態中，在出光面36的表面形成有反射防止處理完 成出光面57。經由進行反射防止處理，來防止在密封材38 内盯進的光中以小角度入射到出光面的光被全反射的情 況，從而來自半導體發光裝置的光的取出效率提高。 在圖13中示出半導體發光裝置之製造方法。在子基板用 基板210上叹置半導體發光元件，並在形成了螢光體層μ 後用密封材進行密封。然後，直到進行溝加工後填充反 射材43並研磨出光面36為止皆與第1實施形態中的圖7(A) 所示相同。 本發月之製造方法中，其後在出光面％的整個面上形 ^、微】凹凸結構的反射防止處理完成出光面57(圖 (A))。微小的凹 的凹凸I。構能夠防止在出光面形成的全反 射而使光的取出效率楹古 凹凸砝搂“ 印双旱提冋。之所以在整個面形成微小 ^ 、.在母個半導體發光裝置令分別形成 該微小凹凸結構的作法是很繁靖的。 136192.doc -22- 200937683 當形成微小凹凸結構時，若採用藉由奈米壓印（nan〇 imprint)技術的微細加工，則能夠形成與光的波長大致等 同的微細圖案、或者還能根據所使用的光的波長而形成小 於光波長的微細圖案。並且，形狀亦能夠成為溝狀、錐 狀、半圓球狀等各種圖案。此外，奈米壓印需要在平坦面 上進行，而由出光面36和反射材43構成的研磨面是非常平 * 坦的，因此能夠形成高精度的微細圖案。當進行奈米壓印 時，經由下述步驟，即··在出光面36上薄薄塗佈了液體狀 〇 樹脂後，將模具按壓在其上，並使所塗佈的樹脂熱硬化或 紫外線硬化’從而轉印了形成在模具面上的凹凸形狀。 當出光面36由無機密封材形成時，經由在出光面36上塗 佈PMMA(p〇ly-methyl methacrylate :聚甲基丙烯酸甲酯）等 聚合物抗敍劑，並藉由奈米壓印等形成了抗蝕劑的微細圖 案後’將其作為遮光罩用CF4等氣體進行蝕刻，從而在出 光面36上形成凹凸。藉由蚀刻形成表面之凹凸形狀的方法 不僅製程簡單’而且還使光取出效果提高。不過，難於準 ® 確地控制凹凸形狀’還具有無法在很多基板表面形成完全 相同的凹凸形狀之特性。 • 並且，亦能夠經由調節在研磨製程（圖7(A))最後所使用 ' 的研磨粒的粒度’從而在研磨結束的狀態下’使基板表面 具有一定程度的表面粗糙度，並以此來作為基板表面的凹 凸結構。 並且’還能藉由喷墨印刷法，在基板表面製作凹凸結 構。該方法由於不包含對基板進行蝕刻的步驟，因此能夠 136192.doc -23- 200937683 簡便地加以應用。經由對所製成的凹凸結構自身的折射率 進行調整，從而能夠實現光取出效果。並且，在出光面36 上形成了微小凹凸結構以後’經由在反射材4 3的部分進行 切斷’從而獲得了本實施形態所涉及的半導體發光裝置 (圖 13(B))。 • 此外，由於界面折射率的關係而產生全反射並使光取出 - 效率降低之問題不僅是在出光面36與大氣之間存在的問 題，還是在半導體發光元件的出光面18和螢光體層35之間 ® 的界面、以及螢光體層35和密封材38之間的界面亦會產生 的問題。因此，可以對半導體發光元件的出光面18、螢光 體層的出光面施行反射防止處理。 此外’在本說明書的全文中’ C1表示氣，；P表示氟，Br 表示溴，I表示碘，A1表示鋁，Ga表示鎵，Si表示矽，匕表 示銦，N表示氮，〇表示氧，Ag表示銀，Rh表示铑，以表 示鉑’ Ni表示鎳’ Co表示鈷，Ti表示鈦，Au表示金，γ表 ❹ 示紀’ Sm表示彭’ Ce表示鈽’ Gd表示釓，Sr表示锶，Ba 表示鋇，Ca表示約，Eu表示銪。 [產業上之可利用性] 本發明能夠用於在密封材的側面形成了反射層且發光效 ' 率高的半導體發光裝置中。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之半導體發光裝置結構的附圖。 圖2係表示本發明之半導體發光裝置的其他形態結構的 附圖。 136192.doc -24- 200937683 圖係表不本發明之半導體發光元件的剖面圖。 圖4係從出光面一侧所看到的本發明之半導體發光元件 的平面圖。 圖5(A) (B)係表示本發明之半導體發光元件之製造方 法的附圖。 圖6(A)〜(〇係表示本發明之半導體發光裝置之製造方法 . 的附圖。 圖7(A)、（B)係表示本發明之半導體發光裝置之製造方 〇 法的附圖。 圖8係表示在圖7(A)的製程時從上方觀察子基板用基板 的狀態的附圖。 圖9(A)、（B)係表示本發明之半導體發光裝置之其他製 造方法的附圖。 圖10(A)〜(C)係表示本發明之半導體發光裝置之其他製 造方法的附圖。 圖11(A)〜(c)係表示本發明之半導體發光裝置之其他製 ® 造方法的附圖。 圖12係表示本發明之半導艎發光裝置之其他結構的附 圖。 圖13(A)、（B)係表示圖丨2的本發明之半導體發光裝置之 製造方法的附圖。 圖14係表示以往的半導體發光裝置的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 半導體發光裝置 136192.doc •25- 200937683 10 半導體發光元件 11 基板 12 η型層 13 活性層 14 Ρ型層 。 16 η侧電極 17 ρ側電極 20 支撐體 © 21 子基板 22 η側引出電極 23 ρ側引出電極 24 η側凸塊 25 ρ側凸塊 26、27 通孔 28 ' 29 背面電極 35 螢光體層 ⑩ 36 出光面 38 密封材 40 反射層 . 41 反射面 43 反射材 50 溝 57 反射防止處理完成出光面 210 子基板用基板 136192.doc -26-

Claims (1)

  1. 200937683 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體發光裝置，其具備： 半導體發光元件， 子基板，搭載有上述半導體發光元件， 密封材，在上述子基板上密封上述半導體發光元件， . 以及 反#在將上述密封材的出（面作為上纟面時配置 在該密封材的側面。 〇 2·如請求項1之半導體.發光裝置，其中： 上述密封材具有平坦的出光面。 3·如請求項2之半導體發光裝置，其中： 上述反射層具有與上述出光面齊平的面，而且與上述 密封材和上述子基板皆接觸。 4.如請求項1之半導體發光裝置，其中： 上述密封材和上述反射層的界面與上述子基板的表面 大致垂直。 ® 5·如請求項1之半導體發光裝置，其中： 上述密封材和上述反射層的界面與上述子基板的表面 • 成純角。 6·如請求項2或3之半導體發光裝置，其中： 在上述出光面具有微小凹凸結構。 7. 如請求項1至6中任一項之半導體發光裝置，其中： 在上述半導體發光元件的周圍具有螢光體層。 8. 一種半導體發光裝置之製造方法，其具備： 136192.doc 200937683 固疋複數個半導體發光元件的步 在子基板用基板上 驟， 用役封材密封上述半導體發光元件的步驟， 向上述半導體發光元件之間填充反射材的步驟， 研磨上述密封材表面的步驟，以及 在填充有上述反射材的部分，將反射材及子基板用基 板切斷的步驟。 9. 如凊求項8之半導體發光裝置之製造方法，其中： 用上述密封材密封的步驟是個別地對配置在上述子基 板用基板上的上述半導體發光元件進行密封的步驟。 10. 如凊求項8之半導體發光裝置之製造方法，其中： 用上述密封材密封的步驟是在上述子基板用基板上形 成密封材的層的步驟。 11. 如請求項8至1〇中任一項之半導體發光裝置之製造方 法，其中： 填充上述反射材的步驟，包含： 在上述半導體發光元件之間形成到達上述子基板用基 板的一部分的溝的步驟，和 將反射材填充到上述溝中的步驟。 12-如請求項11之半導體發光裝置之製造方法，其中： 上述溝是與上述子基板用基板的表面大致垂直地形成 的。 13_如請求項！丨之半導體發光裝置之製造方法，其中： 上述溝是傾斜於上述子基板用基板的表面而形成的。 136192.doc 200937683 14·如請求項8至13中任一項之半導體發光裝置之製造方 法，其中： 在研磨上述密封材表面的步驟之後，具有形成微小凹 凸結構的步驟。 15.如請求項8至14中任一項之半導體發光裝置之製造方 - 法，其中： . 具有在上述半導體發光元件的周圍形成螢光體層的步 驟。 ❹ 136192.doc
