TW200906886A - Sealing agent for optical semiconductor element, and optical semiconductor element - Google Patents

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200906886 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種透明性、耐熱性、耐光性、密合性 優異，可穩定地控制密封光半導體元件之發光元件時密封 劑之形狀，且可防止螢光體沈降之光半導體用密封劑。又， 亦關於一種使用該光半導體用密封劑而成之光半導體元 件。 【先前技術】 發光二極體（LED)等光半導體元件之發光元件若直 接與大氣接觸，則由於大氣中之水分或者浮游之塵土等而 曰使其發光特性急遽降低，因此通常為以密封劑密封之結 構。作為構成如此之密封發光元件之密封劑的樹脂，自接 :::且力學耐久性優異之方面考慮，係使用有雙盼型環 ^ m族環氧樹脂等環敦樹脂（例如參照專利文獻 之門s§ •雜 〜…〜《珂劑存在如下 之問通.難以說其具有將近年廣泛研究 兀件加以密封時所需之夺八紂舳# ^ 又先+導體 密封劑會著色。 丑硬化後之 例如有研究添加化合物以 性（例如參照專利令齚W 门衣乳樹脂之耐熱 另一方面獻^但仍難以獲得充分之耐熱性。 ，已知有於密封LED之發光 中，使用對藍色至呰 711件的岔封劑 熱性或耐光性俱s 牙透性间、且耐 優異之石夕氧樹腊來代替環氧樹腊的方法。 200906886 而，矽氧樹脂系密封劑具有表面黏性，因此存在容 易於發光面附著異⑯，易損傷發光面之問題。若如此而於 發光面產生損冑’則會自該部分產生裂痕，或者由於損傷 而使亮度顯著降低。 子此有研究使用提南交聯密度之矽氧樹脂系密封劑 的方法但& ’若提馬交聯密度，則表面黏性會喪失，雖 可=止異物附著或者發光面損傷，但反過來講機械強度或 接著性會顯著降低，若反覆熱循環，則會於密封劑產生裂 痕、自/卜殼材料等產生剝離。又，石夕氧樹脂之透濕度高， 因此若長時間使用’則可能導致發光元件之發光特性降 -表進*石夕氧樹脂之光折射率低，因此於密封光半導體 =發光7L件之情形時，存在味能充分獲得取光效率之問 t 4問題，亦有研究藉由併用矽氧樹脂與環氧樹 脂以彌補各樹脂之缺 缺點的方法，但是目前仍未能達成充分 之性能。 t光兀件之利用密封劑之密封例如可藉由於配置有發 :件等之模框内填充密封劑，以密封劑充滿發光元件之 °:’其後使密封劑硬化之方法等來進行。然』，以先前 2封劑並不能精確地控制填充於框内之㈣劑的形狀， 差之問題。 牛之欲封劑之硬化物的形狀產生偏 又，近年來’有研究光半導體元件於液晶用 汽車用之頭燈或去捅Α 厚 '者通吊之照明燈等中之應用，於如此之用 200906886 對藍色發光元件，使用含有黃色 途中 ，丨 队叩言啕肓巳蛍无媸i逝封劑 Μ可實現獲得白色光（例如參照專利文獻3或者4)。 為提高顯色性，亦使用含有黃色螢光體與紅色螢光體之 封劑。如上所述’目前正不斷進行嘗試藉由組合發光元 之光與螢光體之螢光而獲得白色光。 然而，於使用配合有螢光體之密封劑之情形時，於 由加熱使饴封劑硬化時密封劑之黏度會降低，於密封： Τ光體產生沈降’其結果產生顏色不均。冑色不均係 是於照明用途中成為致命之問題。 、 於此方面，—般認為例如若將於室溫下之密封劑 度"又疋為較冋’則可抑制加熱時之密封劑的黏度降低 止螢光體沈降。 ' 1万 …、而右將於室溫下之密封劑之黏度設定為較高， 會因於密封時之密封劑的流動性不^，導致產生不能完全 地進仃⑧封、密封劑之塗出量產生偏差、密封變得 長時間等問題。 [專利文獻1]日本專利特開2〇〇3 — 277473號公報 [專利文獻2]日本專利特開2003 — 73452號公報 [專利文獻3]曰本專利特開2002-314142號公報 [專利文獻4]曰本專利特開2004 - i 27988號公報 【發明内容】 本發明係繁於上述現狀，其目的在於提供-種透明性、 :熱性、耐光性、密合性優異，可穩定地控制密封光半導 件之發光7L件時密封劑之形狀，且可防止榮光體沈降 7 200906886 之光半‘體用进封劑。又，其另一目的在於提供一種使用 忒光半導體用密封劑而成之光半導體元件。 本么月係孝重光半導體元件用密封劑，其含有於分子 内具有含環狀醚之基團的石夕氧樹腊、與上述含環狀喊之基 團反應之熱硬化劑、氧化矽微粒子，使用E型黏度計之25它 之溫度下測得之5rpm黏度為〜1萬mPa.s，使用㈣ 黏度計之25°C之溫度下測得之！ rpm黏度除以1〇_黏度 (1 rpm黏度/1G rpm黏度）而算出之觸變值為12〜η， 且使用平行板型流變儀< 饥至硬化溫度之溫度區域内測 得之Is*1的最低黏度為1〇〇 mpa.s以上。 以下’對本發明加以詳細敍述。 本發明者等人進行致力研究，結果發現密封光半導體 -件之發光元件的密封劑’若含有於分子内具有含環狀趟 ，基團的矽氧樹脂，則透明性、耐熱性、耐光性、生 等各種性能優異。 2明者等人進—步進行致力研究，結果發現於密封 先+導體元件之發光元件的密封劑滿足特定之黏度特性之 情形時，可穩定地控制密封光半導體元件之發光元 ㈣的形狀’且即使於配合螢光體之情形時，所獲得 亦不產生顏色不均，從而完成本發明。 本發明之光半導體用密封劑，使用E型黏度計之 ^溫度下測得之5rpm黏度之下限為刚Was，上限為1 萬他.s。若使用E型黏度計之阶之溫度下麟之 錢未滿500 mPa.s，則於使用本發明之光半導體元件用 200906886 密封劑密封光半導艚+ + u 导體70件之發光元件時，不能保持密封劑 之形狀’又’於密射性在立丄 、在封時會產生滴液之問題，生產效率變得 非常差，良率變差。又 〇 - 又25 C至硬化溫度之最低黏度易變 為100 mPa.s以下。若使用E型黏度計之25。〇之溫度下測 得之5 ―黏度超過U mPa.s，則於使用本發明之光半 導體^件用密封劑密封料導體元件之發光元件時，黏度 曰過间而難以岔封，不能穩定地控制密封劑之形狀，密封 劑之形狀產生偏差。使用E型黏度計之饥之溫度下測得 之5 rpm黏度的較佳之下限為6〇〇 mpa . $、較佳之上限為 〇〇〇 mPa s ’更佳之下限為7〇〇 mPa. s、更佳之上限為⑽ mPa·s ° 再者，於本說明書中，上述黏度係於25。(：下使用E型 黏度計（東機產業公司製造、τν—22型）而測定之值。 本發明之光半導體用密封劑，觸變值之下限為丨2， 上限為2·5。若觸變值未滿12，則於使用本發明之光半導 體用密封劑密封光半導體元件之發光元件時，螢光體會沈 降。若觸變值超過2.5，則於使用本發明之光半導體元件 用岔封劑畨封光半導體元件之發光元件時，不能穩定地控 制密封劑之形狀，密封劑之形狀產生偏差。觸變值的較佳 之下限為1.25、較佳之上限為2.3，更佳之下限為13、更 佳之上限為2.0。 於本說明書中，所謂「觸變值」，係本發明之光半導 體用密封劑的使用Ε型黏度計之25。(：之溫度下測得之1 rpm 黏度除以10 rpm黏度之值（1 rpm黏度η〇 rpm黏度）。 200906886 本發明之光半導體元件用密封劑，使用平行板型流變 儀㈣劇rhe〇meter)^ 25t至硬化溫度之溫度區域内測 付之Is的最低黏度為1〇〇mpasa上。若最低黏度未滿 100 mPa’s，則於藉由加熱使光半導體元件用密封劑硬化 時，螢光體會沈降。若螢光體沈降， 最低黏度的較佳之下限為l5〇mPa. mPa · s ° 則會產生顏色不均。 ’更佳之下限為200 本發明之光半導體元件用密封劑因具有上述黏度特 性，所以可極其穩定地控制密封光半導體元件之發光元件 %忒封劑之塗出置。又，即使於藉由加熱本發明之光半導 體元件用密封劑而使其硬化時，亦可抑制黏度降低，防止 螢光體沈降’ ®此不會產生顏色不均。因此，本發明之光 半導體元件㈣封射適❹密封光半㈣元件之發光元 件。 本發明之光半導體用密封劑含有於分子内具有含環狀 醚之基團的矽氧樹脂。 於本發明之光半導體用密封劑中，作為上述石夕氧樹脂， 若為於分子内具有-個以上含環狀鍵之基團㈣氧樹脂， 則並無特別之限定，例如較佳為含有平均組成式以下述通 式（1)所表不之樹脂成分者。 ⑼抑 3SiCWe(RWS|〇2々)b(R6SKV2 )〇(si<v2)d ⑴ 於上述通式（1)中、 以及d分別滿足a/ ( a 200906886 b/(a+b+c+d) + b+C+d 卜0〜〇.5、d/“+b+c+d)—.3:Rl:R: 中之至少一個表千人观 以外之r，〜r6表、之基團，上述含環㈣之基團 T直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜8之烴 或者其氣化物’其等可為相同或相異。 、”中^仏為含環狀趟之基圈以外之R1〜R6表示甲基 或者乙基於表不甲基或者乙基之情形時，本發明之光半 導體元件用密封劍之赴 暴度的溫度依存性變緩和，於進行加 熱時並不會使黏度降 ^ J須黏度以下。因此，使用本發 几件用密封劑密封發光元件時，可防止蝥光 體之沈降。其結果，於所得之光中並不產生顏色不均。 S忍為如上述含環狀峻之基團以外之R1〜R6表示甲基或 者乙基之情形時，可防止因本發明之光半導體元件用密封 之加熱所伴隨之黏度降低之原因在於：若為甲基或乙基， 則因分子間之相互作用減低，所以並無由於溫度上升而引 起之分子間力之顯著降低，可減少黏度變化。特別是，若 含_之基團以外之R丨〜R6為甲基，則可進一步減少黏 度變化而更佳。 上述矽氧樹脂含有平均組成式以上述通式（丨）所表示 之樹脂成分’因此本發明之光半導體用密封劑對藍色至紫 外光區之紐波長光之穿透性高’於用作光半導體元件之密 封劑之情形時，密封之發光元件並不會由於發熱或發光而 引起變色且耐熱性以及耐光性優異，並且於密封發光二極 體等光半導體元件之發光元件時，對該光半導體元件之外 200906886 殼材料等之密合性亦變優異。 再者’所謂上述平均組成式以上述式⑴所表示，意 指本發明之光半導體用密封劑不僅包括只含有上述式⑴ = 成分之情形’而且於本發明之光半導體用密 封劑係含有各種結構之樹脂成分的混合物之情形，亦表示 取所含有之樹脂成分之組成的平均而以上述式⑴表示。 於上述通式（！）中，R丨〜6 趟之基團。 之至〉、-個表示含環狀 作為上述含環狀驗之基團，並無特別之限定，例如可 料含縮水甘油基之基團、含環氧基環己基之基團、含氧 氧：：二基：等。其中’含縮水甘油基之基團及/或含環 乳基％己基之基團較佳。 再者’於本說明書中’所謂含環狀趟之基團，意指美 團之至少：部分含有環狀趟基即可，例如亦可含有：基： 坑基麵基等其他骨架與環狀驗基之基團。 " :::上述含縮水甘油基之基團，並無特別 1=二環氧丙基、3,4-環氧丁基'4,5-環氧戊基」 基丁基等&〔基、3'縮水甘油氧基丙基、4'縮水甘油氧 並無特別之限定， 3-(3,4-環氧基環己 作為上述含環氧基環己基之基團 例如可列舉4 (3,4_%虱基環己基）乙基 基）丙基等。 上述矽氧樹脂中 之下限為0.1莫耳％ 上述含環狀醚之基團之含 較佳之上限為50莫耳％。 量的較佳 若上述含 12 200906886 環狀鱗之基團之含量未滿〇」莫耳％，則有時上述石夕氧樹 月曰與後述之熱硬化劑之反應性會顯著降低，且本發明之光 半導體用密封劑之硬化性會變得不充分。若上述含環狀峻 之基團之含量超過50莫耳％，則有時與上料氧樹脂與妖 硬化劑之反應無關之含環狀醚之基團會增加，且本發明之 光半導體用密封劑之耐熱性會降低。上述含環狀鱗之基團 ，含量的更佳之下限為i莫耳％、更佳之上限為4〇莫耳％， 取佳之下限為5莫耳％、最佳之上限為Μ莫耳％。 曰，於本說明書中，所謂上述含環狀醚之基團之含 置曰Ji述石夕氧樹腊成分之平均組合才勿中含有之上述含 環狀醚之基團的量。 ；述通式（1 )所表示之矽氧樹脂中，上述含環狀醚 之基團以外之主_ , R表不直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜 8之烴或者其氟化物。 為述直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜8之烴，並無 知別之限疋，例如可列裹甲其 y. jyj苹T基、乙基、正丙基、正丁基、 正戊基、正己基、γρ ώ甘 正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、第 二丁基、第三丁其、SO·、》 異戊基、新戊基、第三戊基、異己基、 環己基、苯基等。 其中較佳為可彳隹__ ^ , 進一步抑止升溫時之黏度降低的甲基、 乙基’更佳為曱基。 於上述通式π* _ 一 、）所表不之矽氧樹脂中，（R4R5Si02/2) 所表示之結構單位f 平议C以下亦稱為二官能結構單位）包含下 述通式（1 — 2)所本- 汀表不之結構，亦即，與二官能結構單位 200906886 中之矽原子鍵合之氧原子的一個構成羥基或者烷氧基之結 構。 (R4R6sixo1/2)(卜2) 於上述通式（1一2)中，x表示0H或者0R，011表 示直鍵狀或者支鍵狀之碳數為1〜4之烧氧基。 又於上述通式（1)所表示之石夕氧樹脂中，（' 所表示之結構單位（以下亦稱為三官能結構單位）包含下 述通式（1 — 3)或者（丨―4)所表示之結構，亦即，與三 官能結構單位中之♦原子鍵結之氧原子的2個分別構成經 基或者烷氧基之結構、或者與三官能結構單位中之矽原子 鍵結之氧原子之一個構成羥基或者烷氧基之結構。 (ReS 丨X2〇1々）（1一3) (ReSiX〇2/2) (卜4) OH或 之烷氧 於上述通式（1 — 3)以及（丨—4)中，χ表示 者OR, OR表示直鏈狀或者支鏈狀之碳數為丨〜斗 基。 又，於上述通式（1)所表示之矽氧樹脂中， 所表示之結構單位（以下亦稱為四官能結構單位 述通式（1—5) 、（1 — 6)或者〇 — 7)所表示 亦即 (Si04/2) )包含下 之結構， 與四官能結構單位中之矽原子鍵結 之氧原子之3個 14 200906886 或者2個構成羥基或者烷氧基之結構、或者與四官能結構 單位中之夕原子鍵結之氧原子之一個構成經基或者烧氧基 之結構。 (s«x3o1/2) (1—5) 咏〇2々） (1—6) (SiX〇3々） (1-7) 1-5)、 (1 一 6 )以及

