TW200819920A - Maintenance method, exposure method and apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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200819920 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明’係關於透過液體以曝光用光使基板曝光之曝 光裝置之維修技術、及使用此維修技術之曝光技術及元件 製造技術。 【先前技術】 半導體元件及液晶顯示元件等微元件（電子元件），係使 用將形成於標線片等光罩上之圖案轉印至印至塗有光阻等 感光材料之晶圓等基板上、所謂之微影法加以製造。此微 "製私中為了將光罩上之圖案透投影光學系統轉印至基 板上，係使用步進重複（step&repeat)方式之縮小投影型曝 光裝置（所謂之步進器、stepper)、及步進掃描⑽p & s_) 方式之縮小投影型曝光裝置（所謂之掃描步進器、 stepper)等之曝光裝置。 此種曝光裝置，為了因應隨著半導體元件等高積體化 之圖案微細化而年年提高的解析度（解析力）要求，進行了曝 光用光之短波長化及投影光學系統孔徑數(na)之增加J 财化）。然而，曝光用光之短波長化及大na化雖能提升投 影光學系統之解析度，但卻會導致焦深的窄小^因此如 的話焦深將變得過窄’恐有曝光動作時聚焦欲度不 因此，作為一 較使焦深廣之方法 如’參照專利文獻 種貝貝上縮短曝光波長、且與 ，開發了-種利用液浸法之曝光裝：(: υ。此液浸法，係將投影光學系統之下 6 200819920 面與基板表面之間充滿水泰右德、— 3有機溶媒等液體，以在形成液 浸區域之狀態下進行曝光。摅 據此，利用曝光用光在液體中 之曝光用光波長為空氣中之仇r 、 n倍（η係液體之折射率，例 如為1.2〜1.6左右）之特性，本挺曰办 來k幵解像度且能將焦深擴大 至約η倍。 國際公開第99/495〇4號小冊子 [專利文獻1] 使用上述液浸法進行曝杏_ π螓九處理時，一邊從既定之液體

供應機構將液體供應至投影.風 、 仅〜九學糸統與基板間之液浸區 域、一邊進行曝光，並以 、 无疋之液體回收機構回收該液浸 區域之液體n在使用此液浸法之曝光中，光阻殘清 等之微小異物（微粒）有可能附著於與該液體接觸之部分，例 如附著於液體供應機構及液體回收機構之液體流路等液體 接觸之部分。此種附著之显4 了考之異物，有可能會在之後的曝光時

再度混入液體中而附著於蔽I ⑴有％曝九對象之基板上，成為待轉印 圖案之形狀不良等缺陷的原因。 、因此，最好是能在例如曝光裝置之定期性維修等時， 乂某種方式有效率的除去蓄積在其液體供應機構及液體回 收機構之液體流路等的異物（雜質）。 【發明内容】 、本發明有鑑於上述情事，其目的在於提供一種以液浸 法進行曝光之曝光裝置之有效率的維修技術。 又，本發明之另一目的，係提供一種能容易的應用該 維修技術之曝光技術及元件製造技術。 又，本發明之再一目的，係提供一種能容易的進行與 7 200819920 該液體接觸之液體接觸部之洗淨的洗淨技術、曝光技術、 .以及元件製造技術。 本發明之第1維修方法，係用以維修曝光裝置，該曝 光裝置係以第1液體充滿光學構件⑺與基板(p)之間以形成 液浸空間’透過該光學構件與該f i液體以曝光用光使該 基板曝光，其包含：移動步驟，係與使用該第1液體形成 該液浸空Pa1之液浸空間形成構件_對向配置可動體

(MST);液浸步驟，使賴液心間形成構件於該可動體上 形成該第1液體所構成之該液浸空間；以及洗淨步驟，為 進行與該第丨液體接觸之液體接觸部之洗淨’從該可動體 側朝包含該液體接觸部至少一部分之區域噴出第2液體。 根據本發明，能容易的將以液浸法進行曝光時附著於 該液體接觸部之異物之至少一部分與該第2液體一起去 除。此時’藉預先或至少局部的平行實施以該帛i液體形 成液浸空間’即能容易的除去附著於該液體接觸部之異 物。因此，能有效率維修進行該第i液體之供應及回收之 機構。 又，本發明之第2維修方法，係用以維修曝光裝置， 該曝光裝置係m液體充滿光學構件（2)與基板（p)之間以 形成液浸透過該光學構件與該$ i液體以曝光用光 使該基板曝光，其包含：移動步驟，係與使用該第1液體 形成該液浸空間之液浸空間形成構件（30)對㈣己置可動體 (MST); f積步驟’使用該液浸空間形成構件將該帛1液體 供應至該可動體上’並蓄積此供應之該第1液體；以及洗 8 200819920 淨步驟，為進行盥哕繁 〃〃弟1液體接觸之液體接觸部之洗淨，

