TW200904848A

TW200904848A - Fluorine-containing polycyclic aromatic compound, fluorine-containing polymer, organic thin film and organic thin film element

Info

Publication number: TW200904848A
Application number: TW097108091A
Authority: TW
Inventors: Yutaka Ie; Yoshio Aso; Masashi Nitani; Masato Ueda
Original assignee: Sumitomo Chemical Co
Priority date: 2007-03-09
Filing date: 2008-03-07
Publication date: 2009-02-01
Also published as: CN101631755A; JP2008255097A; EP2133321A1; EP2133321A4; KR20090118111A; WO2008111461A1; US20100171102A1

Description

200904848 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於含氟之多環芳香族化合物、含氟之聚合物、有機薄膜及有機薄膜元件。【先前技術】含有具有電子輸送性或電洞輸送性之有機材料之薄膜雖期待應用於有機薄膜電晶體、有機太陽能電池、光感測器等有機薄膜元件，但相較於有機P型半導體（顯示電洞輸送性），有機η型半導體（顯示電子輸送性）較難以獲得，故對有機η型半導体之開發進行各種檢討。導入氟烷基之π共軛化合物由於電子受容性增加，而爲預見可展現有機η型半導體等之電子輸送性材料之化合物。由該觀點觀之，近年來對於噻吩環中導入氟烷基之化合物進行積極探討（專利文獻1〜4)。一方面，爲了提高分子構造之平面性，而對具有經交聯構造之聚噻吩或梯型之芴進行各種探討（非專利文獻1、 2及專利文獻5)。又，已對平面性高的五并苯經氟化之四氟五并苯等作爲有機η型半導體方面進行探討（專利文獻6)。 . 專利文獻1 :美國專利申請公開號第2 0 0 4 /1 8 6 2 6 6號說明書專利文獻2 :美國專利申請公開號第2004/1 83 068號說明書 -6- 200904848 專利文獻3 :國際公開第2003 /0 1 0778號短册專利文獻4 :歐洲專利申請公開號第1 2 7 9 6 8 9號說明書專利文獻5 :日本特開2004-339516號公報專利文獻6:日本特開2005-235923號公報非專利文獻 1 : Paolo Coppo 等人，J.Mat.Commun. 2002 ,12(9),2597 非專利文獻 2: Jacob, Josemon 等人 ’ J.American Chem.Soc.2004,126(22),6987 【發明內容】 [本發明欲解決之問題] 然而，上述公知之材料，作爲有機η型半導體之性能尙難謂爲充分，而要求有電子輸送性進一步提高之有機η 型半導體。因此，本發明之目的在於提供一種電子輸送性優異而可作爲有機η型半導體加以利用之新穎化合物及新穎聚合物。本發明又一目的係提供一種含有該新穎化合物及/或新穎聚合物之有機薄膜，以及具有該有機薄膜之有機薄膜元件。 [用以解決問題之手段] 爲達到上述目的，本發明提供一種以下列通式（I)表示之含氟多環芳香族化合物。 200904848 [化1]

式（I)中，Ar1及Ar2各獨立，表示碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基，r1、R2、R3及R4各獨立，表示氫原子、鹵素原子或i價基，R5及R6各獨立，表示氫原子或亦可經取代基取代之1價有機基（其中該1價有機基係選自烷基、烷氧基、醯基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳基烷氧基及雜環基，而該1價有機基中，包含取代基之全部氫原子之至少一者亦可經氟原子取代）’ Si及t!各獨立表示2以上之整數，惟，R5及R6中至少一者爲包含取代基之全部氫原子之至少一個經氟原子取代之上述1價有機基，又，複數存在之R5可相同亦可不同，複數存在之R6 可相同亦可不同。再者，Ar1爲碳數6以上之芳香族烴基時，式（I)中包圍「Ar1」記號所成之環其全體係形成碳數6以上之芳香族烴基（於Ar2亦同），若Ar1爲碳數4以上之雜環基，則式（1)中包圍「Ar1」記號所成之環其全體係形成碳數4以上之雜環基（於Ar2亦同）。又，s 1及11之値可依據下列般加以考量。於A r1爲碳數6以上之芳香族烴基之情況下，假定s】爲0時則計算與該基中碳原子鍵結之氫原子總數。若該値爲N 1 a n，則成爲 -8- 200904848 S ! =N 1 a !,(於Ar 1爲碳數4以上之雜環基之情況下亦相同）° 又，當Ar2爲碳數6以上之芳香族烴之情況下，假設爲0 時則計算與該基中之碳原子鍵結之氫原子總數。若該値爲 1^13||，則成爲11=\1131|(人1'2於碳數4以上之雜環基之情況下亦相同）。因此，Si及4値可依據與碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基之碳原子鍵結之氫原子數一槪決定。本發明另提供一種含有具有以下列通式（ΙΠ)表示之重複單位之含氟聚合物： [化2]

…（III) 式（III)中，Ar1及Ar2各獨立，表示碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基，R1、R2、R3及R4各獨立，表示氫原子、鹵素原子或1價基，R5及R6各獨立，表示氫原子或亦可經取代基取代之1價有機基（其中該1價有機基係選自烷基、烷氧基 '醯基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳基烷氧基及雜環基，而該1價有機基中，包含取代基之全部氫原子之至少一者亦可經氟原子取代），52及^各獨立表示1以上之整數，又，當32爲2以上時，複數存在之 -9- 200904848 r5可相同亦可不同，t2爲2以上時，複數存在之R6可相同亦可不同° 又，若Ar1爲碳數6以上之芳香族烴基，則式（III)中包圍「Ar1」記號所成之環全體形成碳數6以上之芳香族烴基 (Ar2亦相同）’若爲碳數4以上之雜環基’則式（III)中包圍「Ar1」記號所成環全體形成碳數4以上之雜環基（Ar2 亦相同）。又，52及t2値可如下般加以考量。Ar1爲碳數6以上之芳香族烴基之情況下’假設S 2爲0時計算與該基中之碳原子鍵結之氫原子總數。若該値爲N 2 a 1 1 ’則成爲S 2 =N 2 a ! 1 (Ar 1於碳數爲4以上之雜環基之情況下亦相同）。又’當 Ar2爲碳數6以上之芳香族烴基之情況下，假設t2爲0時計算與該基中之碳原子鍵結之氫原子總數。若該値爲M2a|| ，則成爲t2 = M2an(Ar2於碳數4以上之雜環基之情況下亦相同）。因此，S2及t2之値可由碳數6以上之芳香族烴基或碳原子數4以上之雜環基之碳原子鍵結之氫原子數一槪決定。具備該骨架之含氟多環芳香族化合物及含氟聚合物爲環彼此間之π共軛平面性良好且藉由導入氟原子可呈現出充分低之LUMO，因此可利用作爲電子輸送性優異之有機 η型半導體。又，此等含氟多環芳香族化合物及含氟之聚合物由於化學性安定，於有機溶劑中之溶解性優異，因此可用此等形成薄膜，可製造性能優異之有機薄膜元件。本發明進一步提供一種含有上述含氟多環芳香族化合 -10- 200904848 物及/或含氟聚合物之有機薄膜，以及具備該有機薄膜之有機薄膜元件。如此之有機薄膜及有機薄膜元件因爲含有本發明之含氟多環芳香族化合物或含氟聚合物，因此具有相當低的 LUMO，顯示優異之電子輸送性。 [發明效果] 依據本發明，提供一種可利用作爲電子輸送性優異之有機η型半導體之新穎含氟多環芳香族化合物及新穎含氟聚合物。又，本發明可提供一種含有該含氟多環芳香族化合物或含氟聚合物之有機薄膜，以及具備該有機薄膜之有機薄膜元件。又，由於上述含氟多環芳香族化合物及含氟聚合物之電子輸送性優異，故具備上述有機薄膜之有機薄膜電晶體通常顯示出良好之Id-Vg特性，有機薄膜太陽能電池通常顯示出優異之電壓·電流特性，光感測器通常顯示出良好之光電流與暗電流比。【實施方式】以下，依據情況參照附圖詳細說明本發明之較佳實施形態。有，相同元件賦予相同符號，因此省略重複之說明。又，上下左右之位置關係並沒有特別限制，以圖式中所示之位置關係爲準。又，圖式之尺寸比例並不限於圖式所示之比例。本發明之含氟多環芳香族化合物具有以上述通式（I) -11 - 200904848 表示之構造。上述通式（I)中，Ar1及Ar2各獨立表示碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基’亦可以1或複數個任意取代基取代，R1、R2、r3及R4各獨立表示氫原子、鹵素原子或1價基。R5及R6各獨立表示氫原子或1價有機基，該有機基亦可以1或複數個任意取代基取代，包含取代基之全部氫原子之至少1者亦可經氟原子取代。惟，R 5及R 6之至少一者爲包含取代基之全部氫原子之至少一者經氣原子取代之上述1價有機基。又’該有機基較好爲烷基、院氧基、醯基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳基烷氧基及1 價雜環基。sj 4各獨立爲2以上之整數。又，Ari& Ar2 可相同亦可不同，就製造上之容易性而言，較好Ari及 Ar2爲相同。另外’複數存在之R5可相同亦可不同，複數存在之R6可相同亦可不同。又，以上述通式（I)表示之化合物較好爲以下列通式 (Π)表示之化合物。

上述通式（II)中，R1、R2、R3、R4、R5及R6與上述定義相同’ Z及Z各獨爲以下式（i)〜（ix)表不之基之任— -12- 200904848 者。其中’ R5及R6之至少一者爲包含取代基之全部氫原子之至少一者經氟原子取代之上述1價有機基。又，R7、 R8、R9及R1G各獨立表示氫原子、鹵素原子或1價基，R7 與R8亦可彼此結合形成環。又，以下式（ii)表示之基亦可左右反轉， [化4] •⑼ …间(v) || …{vi} Ο(viii) 、Te〆…（ix} 又，本發明之含氟聚合物具有以上述通式（III)表示之重複單位。亦即，本發明之含氟聚合物具有1個以上之以上述通式（ΠΙ)表示之重複單位（例如以下列所述通式（IV) 表示之重複單位），較好2個以上，亦可具有其他重複單位。含氟聚合物中’當R1、R2、r3及R4以複數個存在時，此等分別可相同亦可不同。又，就製造上之容易性而言’ 複數存在之Ri、R2、R3及R4各較好爲相同。上述通式（III)中，Ar1及 A r2各獨立表示碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基’亦可以1或複數個任意 •Ο.