-、1 _ 7 )中，X 表不OH或者〇R’ 〇R表示直鏈狀或者支鏈狀之碳數為】 〜4之烷氧基。 於上述通式（1 — 2)〜（卜7)巾，作為直鏈狀或者 支鏈狀之碳數4 i〜4之烷氧基，並無特別之限定，例如 :列舉曱虱基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、 ，、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等。 又，於上述通式⑴中，a係滿足a/ (a+b+c+d) =下限為〇、上限為〇·2之關係的數值。若a/(a+b+c + ，過〇.2,則有時本發明之光半導體用密封劑之耐熱性 4差。更佳之上限為〇·15，最佳為〇1。 之又，於上述通式（D巾，b係滿足w (a+b+c+d) +二限為〇.3、上限為以之關係的數值。若b/(a+b+c )未滿0 _ 3，則有時本發明 物會變得㈣而“务月之先+導體用密封劑之硬化 诗過硬，而產生裂痕。更佳之下限為0.4,最佳為0.5。 又，於上述通式（1)中，。係滿足c/(a+b+c+d) 15 200906886 之下限為0、上限為 d)超過0 5則古\ •之關係的數值。若c/ (a+b+c + 〜· w υ.5，則有時舍 τ 體用密封劑之適當之黏声維持作為本發明之光半導 之上限為0.4，最佳為。:。有在“生降低之情形。更佳 進而’於上述通式f 、 之下限為中’d係滿足d/(a+b+c+d) d)超過、限為G·3之關係的數m/u+b+c + 體用密封劑之:當有::Γ寻難:維持作為本發明之光 之上限為最佳為。:性降低之情形。更佳 關於上述通式⑴所表示之碎氧樹脂，若以四甲基石夕 二以下稱為TMS)為基準進行29si核磁共振分析（以下 .·、、NMR) ’雖因取代基之種類而可見若干變動，但相當 二上述通式⑴< (RlR2R3s〇a所表示之結構單位的 峰4出現在+1〇〜〇 ppm附近，相當於上述通式（1)之 (118ι〇"2) b以及（1 — 2)之二官能結構單位的各波峰 出現在-1〇〜-30 PPm附近，相當於上述通式（1 )之 (R Si〇3/2 ) c、（ i _ 3 )以及（丄—4 )之三官能結構單位 的各波峰出現在_5〇〜_7〇 ppm附近，相當於上述通式（〇 (Si〇4/2 ) d、（1 — 5) 、（1 — 6)以及（1一7)之四官 能結構單位的各波峰出現在-90〜-120 ppm附近。 因此，可藉由測定29Si-NMR，比較各自訊號之峰面積 而測定通式（1 )之比率。 但是’於以上述TMS為基準之29Si-NMR測定中不能 辨別上述通式（1 )之官能結構單位之情形等時，可不僅 16 200906886 使用29Si-NMR測定結果，而且亦可視需要使用lH_NMR 或19F-NMR等測定之結果而辨別結構單位之比率。 上述梦氧樹脂較佳為具有R7RsSi〇2/2之結構單位、 R9Si〇3/2之結構單位及/或Si〇4,2之結構單位。藉由具有 WSiOw之結構單位、R9si〇3,2之結構單位及/或si〇…之 結構單位，本發明之光半導體用密封劑進而具有更優異之 耐熱性，可防止於使用條件下之膜減少等問題。再者，由 於上述矽氧樹脂具有如此之樹脂結構，與氧化矽微粒子之 相互作用變得更強，可抑制硬化時之升溫所造成之黏度降 低、又藉由適且具有Sl0^2之結構單位，易於將本發明 =光半導體用密封劑之黏度調整至所期望之範圍内故較 =。者，上述矽氧樹脂僅含有R7R8Si〇2/2之結構單位之 ^ H t時本發明之光半導體用_劑之耐熱性會不充 刀且二維父聯容易變得不充分，於硬化後會產生膜減少 之現象。 …再者，本說明書中所謂之膜減少係意指若使其於高溫 狀匕'下，硬化物之厚度變得緩緩減少之現象。 述R R中之至少一個係含環狀醚之基團，含環狀 起之基團以外之R7〜R9表示直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1 烴9或者其敦化物’其等可為相同或相異。作為如此 例如可列舉與上述R4〜R6相同者。進而，上 L Sl〇2/2之結構單位、R9si〇3/2之結構單位以及Si0 之結構單位中包含 再早及Μ ια 一與上述通式 （1-2) 〜 （卜 7) 所表示 —吕此結構單位、三官能結構單位以及四官能結構單位 17 200906886 相同之結構。 於本發明之光半導體用密封劑中，所謂具有R7R8Si〇2/2 之結構單位、R9Si03/2之結構單位及/或si〇4/2之結構單位， 意指可於未硬化之狀態下亦可使用於一分子之骨架中具有 R7R8Si02/2之結構單位' R9Si〇3/2之結構單位及/或si〇4/2之 結構單位之樹脂，亦可使用僅具有R7R8Si〇2/2之結構單位 之樹脂與具有R9Si〇3,2之結構單位之樹脂及/或具有si〇4/2 之結構單位之樹脂的混合物。其中，於樹脂之一分子之骨

木中具有R7R8Si〇2/2之結構單位以及R9Si〇3/2之結構單位 的樹脂較佳。 作為上述於一分子之骨架中具有R7R8Si〇w之結構單 位與R9Si03/2之結構單位的樹脂，可使用於上述通式⑴ 中a=d=〇所表示之樹脂。於此情形時，b/ (a+b+c+d) 的較佳之下….5、較佳之上限為〇95,更佳之下限為 G·6 '更佳之上限為〇.9 (以下亦稱為條件⑴）。又， “+b+c+d)的較佳之下限為〇 〇5、較佳之上限為〇 5， (2 ) ) T。M U '更佳之^'限為G·4 (以下亦稱為條件 上述^ 氧樹脂較佳為含有平均組成式以下述通式⑺、 樹脂含有平均组“ 再者，所谓上述矽氧 所表-:成式以下述通式（2)、⑴或者（4) 包括只含有下述通式⑴、=劑不僅 脂成分作為錢•之Μ，& /者（4)所表示之樹 月 且於本發明之光半導體用 18 200906886 密封劑為含有各種結構之樹脂成分之混合物之情形時’亦 表示取所含有之樹脂成分組成之平均以下述通式（2 )、 (3)或者（4)表示。 (Rl0Rl1Si〇Z/2).(R12Si〇3/,a)f (2) 於通式（2)中，e以及f滿足e/ ( e + = 0.5〜0.95、 f/ (e+f) = 〇〇5〜〇5，Ri〇〜Ri2中之至少一個表示含環狀 醚之基團，上述含環狀醚之基團以外之Rl〇〜Ri2表示直鏈 狀或者支鏈狀之碳數為丨〜8之烴或者其氟化物其等可 為相同或相異。 (R13RuSl〇2/2)g(RiBRi8Sj〇^z)h(Rl7s.〇3/z)(⑻ 於通式（3)中，g、h以及i滿足（g+h)/(g+h+i) 〇.5 〜0·95、i/(g+h+i) =〇.〇5 〜〇·5，R13 〜R17 中之至 少13一個表示含環狀醚之基團，上述含環狀醚之基團以外之 R R表示直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜8之烴或者其 氟化物，其等可為相同或相異。其中，（R13R14Si〇2/2 )與 (R R16Si〇2/2 )係結構不同者。 (RleRt9Si〇^>j(R20Si〇3^)t((R^Si〇3/2)l (4) =0.5 於通式（4)中，j、k以及i滿足"（j+k+i) 19 200906886 〇.95、（k+1) / (j + k+l) = 0.05 〜0.5，Ris 〜r21 中之 至少:個^示含環狀喊之基團，上述含環狀醚之基團以外 之R〜R21表不直鏈狀或者支鏈狀之碳數為丨〜8之烴或 者其氟化物，其等可為相同或相異。其中，（R2〇Si〇3/2 ) 與（R21Si02/2)係結構不同者。 於上述通式（2)〜⑷中，較佳為含環狀喊之基團 包含縮水甘油基或者環氧基環己基之至少一者。 上述矽氧樹脂較佳為於上述通式（2)〜所表示 °構單位中’於二官能結構單位中具有含環狀謎之基 團。亦即，較佳為於通式（2)中RU、於通式（3)中Rn、 於通式（4) R2〇及/或R21係含環狀醚之基團。 右於三官能結構物中含有含環狀醚之基團，則含環狀 喊之基團容易露出切氧樹脂之聚梦氧院骨架之外側，使 本發明之光半導體用密封劑之硬化物成為充分之三維交聯 結構而變成具有充分耐熱性者’且可較佳地防止硬化物產 —上述矽氧樹脂較佳為含有0.5〜1〇莫耳％之烷氧基。 2由3有如此之&氧基可使耐熱性或耐光性得到飛躍性提 :。其原因認為在於：因藉由於矽氧樹脂中含有烷氧基可 硬化速度飛躍性提高，所以可防止於硬化時之熱劣化。 各乂又，猎由如上所述使硬化速度飛躍性提高，於添加硬 進劑之情形時，即使以比較少之添加量亦可獲得充分 之硬化性。 若燒氧基之含量未滿〇.5莫耳％，則有時會不能充分 20 200906886 獲得硬化速度而使料性變差；若超過iq莫耳 樹脂或組合物之彳法在越^ 0 ^ 卿尤铽存穩疋性變差，耐熱性變差。烷 3里的更么之下限為i莫耳％，更佳之上限為5莫耳。/二 再者’於本說明書中，上料氧基之含量表示石夕。氧 脂成分之平均組合物中含有之上述烷氧基之量。 上述石夕氧樹脂較佳為不含有石夕醇基。石夕醇基除了 緣物之館存穩定性顯著惡化’並且使製成樹脂組：物 日守之儲存穩定性亦顯著變差故欠佳。如此之石夕醇基可藉由 真空化下進行加熱而使其減少’石夕醇基之量可使用紅^線 光譜法等進行測定。 曰於本發明之光半導體用密封劑中，上述石夕氧樹脂之數 1平均分子1： (Μη)之較佳之下限$ 1〇〇〇,較佳之上限 為5萬。若上述石夕氧樹脂之數量平均分子量未滿 1〇〇〇,則於熱硬化時揮發成分會變多，作為密封劑使用 膜減少影響變大而欠佳。若上述矽氧樹脂之數量平均分子 量（Μη)超過5萬，則黏度調整會變困難而欠佳。上1矽 氧樹脂之數量平均分子量㈤的更佳之下限為15〇〇， 更佳之上限為1 5000。 再者，於本說明書中，所謂數量平均分子量（Μη)， 意指使用凝膠滲透層析法（GPC)以聚苯乙烯為標準所求 出之值，係使用Waters公司製造之測定裝置（管柱使用2 根昭和電工公司製造之Shodex GPC LF — 8〇<長3〇〇瓜瓜）， 測定溫度為40°C ’流速為1 mL/min ’溶劑使用四氫吱π南， 標準物質使用聚苯乙烯）測定之值。 21 200906886 作為合成上述石夕氧樹脂之方法，並無特別之限定，例 如可列舉⑴藉由具有SiH基之矽氧樹脂與具有環狀醚 基之乙烯系化合物之矽氫化反應(hydrosilylati〇n)而導入取 代基之方法、（2)使矽氧烷化合物與具有含環狀醚之基 團之矽氧烷化合物進行縮合反應之方法等。 土 於上述方法（1)中，所謂石夕氫化反應，係視需要於觸 媒之存在下，使SiH基與乙烯基反應之方法。 作為上述具有SiH基之矽氧樹脂，若使用如下化合物 即可：使於分子内含有 &，具有上述含環狀醚之：團 之乙稀系化合物反應後，成為上述通式（1 )所表示之钟 構者，較佳為成為上述通式（2)〜（4)之任—者所表= 之結構者。 作為上述具有含環狀醚之基團之乙烯系化合物，若為 於分子内具有一個以上含環狀醚之基團的乙烯系化合物: 則並無特別之限定，例如可列舉乙烯基縮水甘油醚、丙 基縮水甘油醚、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘、 酯、乙烯基環氧環己烷等含環氧基之化合物等。 ， 於上述方法（2)巾，作為矽氧烷化合物，例如 具有下述通式⑸、（6)、⑺以及⑴之 仞少松S Λ坊於士 & 4+ Μ .、· 一 .. 70早 R22R23R24Si(〇R) (5) RZ6Rz6Si(OR)2 (6) R27Si(OR)3 (7) SI(OR)4 (8) 22 200906886 於上述通式（5)〜（8)中，ru〜r27表示直鏈狀或 者支鏈狀之碳數為1〜8之烴或者其氟化物，〇R表示直鏈 狀或者支鏈狀之碳數為1〜4之烷氧基。 於上述通式（5)〜（8)中，R22〜R”係直鏈狀或者 支鏈狀之碳數為1〜8之烴之情形時，具體而言，例如可 列舉甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、丨己基、正 庚基、正辛基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、 異戊基、新戊基、第三戊基、異己基、環己基、苯基等。 又，於上述通式（5)〜（8)中，〇R所表示之直鏈 狀或者支鏈狀之碳數為丨〜4之烷氧基，具體而言，例如 可列舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、 異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等。 作為上述通式（5 )所表示之化合物，具體而言，例如 可列舉三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三苯基甲 氧基矽烷、三笨基乙氧基矽烷等。 作為上述通式（6 )所表示之化合物，具體而言，例如 可列舉二曱基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯 基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、異丙基（甲基）二 甲氧基矽烷、環己基（甲基）二甲氧基矽烷、甲基（苯基）二甲 氧基梦烧等。 作為上述通式（7)所表示之化合物，具體而言，例如 f列舉甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲 氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基 二甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷等。 23 200906886 作為上述通式（8)所表示之化合物，具體而言，例如 可列舉四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷等。 作為上述具有含環狀醚之基團之矽氧烷化合物，例如 I列舉下述通式（9)、（10)、（11)所表示之具有含 王衣狀醚之基團的烷氧基矽烷或者其部分水解物。 R2sR29R30Si(OR) (9) R31R3ZSi(〇R)2 (i〇) R33Si(OR)3 (Π) π上迷通式（ i υ ' / 丫，Κ 八，χν - 個R及/或R32、R33係環狀醚基，含環狀醚之 基團以外之R28、R29、 d32 ± . 尺、尺表不碳數為1〜8之 ，空或者其氟化物，〇汉表#| 4之烷氧A。 表丁直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜 於通式（9)、/ (i〇) 、（ U)中，作為 R28、r29、r30 之至 >、一個，R3丨及/ 、 並無特狀限m 表R切㈣之基團， 』之限疋，例如可列舉含縮 氧基環己基之基團、含氧雜广丁& 土之基團、含核 .., . ^ 乳雜％ 丁烷之基團等。其中，含缩 水甘油基之基團及/或 s ^ 衮虱基鳅己基之基團較佳。 作為上述含縮水甘油基之基團， 如可列舉2,3_環氧丙基、3 I ^限疋，例 縮水甘油氧基乙基、3絵基4,5_裱氣戊基、2-基丁基等。 水甘油氧基丙基、4-縮水甘油氧 24 200906886 作為上述含環氧基環己基之基團，並無特別之限定， 例如可列舉2-(3,4-環氧基環己基）乙基、3_(3,4_環氧基環己 基）丙基等。 於上述通式（9) 、（1〇)中、含環狀醚之基團以外之