將於該蓄積步驟Φ苦i A 、 畜積之該第1液體朝包含該液體接觸部 至少一部分之區域喷出。 根據本發明，# # B , 、 犯谷易的將以液浸法進行曝光時附著於 該液體接觸部之昱物夕 ，、物之至少一部分與該第2液體一起去 除。此時，藉預先或 ^十仃實施液浸曝光時所使用之第1液 體之供應，即能交且

易的除去附著於液體接觸部之異物，且 由於該第1液辦允从& 方作為洗淨用之液體，因此，能簡化洗淨 用液體之供應機構。 I月之第3維修方法，係用以維修曝光裝置，該曝 ^衣置係，過光學構件（2)與帛1液體以曝光用光使基板曝 “ /、特欲在於·具有與該第丨液體接觸之液體接觸部， 且與在該光學構件與該基板之間保持該第丨液體之嘴構件 =對向配置可動體⑽τ)，使用透過該嘴構件供應至該可 動體之第2液體來洗淨該液體接觸部。 本發明之第4維佟古、土 修方法，係用以維修曝光裝置，該曝 光液置係透過光學構件（ ^ )與弟1液體以曝光用光使基板曝 尤其特破在於··盘名兮止風, 液體之嘴構件對向配晋 基板之間保持該第1 哕、夜體;T動體，根據與該第1液體接觸之 系/夜體接觸部相關之咨 〈 接鈣卹 5又疋以該第2液體洗淨該液體 接觸部之洗淨條件。 從體 根據本發明，能袞具 犯谷易的進仃液體接觸部之洗淨 有效率的進行以液料進行曝光之曝光裝置之維修。連而 又本發明之第1曝光方法，具有使用本發明之維修 9 200819920 方法的步驟。 本發明之弟2曝光方法，係透過光學構件（2)與第 1液體以曝光用光使基板（p)曝光，其特徵在於··具有與該 第1液體接觸之液體接觸部，且與在該光學構件與該基板 之間保持該第1液體之嘴構件（30)對向配置可動體（MST)， 並包含使用經該嘴構件供應至該可動體之第2液體洗淨該 液體接觸部之動作。

又，本發明之第3曝光方法，係透過光學構件（2)與第 1液體以曝光用光使基板曝光，其特徵在於：包含盥在 該光學構件與該基板之間保持㈣i液體之嘴構件州對 向配置可動體(MST)’並包含根據與該第μ體接觸之該液 體接觸部相關之資訊，設定以該帛2液體洗淨該液體接觸 部之洗淨條件。