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI427837B (zh) * 2011-07-08 2014-02-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法
TWI573295B (zh) * 2011-08-16 2017-03-01 皇家飛利浦電子股份有限公司 具有形成於溝槽中之反射壁之發光二極體混合室

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
CN102044600A (zh) * 2009-10-15 2011-05-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制备方法
US9219206B2 (en) * 2010-01-19 2015-12-22 Lg Innotek Co., Ltd. Package and manufacturing method of the same
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
JP5678462B2 (ja) * 2010-04-09 2015-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2011142097A1 (ja) * 2010-05-13 2011-11-17 パナソニック株式会社 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置
JP2012069577A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
KR101230622B1 (ko) 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
JP5763365B2 (ja) 2011-02-24 2015-08-12 日東電工株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
JP2012175069A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
DE102011100728A1 (de) * 2011-05-06 2012-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2014525146A (ja) 2011-07-21 2014-09-25 クリー インコーポレイテッド 発光デバイス、パッケージ、部品、ならびに改良された化学抵抗性のための方法および関連する方法
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
CN102903705B (zh) 2011-07-27 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
JP2013062416A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
KR101853327B1 (ko) * 2011-11-09 2018-05-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조방법
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
JP5896758B2 (ja) * 2012-01-25 2016-03-30 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US9735198B2 (en) * 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
TW201349595A (zh) * 2012-05-24 2013-12-01 台達電子工業股份有限公司 發光裝置
JP5980577B2 (ja) 2012-05-31 2016-08-31 シチズン電子株式会社 側面照射型ｌｅｄ発光装置及び側面照射型ｌｅｄ発光装置の製造方法
DE102012213343B4 (de) * 2012-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP
JP2014053506A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光モジュール
CN110589757A (zh) * 2012-09-11 2019-12-20 株式会社德山 氮化铝基板及iii族氮化物层叠体
TW201415681A (zh) * 2012-10-08 2014-04-16 Lextar Electronics Corp 壓模式發光裝置及其製造方法
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
KR102137682B1 (ko) 2012-11-07 2020-07-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 발광 다이오드
WO2014081042A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 シチズン電子株式会社 発光装置
US9490398B2 (en) 2012-12-10 2016-11-08 Citizen Holdings Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting device in a flip-chip configuration with reduced package size
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US9386665B2 (en) 2013-03-14 2016-07-05 Honeywell International Inc. System for integrated lighting control, configuration, and metric tracking from multiple locations
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
KR102123039B1 (ko) * 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
WO2015008243A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Koninklijke Philips N.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
TWI562405B (en) * 2013-09-23 2016-12-11 Brightek Optoelectronic Shenzhen Co Ltd Method of manufacturing led package structure for preventing lateral light leakage