R 28 ‘ R29、R3G、、r32，具體而言，例如可列舉甲基、 乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛 基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、新 戊基、第三戊基、異己基、環己基、苯基等。 又’於上述通式（9) 、（10) 、（11)中，〇R所表 不之直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜4之烷氧基，具體而 言，例如可列舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、 異丙氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等。 作為上述通式（9)所表示之化合物，具體而言，例如 可列舉3-縮水甘油氧基丙基（二曱基）甲基甲氧基矽烷、孓 (3，仁環氧基環己基）乙基（二甲基）甲氧基矽烷等。 作為上述通式（10)所表示之化合物，具體而言，例 如可列舉3'缩水甘油氧基丙基(甲基)二甲氧基矽烷、3_縮 水甘油氧基丙基（甲基）二乙氧基矽院、3_縮水甘油氧基丙 基（甲基）二丁氧基矽烷、2,3·環氧丙基（曱基）二甲氧基矽 環氧基環己基）乙基（甲基）二曱氧基矽烷、 環氧基環己基）乙基（甲基）二乙氧基矽烷等。 ， 作為上述通式（11)所表示之化合物，具體而言，例 如可列舉3'縮水甘油氧基丙基三甲氧基石夕燒、％縮水甘油 乳基丙基三乙氧基碎烧、2_(3,4_環氧基環己基）乙基三甲氧 25 200906886 基矽烷、2-(3,4_環氧基環己基)乙基三乙氧基矽烷等。 ；述方法（2)中，作為使上述石夕氧娱;化合物與具有 3壞狀醚t基團4矽氧烷化合物進行縮合反應之具體方 法’例如可列舉：使上述矽氧烷化合物與具有環狀醚基之 化合物，於水以及酸或驗性觸媒之存在下進行反應而合成 秒氣柄脂之方法。 乍為上述水之配合f，若$可使上述石夕氧烧化合物與 上述具有含環狀喊之基團之石夕氧院化合物中的與石夕原子鍵 結之院氧基水解之量，則並無特別之限定，可適宜調整。 上述酸性觸媒係用於使上述矽氧烷化合物與具有含環 狀喊之基團的矽氧烷化合物反應之觸媒，例如可列舉無機 酸、有機酸、其等之酸酐或者衍生物等。 作為上述無機酸，例如可列舉磷酸、硼酸、碳酸等。 作為上述有機酸，例如可列舉甲酸、乙酸、丙酸、丁 酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、轉檬酸、草酸、丙二酸、琥 轴酸、戊二酸、己二酸、富馬酸、馬來酸、油酸等。’ 上述驗性觸媒係用以使上述石夕氧燒化合物斑呈有含 :趟之基團之石夕氧烧化合物反應之觸媒，例如可;: 屬^氧化物、驗金屬之石夕醇基化合 物專0 例如可列舉氫氧化鈉、 作為上述鹼金屬之氫氧化物 氫氧化鉀、氫氧化鉋等。 列舉第三丁氧基 作為上述鹼金屬之烷氧化物，例如可 鈉、第三丁氧基鉀、第三丁氧基鉋等。 26 200906886 作為上述鹼金屬之矽醇基化合物，^ 鹽化入物、4m 3^碰 可列舉納梦醇 口物冑石夕醇鹽化合物、銘石夕醇鹽化合物等。 其中，鉀系觸媒以及鉋系觸媒較佳。 本發明之光半導體用熱構成組合 内具有-個以上含縮水甘油基之基圏之2較二為含有於分子 拉i取人丄， 园2 B能矽氧樹脂。 措由配口如此之2官能石夕氧樹脂，本發明 用密封劑可顯菩接古麻& 光半導體 於·」/ …物之耐裂痕性。其原因推斷在 於=上述硬化物中’在於分子内具有含環狀峻之基團的 石夕氧樹脂之含環狀醚之基_ & $ 、 、佳入古“、… 生之交聯點之空隙， 樹脂。 午更-軟之上述2官能矽氧 於本§兒明書中，所謂含墙皮廿、、丄I # 月3縮水甘油基之基團，表示 少基團之·一部分含有縮« β 3有細水甘油基即Τ，例如亦可含有烷 基、烷基醚基等其他骨架與縮水甘油基之基團。 作為上述含縮水甘油基之基團，並無特別之限定例 ^可列舉2,3-環氧丙基、3,4_環氧丁基、仏環氧戊基、^ 縮水甘油氧基乙基、3 -縮太廿、、占®使尤甘 难水甘油氧基丙基、4-縮水甘油氧 基丁基等。 作為於分子内具有一個以上如此之含縮水甘油基之美 團的2官能石夕氧樹脂，並無特別之限定，較佳為含有平二 組成式以下述通式（12)或者（13)所表示之樹脂成分。 由於上述2官能矽氧樹脂含有下述通式（12)或者（η) 所表示之樹脂成分，故本發明之光半導體用密封劑，其硬 化物具有適度之柔軟性，而成為耐裂痕性極其優異者。 27 200906886 再者’所謂2官能矽氧樹脂係平均組成式以下述通式 (12)或者（13)所表示，意指不僅於本發明之光半導體 用密封劑僅僅含有下述通式（12)或者（13)所表示之樹 月曰成为作為2官能矽氧樹脂之情形，而且於本發明之光半 導體用密封劑係含有各種結構之樹脂成分的混合物之情 形，亦表示取所含有之樹脂成分組成之平均而以下述通式 (12)或者（13 )表示。 進而，平均組成式於下述通式（12)或者（13)中包 含（1 — 2 )所表示之結構。 (R-R-Si〇e/2)m(R-R37si〇^)n (12)

及/或R37係含縮水甘油基之基 碳數為1〜8之烴或者其氟化物，其等可

團， 為相同或相異 甘油基之基團 者其氟化物。 之上限為〇 9:

m+n)的較佳之下限為 之下限為〇. 1、更佳之上PE

Si(W, (13) CR38R38SiOg^)0(R^R^SI02^)p(R« r43 於通式（13)中、R42及/或 R係含縮水甘油基之基 28 200906886 團，R38、R39、R4〇、R41表示碳數為丨〜^ ^ 物，其等可為相同或相異。又，於僅R f 其氣化 土 4 之 >(壬一 者為έ縮水甘油基之基團之情形時， 〜8之烴或者其氟化物H+p/(。:者表示碳數為1 下限為0.6、較佳之上限為0.9 〇 P+q)的較佳之 七， 文住之下限為0.7、f杜 之上限為0.9;q/(o+p+q)的較佳之下限為❹ 之上限為0.4、更佳之下限為〇1、更佳 又土 t . ^1^i02/2)^(R4〇^^ 上述2官能矽氧樹脂之數量平均分 之下限為1500，較佳之上限為5萬 的較佳 脂之數量平均分子量（Mn)未滿15〇。上二氧樹 光半導體用密封劑之硬化物的耐裂痕性會變得 ^月= 超過5萬，則可能本發明之光半導體用密二： 會變難。上述2官能石夕氧樹脂之數量平均分子量度-卽 更佳之下限為2_’更佳之上限為2萬。 心的 作為如此之2官能石夕氧樹脂之合成方法，並 :疋’例如可列舉與上述合成石夕氧樹脂之方法相同之方 水：之==基W脂⑴與具有含縮 基之““3)合物的f氫化反應而導入取代 八縮卜 ，與使烷氧基矽烷化合物與且有 29 1 縮水甘油基之基團之炫氧基石夕烧化合物進行縮人Η 方法（方法（4))等。 進仃縮合反應之 =述方法⑺合成2官能石夕氧樹脂之情形 上迹具有SiH基之發氧樹脂⑴，例如可列舉於分子： 200906886 含有SiH基， 化合物反應後 結構者。 且與具有上述含縮水甘油基之基團的乙稀系 ，成為上料式（12)或者（13)所表示之 〜表 〜B靶炒軋樹脂之情形時， 作為上述烷氧基矽烷化合物， 並無特別之限定，例如可列 牛/、上述通式（6 )之化合物相同者。 又 化合物 同者。 作為具有上述含縮水廿、，山其4 _ 油基之基團的烧氧基石夕烧 例如可列舉上述之血 J平上XL之興上述通式（1〇)之化合物相 作為上述使烧氧基石夕烧化合物與具有含縮水甘油基之 基團的烷氧基矽烷化合物進行縮合反應的具體方法，例如 可列舉於上述之合成⑦氧樹脂之情形的使烧氧基我化合 物與具有含環狀醚之基團之烷氧基石夕烷化合物反應相同的 於本發明之光半導體用密封劑中，作為上述2官能矽 氧樹脂相對於上述魏樹脂之配合量，並無特別之限定， 相對於上述矽氧樹脂1〇〇重量份，較佳之下限為重量 伤#乂佳之上限為12〇重量份。若上述2冑能石夕氧樹脂之 配合量未滿10重量份，則有時本發明之光半導體用密封 劑之硬化物的耐裂痕性會不能充分發揮；若超過120重量 份，則有時本發明之光半導體用密封劑之硬化物的耐熱性 會不佳’而該硬化物於熱環境下容易黃化之情形。上述2 吕月b矽氧樹脂之配合^量的更佳之下限為丨5重量份、更佳 之上限為100重量份。 30 200906886 再者，於本發明之光半導體用密封劑中，上述 =及2官心氧樹脂之合計，㈣所有樹脂成分設為⑽ 重直伤之情形時，較佳之下限為90 4量份。上 脂以及2官能石夕氧樹脂之合計的更佳之下限為95重量份， 特佳之下限為97重量份，最佳之下限為99重量份。 於本發明之光半導體用密封劑中，除上述樹脂以外， 亦可於不知及本發明之效果的範圍内進一步含有可與 基反應之硬化性化合物。作為如 w物，例如可列舉 八有胺基、胺基甲酸醋基、亞胺基、經基、幾基、環氧其 物^中’環氧化合物較佳。作為環氧化合物，並 …、，汐之限疋，可使用先前公知之各種環氧化合物。 旦，=述可與環氧基反應之其他硬化性化合物的配合 里 並”、、特別之限定’較伟夕μ JTP 7么4· jt, 10Π . θ 上限係相對於上述矽氧樹脂 十〇重！份為1〇重量份。更佳之上限為5重量份， 特佳之上限為3重量份，最佳之上限為】重量份。 :發明之光半導體用密封劑含有與上述含環狀驗之基 團反應之熱硬化劑（以下 熱硬化劑，若為可與上為熱硬化劑）。作為上述 者，則並無特別之限定 汉應 J <限疋，例如可列舉乙二胺、三乙五胺、 己二胺、二聚物酸改質 _ 二胺等脂肪族胺類，Μ一女乙基胺基娘嘻、異佛酮 …、“·一胺、對苯二胺、3,3、二胺基二 "，_ 一胺基二苯基碾、4,4丨-二胺基二苯基甲烷、4 4丨_ :胺基二苯基喊等芳香族胺類，疏基丙酸醋脂 末端疏基化合物等硫醇類，-Α、雙酴F、雙盼 31 200906886 酚8、四甲基雙酚A、四甲基雙酚F、四甲基雙酚AD、四 甲基雙紛S、四溴雙酿A、 紅 -A 四虱雙酚A、四氟雙酚a、聯

苯酚、二羥基葶、1 1 r μ H '、，’^二（4-羥基苯基）曱烷、4,4_(1 (4-羥基苯基）-1_曱基乙' 土）本基）亞乙基）雙驗、紛系齡駿、生 漆、甲盼㈣清漆 '㈣A㈣清漆、漠化㈣、祕清漆Γ 漠化雙紛A盼盤清漆等盼樹脂類，其等盼樹脂類之芳香環 氫化而成之多元醇類，平车__ ^ 貝歙壬—酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸 =四氫鄰本一甲酸奸、甲基六氯鄰苯二甲酸野、六氣鄰 苯二甲酸肝、5 -降冰片、法。2 肀水片烯-2,3-二羧酸酐、降冰片烷_2,3_二 叛酸酐、甲基-5-降冰片烯办二缓酸野、甲基_降冰片貌 2,3_二缓酸酐、環己炫]，2,3_三缓酸、環己院-… 二竣酸-!，2酐等脂環族酸野類，”基戊二酸針等具有亦 可分支之碳數為1〜8之烷基的3_烷基戊二酸酐，2_乙基·3 丙基戊二酸野等具有亦可分支之碳數為卜8之烧基… 二烧基戊二酸酐’ 2,4_二乙基戊二酸酐、2，心二甲基戊二酸 酐專具有亦可分支之碳數為卜8之烷基的2,4_二烷基戊二 酸針等經院基取代之戊二酸野類，鄰苯二甲酸肝、偏苯三 曱馱酐均笨四甲酸酐等芳香族酸酐類，2-甲基咪唑、2_ 乙基4-甲基咪唑、2_苯基咪唑等咪唑類以及其鹽類，上述 ^旨肪族胺類、芳香族胺類及/或咪嗤類與環氧樹脂反應而獲 得之胺加成物類，己二酸二醯肼等肼類，二甲基苄胺、】 二氮雜雙環[5,4,〇]十-稀_7等三級胺類，三苯基膦等有機 膦類，二氰基二醯胺等。其等熱硬化劑可單獨使用，亦可 併用2種以上。再者，於含有上述通式（12)或者（U) 32 200906886 所表示之樹脂成分等、上述二官能錢樹脂之情形時，上 述熱硬化劑亦可與該二官能石夕氧樹脂之含縮水甘 團反應。 其中’較佳為脂環族酸軒類、經貌基取代之戊二酸肝 類、、芳香族酸酐類等酸奸，更佳為月旨環族酸酐類、經烧基 =之戍二酸酐類，最佳為甲基六氫鄰苯二甲酸酐、六氫 酸奸、降冰片烧_2,3_二賴酐、甲基_降冰m ㈣U %己烷_1，2,3-三羧酸_1，2㉛、環己烷-1，2,4·三 羧酉文-1，2酐、2,4_二乙基戊二酸酐。 料上述熱硬化劑之配合量，並無特別之限定，相對 二述：氧樹脂100重量份（於含有上述2官能彻脂 = 上述#樹脂肖2官能石夕氧樹脂之合計）， :下限為1重量份’較佳之上限為200重量份。若為 2圍’則本發明之光半導體用密封劑可充分地進行交聯 ==性以及耐光性優異，且透濕度相當低。更佳之 為5重讀’更佳之上限為120重量份。 本發明之光半導體用密封劑含有氧化石夕微粒子。 半導有上述氧化石夕微粒子’可並不損及本發明之光 平體用役封劑之透明性、 ^ A >+- ® …性、耐光性地使黏度特性 二=圍。具體而言，可考慮本發明之光半導體用密 面石夕氧樹脂之結構、氧化石夕微粒子之比表 此」 “，適宜調整氧化矽微粒子之配合量，藉 此貫現上述黏度特性。 上述氧化石夕微粒子之-次粒徑的較佳之下限為5 nm， 33 200906886 較佳之上限為200 nm。若上述氧 孔化妙微粒子之一次粒徑未 滿5 nm，則有時氧化矽微粒子 ΨA <刀政性會降低，所得之光 +導體用密封劑之硬化物的透明性 注《不佳。若上述氧化矽 Μ粒子之一次粒徑超過2〇〇 ， 幻有時起因於氧化矽微粒 子所引起之光散射會變得容易發座 ,,生所侍之光半導體用密 封劑之硬化物的透明性會降低，未能獲得抑下之黏度的 =效果’且不能抑制溫度上升所造成之黏度降低。上述 虱化矽微粒子之一次粒徑的更佳 尺住之下限為8 nm，更佳之上 限為 15〇ηπι。 再者，於本說明書中，所嘈 』y 所邊上迷氧化矽微粒子之一次 粒徑’意指於上述氧化矽微粒子 ^ ^ 做祖子為球形之情形時氧化矽微 拉子之直徑的平均值，而 η叙；夕且/ 、 形之情形時則表示氧化矽 u粒子之長徑的平均值。 上述氧化矽微粒子之Βετ μ·主π 比表面積的較佳之下限為3〇 §車父佳之上限為400 m2/g。若p、+,产^