根據 部之洗淨 置之維修 此第2及第3曝光方 ’進而有效率的進行 法’能容易的進行液體接觸 以液浸法進行曝光之曝光裝 德从, 1，你μ第丨液體充滿光學 構件（2)與基板（p)之間以形成 风履反空間，透過該光學構件與 4弟1液體以曝光用光使該基 板曝先，其具備··液浸空間 形成構件（30)，係使用該第丨液 ( 履體形成该液浸空間；可動體 (MST)，能相對該光學構件 90)，甘芯, 秒動，液體贺出機構（62, 63Α， ) 其至少一部分係設於該可韌辦s + 押制壯罢…… 噴出第2液體；以及 控制衣置（61)，係在透過該液 以哕笛！ v μ , 二間形成構件於該可動體上 μ弟1液體形成該液浸空間時， Ψ 為進行與該第1液體接 10 200819920 觸之液體接觸部之洗淨，使該液體噴出機構朝包含該液體 接觸部至少一部分之區域噴出第2液體。 又，本發明之第2曝光裝置，係以第1液體充滿光學 構件（2)與基板（p)之間以形成液浸空間，透過該光學構件與 該第1液體以曝光用光使該基板曝光，其具備：液浸空間 形成構件（30) ’係使用該第1液體形成該液浸空間；可動體 (MST)’能相對該光學構件移動；蓄積機構（63F，91，92)， 係蓄積透過該液浸空間形成構件供應至該可動體上之該第 1液體；以及液體喷出裝置（63E，91，92)，其至少一部分設 於该可動體，為進行與該第〗液體接觸之液體接觸部之洗 淨’將以該蓄積機構所蓄積之該第1液體朝包含該液體接 觸部之至少一部分之區域喷出。 又’本發明之第3曝光裝置，係透過光學構件（2)與第 1液體以曝光用光使基板（P)曝光，其具備：嘴構件（30)，具 有與该第1液體接觸之液體接觸部且於該光學構件與該基 板之間保持該第1液體；可動體（MST)，能相對該光學構件 移動，以及洗淨構件，至少一部分係設於該可動體上，使 用經該嘴構件供應至該可動體之第2液體洗淨該液體接觸 部。 又，本發明之第4曝光裝置，係透過光學構件（2)與第 1液體以曝光用光使基板（P)曝光，其具備：嘴構件（30)，係 於戎光學構件與該基板之間保持該第1液體；洗淨構件， 以第2液體洗淨與該第1液體接觸之液體接觸部；可動體 (MST)，至少於該洗淨時與該嘴構件對向配置；以及控制裝 11 200819920 =υ，係控制該洗淨構件以改變使㈣第2液體之洗淨广 ，且視與該液體接觸部相關之資訊設定乾洗淨條件。卞 根據此等本發明之第卜第2、第3、或第4曝光 能分別使用本發明之第卜第2、第3、或第4維修方：。 光二ί發明之元件製造方法’其包含：使本發明之曝 裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後基板 顯景》之動作。 夂

上述本發明各既定要件後所附括號内之符號，雖係對 應顯不本發明實施形態之圖中的構件，但各符號僅係為易 於理解本發明而表示發明之要件，本發明並不受限於該等 實施形態之構成。 根據本發明，能容易的進行液體接觸部之洗淨，進而 有效率的進行以液浸法進行曝光之㈣裝置之維修。 【實施方式】 《第1實施形態》 以下，參照圖i〜圖7說明本發明之較佳實施形態例。 圖1係顯示由第〗實施形態之曝光裝置Εχ的概略構成 圖’圖1中’曝光裝置ΕΧ具備：用以支撐形成有轉印用圖 案之光罩Μ的光罩載台RST，支樓曝光對象之基板ρ的基 板載台PST’以曝光用％ EL照明光罩載台謝所支撐之光 罩Μ的照明光學系、统IL，將以曝光用光队照明之光罩μ 之圖案像投影至基板載台PST所支叙基板上ρ上之投影 區域AR1的投影光學系統pL，形成有對準用基準標記等的 測Ϊ載台MST，統籌控制曝光裝置Εχ全體之動作的控制裝 12 200819920 置CONT，為適用液浸法之液浸系統（液浸機構）。本實施形 態之液浸系統，包含··對基板P上及測量載台MST上供應 液體1的液體供應機構10、與用以回收供應至基板P上及 測量載台MST上之液體1的液體回收機構20。 曝光裝置EX，至少在將光罩Μ之圖案像轉印至基板p 上之期間，藉由液體供應機構10供應之液體1在基板ρ上

之部分區域（含投影光學系統PL之投影區域AR1)、或基板 ρ上之部分區域及其周圍區域（局部的）形成液浸區域AR2。 具體而言，曝光裝置EX，採用在投影光學系統pL之像面 側終端部之光學元件（例如底面（射出面）大致平坦之透鏡或 平行平面板等）2、與配置在該像面侧之基板ρ表面之間充滿 液體1的局部液浸方式，以通過光罩Μ之曝光用光EL，透 過投影光學系、統PL及投影光學u pL與基板p間之液體 1使基板P曝光，據以將光罩M之圖案轉印曝光至基板ρ。 又本例中，係使用形成液浸空間（含從投影光學系統pL 射出之曝光用％ EL之光路空間)之液浸空間形 例如嘴構件3G)來進行液浸曝光。 本例中，作為曝光裝置EX，係、以使用-邊使光罩M =:Γ於既定掃描方向、一邊將形成於光罩m 為例進， p之掃描型曝光裝置(所謂之掃描步進; 為例進行說明。以下，％ τ / ^ ΑΧ之方向為Ζ軸，垂直ΓζίΤ光學系統。L之光 之同步移動方向“” 内沿光 方向(非掃…方向)為X軸，沿垂直於該掃描方向 非^方向)取Υ轴來進行說明。又，繞X軸、γ 13 200819920 及z軸（傾斜）之方向分別設為0 χ、0 γ、及0 z方向。