CN103545436B (zh) * 2013-09-29 2016-01-13 苏州东山精密制造股份有限公司 蓝宝石基led封装结构及其封装方法
JP6172455B2 (ja) * 2013-10-07 2017-08-02 豊田合成株式会社 発光装置
TWI533478B (zh) * 2013-10-14 2016-05-11 新世紀光電股份有限公司 覆晶式發光二極體封裝結構
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
JP6331376B2 (ja) 2013-12-17 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
DE102014105839A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN105098025A (zh) * 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光装置
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
DE102014114372B4 (de) * 2014-10-02 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20160111581A1 (en) * 2014-10-16 2016-04-21 Semiconductor Components Industries, Llc Packaged semiconductor devices and related methods
CN105895769A (zh) * 2015-02-17 2016-08-24 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
US9882096B2 (en) 2015-03-18 2018-01-30 Genesis Photonics Inc. Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
CN113130725B (zh) 2015-03-31 2024-09-24 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
US12364074B2 (en) 2015-03-31 2025-07-15 Creeled, Inc. Light emitting diodes and methods
DE102015107593A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel
DE102015109852A1 (de) 2015-06-19 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
TWM511681U (zh) * 2015-08-05 2015-11-01 Harvatek Corp 顯示裝置及其發光陣列模組
CN106549092A (zh) 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
TWI585844B (zh) * 2015-09-25 2017-06-01 光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
TW201717334A (zh) * 2015-11-05 2017-05-16 凌北卿 封裝結構及其製法
CN108352434A (zh) * 2015-11-10 2018-07-31 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置与其制作方法
CN105390595B (zh) * 2015-12-01 2018-09-25 广州市信自达实业有限公司 一种单向高色阶一致性白光元件的制造方法
JP6361647B2 (ja) 2015-12-28 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102016106896A1 (de) * 2016-04-14 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil
CN105895782A (zh) * 2016-06-07 2016-08-24 共青城超群科技协同创新股份有限公司 一种rgb模组金属基板的制作方法
CN106058008A (zh) * 2016-06-07 2016-10-26 共青城超群科技协同创新股份有限公司 一种led金属基板的制作方法
CN105957930A (zh) * 2016-06-07 2016-09-21 共青城超群科技协同创新股份有限公司 一种rgb金属基板的制作方法
US10193043B2 (en) 2016-07-28 2019-01-29 Lumileds Llc Light emitting device package with reflective side coating
TWI735627B (zh) * 2016-07-28 2021-08-11 美商亮銳公司 具有反射側塗層之發光裝置封裝
JP6782579B2 (ja) * 2016-08-03 2020-11-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP6888296B2 (ja) * 2016-12-26 2021-06-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TW201828505A (zh) * 2017-01-20 2018-08-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
CN110235259A (zh) * 2017-02-02 2019-09-13 西铁城电子株式会社 Led封装体及其制造方法
WO2018163326A1 (ja) * 2017-03-08 2018-09-13 サンケン電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6823262B2 (ja) 2017-03-15 2021-02-03 ミツミ電機株式会社 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール
CN108878625B (zh) * 2017-05-12 2023-05-05 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP6696521B2 (ja) * 2017-05-12 2020-05-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
TWI644056B (zh) * 2017-07-21 2018-12-11 行家光電股份有限公司 具非對稱結構的發光裝置、包含該發光裝置之背光模組及該發光裝置之製造方法
EP3454386B1 (en) 2017-07-21 2020-11-25 Maven Optronics Co., Ltd. Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same