.,* . ^ A ^ g右上述氧化矽微粒子之BET 表面積未滿30 m2/g，則有時 値合妒屮m 亏於25 C下之黏度以及觸變 黏声隊俏 抑制由於溫度上升所引起之 黏度降低，且透明性會轡葚。#

4主 右上述氧化矽微粒子之BET 比表面積超過4〇〇 m2/ v , s⑴有時乳化矽微粒子會產生凝焦， 分散性會惡化，且透明性會變差。 座生碳集 作為上述氧化矽微粒子， 舉煙薰二氧化矽、熔融-氧、’、’、、別之限定’例如可列 矽，或者矽溶膠（colloidal —軋化 ,,E. lca)、溶膠-凝膠（s〇l-gel、-氧 化矽、沈澱二氧化故蓉以4 λ ge〖）一氧 乳化石夕法製造之二氧切等。其中， 34 200906886 可適宜使用揮發成分少 石夕。 ’可獲得高透明性之煙 薰二氧化 作為上述煙薰二氧化石夕之氧化石夕微粒子，例如可 Aero sil 50(比表面2,、 平 A 2 m g) 、Aerosl1 90 (比表面積 為 90 mz/g)、Aerndl 1 ιλ , , , Slll3〇 (比表面積為 13〇mVg)、Aer〇sil 200 (比表面積為 2〇〇 m2/ 、^ g； AerosU 300 (比表面積為3〇〇 m /g) 、Aerosil 380 Γ »·卜主二 λ 、 8〇 (比表面積為38〇 m2/g)(均為曰

Aerosil公司製造）等。 上述氧化石夕微粒子較佳為藉由有機石夕系化合物進行表 面處理。#由氧化石夕微粒子之表面進行如此之表面處理， 可使其成為分散性非常優異者，且並不損及透明性，此外 可進一步抑止由於溫度上升所造成之黏度降低。 作為上述有機石夕系化合物，並無特別之限定，例如可 列舉具有院基之錢系化合物、冑甲切氧烧等具有石夕氧 烧骨架之m合物 '具有胺基之碎系化合物、具有（甲基） 丙烯基之石夕系化合物、具有環氧基之石夕系化合物等。其中土， 較佳為具有三甲基钱基之有機石夕系化合物或者具有聚二 甲基矽氧烷基之有機矽系化合物。 再者，於本說明書中，所謂上述（甲基）丙烯基，係表 示丙烯基或者甲基丙烯基。 作為以具有三曱基矽烷基之有機矽系化合物進行表面 處理的方法，ϋ無特別之限定’例如可藉由使用六甲基二 石夕氮烧、三甲基氣石夕烧、三曱基曱氧基石夕烧等進行表= 理而獲得。 35 200906886 作為如此之以且古一 s . 、有二甲基矽烷基之有機矽系化合物進 灯表面處理之氧化石夕微 物進 矣, 卞之帀售0 口，可列舉RX200 (比 表面積為 14〇m2/g) 、RS9n 8200 (比表面積為140 mVg)(均 為曰本Aerosil公司製造）等。 _ 作為以具有聚二甲其功备 减基之有機㈣化合物進行 录面處理之方法，#盔姓 士定，例如可藉由使用於聚 一甲基矽軋烷之末端具有 進行表面處理而獲得。基之化合物、環㈣氧院等 物進:ΤΓ以具有聚二…氧烧基之有機梦系化合 =表面處理之氧切微粒子的市售品，可列…。 積為12Gm2/g)(日本Aerosii公司製造）等。 作為以上述有機石夕系化合物處理上述氧化石夕微 表面的方法，並盔牯s，丨夕^ + 入機“人疋，例如可列舉：於亨舍爾混 =、V型混合機等可高速㈣之混合機中添加氧化石夕微 粒子，一面攪拌一面將有機石夕系化合物直接添加，或者製 成酵水溶液'有機溶劑溶液或者水溶液進行添加之乾式 法，於氧化碎微粒子之难獅由 .、 中添加有機石夕系化合物之裝料 、及於氧化石夕微粒子之乾燥步驟後噴霧賦予有機石夕系 =物之喷霧法等直接處理法；於本發明之光半導體用密 ,^ 〇乳化矽试叔子與後述之矽氧樹脂等 樹脂時直接添加有機石夕系化合物之整體混合法 (integral blend)等。 作為上述氧化石夕微粒子 100重量份（於含有上述2 之含量，相對於上述矽氧樹脂 官能矽氧樹脂之情形時，係上 36 200906886 之夕乳樹脂與2官能矽氧樹脂之入 會I 13叶），較佳之下限為3 垔里伤，較佳之上限為4〇重 ^ 之人具+ 里知。右上述氧化矽微粒子 3量未滿3重量份，則有時. 封鈿* * f本發明之光半導體元件用密 、幻之黏度會難以落入上述範圚 人旦& 疋乾圍。若上述氧化矽微粒子之 s里超過40重量份，則本發明 声佶+ 月之先丰導體用密封劑之黏 又值或觸變會無法落入上述範 m儿 1祀圍内，且透明性會降低。上 )L乳化矽微粒子之含量的更佳之 上限為35重量份。 限為5重篁份，更佳之 本發明之光半導體元件用密封劑較佳為含有營光體。 上述螢光體，若係可吸收使用本發 封刺4 4贯月之先丰導體7L件用密 J 封之發光元件發出之光而產生螢光，藉此最故 广:所期望之色光者，則並無特別之限定，可適宜選擇至 〉一種營光體而使"，上述螢光體由於發光元件發出 之光而產生激發之榮光，藉由發光元件發出之光與營丄體 發出之螢光之組合，可獲得所期望之色光。 作為上述發光元件與螢光體之組合，並無特別之限定， 例如於以使用紫外線LED晶片作為 兀仵而最終獲得白 色光為目的之情形時，較佳為組合藍色螢光體、紅色 體以及綠色螢光體而使用；於以使用藍色LED晶片作為發 光元件而最終獲得白色光為目的之情形時，較：為电= 色螢光體以及紅色螢光體使用，或者使用黃色螢光體。、 作為上述藍色螢光體，若為吸收紫外線而發出藍色之 螢光的螢光體，則並無特別之限定，例如可列舉之

Ba、Mg)10(P〇4)6ci2 : Eu、（Ba、Sr)MgAl10〇】7 : Eu ($ 37 200906886

Ba)3MgSi208 : Eu 等。 作為上述紅色螢光體，並盔 I無特別之限定，例如可列 (Sr、Ca)S : Eu、（Ca、Sr)2Si5Ns.p” ^ 举 5〜.Eu、CaSiN2:Eu、CaA : Eu、Y202S : Eu、La202S : Eu、u iW2〇8 · (Eu ' Sm) > (Sr >

Ca、Bs、Mg)10(P〇4)8Cl2 : (Eu、 論)等。 Mn)、琴—：⑽、 作為上述綠色發光體，並無特別之限定，例如可列兴 Y3(Al^Ga)5〇12： Ce^ SrGa2S4： Eu. Ca3Sc2Si3〇12: Ce^ SrSiON ： =、ZnS : (CU、A1)、如化补。⑽、Mn)、SrAl2〇4 : Eu 作為上述黃色螢光體，並無特別之限定，例如可列舉 Y3Al5〇12:Ce、（Y、Gd)3Al5〇12:Ce、Tb3Al5〇i2:Ce、c

Eu、Sr2Si04 : Eu 等。 作為上錢光體，除此以外亦可列舉⑽叫叫系化 合物等作為有機螢光體。 較佳為將上述螢光體奈米粒子化。藉由將其奈米粒子 化’可降低光之散射。 上述螢光體的一次粒徑的較佳之下限為〇1 “出，較 佳之上限為100 ^zm。若上述螢光體之—次粒徑未滿〇.丨V m，則有時於密封劑中之分散性會降低。若上述螢光體之 一次粒徑超過100 "m，則有時自所得之光半導體元件（封 裝體）向外射出之光量會顯著減少。 ^再者，於本說明書中，所謂上述螢光體之一次粒徑， 意指於上述螢光體係球形之情形時螢光體直徑之平均值， 38 200906886 而於上述螢光體係非球形之情形時則表示榮光體之長徑的 平均值。 作為上述勞光體之配合量，並無特別之限定，相對於 封樹脂組合物100重量份，較佳之下限為〇 ι重量 :，較佳t上限為40 4量份。若上述螢光體之配合量未 ’ .1重量份，則有時不能獲得所期望之色光。若上述螢 先=配合量超過40重量份，則有時自所得之光半導體 70件（封裝體）向外射出之光量會顯著減少。 光半導體元件用密封劑較佳為含有分散劑。 微粒‘之二上述刀？劑’可提高上述螢光體以及氧化矽 劑。 又m九牛導體兀件用密封 作為上述分散劑，例如可列舉平氣β么田 聚（甲基）丙稀酸"界而 氧化稀系界面活性劑、 …席酸s曰系界面活性劑、氟系界面活性劑、聚石夕 乳系界面活性劑等。 取/ 量份分散劑之含量，相對於上述石夕氧樹脂100重 ' 3有上述2官能矽氧樹脂之情形時，為 樹脂與2宫能碎氧樹脂之合計），較 為上切乳 份，較佳之上限為5會吾々、 限為〇.01重量

重量份，則幾4_ 右上述分散劑之含量未滿0.(H 重里知則幾乎不能獲得配合 5重量份，則右拄士 & 述刀月文劑之效果；若超過 之硬度會落入上述範圍之外。上述分散劑之含2硬化物 下限為-重量份，更佳之上限為的更佳之 本發明之朵主 _ +導體兀件用密封劑較佳為含有硬化促進 39 200906886

精由含有上述硬化促進 ’ y X个货明 < 井车墓雜 件用密封劑於加熱後早期硬 主道駚-μ 有效防止於本發明之光 丰體疋件用密封劑中上述螢光體之沈降。 作為上述硬化促進劑，並盔 ㈣類、三級胺類以及其鹽類：㈣：：，例如可列舉 類 '金屬觸媒類等。 υ、胺基三唑 2_乙基·4- i，8·二氮雙環（5,4,〇) 作為上述咪唾類， 甲基咪唑等。 作為上述三級胺類 十一烯-7等。 例如可列舉2-甲基咪唑 例如可列舉 作為上述膦類，例如可列舉三苯基膦等。 作為上述鱗鹽類，例如可列㈣化三苯基鱗等。 酸 鉻 作為上述金屬觸媒，例如可列舉辛酸錫、二 :基=錫系金屬觸媒’辛酸鋅等辞系金屬觸媒-，銘 姑 錄·#之乙醯丙酮酸鹽等。 其等硬化促進劑可單獨 其中’自耐熱性優異、 佳為使用錄鹽或者鱗鹽類等 硬化促進劑。 使用，亦可併用2種以上。 硬化速度迅速之觀點考慮，較 陽離子與陰離+之相對離子型 結 酸 化 作為上述硬化促進劑 構的硬化促進劑亦較佳 鹽系硬化促進劑的本發 而生成之硬化物具有優 明 具有下述通式（14)所表示之 含有具有如此之特定結構之硼 之光半導體用密封劑，使其硬 異之透明性、耐光性， 且耐熱性 200906886 極其優異，於用作led等光半暮科_ Μ 兀*千V體TL件之密封劑之情形 ，於使用條件下幾乎不產生普 丁个座生汽化。認為其係由於以下列