本文中之基板，包含例如於矽晶圓等之半導體晶圓等 之基材上塗有感光材（以下，適當的稱光阻）者，所謂的成光 膜包含塗有其他保護膜（面塗膜）等各種膜者。光罩，則包含 形成有待縮小曝光至基板上之元件圖案的標線片，例如係 在玻璃板等之透明板構件上使用鉻等遮光膜形成既定圖案 者。此透射型光罩，並不限於以遮光膜形成圖案之二元光 罩，亦包含例如半調型、或空間頻率調變型等之移相型光 罩等。此實施形態中，基板P，係使用例如於直徑2〇〇mm 至3〇〇mm程度之圓板狀半導體晶圓上，例如以未圖示之塗 布顯影I置塗以既定厚度（例如2Gnm左右）之感光性材料之 光阻，並視需要於其上塗有反射防止膜或面塗膜者。 首先，照明光學系統IL，係以曝光用光EL照明光罩载 台RST所支樓之光罩M，具有：用以使未圖示之光源射出 之光束照度均句化之光學積分器、中繼透鏡系统、用以將 曝光用光EL在光罩M上之照明區域設定為狹縫狀的可變 視野光闌等。光罩M上之既^照明區域係藉照明光學系統 IL以均勻照度分布之曝光用《肛加以照明。從照明光學系 統IL射出之曝光用光此，係使用例如從水銀燈射出之紫外 線帶的亮線（i、線等）、KrF準分子雷射光（波長248nm)等之遠 紫外光（DUV光）、或ArF準分子雷射光（波長193㈣、& 雷射光（波長157nm)等之真空紫外光（vuv光）等。本例中， 曝光用光EL係使用ArF準分子雷射光。 又，光罩載台RST係用以支撐光罩M，能在未圖示之 200819920