R R7 'R8…⑴

…（iv) 、s· (νϋ)

Se- -13- 200904848 取代基取代，R1、R2、R3及R4各獨立表示氫原子、鹵素原子或1價基。R5及R6各獨立表示氫原子或1價有機基，該有機基亦可以1或複數個任意取代基取代，包含取代基之全部氫原子之至少1者亦可經氟原子取代。該有機基較好爲烷基、烷氧基、醯基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳基烷氧基及1價雜環基。S2& t2各獨立表示1以上之整數。又’ Ar1及Ar2可相同亦可不同，但就製造上之容易性而言’較好Ar1及Ar2爲相同。又，於52爲2以上之情況下，複數存在之R5可相同亦可不同，於4爲2以上之情況下，複數存在之R6可相同亦可不同。以上述通式（III)表示之重複單位較好爲以下列通式 (IV)表示之重複單位。由於具有該等重複單位，因此可利用作爲電子輸送性特別優異之有機η型半導體。

上述通式（IV)中，R1、R2、R3、R4、R5及R6與上述定義相同，Ζ1及Ζ2各獨立爲以上述式（i)〜（ix)表示之基之任 —者。R7、R8、R9及R1()各獨立表示氫原子、鹵素原子或 1價基，R7與R8亦可彼此結合形成環。另外，以上式（ii) 表示之基亦可左右反轉， -14- 200904848 本發明之含氟聚合物每一分子中亦可具有不同之複數種重複單位作爲以上述通式（ΠΙ)表示之重複單位’亦可僅具有一種重複單位，但就製造上之容易性考量，較好具有一種重複單位。本發明之含氟聚合物較好具有至少一個以上述通式 (III)表示之重複單位、及至少一個與上述通式（III)表示之重複單位不同之以下列通式（V)表示之重複單位，更好具有至少一個以上述通式（III)表示之重複單位及至少一個以下列通式（VI)表示之重複單位。藉由如此構成，使得溶解性、機械的、熱或電子特性之可變化範圍變廣。又，下列通式（V)中’ Ar3表示2價芳香族烴基或2價雜環基（該等基亦可經取代基取代）。以通式（ΙΠ)表示之重複單位（較好爲以上5Φ 5S式（IV)表示之重複單位）與以通式（v)表示之重複 IMi 爲以下列通式（VI)表示之重複單位）之比率較好爲相對於前者100莫耳’後者爲1〇〜1〇〇〇莫耳，更好相對於則者100莫耳，後者爲25〜4〇〇莫耳，最好相對於前者1〇〇莫耳’後者爲50〜2 00莫耳。 [化6] (V) -4- Ar3-^ M ^況中’ Ar3較宣爲以下列通式（VI)表示之基。由方、具有此重複單位’變成可控制溶解性或電子特性。式中 ’ Z與2或Z2相同或不同，爲以上述式（i)〜（ix)表示之基 -15- 200904848 之任一者。又，R11及R12各獨立表示氫原子、鹵素原子或 1價基’ R11與Ri2亦可彼此鍵結形成環。其中’ R7、R8、 R9及R1Q與上述定義相同。 [化7] R11 R12

…（VI} 通式（I)中，以Ar1表示之碳數6以上之芳香族烴基較好爲自碳數6以上之苯環或縮合環移除（2 + Sl)個氫原子之殘留原子團’以Ar2表示之碳數6以上之芳香族烴基較好爲自碳數6以上之苯環或縮合環移除（2 + ti)個氫原子之殘留原子團。又’通式（III)中，以Ar1表示之碳數6以上之芳香族烴基較好爲自碳數6以上之苯環或縮合環移除（3 + s2)個氫原子之殘留原子團’以Ar2表示之碳數6以上之芳香族烴基較好爲自碳數6以上之苯環或縮合環移除（3+t2)個氫原子之殘留原子團。上述所有基之碳數通常爲6〜60，較好爲 6〜2 0。至於縮合環列舉有例如萘環、蒽環、芘環、菲環、芴環。再者’芳香族烴基上亦可具有取代基。此處，芳香族烴基之碳數不包含取代基之碳數。而且，至於取代基可舉例有鹵素原子、飽和或不飽和烴基、芳基、烷氧基、芳基氧基、1價雜環基、胺基、硝基、氰基。通式（I)中’以Ar表不之碳數4以上之雜環基較好爲自雜環式化合物移除（2 + s〇個氫原子之殘留原子團，以 -16- 200904848