舉之理由。 J 亦即’ -般認為作為先前之環氧系密封劑中使用之硬 化促進劑，若含h 素作為陰離子者，則由於該 陰離子與具有含環狀醚之基團 ® t石夕氧樹脂的環狀醚基反 應，因此僅剩餘對陽離子，而因 M必對％離子之反應而生成 黃化物質，導致耐熱性惡化。 主丁此，推斷其原因在於··由 於具有下述通4 (14)所表示之結構硬化促進劑具有 [BR“R45R46R47]·所表示之結構（以下亦僅稱為酸鹽）之 陰離子體積大，因此與上切氧樹脂之含環狀醚之基團的 反應性較低’導致如上述之黃化物質之生成變得非常少。 X+[BR44R4SR«R«]- (14) 於通式（14)中，R44〜R47表示說基、亦可經取代之 炫基、亦可經取代之烯基、亦可經取代之芳院基、亦可經 取代之芳香基、亦可經取代之脂環基，其等可為相同或相 異。又’ X+表示具有N、8或P作為中心元素之陽離子。 作為上述亦可經取代之烷基，較佳為碳數為丄〜”之 經取代或未經取代之直鏈或者支鏈烷基，例如可列舉甲 基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、 戍基、己纟、庚基、辛基、3_甲氧基丙基、4-氯丁基：2_ 二乙基胺基乙基等。 41 200906886 作為上述亦可經取代之烯基’較佳為經取代或未經取 代之奴數為2〜12之稀基，例如可列舉乙烯基、丙稀基、 丁烯基、戊浠基、己烯基、庚烯基、辛烯基、十二炔基、 半萜基（prenyl)等。 ^作為上述亦可經取代之芳香基，例如可列舉苯基、甲 苯基、二曱苯基、4-乙基苯基、4· 丁基苯基、4_第三丁基 苯基、4-甲氧基苯基、4_二乙基胺基苯基、2_曱苯基、2_甲 氧基本基、蔡基、4-甲基萘基等。 作為上述亦可經取代之芳烷基，例如可列舉苄基、苯 乙基、丙基苯基…萘甲基、萘甲基、對甲氧：节基 等。 作為上述亦可經取代之脂環基，例如可列舉環己基、4_ 曱基環己基、環戊基、環庚基等。 作為上述石朋酸鹽，並無特別之限定，例如可列舉四氣 硼酸鹽、四苯基硼酸鹽、四乙基硼酸鹽、四丁基硼酸睡、 四（4-甲苯基）棚酸鹽、四（4-第三丁基笨基）爛酸四氟 苯基）硼酸鹽、四（4-甲氧基苯基）硼酸鹽、四（2,3,4 $ 6•五氟 鹽、正丁基 苯基）硼酸鹽、四[3,5-雙（三氟甲基）苯基]硼酸鹽’、正丁 2 三苯基硼酸鹽、正丁基三-4-第三丁基笨基蝴 三萘基硼酸酯鹽。 其中，一般認為上述硼酸鹽於R44 R中之3個係上 述之亦可經取代之芳香基，1個係上述夕介π y 4 <亦可經取代之烷 基之情料，烷基會以自由基形式脫離而捕獲成為生成黃 化物質之原因的自由基種，因此較佳。 42 200906886 作為如此之硼酸鹽，具體而言’例如 苯基硼酸鹽、正丁基三4笛_丁I—* 丁基二 萘基蝴酸鹽等。 基本基刪、正丁基三 、於上述通式（14)—之x+，表示具有N、S4P作為 中兀素之陽離子。作為如此之陽離子，例如可列舉錄陽 離子、鱗陽離子、疏陽離子、咪唾鑌陽離子m定鑌陽離 子、°比咯烷鑌陽離子、哌咭鎗陡触2 ^ 雕卞辰定鎖陽離子、^二氮雜雙環[4， 壬…四級氮陽離子、6·二丁基胺基_M_二氮雜雙環 [”’〇]十一烯-7之四級氮陽離子、6♦羥丙基…-二氮雜 雙％ [5,4,0]十-稀_7之四級氮陽離子等。 ' 作為上述銨陽離子，例如可列舉四甲基錢陽離子、四 乙基錄陽離子、四_正丙基錄陽離子、四·正丁基録陽離子、 四-正戊基銨陽離子、四_正辛基錢陽離子、四_正十二烧基 2離子、四正十㈣基料離子、四·正十W基^ ^四_2_羥乙基銨陽離子、四·3,丙基銨陽離子、四_2_ 氧乙基錄陽離子、其甚且 陽雜名 —乙基辛基録％離子、三-正丁基甲基鞍 =、三-正U辛基銨陽離子、三-正丁基十二烧基铵 = 三-正十六烧基鐘陽離子、三-經乙基辛基錄陽 二-2-私乙基十二炫基錢陽離子、三_2•經乙基十 >烷 基癸基銨陽離子、三_3__乙基辛 八 经乙基辛基銨陽離子、三-3-羥乙基 ^基録陽離子、三·3,乙基十六㈣癸基㈣離子、 鼠乙基辛基鐘陽離子、三_2_氰乙基十二燒基兹陽離 陽離r 1乙基η㈣癸基㈣離子、丙料三乙基兹 ㈣子、㈣基三·正丙基㈣離子、㈣基三_正丁基鐘 43 200906886 陽離子、㈣基三_正辛基銨陽離子、三f基[3_(三乙氧基 石夕烧基）丙基]鍵陽離子、環己基三甲基錄陽離子、四苯^ 錢陽離子、节基二甲其相_ 下悉-τ基錄陽離子、$基三乙基錄陽離子、 2基Γ正丁基錄陽離子、3·(三氟甲基）苯基三甲基銨陽離 、本基二甲基銨陽離子、苄基三苯基銨陽離子等。 作為上述鱗陽離子，例如可列舉四甲基鱗陽離子、四 乙基鱗陽離子、四·正丙基鱗陽離子、四_正丁基鎸陽離子、 四-正戊基鱗陽離子、四-正辛基鱗陽離子、四·正 鱗陽離子、四-正十四ρ其妙低祕7 凡土 雜； 十四烷基鱗陽離子、四-正十八烷基鱗陽 離子、四I經乙基鱗陽離子、四·3·經丙基鱗陽離子、四-2_ 鼠乙基鱗陽離子、三乙基辛 陽雜不 G丞辛基鱗％離子、三-正丁基甲基鱗 陽離子、Γ正丁基辛基鱗陽離子、三-正丁基十二烧基鱗 = 基鱗陽離子、三… 基鱗陽離子: =;=離子、〜基十六- 烧美么m 鱗陽離子、三·3-經乙基十二 其在且, 基十六烷基鱗陽離子、三-2-氰乙 基辛基鱗陽離子、二_2羞7盆丄 ^ 7 I丄 —氰乙基十二烷基鱗陽離子、三-2-氰 乙基十六烷基鱗陽離子、丙 二 一 歸土 一乙基鱗陽離子、丙嫌其 二-正两基鎮陽離子、丙婦基三 子丙烯基 一 |土 止丁基鱗陽離子、丙掄其 —正辛基鱗陽離子、四苯基鱗陽離子、 二 子、苄基：：乙美基二甲基鎸陽離 卞丞一乙基鱗％離子'节基 氟甲基)苯基：甲心…2 正丁基鱗陽離子、3_(三 土7 ♦悉—T基鱗陽離子、 一 三笨基鱗陽離子等。 本基二甲基鱗陽離子、节基 作為上述銃陽離子，例 — j列舉二苯基鏽陽離子、三 44 200906886 甲基疏陽離子、二甲基苯基锍陽離子等。作為上述味唾鐵 陽離子，例如可列舉丨，3_二曱基咪唑鏽陽離子、^乙基-% 曱基咪唑鏽陽離子、丙基_3_曱基咪唑鑌陽離子、丁美 3-甲基味嗤鏽陽離子、i-乙基_3_己基咪唾鑌陽離子、二辛 基士甲基咪絲陽離子、卜癸基_3·甲基咪切陽離子、卜 =基-3-甲基帽陽離子十六烧基_”基㈣ U、1_十—烧基_3·甲基咪°坐鑌陽離子、1·乙稀基_3.甲 基口米唾鐵陽離子、1_乙某-田甘 基_2,3_一甲基咪唑鑌陽離子、卜丙 ’3 —甲基°米°坐鑌陽離子、1_ 丁基 離子 J I 2,3-—甲基咪唑鑌陽 1-己基-2,3-二甲基咪唑鑌陽離子、卜 :3:，4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十吻基)咪哇鑌陽料二丁_ 土 _(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8_ 十三顏去其、企 子、辛基）咪唑鑌陽離 T基-3-丙烯基咪唑鑌陽離 鏽陽離子、丨丙其1 乙基-3-丙烯基咪唑 土 -3-丙烯基咪唑鏽陽離子、丨_ 基咪唑鑌陽離子、丨_戊基 土 烯

3 % “ 戊基I丙席基味唾鑌陽離子、1_甲A 3~丙烯基咪唑鏘陽離子、 f基_ 而祕盆， _已基°比啶鑌陽離子、1-庚基_3 丙埽基咪唑鑌陽離子 ' 3' 丙烯土 _丙烯基咪唑鑌陽離子、K 卿土 -3·丙烯基咪唑鏽陽離子等。 作為上述哒啶鑌陽離子， 離子、丨 I 可列舉1-丁基11 比咬鑌陽 雕千1-己基吡啶鏘陽離子、 翊軔 [乙…基简陽離子、】甲基蝴陽離子' 陽離子、1-丙某3 乙基-3-(羥基f基）吡啶鑰 丄丙基-3-f基吡啶鑕陽 鑷陽離子等吡啶鏽陽離子等。 、-丁基-3-F基㈣ 1 - 丁基-1 -曱基 作為上述。比錢鑌陽離子，例如可列舉 45 200906886 咬咯烷鑌陽離子等。 例如可列舉h曱基-^丙基哌 作為上述哌啶鏘陽離子 咬鑌陽離子等。 上述通式（14) γ+ +Λ.,. _ 〕中之X ，其中較佳為具有下述通式 I 1 5 )所表示之陽離子結構。 若使用具有如此之陽離子結構的硬化促進劑，則耐執 ::變得更優異。其原因認為在於：陽離子即使於硬化中 熱刀解，產生之胺或膦等之驗性亦比較低，因此可抑制於 硬化反應中成為著色原因之物質之生成。 Y+CF^n (15) 〜於通式⑴）中，Y+表示N、s或者p，“3或者4, 设數個R48表示亦可經取代之炫基、亦可經取代之婦基、 亦可㈣代之芳烧基、亦可經取代之芳香基、亦可經取代 之雜環基、亦可經取代之脂環基、亦可經取代之矽烷基， 其等可為相同或相異。 _作為上述亦可經取代之烷基’較佳為碳數為1〜20之 麵取代或未經取代之直鏈或者支鏈烷基，例如可列舉甲 基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、 戊基、己基、庚基、辛基、3_甲氧基丙基、4_氯丁基、 〜乙基胺基乙基等。 作為上述亦可經取代之烯基，較佳為經取代或未經取 、之反數為2〜12之烯基，例如可列舉乙烯基、丙烯基、 46 200906886 丁燁基、戊烯基、己婦基、庚稀基、辛烯基、十二快基、 半萜基等。 作為上述亦可經取代之方香基’例如可列舉苯基、甲 苯基 '二曱苯基、4-乙基苯基、4-丁基笨基、4第三丁基 苯基、4-曱氧基苯基、4-二乙基胺基笨基、2_曱基苯基、^ 曱氧基笨基、萘基、4-曱基萘基等。 作為上述亦可經取代之芳烷基，例如可列舉节基、笨 乙基、丙基苯基、α-萘甲基卞萘甲基、對甲氧：节： 例如可列舉吡啶基、 例如可列舉環己基、4_ 例如可列舉3-(三乙氧 作為上述亦可經取代之雜環基 喹啉基、甲基吡啶基、吲哚基等。 作為上述亦可經取代之脂環基 甲基環己基、環戊基、環庚基等。 作為上述亦可經取代之雜環基 基矽烷基）丙基等。 -哎八、u」所表示之陽離子結 並無特別之限定，例如可列舉銨陽離子 ：：， 離子等。作為上述料料，例如 =離子、‘陽 四乙基朗Μ Μ舉四甲基銨陽離子、 丞叙％離子、四-正丙基銨 子、四正戊基錄陽離子、四-正辛基錄陽二正丁基錄陽離 -基錄陽離子、四-正一基:陽::離二:正十二 銨陽離子、四_2_羥乙 四-正十八烷基 四1氰乙基録陽離子 子、四丄羥丙基錄陽離子、 〒基錢陽離子 、三-正丁基 -· 丁基辛基銨陽離子、三_正丁基十二 47 200906886 炫基銨陽離子、：；_正+ _^_ 其鍵…—正十-貌基錄陽離子、三-2,乙基辛 丞鉍離子、三_2_翔7 |丄_ u 丁 十六烷基癸基銨陽離子、= 2 &乙基 ^ A , — 3_毛乙基辛基銨陽離子、三_3- 羥乙基十二烷基銨陽離子、= 離子、二2— 3·红乙基十六烷基癸基銨陽 陽離子Γ三t 基錄陽離子、三_2-氛乙基十二貌基錄 θ 亂乙基十六烷基癸基銨陽離子、丙烯基三乙 基録陽離子、丙婦其一 土一 m雜 烯基二_正丙基銨陽離子、丙烯基三-正丁 基㈣離子、㈣基三·正辛基錢陽離子、三甲基叫三: 氧基矽烷基）丙基]銨陽離子、 苯基錄陽離子、基二甲基錢陽離子、四 子、节芙一正丁其t 離子、节基三乙基錢陽離 土一-正丁基銨陽離子、3_(三氟甲基）苯基三，基銨 陽離子、苯基三甲基銨陽離子、 ^ . 陽離子等。 卞基二本基銨陽離子等銨 作為上述鱗陽離子，例如可列舉四甲基鱗陽離子、四 乙基鱗陽離子、四-正丙基鱗陽離子、四_正丁基鱗陽離子、 四-正戊基鱗陽離子、四·正辛基鱗陽離子、四·正十二 =離子、正十四烧基鱗陽離子、四-正十八烧基二 四-2-經乙基鱗陽離子、四_3_經丙基鱗陽離子、n ::基鱗陽離子、三乙基辛基鱗陽離子、三·正丁基甲基鱗 =、三-正丁基辛基鱗陽離子、三正丁基十二烧基鱗 :離子、三-正十六烧基鎸陽離子、三•經乙基辛基鱗陽 子、二-2-經乙基十二烧基鱗陽離子、三經乙基十六烷 基鱗％離子、三m基辛基鐫陽離子、三小經乙基十二 恢基鱗陽離子、三_3·經乙基十六貌基鱗陽離子、三_2_氰乙 48 200906886 基辛基鱗陽離子、三_2_氰乙基 土丁一沉基鱗陽離子、二 乙基十六烷基鱗陽離子、丙M —2-氰 内埽基二乙基鱗陽離子、 二-正丙基鱗陽離子、丙嫌其_ 丙烯基 一 卞丙烯基二-正丁基鱗陽離 二-正辛基鎸陽離子、四苯基鱗陽離子、 " 子、节基三乙基鱗陽離子、节 二尹基鱗陽離 氟曱基）本基三甲基鏑陽離子、 （一 三苯基鱗陽離子等。 本基二甲基鐲陽離子、节基 作為上述銃陽離子，例如 田皇拉炫她7 J牛—本基錄陽離子、= 甲基齩％離子、二f苯基錡陽離子等。 一 於具有上述通式（14)所表干夕社姓 n v 々表不之、纟σ構之硬化促進劑申， 作為相酸鹽與陽離子之最佳之組合，例如可列舉四乙 基鉍正丁基三苯基硼酸鹽、四乙基銨正丁基三 苯基硼酸鹽、四乙基銨正丁基二芡 弟二丁基 下丁其―甘 萘基硼酸鹽、四_正丁基銨 正丁基二本基侧酸鹽、四-正丁基鐘正丁基三_ 苯基硼酸鹽、四-正丁基銨正 土 τ 丁其-—w 土 —奈基硼酸鹽、四乙基鱗 丁基二本基硼酸鹽、四乙基鱗正丁基三 硼酸鹽、四乙基鱗正丁基三萃美 一^ 土本基 — 不基硼3文鹽、四·正丁基鱗正丁 基二本基硼酸鹽、四正丁基鱗正丁基三第三 石朋酸鹽、四-正丁基鱗正丁基三萘基硼酸鹽等。土土 作為上述硬化促進劑之配合量，並無特別之限定，相 對於上述矽氧樹脂i 〇〇重量 m ^ r 、有上述2官能矽氧樹 月曰之清㈣’係上料氧樹脂與2官能錢樹脂之合計）， 較佳之下限為0.01重量份’較佳之上限5重量份。若上述 硬化促進劑之配合量未滿G.G1重量份，則不能獲得添加上 49 200906886 述硬化促進劑之效果；若_、 或耐熱性、耐光性之 過5重讀，則硬化物之著色 促進劑之配合量的更佳夕會變顯著’故而欠佳。上述硬化 為1.5重量份。 了限為〇.05重量份’更佳之上限 本發明之光半導_ 劑。 70件用密封劑較佳為含有抗氡化 受二化可適宜一一、 中，可適宜使用且右、g ώ $机虱化劑4。其 之用具有選自亞磷酸酯骨架、 磷酸酯骨举n U丄 兄聊酉夂酉曰骨架、 月东以及次膦酸酯骨 月％所構成之群的至少一種骨牟 的石拜系化合物（以下亦僅 1重稱為碟系化合物）、至少於第2 位具有燒基的經敗你夕/ ^ 取代之酚诉生物的苯酚系化合物（以下亦 僅稱為盼系化合物）。 作為抗氧化劑，含有上述磷系化合物或盼系化合物， 故本發明之光半導體元件用密封劑於使用環境下並不於硬 化物上產生黃化，而成為耐熱性優異者。 上述麟糸化合物並無特別之限定，例如可列舉

Adekastab PEP-4C、Adekastab PEP-8、Adekastab PEP-24G、 Adekastab PEP-36、Adekastab HP-10、Adekastab 2Π2、 Adekastab 260、Adekastab 522A、Adekastab 1178、Adekastab 1500、Adekastab C、Adekastab 135A、Adekastab 3010、