光罩座上垂直於投影光學系統pL之光軸的平面内、亦 2 Υ平面内進仃2維移動及Θ ζ方向之微小旋轉。光罩載 口 RST例如係以線性馬達等之光罩載台驅動裝置 加以驅動。光罩載台驅動裝i RSTd係以控制裝置c贿 加以抆制。於光罩載台RST上設有反射鏡“A，於反射鏡 55A之對向位置設有雷射干涉儀μ。實際上，雷射干涉儀 56A係構成為具有3軸以上之測長軸的雷射干涉儀系統。光 罩载口 RST(光罩M)之2維方向位置以及旋轉角係由雷射干 乂義 P日年加以測1，測量結果輸出至控制裝置CONT。 抆制衣置CONT |據該測量結果驅動光罩載台驅動裝置 D據以進仃光罩載台RST所支撐之光罩μ之移動及 =位。又，反射鏡55Α不僅是平面鏡亦可包含角隅複鏡（復 歸反射ϋ)，或者，亦可取代反射鏡55Α使用例如對光罩載 台RST之端面(側面)施以鏡面加工所形成反射面。 一投影光學系統PL，係用以將光罩Μ之圖案以既定投影 倍率β(β例如# 1 / 4、1/ 5等之縮小倍率）投影曝光至基板 Ρ上者，由包含設於基板Ρ側（投影光學系統PL之像面側） 、、’、端邛之光學凡件2的複數個光學元件所構成，此等光學 元件係以鏡筒ΡΚ加以支撐。又，投影光學系統孔不限於 縮小系統，亦可以是等倍系統及放大系統之任—者。此外， 投影^系統PL前端部之光學元件2係以能裝拆（更換）之 方式"又於鏡筒PK，而液浸區域AR2之液體1則接觸於光學 兀件2雖未圖不，投影光學系統PL係透過防振機構裝載 於以3根支柱支撐之鏡筒平台，但亦可如國際公開第2⑽6 15 200819920 /03 8952號小冊子之揭示， 投影光學系統PL上方配置 光罩基座等。 將投影光學系統PL懸吊支撐於 之未圖示的主框架構件、或前述 本例中，液體1係使用純水。純水不僅能使W準八 子雷射光穿透，例如從水銀燈射出之紫外線帶的亮線及^ 準分子雷射光等之遠紫外線⑽乂光)亦能穿透。光學元件^ 係以螢石（CaF2)形成。由於螢石與水之親和性高，因此能使 • 先學70件2之液體接觸面2a大致完全與液體i接觸。又， 光學元件2亦可以是與水之親和性高的石英等。 又，基板P之光阻，例如係具有彈開液體i之撥液性 的光阻。如前所述，亦可視需要於光阻上塗布保護用之面 塗層。本例中’將液體W開之性質稱為撥液性。當液體】 為純水時，所謂撥液性即指撥水性。 又，於基板載台PST上部固定有例如以真空吸附方式 保持基板P之基板保持具PH。此外，基板載台PST且備： • 控制基板保持具PH(基板p)之Z方向位置（聚焦位置）及Θ X、θυ方向之傾斜角的z載台部，以及支撐此2載台部並 f夕動之XY載台。此XY載台部例如係透過空氣軸承裝載在 底座54上與χγ平面平行之導引面（與投影光學系統之 像面實質上平行之面）。基板載台psT(z載台52及χγ載台 53)係以例如線性馬達等之基板載台驅動裝置pSTD加以 驅動基板載台驅動裝置pSTD則以控制裝置C〇NT加以控 制。此外，本實施形態中，Z載台部包含台（table)、以及將 此口至少驅動於z、0 X及0 γ方向之致動器（例如音圈馬 16 200819920 達等）’將基板保持具與台形成為一，總稱為基板保持具 PH。又’基板载台psT亦可以是台能相對XY載台部於6 自由度方向微動之粗微動載台。 於基板載台PST上之基板保持具ph設有反射鏡55B， 於反射鏡55B之對向位置設有雷射干涉儀56B。反射鏡55B 實際上如圖5所示，係由X軸反射鏡55BX及Y軸反射鏡 55BY所構成，雷射干涉儀56B則以X軸雷射干涉儀56BX 及Y軸雷射干涉儀56ΒΥ所構成。回到圖i，基板載台psT 上之基板保持具PH(基板？）之2維方向位置及旋轉角，係 以田射干涉儀56B加以即時測量，測量結果輸出至控制裝 置CONT。控制裝置c〇NT，根據該測量結果來驅動基板載 台驅動裝置PSTD，據以進行基板載台pST所支撐之基板p ，移動及定位。又，亦可將雷射干涉€ 56B設計成亦能測 ϊ基板載台PST之Z軸方向位置、及0Χ，"方向之旋轉 資訊，其詳細狀況例如已揭示於特表2〇〇1一51〇577號公報 (對應國際公開第1999/2879〇號小冊子)。此外，亦可取代 反射鏡55B，而使用將基板載台psT或基板保持具pH之側 面等予以鏡面加工所形成之反射鏡。 又，基板保持具PHi，以圍繞基板P之方式設有可更 換之環狀 '平面的撥液性板# 97。作為撥液處理，例如 使用具撥液性材料之單層或複數層之薄膜塗層處理。 具有撥液性之材料，例如有氱 句四齓乙坤（鐵齓龍（註冊商標h 之鼠糸樹脂材料、丙嫌系抖日匕,,.. / 、 钸糸樹月曰材料、矽糸樹脂材料、 乙烯等之合成樹脂材料。軛株 Λ 扳件97之上面，係與基板保持具 17 200819920 PH所保持之基板p表面大致同高之平坦面。此處，基板p 之邊緣與板件97之間雖有"叫酿之間隙，但本例中， 由於基板之光阻為撥液性且液體！具有表面張力，因此幾 乎不會產生液體i流入該間隙之情形，即使進行基板Μ 緣附近之曝光’亦能將液體i保持在板件97與投影光學系 統PL之間。又，亦可在基板保持具pH設置用以將流入至 板件97與基板p間之間隙的液體1排出至外部的吸引裝置 (未圖示）。因此，基板p之光 尤阻（或面塗層）不一定須具有撥 此外，本實施形態中雖於基板保持具四以能裝拆（可 更換）之方式設有板件部97,但亦可不設置板件部97，而 =如^繞基板P之基板保持具阳之上面施以撥液處理 q成為平坦面。此時’最好是能將基板保持具PH設為 衣斥（可更換），以進行對該平坦面之維修 之補修等）。 傲狀联 [液體之供應及回收機構之說明] 應至ΪΓρ圖1之液體供應機構1G係用以將既定液體1供 二=上之物，其具備：可送出液體1之液體供應部 T連接於液體供應部11之供應管…液體 ="，具備：收容液體！之儲液槽、過遽部、以及加 反果專。又’液體供應裝置 加職等之全部，至少一 2具備儲液槽、過滤部、 置工廠等之設備來代用。^例如可以曝光裝之設 液體回收機構2〇 i，且備.7 係用以回收供應至基板P上之液體 /、備.可回收液體i之液體回收部21、一端部連接於 18 200819920 液體回收部21之回收營9〇 27、以及嗦技认 、連結於回收管22之供應管 及連接於供應管27之 潘&λ 心喁邛用以供應既定洗淨液之洗 淨液供應邛26。於回收管22 閥23及28。液體回…】應^ 27之途中分別設計 统（吸引壯署、 〇 ，例如具備真空泵等之真空系 :…立 以及收容所回收液體1之儲液槽等。洗淨 液供應^26’具備收容洗淨液體之儲液槽、以及加 關閉回收管22側之關n 4 Ba 間23、打開供應管27侧之閥28，即能