Ar2表示之碳數4以上之雜環基較好爲自雜環式化合物移除 (2 + t〇個氫原子之殘留原子團。又，通式（in)中，以Ar1 表示之碳數4以上之雜環基較好爲自雜環式化合物移除 (3 + s2)個氫原子之殘留原子團，以Ar2表示之碳數4以上之雜環基較好爲自雜環式化合物移除（3+t2)個氫原子之殘留原子團。上述所有基之碳數通常爲4~60，較好爲4〜20。而且’雜環基上亦可具有取代基，雜環基之碳數不包含取代基之碳數。再者，至於取代基可舉例有鹵素原子、飽和或不飽和烴基、芳基、烷氧基、芳基氧基、1價雜環基、胺基、硝基、氰基。以Ar3表示之2價芳香族烴基較好爲自苯環或縮合環移除2個氫原子之殘留原子團，通常碳數爲6~60，較好爲 6〜20。至於縮合環，舉例爲萘環、蒽環、四并苯、五并苯、芘環、茈環、芴環。此等中最佳者爲自苯環或芴環移除 2個氫原子之殘留原子團。再者，芳香族烴基上亦可具有取代基。此處，2價芳香族烴基之碳數不包含取代基之碳數。再者’取代基可舉例有鹵素原子、飽和或不飽和烴基、芳基、烷氧基、芳基氧基、1價雜環基、胺基、硝基、氰基。又，以Ar3表示之2價雜環基較好爲自雜環式化合物移除2個氫原子之殘留原子團，碳數通常爲4〜60，較好爲 4~20。至於上述之雜環式化合物，可舉例爲噻吩環、噻吩并噻吩環、二噻吩并噻吩環等噻吩環之2〜6個縮環化合物 ’噻唑環、吡咯環、吡啶環、嘧啶環、哌啶環、三嗪環， -17- 200904848 較好爲噻吩環、噻吩并噻吩環、二噻吩并噻吩環等噻吩環之2〜6個縮環化合物。又’ 2價雜環基上亦可具有取代基，且2價雜環基之碳數不包含取代基之碳數。再者，取代基可舉例有鹵素原子、飽和或不飽和烴基、芳基、烷氧基、芳基氧基、1價雜環基、胺基、硝基、氰基。此處，雜環式化合物爲具有環式構造之有機化合物中，構成環之元素除碳原子外亦可在環內含有氧、硫、氮、隣、硼、砂等雜原子者。通式（Π)及（IV)中之 Z1及 Z2較好爲以例如上述式 ⑴〜（V)表示之基之任一者表示者，較好以式（i)、（iii)、〇)之任一者表示者，最好爲以式（i)表示者。通式（VI)中之Z3較好爲例如以上述式（i)〜（v)表示之基之任一者表示者，更好爲以式（i)、（iii)、（v)之任一者表示者，最好爲以式（v)表示者。噻吩環、呋喃環及吡略環，尤其是噻吩環顯示出特徵之電氣性質，因此可發揮各種電氣特性。式（i)、（ii)及（iii)，以及通式（I)、（II)、（III)、（IV)及 (VI)中’ R1〜R4及R7〜分別獨立表示氫原子、鹵素原子或1價基’ R7與R8之間以及R11與R12之間亦可形成環。作爲R1〜R4以及R7〜之1價基較好爲直鏈狀或分支狀低分子鏈、1價環狀基（該環狀基可爲單環亦可爲縮合環、可爲碳環亦可爲雜環、可爲飽和亦可爲不飽和，可具有亦可不具有取代基）。1價基可爲推電子基亦可爲拉電子基〇又’作爲R1〜R4及R7~R12之1價基更好爲直鏈或分支 -18- 200904848 狀低分子鏈（一般爲碳數1〜20者）、環構成原子數3〜6〇之1 價環狀基（該環狀基可爲單環亦可爲縮合環、可爲碳環亦可爲雜環、可爲飽和亦可爲不飽和，可具有亦可不具有取代基）、飽和或不飽和烴基、羥基、烷氧基、烷醯基氧基、胺基、氧基胺基、烷基胺基、二烷基胺基、烷醯基胺基、氰基、硝基、磺基、經1個以上之鹵素原子取代之烷基、烷氧基磺醯基（其中，該烷基亦可經丨個以上之鹵素原子取代）、烷基磺醯基（其中，該烷基亦可經1個以上之鹵素原子取代）、胺磺醯基、烷基胺磺醯基、羧基、胺基甲醯基、烷基胺基甲醯基、烷醯基、或烷氧基羰基。又’本說明書中之鹵素原子可舉例爲氟原子、氯原子、溴原子及蛾原子。又，烷基並無限制，可舉例爲例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基及第三丁基等，其結構中含有烷基之基（例如烷氧基、烷基胺基、烷氧基羰基等）亦相同。至於烷基，較好爲碳數丨〜2之烷基，更好爲碳數1〜10之烷基。不飽和烴基並無限制，可舉例爲例如乙烯基、丨_丙烯基、稀丙基、炔丙基、異丙烯基、丨_丁烯基及2_ 丁烯基等。較佳之不飽和烴基可舉例爲乙烯基。院醯基並無特別限制，可舉例爲例如甲醯基、乙醯基、丙醯基、異丁酿基、戊醯基及異戊醯基等，構造中含有烷醯基之基（烷醯基氧基、烷醯基胺基等）亦同。又，碳數 1之院醯基係指甲醯基’其構造中含有烷醯基之基亦同。 -19- 200904848 較佳之烷醯基舉例爲甲醯基、乙醒基。通式（I)、（II)、（III)、（IV)中，…及r2以鹵素原子爲最佳，且以氟原子爲最佳，藉此，成爲適用於作爲有機n 型半導體之有機薄膜元件之薄膜材料者。尤其，本發明之含氟多環方香族化合物及含氟聚合物利用導入氟原子不僅僅使LUMO位階降低，就對有機溶劑之溶解度之提高、 π共範平面性之保持等觀點觀之，可期待作爲有機半導體之性能提升且有助於降低製造成本。本發明之有機薄膜元件因含有上述含氟多環芳香族化合物或含氟聚合物，故可獲得高的性能。通式（I)、（II)、（III)、（IV)中’ Rl R4較好爲氫原子、氟原子、烷基或烷氧基，更好各獨立爲氫原子或氟原子〇通式（I)、（II)、（III)、（IV)中，115及R6較好各獨立爲氫原子、丨兀基、丨兀氧基、酿基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芳基氧基、經取代或未經取代之芳基ίπ基、經取代或未經取代之芳基垸氧基、經取代或未經取代之1價雜環基。取代基可舉例爲鹵素原子、院基、氣太兀基、院氧基、氣院氧基、乙酸基、氣乙醒基、推電子其或拉電子基，較好爲鹵素原子、氟烷基、氟烷氧基、氣乙醯基、拉電子基。上述通式⑴或（II)中之R5及R6至少一個必須爲包含取代基之基的一個以上之氫原子經氟原子取代。由於具有此等基，LUMO位階之降低及對有機溶劑之溶解度得以提 -20- 200904848 升。由電子輸送性變高之觀點觀之，R5及R6中至少—者最好爲氟烷基、氟烷氧基、氟芳基、經氟烷基取代之芳基、經氟烷氧基取代之芳基、經氟烷基取代之雜環基或經氟烷氧基取代之1價雜環基’ R5及R6最好兩者均爲氟烷基、氟烷氧基、氟芳基、經氟烷基取代之芳基、經氟烷氧基取代之芳基、經氟烷基取代之1價雜環基或經氟烷氧基取代之1價雜環基。本發明之含氟聚合物若含有以通式（III)或（IV)表示之重複單位’則亦可含有2種類以上之以通式（111)或（IV)表示之重複單位。又’除了以通式（III)或（IV)表示之重複單位以外’亦可含有以通式（V)或（VI)表示之重複單位，亦可含有2種類以上之以通式（V)或（VI)表示之重複單位。本發明之含氟聚合物較好具有上述通式（ΠΙ)或（IV)表示之重複單位與上述通式（V)或（IV)表示之重複單位鄰接之構造。以通式（III)或（IV)表示之重複單位與以通式（v) 或（VI)表示之重複單位鄰接之情況下，鄰接之芳香環或雜環彼此間之兩面角度變小’分子內之平面性易於提高，使分子內之7Γ共轭擴大’又’ LUMO位階亦變低，因此電子輸送性提局。此處，兩面角定義爲包含以通式（111)或（IV) 表示之芳香族環或雜環之平面與包含與其相鄰鍵結之芳香環或雜環之平面間所成之角度，爲0度以上90度以下。以上述通式（III)或（IV)表示之重複單位與以上述通式（¥)或 (VI)表示之重複單位鄰接之情況下，兩面角通常爲〇〜45度 ’典型爲0〜4〇度，更典型爲〇〜3〇度。 -21 - 200904848 圖I2爲表不以通式（IV)表示之重複單位之環與以通式 (VI)表示之重複單位之環構成之兩面角之圖。二面角於圖 12中意味c^c^-c5所形成之面與cLcS-C6所形成之面構成之角。又本發明之3每聚合物’就提局電子輸送性之觀點觀之，較好爲以下列通式（VIII)、（IX)或（χ)表示者：

此處，Z1、Z2、Z3、R1、R2、R3、r4、r5、r6、Rll -22- 200904848 及R_12與上述意義相同。又，複數存在之情況下，Z1、Z' 、z3、R1、R2、R3、R4、R5、R6、Rl1 及 Rl2各可相同亦可不同。m表示2~5〇〇之整數’較好爲2〜100之整數’更好爲 3〜20之整數。n表示1~5〇〇之整數，較好爲1〜100之整數’ 更好爲2〜20之整數。P表示1~500之整數’較好爲1〜100之整數，更好爲1~1〇之整數。此等中，最好Z1、Z2及2：3全部爲式（i)，且R1及R2爲氟素原子者。又，含氟聚合物之末端基具有聚合活性基之情況下’ 其可作爲含氟聚合物之前驅物使用。此情況下’含氟聚合物較好於分子內具有2個聚合活性基。至於聚合活性基可列舉爲鹵素原子、院基磺酸酯基、芳基磺酸醋基、芳基院基磺酸酯基、烷基甲錫烷基、芳基甲錫烷基、芳基烷基甲錫烷基、硼酸酯殘基、硫鐵甲基、鐃甲基、磷酸酯基甲基、單鹵化甲基、硼酸殘基、甲醯基或乙烯基，較好爲鹵素原子、烷基甲錫烷基、硼酸酯殘基。此處，硼酸殘基表示於硼原子上取代有羥基之基，硼酸酯殘基表示硼原子上取帶有烷基氧基之基。硼酸酯殘基爲以下列式（α )~( <5 )例示者： [化 11] 〇ch3 ((a) xoch3 -23- 200904848 [化 12] .OC2H5 —\ (^) 〇c2h5

(r ) [化 14]

又，使用本發明之含氟聚合物作爲有機薄膜之情況下，若於末端基中就此殘留有聚合活性基，由於用於元件時之特性或耐久性有降低之可能性，故亦可以安定基加以保護。至於末端基舉例爲氫原子、氟原子、烷基、烷氧基、醯基、胺基酮基、芳基、1價雜環基（該等基上鍵結之氫原子之一部份或全部亦可取代爲氟原子）、以及推電子基或拉電子基。就電子輸送性之觀點觀之，較好爲氟烷基、氟烷氧基、氟芳基或拉電子基，更好氫原子全部經氟原子取代之基’例如全氟烷基、全氟烷氧基、全氟苯基。又，亦較好爲具有主鏈共軛結構與連續共軛鍵結者，舉例爲例如介以碳-碳鍵與芳基或1價雜環基鍵結之構造。 -24- 200904848 本發明之含氟聚合物中，最佳爲例如以下列通式 (1)〜（5)表示者： [化 15]

5) 200904848 [化 19]

此處’ R13及R14表示末端基，其可相同亦可不同述列舉有末端基’較好爲氟烷基，更好爲全氟烷基、R16、R17及R18各獨立表示氫原子或任意之取代基好爲烷基、烷氧基或芳基，更好爲烷基。含氟之聚合複數存在R15、R16、R17及R18時，該等可相同亦可不又，就製造之容易性而言，複數存在之r15、r16、] R18較好各爲相同。又’ R1、R2、R3、R4、R5及R6與意義相同。q可依據使用含氟聚合物之有機薄膜形成適當選擇。若含氟聚合物具有昇華性，則可使用真空法等氣相成長法製造有機薄膜，該情況下，q較好爲 ’更好爲2〜10，又更好爲2〜5。另一方面，當使用於溶劑中溶解含氟聚合物之溶液之塗佈方法製造有機薄 ’ q較好爲3~500’更好爲6〜300，又更好爲20〜2 00。塗佈成膜時之膜均一性觀點觀之，含氟聚合物換算成烯之數平均分子量較好爲lxl〇3~lxl〇8，更好爲lxl( 1 06。本發明之含氟多環芳香族化合物及含氟聚合物之例可舉例如下者：，上。R15 ，較物中同。 η 上述方法蒸鍍 1〜1 0 有機膜時就以苯乙具體 -26- 200904848

[化 20] F、 F

F F

[化 21]

[化 23]

[化 24]

-27- 200904848 [化 26]

[化 27]

CeF 13 [化 28]

[化 29]

13

[化 31]

-28- 200904848

[化 33]