Adekastab TPP (以上均為 ADEKA 公司製造）、Sandostab P-EPQ、Hostanox PAR24 (以上均為 Clariant 公司製造）、 JP-312L、JP-318-0、JPM-308、JPM-313、JPP-613M、JPP- 50 200906886 31、JPP-20〇〇pT、jph_38〇 製造）等。 上均為城北化學工業公司 作為上述墙系化合物之八 L 阢σ置並無特別之限定，相 對於上述矽氧樹脂1〇()重 相 ± 篁伤（於含有上述2官能矽氧槲 脂之情形時，係上述矽氧 氧树 & 乳树月曰與2官能矽氧樹脂之合計）， 又之下限為0·01重量份，較佳之上|JP盔壬曰 、、. 权住之上限為2.0重量份。芒 上述磷系化合物之配合量未 W 重I份’則有時不能獲 传添加上述磷系化合物之 双果，右超過2.0重量份，則耐 光性之降低會變顯著， 曰 人佳。上述碟系化合物之配人 -的更佳之下限為0.05重量份，更佳之上限為1〇重量份： 再者’於本發明之光半導體用熱硬化性組合物中，上述之 碌系化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。 上述紛系化合物較佳為至少於第2位具有烧基的經取 代之驗衍生物D上述齡备儿入L 〇 玟酚系化合物若不於第2位具有烷基， 則會變得不能表現出使离况 *伏·间/皿私境時生成之自由基穩定化之 機能。 再者’於本說明，上述經取代之盼衍生物中之烷 基等取代基之位置編號，表示以鍵結⑽基之 按照順時針方向或者逆時針方向編號為第2、第3、第4、 第5第6之情形的編號。因此，未必與IUPAC之命名法 一致。 又上述酚系化合物較佳為於第ό位並不具有烷基之 •取代之紛衍生物。藉由含有如此之經取代之酚衍生物， 可進步提问本發明之光半導體元件用密封劑之耐熱性。 51 200906886 其原因認為在於，於上述第6位並不具有烷基的經取代之 酚衍生物，係對於OH基僅其中一個鄰位具有烷基之結構， 可去除OH基周邊的空間障礙，因此變得容易形成上述磷 系化合物之和磷原子鄰接之氧原子與酚系化合物之〇h基 之虱鍵。其結果，一般認為上述磷系化合物與酚系化合物 之相互作用變大’使上述黃化原因物質穩^化或者分解之 機能變高。 作為上述於第6位並不具有烷基的經取代之酚衍生 物，並無特別之限定，例如可列舉2-第三丁基_4_甲基苯酚、 2,4-—-第三丁基苯酚、2,4_二_第三戊基苯酚、硫基雙 ΐ 基-6-第三丁基苯酚） 、 4,4，_亞 丁基雙(3_甲基_6_第 三丁基 苯酚）、雙-[3,3-雙-(4|_羥基_3，_第三丁基苯基)_ 丁酸]二醇 酉旨等。 上述酚系化合物較佳為於第4位具有含四級碳之基 團：藉由含有如此之酚系化合物，可進—步提高本發明之 先半導體元件用密封劑的耐熱性。其原因認為在於，於第 4位不具有四級碳之酚系化合物’於嚴酷之條件的使用中， 由於分子内反應或分子間反應而生成具有酿骨架之黃化原 口物質’而存在產生黃化之可能性，#對於此，上述於第 4位具有含四級碳之基團的酚系化合物可防止上述黃化 因物質之生成。 、’、 4為上述於第4位具有含四級碳之基團的酚系化合 ，並：特別之限定’例如可列舉2，心二第三丁基苯酚、 ，4_二第三戊基㈣、丙烯酸2_Π·(2,基.3,5_二_第三戊 52 200906886 基苯基）乙基]-4,6-二-第三戊基苯基酯、雙-[3,3-雙-(4'-羥基 -3'-第三丁基苯基）-丁酸]-二醇酯等。 於上述之酚系化合物中，特別是使用雙-[3,3-雙-(4'-羥 基-3’-第三丁基苯基）-丁酸]-二酵酯、丙烯酸2-[1-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基）乙基]-4,6-二-第三戊基苯基酯較佳。 上述酚系化合物亦可使用市售品。作為市售之酚系化 合物，並無特別之限定，例如可列舉IRGANOX 1010、 IRGANOX 1035、IRGANOX 1076、IRGANOX 1135、 IRGANOX 245、IRGANOX 259、IRGANOX 295 (以上均 由汽巴精化公司製造）、Adekastab AO-30、Adekastab AO-40、Adekastab AO-50、Adekastab AO-60、Adekastab AO-70、Adekastab AO-80、Adekastab AO-90、Adekastab AO-330 (以上均由 ADEKA 公司製造）、Sumilizer GA-80、 Sumilizer MDP-S、Sumilizer BBM-S、Sumilizer GM、 Sumilizer GS(F)、Sumilizer GP (以上均由住友化學工業公 司製造）、HOSTANOX O10、HOSTANOX 016、HOSTANOX 014、HOSTANOX 03(以上均由 Clariant 公司製造）、Antage ΒΗΤ、Antage W-300、Antage W-400、Antage W-500 (以 上均由川口化學工業公司製造）、SEENOX 224M、SEENOX 326M (以上均由SHIPRO化成公司製造）等。 作為上述齡·系化合物之配合量，並無特別之限定，相 對於上述矽氧樹脂100重量份（於含有上述2官能矽氧樹 脂之情形時，係上述矽氧樹脂與2官能矽氧樹脂之合計）， 較佳之下限為0.01重量份，較佳之上限為2.0重量份。若 53 200906886 上述酚系化合物之配合θ 得添加上述酚系化人物夏滿0·01重量份，則有時不能獲 光性之降低會變顯著而々效果，右超過2.〇重量份，則耐 更佳之下限為0 05重旦人、佳上述酚系化合物之配合量的 者，於本發明之弁 更佳之上限為1.0重量份。再 化合物可單獨使用 更化性組合物中，上述酚系 ^ ^ ，亦可併用2種以上。 本發明之光半導押 與紛系化合物之情形护用密封劑含有上述磷系化合物 物之配合比並無：别：;：為;"述磷系化合物與紛系化合 (重量比）的較佳之下1 磷系化合物/紛系化含物」 系化合物/1系化合物（ ‘，、，’較佳之上限為20。若「磷 獲得添加磷系化合物之效果未滿0·1’則有時未能 添加酚系化合物之效果。「磷20’則有時未能獲得 量比）的更佳之下限為〇.佳：勿/盼系化合物」（重 , π .D更佳之上限為10。 本毛明之光半導體元件 著性之偶合劑。 w J3有用以賦予接 作為上述偶合劑，並無特 A二r气a功β J之限疋，例如可列舉乙烯 基一乙軋基矽烷、乙烯基三 丙基三甲氧基石夕烧、r•甲夕燒、3'缩水甘油氧基 烧、r·胺基丙基三甲氧基錢 土—甲氧基石夕 乳基矽烷等矽烷偶合劑等。复 甲 併用9磁， ^寺其等偶合劑可單獨使用，亦可

併用2種以上。 g J 作為上述偶合劑之配合量， 會ία (从人七 相對於上述矽氧樹脂100 重里伤（於含有上述2官能 虱樹知之情形時，係上述矽 54 200906886 氧樹脂與2宫能矽氧樹入 旦柃， 3之5什），較佳之下限為（U重 f〇1 Η之上限為5重量份°若上述偶合劑之配合量未 ;5•重^份，則不能充分發揮偶合劍之配合效果；若超 導r元件VI，則剩餘之偶合劑會揮發，較本發明之光半 ¥體兀件用密封劑硬化時，產生膜減少等。 t:月之光半導體兀件用密封劑亦可視需要配合消泡 知1、者劑、改質劑、均化劑、光擴散劑、導熱性填 阻燃劑等添加劑。 、 本發明之光半導體元件用密封劑的硬化溫度並無特別 之限y較佳之硬化溫度係8〇t〜18〇t：。若硬化溫度低 於8〇C，則有時不能進行硬化，若高於刚。c，則有時會 產生封裝體之熱劣化，故欠佳。更佳為1G(TC〜150。(：。

C 對硬化並無特別之限$，較佳為使时步固化㈣ )方式刀步固化方式係暫時以低溫使其預硬化，其後 以高溫使其硬化的方法’可抑制密封劑之硬化收縮，故較 佳0 本發明之光半導體元件用密封劑，較佳為硬化而生成 之硬化物的耐光性試驗後的透光度之降低率未滿1〇%。若 硬化物之耐光性試驗後的透光度之降低率為ι〇%以上，則 有時使用|發明t光半導體A件用密封齊!而成之光半導體 元件的光學特性會變得並不充分。 再者，上述所謂财光性試驗，係於高壓水銀燈上安裝 截止波長340 nm以下之光的濾光片，對使本發明之光半 導體元件用密封劑硬化而生成之厚2mm的硬化物，以ι〇〇 55 200906886 mW/cm2照射24小時之試驗；上述耐光試驗後之透光度係 使用上述耐光性試驗後之上述硬化物’使用日立製作所公 司製造之「U-4000」，測定波長400 nm之光的透射率的 值。 本發明之光半導體元件用密封劑較佳為硬化生成之硬 化物的耐熱性試驗後的透卑度之降低率未滿1 〇%。若硬化 物之耐熱性試驗後之透光度的降低率為10%以上，則有時 使用本發明之光半導體元件用密封劑而成之光半導體元件 的光學特性會變得不充分。 再者’所謂上述耐熱性試驗，係將本發光 ，用密封劑硬化生成之厚2_的硬化物於二= 相中放置5GG小時的試驗，上㈣熱性試驗後之透光度係 使用上述耐熱性試驗後之上述硬化物，使用日立製作所公 5 '、之U 4000 J ，測定波長400 nm之光的透射率的 值。 :、本發明之光半導體元件用密封劑的製造方法，並 ΓΓ別之限L可列舉使㈣質機、肖㈣拌機、萬 & 〇機、仃星式攪拌機（Planetarium Mixer)、捏和機、三 輥研磨機、玻麼德日 — 此5機，於常溫或者加溫下，將上述 7氧W脂、孰石吏化添，丨 好, 硬化促推制‘、\ - 虱矽微粒子、以及視需要之上述 —"、抗氧化劑等之各預定量混合之方法等。 件，光半導體元件用密封劑密封發光元 密封劑而成之*丄 件。使用本發明之光半導體元件用 成之光半導體元件㈣本發明之一。 56 200906886 作為上述發光元件，並無特別之限定，例如於上述光 半導體元件為發光二極體之情料，例如可列舉於基板上 積層半導體材料而形成者。於此情形時，作為半導體材料 例如可列舉 GaAs、GaP、— GaAsP、Amainp、⑽、’