從洗淨液供應部26透過回收管27將洗淨液供應至回收管 .此外’液體回收機構2〇’不需具備真空系統、儲液槽 等之王部，至少-部分例如可以曝光裝置EX之設置工廠 等之設備來代用。 人作為洗淨液，可使用不同於液體丨之水與稀釋劑之混 夜T 丁丙8曰（7 一 Butyr〇lactone)、或異丙醇（1]?八）等之 溶劑。不過，亦可使用含液體i之液體，例如液體i本身、 或溶解（diSS0lve)有氣體（例如氮氣、臭氧或氧氣等）之液體 1 ’或以液體1為溶劑之溶液等來作為該洗淨液。此外，使 用液體1本身來作為洗淨液之情形時，由於亦可將液體供 應。P 11用作為洗淨液供應部，因此不一定須設置洗淨液供 應4 26及供應官27。又，亦可將來自洗淨液供應部26之 供應管27連接於與液體供應部u連通之供應管12。此情 幵y下，可與液體i之供應流路（例如供應管12等）分開獨立 的將洗淨液供應至液浸區域（液競空間）。 於投影光學系統PL終端部之光學元件2附近，配置有 作為流路形成構件之嘴構件30。嘴構件3〇，係在基板p(基 19 200819920 板載台PST)上方圍繞光學元件2周圍設置的環狀構件，透 過未圖示之支撐構件被支撐於立柱機構（未圖示）。在投影光 學系統PL之投影區域AR1位於基板p上之狀態，嘴構件 30具備配置成與該基板P表面對向之第i供應口 13與第2 供應口 14(參照圖3)。又，嘴構件30，於其内部具有供應 流路82A，82B(參照圖3)。供應流路82A之一端連接於第j 供應口 13，於該供應流路82A之中途，透過供應流路82B _ 連接於第2供應口 14(參照圖3)，供應流路82A之另一端部 則透過供應管12連接於液體供應部丨丨。再者，嘴構件， 具備配置成與基板P表面對向之矩形框狀回收口 24(束昭圖 3) 〇 …、 圖2係嘴構件30之概略立體圖。如圖2所示，嘴構件 7係圍繞投影光學系統p L終端部之光學元件2周圍設置的 環狀構件，舉一例而言，具備第1構件31、與配置在第i 構件31上部之第2構件32。第i、第2構件3ι及η分別 _為板狀構件’於其中央部具有能配置投影光學系統(光學 凡件2)之貫通孔31A及32A。 圖3係圖2之嘴構件30中、下層之第1構件31沿AA 線的截面® ’圖3中’形成於其上之第2構件^之供應流 路82A，82B以及連接於供應流路82A之供應管η，係以2 點鍵線表示。又，嘴播 _ M冓件30之第1構件31，具備：形成在 :〜光學系統PL之光學元件2之+ χ方向侧、將液體】供 :至基板P上的第1供應口 13,以及形成在光學元件2之 —X方向側、將液體1供應至基板P上的第2供應口 14。 20 200819920 供應口 13及14係配置成於χ方向（基板p之掃描方向）挟著 U域AR1。又，供應口 13及係分別貫通第1構件 =之貝通孔，雖係於γ方向細長之矩形，但亦可以是從投 影區域AR1之中心往外侧擴張之圓弧狀等。 、…進步的，於第1構件31，形成有：配置成圍繞投影 ":系、先PL之光學元件2(投影區域AR1)之矩形（亦可是圓 形等）框狀的回收口 24、以及用以連通回收口 24與回收管 • 22的回收流路84。回收口 24,係形成於第1構件底面 之槽狀凹部，且相斜忠風$从 子光干兀件2 §又置在較供應口 13，14更 外侧。供應口 13,14與基板p間之間隙、以及回收口 24之 與基板p間之間隙，雖設置成大致相同，但亦可例如將回 收口 24與基板PPa1之間隙設成較供應口 13, Μ與基板p間 =隙狹窄。此外，嘴構件3G具備多孔構件Μ，此多孔構 例如係設在第1構件31之液體1之流路或通過口（含 :…，U與回收口 24之至少一方本實施形態中，作 #开二25’係嵌有覆蓋回收口 24之網狀過濾器25(係 /成有夕數小孔成網眼狀），以下，^ ^ ^ ^ ^ 眼狀過遽器。又，多孔構株2 5 , χ孔構件2 5稱為網 夕孔構件25並不限於網狀過濾器，亦可 ==金屬或陶竟等具有孔(㈣之材料構成。待充滿 ，體之液浸區域AR2,係形成在以回收口 24所圍矩 可以是圓形等）區域之内側包含 厂，、 ‘本眭尨ρ v ^域AR1，且在掃描 曝先％係局部的形成在基板p 之一部八、^ 邛刀（或包含基板p上 刀）。嘴構件30，由於係以液體i 一 基板p之間，來形成含曝光 7 與 尤路空間的局部性液 21 200819920 浸空間（相當於液浸區域AR2)，因此亦稱為液浸空間形成構 件或 containment member(confinement member' 限制構件) 等。 圖2之嘴構件30之第1構件31、第2構件32、以及 圖3之網狀過據器25，分別係以易與液體1親和之親液性 材料、例如不鏽鋼（sus)或鈦等所形成。因此，圖丨中，液 浸區域AR2中之液體1，在通過設於嘴構件30之回收口 = 之網狀過it器25|，經回收流路84及回收管22圓滑的被 回收至液體回收部21。此時，光阻殘料異物中，大於網 狀過濾器25之網眼的異物將會殘留在其表面。 、' 圖3中，本、例之液體的回收〇 24雖係矩形或圓形框 狀’但亦可如2點鏈線所示’使用由2個矩形(或圓弧狀等) 回收口 29Α及29Β(於X方向隔著供應口 ΐ3, 14 29C及29Ό(於γ方向隔著