本發明之含氟多環芳香族化合物或含氟聚合物之製造方法並沒有特別限制，而可藉任何方法製造，但較好藉下列說明之製造方法製造。首先’說明本發明含氟多環芳香族化合物之製造方法。以上述通式（I)表不之含氣多環方香族化合物可藉由包含使用以下列通式（V 11)表示之化合物做爲前驅物，使該前驅物與氟化劑反應之氟化步驟之製造方法製造。亦即，以上述通式（I)表不之化合物可藉由使用下列通式（VII)表不之化合物做爲則驅物，以與Organic Reactions vol.35. P-3 1 5 ( 1 98 8 ) Chap.3 “以DAST之氟化”中所述使醇氟化之方法般’使用包含使上述前驅物與氟化劑反應之步驟之製造方法製造。作爲該反應步驟之一例，可舉例有下列反應式（a)中所示之自化合物（6)轉化成化合物（7)之轉化步驟。 -29- • (VII) • (VII)200904848 [化 34]

又上述通, 2 , 4 、（VII)中，Ar】、Ar2、R3、R4 ' r5、r6、s 、t,係與上述相间也主 Λ7主一与庙2 ^ q Ν思我’ V表不氫原子、鹵素原子或1價基。

又，以上述通式（I)表示之本發明含氟多環芳香族化合物中，R及R2爲氟原子之化合物較好藉由下列方法製造：包含使用以下列通式（b)表示之化合物做爲前驅物，使該前驅物在鹵陽離子離子產生劑存在下，與氟化物離子源反應之步驟之製造方法；包含使與Ar1及Ar2鍵結之氫原子鹵化之步驟之製造方法；包含使鹵素原子與下列通式 (c)反應之步驟之方法。作爲該反應步驟之一例，可舉例有下列步驟·於下列反應式（d)中所示之自化合物（8)轉化成化合物（9)、化合物（1 1 )、化合物（1 2)之轉化步驟，或自 -30- 200904848 化合物（8)轉化成化合物（1 〇)、化合物（〗2)之轉化步驟。 [化 36] X Y 〇3

又通式（b)中，Ar1及Ar2各獨立表示碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基’…及R4各獨立爲氫原子、鹵素原子或1價基。X及Y各獨立表示烷基硫基（此處’ X 及Y亦可連結烷基部份形成伸烷二硫基，X及Y亦可成爲一體與所結合之碳原子一起形成硫代羰基。 [化 37]

Rx-W 又上述式（c)中，Rx表示以通式（1)表示之R5或r6，W 爲聚合活性基， -31 - 200904848 [化 38]

NBS FH-Py

(8) (9) • (d) CH2Cli Phl(OCOCF9)2 «2 CCI4

以上述通式（b)表示之化合物作爲前驅物之上述反應步驟之反應條件並沒有特別限制’例如可參考自烷基磺酸基（烷基硫基）等轉化爲氟基之習知轉化反應之條件（例如，參考特開平6- 1 3 5 869號公報等）加以適當選擇。以下爲具體說明。上述反應步驟中之上述鹵陽離子產生劑可適當使用習知者，可舉例有例如1,3-二溴-5,5-二甲基乙內醯脲（DBH) 、N-溴琥珀醯亞胺（NBS)、N-溴乙醯胺（NBA)、2,4,4,6-四 -32- 200904848 溴-2,5-環己二烯嗣、N-碘琥珀醯亞胺（N IS)等。上述鹵陽離子產生劑之使用量並沒有特別限制，例如換算爲鹵陽離子爲3當量至大爲過量之範圍，且就反應效率及成本之觀點而言，較好爲例如3 ~5當量。上述氟化物離子源較好爲例如氟化氫、氟化氫與胺之錯合物、氟化氫與吡啶之錯合物、二氫三氟化四級銨、或二氫三氟化四級鍈，此等可單獨使用亦可2種以上倂用。較適用之氟化物離子源可舉例有例如（氟化氫）9/吡啶錯合物。又，上述氟化物離子源之使用量並沒有特別限制，例如較好爲換算成氟化物離子爲3當量至大爲過量之範圍，且就反應效率及成本之觀點而言，較好爲3〜5當量。又，上述之胺可舉例有例如吡啶等之含氮環式化合物，三乙胺、二異丙基乙胺等烷基胺等。又，二氫三氟化四級銨及二氫三氟化四級鐃並沒有特別限制，可適當使用習知之化合物，至於二氫三氟化四級銨舉例爲例如以下列通式（XI)表示之化合物，至於二氫三氟化四級辚可舉例爲例如以下列通式（XII)表示之化合物， R I9r20r2,r22n + h2f3' …（XI) R2 3r24r25r26p + h2f3' …（XII) 上述通式（XI)及（XII)中，R19、R20、R21' R22、R23、 R24、R25及R26各獨立表示烷基、芳基、苯基等烴基。至於以通式（XI)表示之二氫三氟四級銨，可舉例有例如二氫 -33- 200904848 三氟化四甲基銨、二氫三氟化四乙基銨、二氫三氟化四丁基銨（TBAH2F3)、二氫三氟化苄基三甲基銨、二氫三氟化苄基三乙基銨、二氫三氟化十四烷基三甲基銨等。此等可自例如5 0%氫氟酸、氟化鉀及氟化四級銨而輕易的合成（例如，參照 Bull. Soc. Chim. Fr.,9 1 0( 1 986 )等）。又，以上述通式（XII)表示之二氫三氟化四級鱗，可舉例有例如二氫三氟化四甲基鱗、二氫三氟化四乙基鱗、二氫三氟化四丁基鱗、二氫三氟化苄基三甲基鱗、二氫三氟化苄基三乙基鱗、二氫三氟化乙醯基三甲基鱗等。又，上述反應步驟中，亦可視需要適當使用溶劑。上述溶劑並沒有特別限制，較好爲儘可能不妨礙目標反應者，可舉例爲例如己烷等脂肪族烴，苯、甲苯等芳香族烴，乙腈等腈類，二乙醚、四氫呋喃、1，2-二甲氧基乙烷等醚類，二氯甲烷、1,2 -二氯乙烷、四氯化碳等鹵化溶劑等。此等可單獨使用亦可2種以上合倂使用。較佳之溶劑舉例爲例如二氯甲烷。反應溫度及反應時間並沒有特別限制，可考量前驅物種類適當選擇。又’上述反應溫度較好爲-1 0 01至1 0 〇 °C 之範圍。藉由上述本發明之製造方法，可簡便且高效率的製造在過去相當困難之以氟烷基交聯之環狀化合物，特別是含有以二氟烷基交聯之三聯苯構造之化合物。又，本發明之製造步驟中之氟化反應，可使用便宜且處理上容易之氟化試劑進行氟化。 -34- 200904848 使用本發明之含氟多環芳香族化合物作爲有機薄膜元件用之材料時，由於其純度會影響元件之特性，因此所製造之化合物較好經蒸餾、昇華純化、再結晶等方法進行純化處理。上述製造方法中之反應條件、反應試劑等，亦可適當選擇上述列舉以外者。又，以上述通式（I)表示之本發明含氟多環芳香族化合物，如上述，較好藉由上述製造方法製造’但並不限定於此等，亦可以任何方法製造。接著’說明本發明含氟聚合物之製造方法。本發明之含氟聚合物可以下列通式（XIII)〜（XVI)表示之化合物作爲原料’藉由使該等化合物反應而製造。 [化 39] R1 F t>3 ( R6)〇

[化 40] R\ / R3

[化 41] (XV) W1— Ar3 ——W2 -35- ·* (xvi) ·* (xvi)200904848 [化 42] R11 R12 W 八 z3 W2 上述通式（XIII)〜（XVI)中 ’ Ar1、Ar2、Ar3、Z1、Z2、Z3 、：Ri、R2、R3、R4、R5、R6、Rii、Ri2、㈠及卜與上述意義相同。W1及W2分別獨立表示鹵素原子、烷基磺酸酯基 '芳基磺酸酯基 '芳基烷基磺酸酯基、烷基甲錫烷基、芳基甲錫烷基、芳基烷基甲錫烷基、硼酸酯殘基、硫鑰甲基、鍈甲基、磷酸酯基甲基、單鹵化甲基、硼酸殘基、甲醯基或乙烯基。就以通式（XIII)〜（XVI)表示之化合物之合成上之反應之角度觀之，W1及W2較好分別獨立爲鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、烷基甲錫烷基、硼酸酯殘基或硼酸殘基。又，用於製造本發明之含氟聚合物之反應方法，可列舉爲例如使用Wittig反應之方法、使用Heck反應之方法、使用 Horner-Wadsworth-Emmons 反應之方法、使用 Knoevenagel反應之方法、使用Suzuki偶合反應之方法、使用Grignard反應之方法、使用stille反應之方法、使用N i (0)觸媒之方法、使用F e C 13等氧化劑之方法、使用電化學性氧化反應之方法、或者利用具有適當離去基之中間物化合物之分解方法等。此等之中’由構造之控制方面觀之，較好爲使用 -36- 200904848