InN、AIN、lnGaAIN、SiC 等。 作為上述基板，例如可列舉藍寶石、尖晶石、批、^、 ZnO、GaN單晶體等。又，亦可視需要於基板與半導體材 料之間形I緩衝層。料上述緩衝層，例如可 AIN 等。 料於上述基板上積層半導體材料之方法，並無特別 之限定，例如可列舉M〇CVD法、 ,,., rtDVPE法、液相磊晶法 (liquid phase epitaxy)等。 作為上述發光元件之結構，例如可列舉具有卿接合、 州接合、PIN接合之同質接合、異質接合、雙異質結構等。 又，亦可稱為單一或者多層量子井結構（一。丨丨 structure)。 於使用本發明之光半導體元件用密封劑密封上述發光 -件時，亦可於不阻礙本發明之效果的範圍内，併用其他 密封劑。於此情形時， 予了於以本發明之光半導體元件用密 封劑密封上述發光㈣後，以上述其他密封劑密封其周 圍’亦可於以上述其他密封劑密封上述發光元件後，以本 發明之光半導體元件用密封劑密封其周圍。 —作為上述其他密封劑，並無特別之限定，例如可列舉 環氧樹脂、矽氧樹脂、丙烯酸 内师鹱树脂、脲樹脂、醯亞胺樹脂、 57 200906886 玻璃等。χ，若含有表面改質劑’則亦可塗佈液體 設置保護層。 作為以本發明之光半 之方法，並無特別之限定’例如可列舉：於模具模框中預 先注入本發明之光半導體元件用密封劑，於其中浸潰固定 有發光元件之引線框等之後，再使其硬化的方法；於插= 有發光元件之模框中注入本發明之光半導體元件用密封劑 再使其硬化之方法等。 作為注入本發明之光半導體元件用密封劑的方法，例 如可列舉利用分注||注人、轉印成形、射出成形等。此外， 作為其他密封方法，可列舉：將本發明之光半導體元件用 密封劑滴加至發光元件上’利用孔版印刷、絲網印刷、或 者經由遮罩進行塗佈，再使其硬化之方法；藉由分注器等 將本發明之光半導體元件用密封劑注入至於底部配置有發 光元件之杯等中，再使其硬化之方法等。 無論上述任一種方法，本發明之光半導體元件用密封 劑具有上述範圍之黏度，因此可極其穩定地控制密封發光 元件的本發明之光半導體元件用密封劑之形狀。 圖1以及圖2係示意性表示使用本發明之光半導體用 密封劑以及光半導體元件用晶片接合材料而成之光半導體 元件（即本發明之光半導體元件）之一例的截面圖，圖3 係示意性表示使用本發明之光半導體用密封劑以及光半導 體兀件用底層填充材料而成之光半導體元件（即本發明之 光半導體元件）之一例的截面圖。 58 200906886 圖1中所示之光半導體元件，發光元件u經由本發明 之光半導體元件用晶片接合材料1〇設置於放熱板16上， 金線1 3刀別與發光元件1 1、自外殼材料之上面通過側 面延長至底面的2根鉛電極14電氣性連接。並且，發光 兀件11、本發明之光半導體元件用晶片接合材料10以及 金線13 ’係以本發明之光半導體元件用密封劑I]所密封。 圖2表示本發明之光半導體元件用晶片接合材料含有 含選自上述金、銀以及銅所構成之群的至少一種之粒子而 具有較高之導電性之情形的光半導體元件。 圖2中所示的光半導體元件，發光元件21經由本發明 之光半導體元件用晶片接合材料2〇而設置，自外殼材料25 之上面通過側面而延長至底面之2根鉛電極24中，其中 一個鉛電極24之末端形成於本發明之光半導體元件用晶 片接合材料20與外殼材料25之間，經由本發明之光半導 體π件用晶片接合材料20與發光元件21電氣性連接，另 一個鉛電極24，以金線23與發光元件21電氣性連接。並 且，發光元件21、本發明之光半導體元件用晶片接合材料 2〇以及金線23，係以本發明之光半導體元件用密封劑22 所密封。 圖3中所示之光半導體元件，發光元件31經由凸塊33 而设置，於發光元件31與外殼材料35之間形成有本發明 之光半導體元件用底層填充材料3〇。自外殼材料35之上 面通過侧面延長至底面之2根鉛電極34，各自的末端分別 形成於凸塊33與外殼材料35之間而與發光元件31電氣 59 200906886 性連接。並且，發光元件 充材料3。，係以本發明之光二及體=體…底層填 先+ ‘體兀件用费封劑3 2所密 、。圖3中所示之本發明之光半導體元件中 :用底層填充材料3。，亦可於以凸塊33連接發先= :錯電極34之後’於發光元件31之下方形成之空間自橫 向空隙填充而形成。 —本發明之光半導體元件，具體而言，例如可列舉發光 極體+ ‘體雷射、光耦合器等。如此之本發明之光半 導體元件，例如可適用於液晶顯示器等之背光源，昭明、 各種感測器、印表機、％印機等之光源，車輛用計測器光 源:。信號燈、顯示燈、顯示裝置、面狀發光體之光源，顯 不益、裝飾、各種燈、開關元件等中。 一 一藉由本發明，可提供一種透明性、耐熱性、耐光性、 :合性優異，τ穩定地控制密封光半導體元件之發光元件 時密封劑之形狀，並且可防止螢光體沈降之光半導體用密 封劑。又，亦可提供一種使用該光半導體用密封劑而成之 光半導體元件。 【實施方式】 以下，揭示實施例對本發明加以更詳細之說明，但本 發明並不僅限定於其等實施例。 (合成例1 ) 於2000 mL之附有溫度計、滴加裝置之可分離式燒瓶 中，放入二甲基二甲氧基矽烷（750 g) 、3-縮水甘油氧基 丙基（甲基）二甲氧基碎貌（150 g)，於50 °C下攪拌。於其 60 200906886 中缓緩滴加氫氧化鉀（Ι·9 g) /水（25〇 g)，於滴加結束 後於贼下攪拌6小時。於其中放入乙酸（2 i g)，於減 壓下除去揮發成分，過遽、乙酸鉀獲得聚合物。將所得之聚 合物使用己烧/水進行$青洗，於減壓下除去揮發成分，獲得 聚合物A。聚合物A之分子量係Mn= u〇〇〇、Mw=25^〇， 由 Mi-NMR 可知其係（Me2Si〇2/2)〇9〇(GEpMeSi〇2,u_ 縮水甘油氧基丙基含量（GEp)為14莫耳。/。，環氧當量為 760 g/eq. ° 再者，分子量係於聚合物A ( 10 mg)中放入四氫呋喃 (1 mL )授拌至溶解，使用Waters公司製造之測定裝置（管 柱使用2根日0和電工公司製造之sh〇(jex gpc LF — 804 (長 300 mm)測疋7皿度為40°C，流速為1 mL/min，溶劑使 用四氫呋喃’標準物質使用聚苯乙烯），藉由GPC測定而 測定之值。又，環氧當量係以JIS K-7230為基準求出。 (合成例2) 於2000 mL之附有溫度計、滴加裝置之可分離式燒瓶 中’放入一曱基二甲氧基矽烷（44〇 g) 、2-(3,4-環氧基環 己基）乙基二甲氧基矽烷（160 g)，於50。(：下攪拌。於其 中缓缓滴加氫氧化鉀（丨.2 g ) /水（丨7〇 g )，於滴加結束 後於5〇 C下挽拌6小時。於其中放入乙酸（1 _3 g )，於減 壓下除去揮發成分，過濾乙酸鉀獲得聚合物。將所得之聚 合物使用己院/水進行清洗，於減壓下除去揮發成分，獲得 聚合物B。聚合物B之分子量係Mn= 23〇〇、Mw= 48〇〇， 由 29〜-NMR 可知其係（Me2SiO2/2)0.84(EpSiO3/2)0.16, 2-(3,4- 61 200906886 環氧基環己基）乙基含量 0里、tp)為22莫耳％，裱氧當量為55〇 g/eq. ° 再者，聚合物B之分子量以及環氧當量以與合成例ι 相同之方式求出。 (合成例3) 於2000 mL之附有溫度計、滴加裝置之可分離式燒瓶 中’放入二曱基二曱氧基矽烷（35〇g)、三曱氧基曱基矽 烷（125 g) 、2_(3,4_環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷 (125g)，於5(rc下攪拌。於其中緩緩滴加氳氧化鉀（ι』 g) /水（190 g)，於滴加結束後於5(Γ(：下攪拌6小時。於 其中放入乙酸（1.3 g)，於減壓下除去揮發成分，過渡乙 酸鉀獲得聚合物。將所得之聚合物使用己烷/水進行清洗， 於減壓下除去揮發成分，獲得聚合物 直係 Mn= 2900、Mw= 4600，由 C。聚合物c之分子 29Si_NMR可知其係 (Me2Si02/2)〇65(MeSi〇3/2)〇22(EpSi〇3/2)〇i3，2_(3,4_環氧基環 己基）乙基含# (Ep)為19莫耳％，環氧當量為66〇‘， 再者，聚合物c之分子量以及環氧當量以與合成例i 相同之方式求出。 (合成例4) 於2000 mL之附有溫度計、滴加震置之可分離式燒瓶 中，放入二甲基二甲氧基矽烷（ 230 g)、環己基（甲基）二 甲氧基矽烷（110 g) 、2-(3,4-環氧基環己基）乙基三 基石夕烧（11〇g) ’於航下搜拌。於其中緩緩滴加氫氧 化钟水（mg)，於滴加結束後於抓下搜摔 62 200906886 6小日ττ。於其中放入乙酸（〇7 g)，於減壓下除去揮發成 为’過遽乙酸鉀獲得聚合物。將所得之聚合物使用己炫/水 進行清洗，於減壓下除去揮發成分，獲得聚合物D ^聚合 物 D 之分子量係 Mn= 2〇〇〇、Mw== 46〇〇，由 29Si NMR 可 知其係咖281〇2/2)。65(^^(：脱〇2/2)。2。(邱以〇3,2){)15((：11表 不％己基）’ 2-(3,4-環氧基環己基）乙基含量（Ep)為19 莫耳％ ’環氧當量為690 g/eq.。 再者，聚合物D之分子量以及環氧當量以與合成例！ 相同之方式求出。 (合成例5) 於2000 mL之附有溫度計、滴加裝置之可分離式燒瓶 中，放入二甲基二甲氧基矽烷（4〇〇g)、三甲氧基甲基矽 院（5〇g)、四甲氧基㈣（5〇g)、3_縮水甘油氧基丙基 三=基石夕烧（100 g)，於5(rc下搜掉。於其中緩緩滴 力氫氧化鉀（1.3 g) /水（180 g)，於滴加結束後於⑽ 下搜拌6小時。於其中放入乙酸（1.4g)，於減壓下除去 揮發成分，㈣乙酸料得聚合物。將所得之聚合物使用 己垸/水進行清洗，於減壓下除去揮發成分，獲得聚合物E。 聚合物E之分子量係Mn= 、勤，由”㈣嫩 J ^ ^ # (Me2Si〇-)〇-(MeSi〇3/2)0,9(GEpSi〇3/2)〇 i〇(Si〇4/2)〇 〇g , 3_ …油氧基丙基含量（GEp)為14莫耳％，環氧當量為 760 g/eq·。 氣當量以與合成例 再者，聚合物E之分子量以及環 相同之方式求出。 63 200906886 (合成例6) 於2000 mL之附有溫度計、滴加裝置之可分離式燒瓶 中，放入二甲基二甲氧基矽烷（365 g) 、2-(3,4-環氧基環 己基）乙基三甲氧基矽烷（165 g)、三甲基曱氧基矽烷（7〇 g )，於50°C下攪拌。於其中緩缓滴加氫氧化鉀（丨_2 g) / 水（160 g)，於滴加結束後於5(TC下攪拌6小時。於其 中放入乙酸（1.3 g)，於減壓下除去揮發成分，過濾乙酸 鉀獲得聚合物。將所得之聚合物使用己烧/水進行清洗，於 減壓下除去揮發成分，獲得聚合物F。聚合物ρ之分子量 係 Μη = 2000、Mw = 3500 ’ 由 29Si-NMR 可知其係 (MeJiOmVdMeJiOwVWEpSiOwV”，2-(3,4-環氧基 環己基）乙基含量（Ep)為23莫耳％，環氧當量為560 g/eq.。 再者’聚合物F之分子量以及環氧當量以與合成例1 相同之方式求出。 (實施例1 ) 放入聚合物 A ( 100 g) 、Rikacid MH-700G (酸奸、 新曰本理化公司製造、20 g ) 、U-CAT SA 1 02 (硬化促進 劑、San-Apro 公司製造、0.5 g) 、Sandostab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariant 公司製造、0.1 g) 、AEROSIL R8200 (氧 化石夕微粒子[已進行三曱基矽烷基處理、比表面積為14〇 m2/g]、曰本Aerosil公司製造、30 g)加以混合後，進行 消泡，獲得密封劑。 (實施例2) 放入聚合物 B ( 1〇〇 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 64 200906886 新日本理化公司锄袢、？ ς 、 J 表& 25 g) 、U-CAT SA 102 (硬化促進 劑、San-Apro 公司製造、〇 5 §) 、Sand〇stab p_EpQ (抗 氧化Clariant 公司製造、〇a g)、AER〇siL R82〇〇 (氧 2夕微粒子[已進行二曱基矽烷基處理 '比表面積為“ο 、日本A_sil公司製造、20 g)加以混合後，進行 消泡’獲得密封劑。 (實施例3 ) 放入聚合物 B ( 1〇〇 g) 、Rikacid MH 7〇〇G (酸酐、 新日本理化公司製造、25 g)、U-CAT sA ι〇2 (硬化促進 劑、San-Apro 公司製造、〇 5 g) p_EpQ (抗 氧化劑、Cladant公司製造、〇」g) 、AER〇SIL 2〇〇 (氧 化矽微粒子[未進行表面處理、比表面積為2〇〇 m2/g]、曰 本Aerosil公司製造、2〇g)加以混合後，進行消泡，獲得 密封劑。 (實施例4 ) 放入聚合物 B ( 1〇〇 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新日本理化公司製造、25 g) 、u_Cat SA 102 (硬化促進 劑、San-Apro 公司製造、〇.5 g )、Sand〇stab p_EPq (抗 氧化劑、Clariant公司製造、〇」g ) 、AEROSIL RY200 (氧 化石夕微粒子[已進行聚二曱基矽氧烷處理、比表面積為12〇 m2/g]、日本Aerosil公司製造、1() g)加以混合後’進行 消泡，獲得密封劑。 (實施例5 ) 放入聚合物 B ( 100 g) 、Rikacid MH-700G (酸針、 65 200906886 新曰本理化公司製造、25 g) 、1，5_二氮雜雙環μ,3,〇]壬稀 -5之四苯基硼酸鹽（DBN-K、硬化促進劑、北興化學公司 製造、0.5 g) 、Sandostab P-EPQ (抗氡化劑、CUriant 公 司‘造、0.1 g ) 、AEROSIL R8200 (氧化石夕微粒子[已進行 三甲基矽烷基處理、比表面積為140 mVg]、日本Aerosil 公司製造、2 0 g )加以混合後，進行消泡，獲得密封劑。 (實施例6) 放入聚合物 B ( 100 g ) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新曰本理化公司製造、25 g)、四正丁基銨正丁基三苯基 硼酸鹽（P3B、硬化促進劑、昭和電工公司製造、〇 5 g )、

Sandostab P-EPQ (抗氧化劑、ciariant 公司製造、〇· 1 g )、 AEROSIL R8200 (氧化矽微粒子[已進行三曱基矽烷基處 理、比表面積為140 m2/g]、日本Aerosil公司製造、20 g) 加以混合後，進行消泡，獲得密封劑。 (實施例7) 放入聚合物A ( 20 g)、聚合物B ( 8〇 g) 、Rikacid MH-7〇〇G(酸酐、新日本理化公司製造、20 g)、u_CAT SA 102 (硬化促進劑、San-Apro 公司製造、〇·5 g)、Sand〇stab P EPQ 〇几氧化劑、Clariant 公司製造、〇·ΐ g)、AER0SIL R82〇〇 (氧化矽微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面 積為140 m2/g]、曰本Aer〇sil公司製造、20 g)加以混合 後，進行消泡，獲得密封劑。 (實施例8 ) 放入聚合物A (4〇 g)、聚合物B (60 g) 、Rikacid 66 200906886 MH'7〇〇G (酸針、新日本理化公司製造、20g)、U-CATSA 102 (硬化促進劑、San_Apr〇公司製造、〇 5 g)、hnd〇stab EPQ (抗氧化劑、Clariant 公司製造、0.1 g )、AEROSIL R8200 (氧化硬微粒子[已進行三甲基石夕烧基處理、比表面 積為140 m2/g]、日本Aerosi丨公司製造、25 g)加以混合 後，進行消泡，獲得密封劑。 (實施例9 ) · 放入聚。物 A ( 20 g)、聚合物 B ( 80 g) 、Rikacid

MH_7〇〇G (酸軒、新日本理化公司製造、20 g)、U-CAT SA 10 2 (硬化促進密丨 λ 、. m San_APro 公司製造、0.5 g )、Sandostab Q (抗氧化劑、Clanant公司製造、〇 1 g )、AEr〇sil RY200 (氧切微粒子[已進行聚二甲基⑦氧烧基處理、比 表面積為12〇 ] g]日本Aerosil公司製造、7 g)加以混 合後’進行消泡，獲得密封劑。 (實施例1 〇 ) 放入聚合物\ _ A ( 2〇 g)、聚合物 C ( 80 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、虹丄_

新日本理化公司製造、20 g )、U-CAT SA 102 (硬化促進劑 齊 San_APro 公司製造、0.5 g )、Sandostab P-EPQ (抗氧化逾

齊、Clariant 公司製造、0.1 g) 、AEROSIL R8200 (氧化石夕機物工「口、备/ 士乐 微粒子[已進行三曱基矽烷基處理、比表面 積為 140 m2/ 1、 ^ 日本Aerosll公司製造、20 g)加以混合 後’進行消泡’獲得密封劑。 (實施例1 1) 、Rikacid 放入聚合物A、 切 a ( 20 g)、聚合物 D ( 80 g) 67 200906886 MH_7〇〇G (酸酐、新日本理化公司製造、20 g )、U-CAT SA 102 (硬化促進劑、San-Apro 公司製造、0.5 g)、Sandostab P_EPQ (心氧化劑、Clariant 公司製造、0.1 g) 、AEROSIL R8200 (氧化石夕微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面 積為140 m /g]、日本Aerosil公司製造、20 g)加以混合 後，進行消泡，獲得密封劑。 (實施例1 2 ) 放入 1 合物 E ( 100 g) 、Rikacid MH-700G (酸 gf、 新曰本理化公司製造、20 g) 、U-CAT SA 102 (硬化促進 J an Apro 公司製造、〇·5 g) 、sand〇stab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariant 公司製造、〇·ι g)、AEROSIL R8200 (氧 化2石夕微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為140 S]日本Aerosil公司製造、15 g)加以混合後，進行 ’肖/包’獲得密封劑。 (實施例13 )

放入聚合物 A( 20 g )、聚合物 e( 80 g )、Rikacid MH-700G (酉久酐、新日本理化公司製造、2〇 g)、U-CAT SA 1〇2 (硬 化促進劑、San-APro 公司製造、0.5 g ) 、Sandostab P-EPQ (抗氧化劑、Clariant 公司製造、〇·1 g) 、AEROSIL R8200 (氧化矽微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為 坩/g]、日本Aer〇sil公司製造、1 5 g )加以混合後，進 行消泡，獲得密封劑。 (貫施例14 ) 放入聚合物 F ( 1〇〇 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 68 200906886 '日本理化公司製造、25 g) 、ϋ-CAT SA 102 (硬化促進 片J San-APro 公司製造、0.5 g) 、Sandostab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariant 公司製造、〇! g )、aer〇SIL R82〇0 (氧 化矽微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為i4〇 m /g]、日本Aerosil公司製造、25 g)加以混合後，進行 消泡’獲得密封劑。 (實施例1 5 )

放入聚合物 A( 20 g)、聚合物 F( 80 g)、Rikacid MH-700G (酸野、新曰本理化公司製造、20g)、u_catsa 102 (硬 化促進劑、San-Apro 公司製造、〇·5 g ) 、sandostab P-EPQ (抗氧化劑、Clariant 公司製造、〇·ι g) 、AEROSIL R8200 (氧化矽微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為 14〇 m2/g]、日本Aer〇sil公司製造、25 g)加以混合後，進 行消泡，獲得密封劑。 (比較例1 ) 放入聚合物 A(l〇〇 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新日本理化公司製造、20 g) 、U-CAT SA 102 (硬化促進 劑、San-Apro 公司製造、0.5 g) 、sand〇stab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariani公司製造、〇· 1 g )加以混合後，進行消 泡’獲得密封劑。 (比較例2) 放入聚合物A(20g)、聚合物B(80g) 、Rikacid