DE102017117438A1 (de) * 2017-08-01 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US10361349B2 (en) * 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10658558B2 (en) 2017-10-10 2020-05-19 Lumileds Llc LED package including converter confinement
CN109994458B (zh) 2017-11-05 2022-07-01 新世纪光电股份有限公司 发光装置
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
FR3076170B1 (fr) * 2017-12-22 2020-05-15 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de report de structures electroluminescentes
JP7154684B2 (ja) * 2018-01-18 2022-10-18 シチズン電子株式会社 照明装置
JP6974724B2 (ja) * 2018-03-08 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7089159B2 (ja) 2018-03-22 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7082279B2 (ja) * 2018-03-29 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP7136532B2 (ja) * 2018-03-30 2022-09-13 ミネベアミツミ株式会社 モジュールの製造方法及び光学モジュールの製造方法
JP7348478B2 (ja) * 2018-07-09 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7150547B2 (ja) 2018-09-27 2022-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11450648B2 (en) * 2019-03-19 2022-09-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
US11437551B2 (en) * 2019-03-19 2022-09-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
JP2021034642A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 浜松ホトニクス株式会社 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP7121294B2 (ja) * 2019-09-10 2022-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20220102597A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-31 Tek Beng Low Light emitting devices having profiled side surfaces
CN113594151B (zh) * 2021-06-25 2024-05-14 苏州汉天下电子有限公司 半导体封装及其制造方法
CN114156393B (zh) * 2021-11-26 2023-08-22 深圳市兆纪光电有限公司 一种mini-LED及其制造方法
JP1750101S (ja) * 2023-02-09 2023-08-03 発光ダイオード

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3312049B2 (ja) 1993-03-12 2002-08-05 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP3992770B2 (ja) 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
JP2001160629A (ja) * 1999-12-03 2001-06-12 Rohm Co Ltd チップ型半導体装置
JP2001196637A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3844196B2 (ja) * 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4122737B2 (ja) 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
KR100923804B1 (ko) * 2001-09-03 2009-10-27 파나소닉 주식회사 반도체발광소자, 발광장치 및 반도체발광소자의 제조방법
JP2003234509A (ja) 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2003330109A (ja) * 2002-05-09 2003-11-19 Seiko Epson Corp 照明装置および投射型表示装置
JP2005026400A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
US7087463B2 (en) * 2004-08-04 2006-08-08 Gelcore, Llc Laser separation of encapsulated submount
JP2006128659A (ja) 2004-09-29 2006-05-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP4615981B2 (ja) * 2004-12-08 2011-01-19 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP4822503B2 (ja) * 2005-08-22 2011-11-24 シチズン電子株式会社 フレネルレンズ付チップｌｅｄの構造およびその製造方法。
JP5219331B2 (ja) * 2005-09-13 2013-06-26 株式会社住田光学ガラス 固体素子デバイスの製造方法
TWI334656B (en) * 2007-02-16 2010-12-11 Touch Micro System Tech Light emitting diode structure and manufacturing method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI427837B (zh) * 2011-07-08 2014-02-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法
TWI573295B (zh) * 2011-08-16 2017-03-01 皇家飛利浦電子股份有限公司 具有形成於溝槽中之反射壁之發光二極體混合室

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Publication number Publication date
EP2221885A4 (en) 2013-09-25
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