Wittig反應之方法、使用Heck反應之方法、使用Horner-Wadsworth- Emmons 反應之方法、使用 Knoevenagel 反應之方法、使用Suzuki偶合反應之方法 '使用Grignard反應之方法、使用Stille反應之方法、及使用Ni(0)觸媒之方法。再者，就原料之取得與反應操作之簡便方面觀之，較好爲使用Suzuki偶合反應之方法、使用Grignard反應之方法、使用Stille反應之方法、使用Ni(0)觸媒之方法〇單體（以上述通式（XIII)〜（XVI))表示之化合物）可視需要溶解於有機溶劑中，例如使用鹼或適當觸媒，在有機溶劑之熔點以上沸點以下進行反應。至於有機溶劑，雖視所用化合物或反應而異，但通常爲了抑制副反應，較好使所用之溶劑進行充分脫氧處理，在惰性氣體環境下進行反應。又，同樣地，較好進行脫水處理（但是，於s u z u k i偶合反應般之與水之兩相系反應之情況時，則未必）。爲使反應進行，可添加適宜鹼或適宜觸媒。該鹼或觸媒係視所用之反應加以選擇。該鹼或觸媒較好爲可充分溶解於反應所用之溶劑中者。使用本發明之含氟聚合物作爲有機薄膜元件用材料之情況下，因爲其純度會影響元件之特性，因此反應前之單體較好經蒸餾、昇華純化、再結晶等方法純化後再進行聚合。又含氟聚合物經合成後，較好經再沉澱純化、層析等之純化處理。 -37- 200904848 反應中所用之溶劑可舉例有戊烷、己烷、庚烷、辛烷、環己烷等飽和烴，苯、甲苯、乙基苯、二甲苯等不飽和烴，四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯環己烷、溴環己烷等鹵化飽和烴，氯苯、二氯苯、三氯苯等鹵化不飽和烴，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、第三丁基醇等醇類，甲酸、乙酸、丙酸等羧酸類，二甲基醚、二乙基醚、甲基-第三丁基醚、四氫呋喃、四氫吡喃、二噁烷等醚類，鹽酸、氫溴酸、氫氟酸、硫酸、硝酸等無機酸等。上述溶劑可單獨使用一種或合倂兩種以上使用。反應後，例如可藉水終止反應後以有機溶劑萃取，餾除溶劑等通常之後處理而獲得。生成物之單離及純化可藉層析而分離或藉再結晶等方法進行。 ' 以下說明本發明之有機薄膜。本發明之有機薄膜爲含有本發明之含氟多環芳香族化合物及/或含氟聚合物（以下稱爲「本發明之含氟化合物」）者。有機薄膜之薄膜厚度通常爲lnm〜ΙΟΟμιη左右，較好爲 2nm〜l〇〇〇nm，更好爲 5nm〜500nm，最好爲 20nm~200nm 〇有機薄膜可爲單獨含有1種類之本發明含氟化合物者，又可爲含有2種類以上之本發明含氟化合物者。又，爲了提升有機薄膜之電子輸送性或電洞輸送性，亦可混合使用本發明含氟化合物以外之具有電子送性或電洞輸送性之低分子化合物或高分子化合物。 -38- 200904848 至於電洞輸送性材料，可使用公知者啦哩啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯二胺衍生物、寡聚噻吩及其衍生物、聚乙生物、聚砂院及其衍生物、於側鏈及主鏈聚砂氧院衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚 '聚啦咯及其衍生物、聚伸芳基伸乙烯基聚伸噻吩基伸乙烯基及其衍生物等；至於可使用公知之材料，可舉例爲例如噁二唑甲院及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌醌及其衍生物、四氰蒽醌二甲烷及其衍生一本基一氰基乙稀及其衍生物、二苯醌衍啉及其衍生物之金屬錯合物、聚喹啉及其啉及其衍生物、聚芴及其衍生物、c60等生物等。又’本發明之有機薄膜，爲了於有機收光而產生電荷，故亦可含有電荷產生材料可使用公知之材料，可列舉爲偶氮化合重氮化合物及其衍生物、無金屬酞菁化合金屬酞菁化合物及其衍生物、茈化合物及醌系化合物及其衍生物、Squarylium化合 azulenium化合物及其衍生物、thiapyryl 衍生物、C 6 0等富勒烯類及其衍生物。再者，本發明之有機薄膜亦可含有爲必要之材料。可列舉爲例如，用以使藉由，可舉例爲例如衍生物、三芳基烯基咔唑及其衍具有芳香族胺之噻吩及其衍生物及其衍生物、或電子輸送性材料衍生物、蒽醌二及其衍生物、蒽物、芴衍生物、生物及8-羥基喹衍生物、聚喹噁富勒烯類及其衍薄膜中藉由所吸料。電荷產生材物及其衍生物、物及其衍生物、其衍生物、多環物及其衍生物、 ium化合物及其展現各種機能所吸收光產生電荷 -39- 200904848 之機能增感之增感劑、用以增加安定性之安定劑、用以吸收UV光之UV吸收劑等。又，本發明之有機薄膜，爲了提高機械特性，亦可含有除本發明之含氟化合物以外之高分子化合物材料作爲高分子黏結劑。高分子黏結劑較好爲不會過度阻礙電子輸送性或電洞輸送性者，又較好使用對可見光吸收不強者。該等高分子黏結劑可舉例爲聚（N-乙烯基咔唑）、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚（對-伸苯基亞乙烯 )及其衍生物、聚（2,5-伸噻吩基亞乙烯）及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。本發明之有機薄膜之製造方法並無限制，可舉例爲例如自含有本發明之含氟化合物、視需要混合之電子輸送性材料或電洞輸送性材料、高分子黏結劑之溶液成膜之方法。又’本發明之含氟化合物具有昇華性之情況下，亦可藉由真空蒸鍍法形成薄膜。自溶液成膜中所用之溶劑，只要可溶解本發明之含氟化合物及混合之電子輸送性材料或電洞輸送性材料、高分子黏結劑者，則無任何限制。自溶液使本發明之有機薄膜成膜時所用之溶劑，可舉例爲甲苯、二甲苯、三甲基苯、四氫化萘、十氫萘、雙環己基、正丁基苯、第二丁基苯、第三丁基苯等不飽和烴系溶劑，四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷 '氯己烷、溴己烷、氯環己烷、 -40- 200904848 溴環己烷等鹵化飽和烴系溶劑，氯苯、二氯苯鹵化不飽和烴系溶劑，四氫呋喃' 四氫卩比喃等。雖然取決於本發明之含氟化合物之構造及分但通常爲可於該等溶劑中溶解0. 1重量％以上者由溶液成膜可使用旋轉塗佈法、澆鑄法、法、凹版塗佈法、棒塗佈法、滾筒塗佈法、金、浸塗法、噴塗法、篩網塗佈法 '柔版印刷法法、噴墨印刷法、點膠印刷法、噴嘴塗佈法及等塗佈法，且較好使用旋轉塗佈法、柔版印刷刷法、點膠印刷法、噴嘴塗佈法及毛細塗佈法製造本發明有機薄膜之步驟亦可包含使本化合物定向之步驟。藉由該步驟使含氟化合物薄膜因主鏈分子或側鏈分子並排於同一方向，電子移動度或電洞移動度。至於使含氟化合物定向之方法，可使用已定向方法之方法。其中，摩擦法、光定向法、步施加應力法）或拉升塗佈法爲簡便且有用而定向方法，較好爲摩擦法、剪切法。本發明之有機薄膜由於具有電子輸送性或，因此自電極注入電子或電洞，或藉由控制因生之電荷的輸送，而可用於有機薄膜電晶體、電池、光感測器等各種有機薄膜元件中。當在膜元件中使用本發明之有機薄膜時，爲了使電電洞輸送性更進而提高，較好使用藉定向處理、三氯苯等醚類溶劑等子量而定，〇微凹版塗佈屬線塗佈法、膠版印刷毛細塗佈法法、噴墨印〇發明之含氟定向之有機因此可改善知作爲液晶剪切法（逐可利用作爲電洞輸送性光吸收所產有機太陽能該等有機薄子輸送性或而定向者。 -41 - 200904848 接著說明本發明有機薄膜之有機薄膜電晶體之應用。有機薄膜電晶體，只要爲具有源極電極及汲極電極、成爲其等間之電流通路之包含本發明之含氟化合物之有機薄膜層（活性層）、控制通過電流通路之電流量之閘極電極之構造即可，可舉例有電場效型、靜電介電型等。電場效型有機薄膜電晶體較好爲具備有源極電極及汲極電極、成爲其等間之電流通路之包含本發明之含氟化合物之有機薄膜層（活性層）、控制通過電流通路之電流量之閘極電極、以及配置在活性層與閘極電極間之絕緣層。尤其，較好是源極電極及汲極電極與含有本發明含氟化合物之有機薄膜層（活性層）鄰接設置者，進而較好進而以夾持與該有機薄膜層鄰接之絕緣層之方式設置閘極電極。靜電介電型有機薄膜電晶體具有源極電極與汲極電極、成爲其等間之電流通路之含有本發明含氟化合物之有機薄膜層、以及控制通過電流通路之電流量之閘極電極，較好該閘極電極係設置於有機薄膜層中。特別是，較好源極電極、汲極電極及設置於有機薄膜層中之閘極電極係與含本發明含氟聚合物之有機薄膜層鄰接設置。至於閘極電極之構造，若爲形成自源極電極流向汲極電極之電流通路，且控制施加至閘極電極且以電壓流過電流通路之電流量之構造較好，可舉例例如被覆型電極。圖1爲有關第1實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖1中所示之有機薄膜電晶體10 0具備有基板1、於基板1上以特定間隔形成之源極 -42- 200904848 電極5及汲極電極6、以被覆源極電極5及汲極電極6之方式形成於基板1上之活性層2、形成於活性層2上之絕緣層3、被覆在該源極電極5與汲極電極6之間之絕緣層3之區域之方式，形成在絕緣層3上之閘極電極4。圖2爲有關第2實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖2中所示之有機薄膜電晶體1 1 〇具備有基板1、形成於基板1上之源極電極5、以被覆源極電極5之方式形成於基板1上之活性層2、與源極電極5具有特定間隔之形成於活性層2上之汲極電極6、形成在活性層2及汲極電極6上之絕緣層3、被覆在該源極電極5 與汲極電極6之間之絕緣層3之區域之方式，形成在絕緣層 3上之閘極電極4。圖3爲有關第3實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖3中所示之有機薄膜電晶體1 2 0具備有基板1、形成於基板1上之閘極電極4、以被覆聞極電極4之方式形成於基板1上之絕緣層3、以被覆一部份之形成在閘極電極4下部之絕緣層3的區域之方式以特定間隔形成在絕緣層3上之源極電極5及汲極電極6、被覆源極電極5及汲極電極6之一部份的方式形成在絕緣層3上之活性層2。圖4爲有關第4實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖4中所示之有機薄膜電晶體1 3 0具備有基板1、形成於基板1上之閘極電極4、以被覆閘極電極4之方式形成於基板1上之絕緣層3、以被覆一 -43- 200904848 部份之形成在閘極電極4下部之絕緣層3之區域之方式形成在絕緣層3上之源極電極5、及以被覆一部份源極電極5之方式形成在絕緣層3上之活性層2、以被覆一部份之形成在閘極電極4下部之活性層2之區域之方式以與源極電極5具有特定間隔形成在絕緣層3上之汲極電極6。圖5爲有關第5實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖5中所示之有機薄膜電晶體140具備有基板1、形成於基板1上之源極電極5、形成於源極電極5上之活性層2、以具有特定間隔複數形成在活性層2上之閘極電極4、以被覆閘極電極4全部之方式形成於活性層2上之活性層2a(構成活性層2a之材料可與活性層 2相同亦可不同）、形成於活性層2a上之汲極電極6。圖6爲有關第6實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖6中所示之有機薄膜電晶體1 5 0具備有基板1、形成於基板1上之活性層2、以具有特定間隔形成在活性層2上之源極電極5以及汲極電極6、以一部份被覆源極電極5及汲極電極6之方式形成於活性層 2上之絕緣層3、以被覆形成於源極電極5下部之絕緣層3之區域以及形成於汲極電極6下部之絕緣層3之區域的各一部份之方式形成於絕緣層3上之閘極電極4。圖7爲有關第7實施形態之有機薄膜電晶體（電場效型有機薄膜電晶體）之模式剖面圖。圖7中所示之有機薄膜電晶體1 60具備有基板1、形成於基板1上之閘極電極4、以被覆閘極電極4之方式形成於基板1上之絕緣層3、以被覆形 -44 - 200904848 成於閘極電極4下部之絕緣層3之區域的方式形成之活性層 2、以一部份被覆形成於閘極電極4下部之活性層2之區域的方式形成於絕緣層3上之源極電極5、以一部份被覆形成於閘極電極4下部之活性層2之區域的方式以與源極電極5 具有特定間隔地形成於絕緣層3上之汲極電極6。有關第1至第7實施形態之有機薄膜電晶體中，活性層 2及/或活性層2a含有本發明之含氟化合物，而成爲源極電極5與汲極電極6間之電流通路（通道）。又，閘極電極4藉由施加電壓而控制通過活性層2及/或活性層2a之電流通路 (通道）之電流量。此種電場效型有機薄膜電晶體可藉由公知方法，例如藉特開平5 - 1 1 0069號公報所記載之方法製造。又，靜電介電型有機薄膜電晶體可藉由公知方法例如藉特開2004-006476號公報所記載之方法製造。至於基板1，只要不阻礙作爲有機薄膜電晶體之特性，則無任何限制，可使用玻璃基板或撓性基板或塑膠基板〇形成活性層2之際，使用有機溶劑可溶性化合物於製造上非常有利而較好，故使用上述說明之本發明之有機薄膜製造方法，可形成成爲活性層2之有機薄膜。至於與活性層鄰接之絕緣層3，若爲電絕緣性高之材料則無特別限制，可使用公知者。可舉例有例如Si 〇x、 SiNx、TkO5、聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚乙烯酚、有機玻璃、光阻劑等。由低電壓化之觀點觀之，較好爲介電率高 -45 - 200904848 的材料。於絕緣層3上形成活性層2時，爲了改善絕緣層3與活性層2之界面特性，亦可以矽烷偶合劑等之表面處理劑處理絕緣層3表面而予以表面改質後’於其上形成活性層2。至於表面處理劑，可舉例有長鏈烷基氯矽烷類、長鏈烷基烷氧基矽烷類、氟化烷基氯矽烷類、氟化烷基烷氧基矽烷類、六甲基二矽氮烷等之矽烷基胺基化合物等。以表面處理劑處理之前，絕緣層表面亦可以臭氧UV、02電漿進行處理。有機薄膜電晶體製作後，爲了保護元件而較好在有機薄膜電晶體上形成保護膜。藉此，有機薄膜電晶體可與大氣隔絕，可抑制有機薄膜電晶體之特性降低。又，藉由保護膜可降低在有機薄膜電晶體上形成驅動之顯示裝置的步驟所造成之影響。至於保護膜之形成方法，舉例有以U V硬化樹脂、熱硬化樹脂或無機之SiONx膜等覆蓋之方法等。爲了有效進行與大氣之隔絕，在製作有機薄膜電晶體之後形成保護膜之前之步驟，較好在不暴露至大氣中進行（例如於乾燥之氮氣環境中、於真空中）。接著’對本發明有機薄膜於太陽能電池之應用加以說明。圖8爲有關實施形態之太陽能電池之模式剖面圖。圖8 所示之太陽能電池200具備有基板1、形成於基板1上之第1 電極7a、形成於第1電極7a上之由含有本發明含氟化合物 -46- 200904848 之有機薄膜所構成之活性層2、及形成於活性層2上之第2 電極7b。本實施形態有關之太陽能電池中，第1電極7a及第2 電極7b之一者使用透明或半透明電極。至於電極材料，可使用鋁、金、銀、銅、鹼金屬、鹼土金屬類金屬等之金屬或其半透明膜、透明導電膜。爲了獲得高的開放電壓，作爲各電極較好以使功函數之差異大的方式加以選擇。活性層2(有機薄膜）中爲了提高光感度而可添加使用電荷產生劑、增感劑等。作爲基板1，可使用矽基板、玻璃基板、塑膠基板等。其次，對本發明之有機薄膜於光感測器之應用加以說明。圖9爲有關第1實施形態之光感測器之模式剖面圖。圖 9所示之光感測器3 00具備有基板1、形成於基板1上之第1 電極7a、形成於第1電極7a上之由含有本發明含氟化合物之有機薄膜所構成之活性層2、形成於活性層2上之電荷產生層8、以及形成於電荷產生層8上之第2電極7b。圖1 0爲有關第2實施形態之光感測器之模式剖面圖。圖1 〇所示之光感測器3 1 0具備有基板1、形成於基板1上之第1電極7a、形成於第1電極7a上之電荷產生層8、形成於電荷產生層8上之由含有本發明含氟化合物之有機薄膜所構成之活性層2、形成於活性層2上之第2電極7b。圖1 1爲有關第3實施形態之光感測器之模式剖面圖。圖11所示之光感測器3 20具備有基板1、形成於基板1上之 -47- 200904848 第1電極7a、形成於第1電極7a上之由含有本發明含氟化合物之有機薄膜所構成之活性層2、形成於活性層2上之第 2電極7b。第1至第3實施形態有關之光感測器中，第丨電極7a及第2電極7b之一者使用透明或半透明電極。電荷產生層8 爲吸收光而產生電荷之層。至於電極材料，可使用鋁、金、銀、銅、鹼金屬、鹼土金屬類金屬等之金屬或其半透明膜、透明導電膜。活性層2(有機薄膜）中爲了提高光感度而可添加使用電荷產生劑、增感劑等。作爲基板1，可使用矽基板、玻璃基板、塑膠基板等。實施例以下，基於實施例及比較例具體說明本發明，但本發明不以任何方式限定於下列實施例者。 (測定條件等）核磁共振（NMR)光譜係使用JEOL(日本電子股份有限公司）製造之商品名JMNJTOdH測定時270MHz)，或同一公司製造之商品名JMNLA-600(19F測定時600MHz)測定。化學位移係以百萬分率（ppm)表示。內部標準Oppm係使用四甲基矽烷（TMS)。偶合常數（J)係以赫茲表示，簡寫s、d 、t、q、m及br分別表示單峰（singlet)、雙重峰（doublet) 、三重峰（triplet)、四重峰（quartet)、多重峰（multiplet)及寬峰（broad)。另外，質量分析（MS)係使用島津股份有限 -48- 200904848