MH-700G (酸酐、新日本理化公司製造' 2〇 g )、u-CAT SA 102 (硬化促進劑、San_Apr〇 公司製造 ' 〇·5 g )、Sand〇stab 69 200906886 Ρ-EPQ(抗氧化劑、Clariant公司製造、0.1 g)加以混合後， 進行消泡，獲得密封劑。 (比較例3 ) 放入聚合物 A ( 1〇〇 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新曰本理化公司製造、2〇 g) 、u-C AT SA 102 (硬化促進 劑、San-Apro 公司製造、〇·5 g) 、sand〇stab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariant 公司製造、〇· i g )、AEROSIL R8200 (氧 化矽微粒子[已進行三曱基矽烷基處理、比表面積為u〇 m2/g]、日本Aerosil公司製造、1〇 g)加以混合後，進行 消泡，獲得密封劑。 (比較例4) 放入聚合物 E ( 100 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新日本理化公司製造、2〇 g) 、SA 1〇2 (硬化促進 劑、San-Apr〇 公司製造、〇_5 g) 、Sandostab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariant公司製造、〇】g )、AEROSIL RX2〇〇 (氧

化矽微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為MO m2/g]、曰本Aer〇sU公司製造、2S g)加以混合後，進行 消泡，獲得密封劑。 (比較例5 ) 放入聚 〇 物 B ( 100 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新日本理化公司贺坤 ^ 取 ^、25 g)、U-CAT SA 102 (硬化促進 齊J η ΑρΓ〇 公司製造、〇.5 g) 、Sandostab P-EPQ (抗 氧化劑Clariant公司製造、〇」g )、aer〇sil ry細（氧 化矽被拉子[已進行聚二曱基矽氧烷處理、比表面積為 70 200906886 m /g]、日本 Aer〇sil 公司製造、i〇 g) 、AEROSIL R8200 (氧化石夕微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為 140 m2/g] '日本Aerosil公司製造、1〇 g)加以混合後，進 行消泡，獲得密封劑。 (比較例6) 放入聚合物 E ( 100 g) 、Rikacid MH-700G (酸酐、 新日本理化公司製造、20 g) 、U-CAT SA 102 (硬化促進 1 an Apr〇 公司製造、0.5 g) 、Sandostab P-EPQ (抗 氧化劑、Clariant 公司製造、〇. i g )、AER〇SIL R82〇〇 (氧 化2矽微粒子[已進行三甲基矽烷基處理、比表面積為i4〇 m /g]日本Aer〇sil公司製造、3 g)加以混合後，進行消 泡’獲得密封劑。 (比較例7) 放入攻合物 B ( 1〇〇 g) 、Rikacid Μη·7〇〇(}(酸酐、 新曰本理化公司製造、太/ ^ g) 二故己基膦（硬化促進劑、 0.5 g )、Sandostab P_EPQ (抗氧化劑、ciaHant 公司製造、 g )、AEROSIL R8200 (氧化石夕微粒子[已進行三甲基石夕 烧基處理、比表面積為M〇汐 1:1本Aerosil公司製造、 W g)加以混合後，進行消泡，獲得密封劑。 (評價） —貫施例以及比較例中製作之密封劑以及其硬化物進 :丁以下之評價。硬化物係將實施例以及比較例中製作之密 封劑填充至模型中，以赋χ3 *時、崎以小時進— 硬化’製成厚lmm之硬化物。將結果表示於表Μ。仃 71 200906886 (1 ) 2 51：下之黏度之測定 關於實施例以及比較例中所得之密封劑，使用E型毒占 度計（東機產業公司製造、TV — 22型），測定25。〇之严 度下測得之5 rpm黏度（mpa · s )。 (2 ) 25°C下之觸變値之測定 關於實施例以及比較例中所得之密封劑，使用E型黏 度計（東機產業公司製造、TV — 22型），測定25。(：之溫 度下測得之1 rpm黏度與1 〇 rpm黏度，藉由1 rpm黏度值 除以10 rpm黏度值（1 rpm黏度/10 rpm黏度）算出觸變 值。 (3 )升溫時之最低黏度之測定 關於實施例以及比較例中所得之密封劑，使用平行板 型流變儀（Reologica公司製造、DAR-2000 )，測定自25 °C至密封劑之硬化溫度的溫度範圍中之1 s-i之最低黏度 (mPa's)。升溫速度係自25〇c至硬化溫度之間以2〇它/分 知使溫度上升’其後由硬化溫度所引起之顯著黏度上升為 止進行測定。 (4 )螢光體之沈降性 於實施例、比較例中所得之密封劑1〇〇重量份中，放 入YAG/Ce螢光體粉末（γ3Αΐ5〇ΐ2: Ce、平均粒徑為2」# m、瑕大粒徑35 // m、比重4.7 ) 4重量份，進行攪拌、 消泡。將該放入有螢光體之密封劑投入至透明之玻璃溶液 中，以100 C X3小時、130°c χ3小時進行硬化。於硬化後， 目視觀察硬化物中之螢光體。將螢光體並不沈降之情形評 72 200906886 知為〇」將勞光體僅有稍許沈降之情形評價為「、 將螢光體有沈降之情形評價為「△」、將登光體有 降之情形評價為「x」。 (5 )密封劑之塗出量 於附有錯電極夕&如_ I r Ϊ ί / 电極之外喊材料（ΡΡΑ)上藉由晶片 料封裝有主發光波峰為46一發光元件，且於以全： 電風性連接發光元件與錯電極之光半導體元件 例以及比較例中製作夕金私如 + 貝她 全填充外殼材料的方式進使用分注器以使密封劑完 量。對樣品數、ί 用顯微鏡觀察其塗出 7 進行觀察，將密封劑之塗出量盈偏差之 情形評價為「◎,、脸〜& …褐差之 形評價為「〇 將㈣狀㈣量僅有料偏差之情 為「△、將〜」、將密封劑之塗出4存在偏差之情形評價 ‘：」：4十劑之塗出量有顯著偏差之情形評價為「 (6)密封劑形狀 月办ΗΜ貝為X」。 於附有錯電極之外鉍 料封裝有主發光波峰双’上藉由晶片接合材 氣性連接發光元件魚 ⑽之發光元件，且以金線電 以及比較例中St電極之光半導體元件上，將實施例 填充外殼材料的方在封劑’使用分庄器以使密封劑完全 量。將形狀幾乎c，再用顯微鏡觀察其塗出 稍許偏差之情形形評價為「〇」、將形狀存在 評價為「X」。 」將形狀有較多偏差之情形 (7 )顏色不均 於附有錯電極 之外殼材料（PPA)上藉由晶片接合材 73 200906886 料封襄有主發光波聲為46〇 nm之發光元件，且以金線電 氣性=接發光元件與鉛電極時，將實施例以及比較例中製 作之密封劑，I用分注器以使密封劑完全填充外殼材料的 方式進行填充，再選擇沒有填充不均之光半導體元件的樣 ^以HHTCX3小時、130tx3小時進行硬化。使1〇個該 七先兀件同時以20 mA發光’通過乳白色之基板，目視觀 察所得之光半導體元件（封裝體）。將於光半導體元件間 無顏色不均之情形_「◎」、將光半導體元件間僅有 稍δ午顏色不均之情形評彳曾為r凸 ..,.^ 月〜f價馮◦」、將光半導體元件間存 3色不均之情料價A「△」、將光半導體元件間有顯 者顏色不均之情形評價為Γ χ」。 (8 )初始透光度 使用厚1 mm之硬化物，使用日立製作所公司製造之 U-4000測定4〇〇 nm之透光度。 (9 )耐光性試驗後之透光度 於高壓水銀燈上安裝截止340 nm以下之光的據光片， 對厚1 mm的硬化物以100 mW/cm2照射24小時，使用曰 立製作所公司製造之「U_4000」進行測定4〇〇 nm之透光 度。將自初始狀態透光度之降低率未％ 5%之情形評價為 ◎」、將未滿10%之情形評價為「〇」、將1〇%〜未滿 4〇%之情形評價為「△」、_儀以上之情形評價為％。 (1 0 )耐熱性試驗後之透光度 將厚imm之硬化物於15〇t之供|g中放置5〇〇小時以 及小時，使用日立製作所公司製造之％侧」測 74 200906886 定400 nm之透光度。將自初始狀態透光度之降低率未滿5% 之情形評價為「◎」、將未滿10%之情形評價為「〇」、 將10%〜未滿40%之情形評價為「△」、將40%以上之情 形評價為「X」。 75 200906886 1實施例 2500 Ο) ψ I 280 ◎ ◎ 〇 ◎ 寸 3500 OS 380 ◎ ◎ 〇 ◎ m ί—Η 5000 Ο； Η 350 ◎ ◎ 〇 ◎ CN 8500 500 ◎ 〇 〇 ◎ Η 2500 00 Ο m τ-Η 〇 ◎ 〇 〇 Ο 2500 卜 300 ◎ ◎ 〇 ◎ 〇\ 1200 Η (Ν 200 ◎ ◎ 〇 ◎ 00 800 Ο) 〇 ◎ 〇 〇 卜 1500 卜 220 ◎ ◎ 〇 ◎ 3000 00 1 i 300 ◎ ◎ 〇 ◎ ^Τ) 3000 00 τ—Η 300 ◎ ◎ 〇 ◎ 寸 4000 <Τί (Ν 370 ◎ ◎ 〇 ◎ m 2000 寸. 〇 ◎ 〇 〇 <Ν 3000 00 1—^ 360 ◎ ◎ 〇 ◎ 1500 (Ν (Ν 〇 ◎ 〇 〇 25°C下之黏度（mPa‘s) 25°C下之觸變値 1升溫時之最低黏度 螢光體之沈降性 密封劑之塗出量 密封劑形狀 顏色不均 比較例 卜 1000 ΓΟ § X ◎ 〇 X 'Ο 2000 τ—Η Η 180 <] ◎ 〇 < 7000 00 (Ν 350 ◎ <] X ◎ 寸 15000 (Ν (Ν 700 ◎ X X ◎ (Τ) 400 cn —_Η < ◎ 〇 < CN 600 1.05 § X ◎ 〇 X 200 τ-Η Ο X ◎ 〇 X 25°C下之黏度（mPa-s) 25°C下之觸變値 升溫時之最低黏度 螢光體之沈降性 密封劑之塗出量 密封劑形狀 顏色不均 m 4 200906886 [表3] 實施例 T -------- 初始透射率（〇/0) 2 90 5 90 _6_____- 90 耐光性試驗 ◎ J — yyj 一 ◎ 耐熱性試驗（500 h) ◎ ◎ ^ — ◎ 耐熱性試驗（2000 h) 〇 ◎ w -— .產11上孓可利用性 藉由本發明，可提供一種透明性、耐熱性、耐光性、 密合性優異，可穩定地控制密封光半導體元件之發光元件 時密封劑之形狀，並且可防止螢光體沈降之光半導體用密 封劑。又，亦可提供一種使用該光半導體用密封劑而成之 光半導體元件。 【圖式簡單說明】 圖1係示意性表示使用本發明之光半導體用密封劑以 及光半導體元件用晶片接合材料而成之光半導體元件之一 例的截面圖。 圖2係示意性表示使用本發明之光半導體用密封劑以 及光半導體元件用晶片接合材料而成之光半導體元件之一 例的截面圖。 圖3係示意性表示使用本發明之光半導體用密封劑以 及光半導體元件用底層填充材料而成之光半導體元件之— 例的截面圖。 【主要元件符號說明】 77 200906886 10 ' 20 光半導體元件用晶片接合材料 11 、 21 、 31 發光元件 12 、 22 、 32 光半導體用密封劑 13、23 金線 14 、 24 、 34 鉛電極 15 、 25 、 35 外殼材料 16 放熱板 30 光半導體用底層填充材料 33 凸塊 78

Claims (1)

1. 200906886 十、申請專利範園： 種光半導體元件用密封劑，其特徵在於：含有於 =子内具有含環狀醚之基團_氧樹月旨、與該含環狀_之 團反應之熱硬化劑、氧化矽微粒子， ㈣E型黏度計於25t之溫度下測得之5轉黏度為 〜1萬mPa.s，使用E型黏度計於⑽之溫度下測得之 μ Pm黏度除以1〇 rpm黏度（i啊黏度啊黏度）而 算出之觸變值為丨2〜2 5 ’且使用平行板型流變儀於抓 至硬化溫度之溫度區域内測得之！〆的最低黏度為⑽ mPa · s以上。 1 2.如申請專利範圍帛i項之光半導體元件用密封劑， 其中於分子内具有含環狀醚之基團的矽氧樹脂，含有平均 組成式為下述通式⑴所表示之樹赌成分，且該含環狀 醚之基團的含量為〇1〜5〇莫耳％， (R1R2R3 邮1々)“R4REs 丨02々)b(R6S 丨 〇3,2)。(邮4 於通式（1)中，a、b、c以及d分別滿足a/(a+b + )〇 〜〇.2、b/(a+b+c+d) = 0.3 〜l.〇、c/(a+b + c+d) =〇 〜〇.5、d/(a+b+c+d) =〇 〜〇3 r1〜r6* 的至少一個表示含環狀醚之基團，含環狀醚之基團以外之 R R表示直鏈狀或者支鏈狀之碳數為1〜8之烴類或者 其氟化物，其等可為相同或相異。 3.如申請專利範圍第1項或第2項之光半導體元件用 79 200906886 密封劑4中熱硬化劑係酸酐化合物。 月專利範圍第1〜3項中任一項之光半導體元件 用密封劑：其中氧化矽微粒子之表面經具有三甲基矽烷基 之有機矽系化合物或者具有聚二甲基矽氧烷基之有機矽系 化合物進行過表面處理。 5·如申請專利範圍第1〜4項中任-項之光半導體元件 用密封劑，其中氧切微粒子之耐比表面積為3〇〜4〇〇 m2/g。 6. 如申晴專利範圍第項中任—項之光半導體元件 用密封劑，其中進一步含有螢光體。 7. 如申請專利範圍第丨〜6項中任一項之光半導體元件 用密封劑，其中進一步含有具有下述通式（14)所表示之 結構的硬化促進劑， X+CBR44R«R46R47]- (14) 於通式（14)中，R44〜r〇表示氟基、亦可經取代之 烷基、亦可經取代之烯基、亦可經取代之芳烷基、亦可經 取代之芳香基、亦可經取代之脂環基，其等可為相同或相 異；又，X+表示具有N、S或p作為中心元素之陽離子。 8. 如申請專利範圍第7項之光半導體元件用密封劑， 其中具有通式（丨4 )所表示之結構的硬化促進劑，其通式 (14)中之X+具有下述通式（15)所表示之結構， 80 200906886 Y+CR^n (15) 於通式（15)中’γ+表示N、s或者p，n係3或者4, 複數個R48表示亦可經取代之烷基、亦可經取代之烯基、 亦可經取代之芳烧基、亦可經取代之芳香基、亦可經取代 之雜環基、亦可經取代之脂環基、亦可經取代之石夕院基， 其等可為相同或相異。 土 9.如中請專利範圍第7項之光半導體^件用密封劑， 通式…)所表示之結構的硬化促進劑，其通式 ^之R〜R4中，三個係亦可經取代之芳香基，一 個係亦可經取代之烷基。 土 1 〇·—種光半導體元件，其牲料—# · 圍第〗0 其特徵在於：使用申請專利範 圍第1〜9項中任一項之光半導 亍等體7L件用密封劑而構成。 十一、圖式： 如次頁 81