公司製作所製造之GCMS-QP5050A(商品名），電子離子化 (EI)法係藉由直接試料導入（DI)法測定。管柱層析分離中之矽膠係使用關東化學股份有限公司製造之商品名 Silicagel 60N (40~50微米）。全部化學物質均爲試藥級，購自和光純藥工業股份有限公司、東京化成工業股份有限公司、關東化學股份有限公司、Nacalai Tesque股份有限公司，日本 Sigma Aldrich股份有限公司或Daikin化成品股份有限公司 ° 循環伏安法係使用BAS股份有限公司（BAS公司）製造之商品名「CV-50W」作爲測定裝置，工作電極係使用 B AS公司製造之Pt電極，相對電極係使用Pt線，參考電極係使用 Ag線予以測定。該測定時之掃描速度爲 100mV/sec，掃描電位範圍爲-2.8V〜1.6V。還原電位及氧化電位之測定係使1 X 1 〇_ 3 m ο 1 / L之化合物及聚合物， O.lmol/L之四丁基銨六氟磷酸鹽（TBAPF6)完全溶於單氟苯溶劑中而測定。參考合成例1 <化合物A之合成> 將茚滿并[l，2-b]芴-6,12 -二酮（2.23克，7.91毫莫耳）、三氟化硼-乙酸錯合物（5.94克，3 1.6毫莫耳）、乙二硫醇 (2.98毫克’ 31.6笔莫耳）、氣仿（50毫升）注入梨型瓶中之後’於9 0 °C下反應。1 2小時後’加水且以氯仿萃取。有機 -49- 200904848 相以硫酸鎂乾燥且減壓濃縮。固體以乙醚洗滌，獲得白色固態標的物0.41克’產率99%)(化合物A)。 TLC Rf=0.3(己烷：氯仿=2:1); h-NMR (270MHz，CDC13) :(5 7.90(s，2H)，7.65(m ’ 4H)，7.33(m，4H)，3.70(s， 8H) ； GC-MS(DI) ： m/z = 434(M + ) [化 43]

參考合成例2 <化合物B之合成> 於加熱乾燥之三頸瓶中加入N-碘琥珀醯亞胺（6.00克，26.7毫莫耳）且以氮氣替換後，添加二氯甲烷（5〇毫升）。使反應溶液冷卻至-78 °C ’滴加氟化氫·吡啶（1〇毫升）。於-78°(：下攪拌30分鐘後，滴加含化合物人（1.50克’3.45毫莫耳）之二氯甲烷溶液毫升）。在-78 °C下攪拌4小時後’升溫至室溫，再攪拌2小時。使反應溶液通過鹼性氧化鋁管柱。經減壓濃縮後，以矽膠管柱層析（己烷/氯仿）進行純化，獲得白色固態標的物（1.01克，產率95%)(化合物B)。 TLCRf=〇.7(己烷：氯仿= 2:1); W-NMRPTOMHz’ CDC13): 占 7.81(s，2H)， 7-63(t，4H ’ J = 8.2Hz) ’ 7.52(t ’ 2H ’ J = 7.3Hz) ； GC-MS(EI) J = 6.9Hz) ， 7.41(t ， 2H ’ -50- 200904848 m/z = 326(M + ) [化 44]

參考合成例3 <化合物C之合成> 將化合物8(718毫克，2.20毫莫耳）、四氯化碳（40毫升）注入梨型瓶中之後，添加[雙（三氟乙醯氧基）碘]苯 (1.23克，4.87毫莫耳）、碘（1 97克，4 78毫莫耳）且於室溫下反應。1 7小時後’添加硫代硫酸鈉水溶液，以氯仿萃取後’有機相以硫酸鎂乾燥。經減壓濃縮後，以甲醇、己烷、丙酮洗淨固體’獲得黃白色固態標的物（1.20克’產率 94%)(化合物C)。 TLCRf=〇.5(己烷：氯仿= 4:1); 'H-NMRPTOMHz，CDC13): (5 7.97(s，2H)，7.85(d，2H，J = 8.0Hz)，7.77(s ’ 2H)， 7.34(d - 2H > J-8.0Hz) ； GC-MS(EI) ： ra/z = 5 7 8(M + ) ° [化 45〕

-51 - 200904848 參考合成例4 <化合物D之合成> 於加熱乾燥之梨型瓶中加入化合物C (3 1 8毫克’ 0 · 5 5 毫莫耳）、四氫呋喃（26毫升）。以氮氣置換，冷卻至-78 °C 後添加正丁基鋰（1.6M己烷溶液’ 0.80毫升，1.43毫莫耳）使之反應。1小時後，於-7 8 °C下添加氯化三丁基錫（5 0 0毫克，1.54毫莫耳）且升溫至室溫。1小時後，加水且以乙酸乙酯萃取。有機相以硫酸鎂乾燥並經減壓濃縮。以GPC( 氯仿）進行純化，獲得淡黃色液態標的物（2 74毫克，產率 55%)(化合物D)。 TLC Rf=〇.8(己烷）；（5 7.78(s，2H)，7.73(s，2H)，7.60(d ，2H，J = 7_lHz)，7.54(d，2H，J = 7.1Hz)，1.33(m，54H) ;MS(MALDI-TOF，l,8,9-三羥基蒽基質）：m/z = 903·l(M + ，計算値904.4)。 [化 46]

SnBu3

Bu3Sn

實施例I <化合物E之合成> 於經加熱乾燥之加蓋試驗管中注入化合物c (5 〇毫克，〇·〇9毫莫耳）、4-氟苯基硼酸（38毫克，0.27毫莫耳）、肆（三苯基膦）鈀（〇)(1〇毫克’ 0.009毫莫耳）、碳酸鈉（29毫克 -52- 200904848 ，0,27毫莫耳）、1,2-二甲氧基乙烷（2毫升）、水（0.5毫升）後，以氮氣置換且於8〇°C下反應。24小時後’加水且以氯仿萃取。有機相以硫酸鎂乾燥並經減壓濃縮，以矽膠管柱 (氯仿）進行純化，獲得白色固態標的物（3 2毫克’產率 3 7%)(化合物E)。 TLC Rf=0.3(己烷·氯仿）；】H-NMR(270MHz ’ CDC13) : (5 8.22(m，2H)，7.84(m，2H)，7.69(s，2H) ’ 7.61(m ’ 2H) ;GC-MS(DI): m/z二514(M + )。 [化 47]

實施例2 <化合物F之合成> 於經加熱乾燥之加蓋試驗管中注入化合物C(50毫克，0.087毫莫耳）、五氟苯基硼酸（45毫克，0.21毫莫耳）、肆（三苯基膦）鈀（〇)(7毫克，0.006毫莫耳）、氧化銀（1)(25 毫克，0.10毫莫耳）、氟化鉋（120毫克，0.790毫莫耳）、 1,2_二甲氧基乙烷（3毫升）後，以氮氣置換且於70 °C下反應。6 0小時後，加水且以氯仿萃取。有機相以硫酸鎂乾燥並經減壓濃縮，以矽膠管柱（己烷/氯仿）進行純化，獲得淡黃色固態標的物（35毫克，產率62%)(化合物卩）。 TLC Rf=〇.2(氯仿）；j-NMRGYOMHz，CDC13) : 5 7.89(s -53- 200904848 ，2H)，7.75(d，2H，J = 7.8Hz)，7.7 3(s，2H)，7.60(d， 2H，J:7.8Hz) ; GC-MS(DI) : m/z = 6 5 8 (M + )。 [化 48]

實施例3 <化合物G之合成> 於經加熱乾燥之加蓋試驗管中注入化合物D(2 74毫克，0.3 03毫莫耳）、4-乙醯基苯基硼酸（3 06毫克，1.21毫莫耳）、肆（三苯基膦）鈀（0)(35毫克，0.0 10毫莫耳）、甲苯（15 毫升）後，以氮氣置換且於120°C下反應。42小時後，過濾收取固體且以甲醇洗淨。以昇華進行純化，獲得黃色固態標的物（139毫克，產率60%)(化合物G)。 1 H-NMR(400MHz ' CDC13) : δ 8 . 1 8 (m，4 Η )，7 · 8 3 (m， 12Η) ； GC-MS(DI) : m/z = 670(M + )。 [化 49]

實施例4 -54- 200904848 <有機薄膜元件A之製備及太陽能電池特性之平價> 使用實施例1中合成之化合物E及聚_3_己基噻吩 (P3HT，Aldrich製造），分調整爲2.0重量°/〇之鄰-二氯苯溶液，以0.2微米之薄膜過濾器過濾。使化合物E之溶液與P 3 Η T之溶液以1 : 1之體積比混合，成爲混合塗佈液。藉由濺射法於玻璃基板上塗佈厚度150nm之ΙΤΟ膜，使用上述混合塗佈液，以旋轉塗佈形成厚度70nm之有機薄膜。於所得有機薄膜上以真空蒸鑛法，蒸鍍約4nm之氟化鋰，接著蒸著7〇nm之鋁。接著，於其上以UV硬化樹脂與玻璃板接著密封，製備使用化合物E及P3HT之有機薄膜元件 A。所得有機薄膜元件 A使用太陽光模擬器照射 AM1.5(100mW/Cm2)之模擬太陽光，測定電壓-電流特性，獲得短路電流2 0 μ A/Cm2、開放電壓〇 · 7 5 V之太陽能電池特性。實施例5 <光感測器之評價> 使用實施例4中製備之有機薄膜元件a，測定照射200 lx之白光時之光電流與未照射時之暗電流，獲得在印加電壓-0.5 V下之光電流與暗電流之電流比2 _丨χ〗〇 2，確認可作爲光感測器而作用。實施例6 <有機薄膜元件B之製備與太陽能電池特性之評價> -55- 200904848 與實施例4同樣，但使用實施例2中合成之化合物F取代化合物E，使用化合物F與P3HT製備有機薄膜元件B 。所得有機薄膜元件 B使用太陽光模擬器照射 AM1.5(100mW/cm2)之模擬太陽光，測定電壓-電流特性，獲得短路電流3hA/cm2、開放電壓1.08V之太陽能電池特性。實施例7 <光感測器之評價> 使用實施例6中製備之有機薄膜元件B，測定照射200 lx之白光時之光電流與未照射時之暗電流，獲得在施加電壓-0.5V下之光電流與暗電流之電流比1 ·ΐχΐ〇2，確認可作爲光感測器而作用。實施例8 <有機薄膜元件C之製備與太陽能電池特性之評價> 與實施例4同樣，但使用實施例3中合成之化合物g 取代化合物E，使用化合物G與P3HT製備有機薄膜元件 C。所得有機薄膜元件 C使用太陽光模擬器照射 Α Μ 1 _ 5 (1 0 0 m W / c m2)之模擬太陽光，測定電壓-電流特性，獲得短路電流64pA/cm2、開放電壓1.08V之太陽能電池特性。實施例9 -56- 200904848 <光感測器之評價> 使用實施例8中製備之有機薄膜元件C ’測定照射200 lx之白光時之光電流與未照射時之暗電流’獲得在施加電壓-0.5 V下之光電流與暗電流之電流比2.3 x 1 0 2 ’確認可作爲光感測器而作用。實施例1 〇 <有機薄膜元件D之製備與太陽能電池特性之評價> 準備於成爲閘極電極之以高濃度摻雜之n —型矽基板表面上，藉熱氧化形成有氧化矽膜作爲絕緣層之基板’浸漬於50°C之六甲基二矽氮烷（HMDS)中’對氧化矽膜表面進行處理。接著，於該經表面處理之基板上’藉真空蒸鍍法，堆積化合物G之有機薄膜。其次，於該有機薄膜上，通過遮蔽掩模蒸鍍Au，形成源極電極及汲極電極，製造有機薄膜元件D。對所得之有機薄膜元件D，藉由測定真空中使閘極電壓V G、源極-汲極間電壓V s D變化之電晶體特性，獲得良好的Id-Vg特性。產業利用性本發明之含氟多環芳香族化合物、含氟聚合物、有機薄膜及有機薄膜元件可使用作爲有機薄膜電晶體、有機太陽能電池、光感測器等。【圖式簡單說明】 -57- 200904848 圖1爲有關第1實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。圖2爲有關第2實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。 .圖3爲有關第3實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。圖4爲有關第4實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。圖5爲有關第5實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。圖6爲有關第6實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。圖7爲有關第7實施形態之有機薄膜電晶體之模式剖面圖。圖8爲有關實施形態之太陽能電池之模式剖面圖。圖9爲有關第1實施形態之光感測器之模式剖面圖。圖1 0爲有關第2實施形態之光感測器之模式剖面圖。圖1 1爲有關第3實施形態之光感測器之模式剖面圖。圖1 2表示以通式（IV)表示之重複單位之環與以通式 (VI)表示之重複單位之環構成之兩面角之圖。【主要元件符號說明】 1 :基板 2 :活性層 -58- 200904848 3 :絕緣層 4 :閘極電極 5 :源極電極 6 :漏極電極 7 a :第1種電極 7 b :第2種電極 8 :電荷產生層 1 〇〇 :有關第1實施形態之有機薄膜電晶體 1 1 〇 :有關第2實施形態之有機薄膜電晶體 120 :有關第3實施形態之有機薄膜電晶體 1 30 :有關第4實施形態之有機薄膜電晶體 140 :有關第5實施形態之有機薄膜電晶體 150 :有關第6實施形態之有機薄膜電晶體 1 60 :有關第7實施形態之有機薄膜電晶體 200 :有關實施形態之太陽能電池 3 00 :有關第1實施形態之光感測器 3 1 0 :有關第2實施形態之光感測器 3 20 :有關第3實施形態之光感測器 -59-

Claims

200904848 十、申請專利範圍 1· 一種以下列通式（I)表示之含氟多環 [化1]

[式⑴中， Ar1及Ar2各獨立，表示碳數6以上之數4以上之雜環基， R1、R2、R3及R4各獨立，表示氫原」價基， R5及R6各獨立，表示氫原子或亦可）價有機基（其中該1價有機基係選自烷基' 芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳基烷氧基 1價有機基中’包含取代基之全部氫原子經氟原子取代）， Si及t!各獨立表示2以上之整數，惟，R5及R6中至少—者爲包含取代之至少一個經氟原子取代之上述1價有機g 又，複數存在之R5可相同亦可不同可相同亦可不同]。 2 ·如申請專利範圍第1項之含氟多環 -60- 芳香族化合物， …（I) 芳香族烴基或碳 F、鹵素原子或1 淫取代基取代之1 烷氧基、醯基、及雜環基，而該之至少一者亦可基之全部氫原子 6，，複數存在之R6 芳香族化合物， 200904848 其中上述通式（I)表示之化合物爲下列通式（II)表示之化合物：

[武（II)中， Rl、R2、R3、R4、r6與上述定義相同， z1及Z2各獨立’表示以下列式（i)〜（ix)表示之基之任〜者，惟’ R5及R0中至少一者爲包含取代基之全部氫原子少一個經氟原子取代之上述1價有機基，又，R7、R8、R9及R1Q各獨立表示氫原子、鹵素原子或1價基，R7與R8亦可彼此結合形成環，進而以下式（ii) 之基亦可左右反轉]: [化3]

Ο …(iv)

··* (V)

-61 - (vi) 200904848 // %ο ο ·· (Vii)

*· (viii)

* * * (ix) 3 ·如申阳專利範圍第2項之含氟多環芳香族化合物，其中上述Z1及上述Z2爲以上述式⑴表示之基。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之含氟多環芳香族化合物，其中上述Rl及上述R2爲氟原子。 5 —種具有以下列通式（HI)表示之重複單位之含氟聚合物，

[式（III)中， Ar>及Ar2各獨立，表示碳數6以上之芳香族烴基或碳數4以上之雜環基’ Rl、R4各獨立，表示氫原子、«素原子或1 價基，一- 一 R5及R6各獨立’表示氫原子或亦可經取代基取代之1 細由機基係达自丨兀基、丨兀氧基、醯某、芳某價有機基（該1價有機 κ基方基、芳其氧基、芳基烷基、芳基烷氧基及雜環基，而該1價 -62- 200904848 有機基中，包含取代基之全部氫原子至少一個亦可經氟原子取代）， 32及t2各獨立表示1以上之整數，又，S2爲2以上時，複數存在之R5可相同亦可不同， t2爲2以上時’複數存在之R6可相同亦可不同]。 6 ·如申請專利範圍第5項之含氟聚合物，其中以上述通式（III)表示之重複單位爲以下述通式（IV)表示之重複單位：

[式（IV)中， R1、R2、R3、R4、R5及如，、、 -、上述定義相同， Z1及Z2各獨立’表示以下 4 1式（1)~(1X)表不之基之任者， R各獨立表示氫原子、鹵素原子或1 R7、R8、R9 及價基，以下式（Π)表示之 R與R亦可彼此結合形成環且基亦可左右反轉]: -63 - 200904848

7. 如申請專利範圍第6項之含氟聚合物，其中上述Z1 及上述Z2爲以上述式⑴表示之基。 8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之含氟聚合物，其具有以上述通式（III)表示之重複單位之至少一者及以下列通式（V)表示之重複單位之至少一者， [化7] _{— Ar3 —]— - - - ( V ) [式（V)中，Ar3表示2價芳香族烴基或2價雜環基（此等基亦可經取代基取代）]。 9. 如申請專利範圍第8項之含氟聚合物，其中上述Ar3 爲以下列通式（VI)表示之基： -64- (VI)200904848 R11 R12 [化8]

Z3

[式（VI)中， R11及R12各獨立，表示氫原子、鹵素原子或1價基， Z3表示以下式（i卜（ix)表示之基之任一者，惟R11與R12亦可彼此結合形成環， R7、R8、R9及R1C)各獨立表示氫原子 '鹵素原子或1 價基， R7與R8亦可彼此結合形成環，且，以下式（ii)表示之基亦可左右反轉]: [化9] …(i) 产从 R9 *** (Π) (iii) R1 o s’ 7 o so \/ V Π (v s s = o se •MB ! * Te 10.如申請專利範圍第9項之含氟聚合物，其中上述z3 -65- 200904848 爲以上式（V)表示之基。 1 1 .如申請專利範圍第5至〗〇項中任一項之含氟聚合物 ’其中上述R1及上述R2爲氟原子。 12.—種有機薄膜’其含有申請專利範圍第1至4項中任一項之含氟多環芳香族化合物及/或申請專利範圍第5至 1 1項中任一項之含氟聚合物。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之有機薄膜，其係藉由真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷法、點膠（dispenser)印刷法、柔版印刷法、噴嘴塗佈法或毛細印刷法所形成者。 1 4 . 一種有機薄膜元件，其具備有申請專利範圍第i 2 或1 3項之有機薄膜。 1 5 . —種有機薄膜電晶體，其具備有源極電極及汲極電極、在該等電極間之成爲電流通路之有機半導體層、及控制通過上述電流通路之電流量之閘極電極，其中上述有機半導體層具有申請專利範圍第12或13項之有機薄膜。 1 6. —種有機太陽能電池，其具有申請專利範圍第i 2 或1 3項之有機薄膜。 1 7 . —種光感測器’其具有申請專利範圍第1 2或1 3 項之有機薄膜。 -66-