及2個矩形（或圓弧狀等）回收口 2 光學元件2配置）所構成之回收口 配置網狀過濾器來加以取代。又， 可為任意。此外，亦可例如國際/； 22 200819920 書、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2〇〇4 /057589號小冊子、國際公開第2〇〇4/〇5759〇號小冊子、 國=公開帛2005/029559號小冊子（對應美國專利申請公 開第2006/0231206號）所記載之流路形成構件等。 又，本例中，液體之供應口 13, 14與回收口 24雖係設 於同-嘴構件30’但供應口 13, 14與回收口 24亦可設於不 同構件（嘴構件等例如，可僅將供應口設於其他構件，或 僅將回收口設於其他構件。又，將第2回收口設在回收口 24之外侧時，可將此第2回收口設於其他構件。此外，圖 I/:亦可使供應口 13及14分別連通於不同的液體供應 :’攸供應口 13及14以能彼此獨立控制控制量之狀態將 液體1供應至液浸區域AR2。 又’供應口 13, 14亦可不與基板？對向配置。再者， 本例之嘴構件3G之下面雖係設定為較投影光學系统凡之 下端面更接近像面側(基板側），但亦可例如將嘴構件之 下面設定為與投影光學系統PL之下 (7 2 ^ ^卜^面（射出面）相同高度 (Z位置）。此外，亦可將嘴構件 #曰 心邛刀（下端部）以不致 遮敝曝光用光EL之方式埋入至投影. 扠心九學糸統PL(光學元件 2)之下側。 如上所述，嘴構件3 〇分別播孑、六μ , 刀别構成液體供應機構10及液 體回收機構20之一部分。亦即，嘴 〆 ^ 構件3〇係液浸系統之 一部分。又，設於回收管22及供應 “吕ζ /之閥23及28，係 分別用以開閉回收管22及供應管 ’ 、丨L塔，其動你以於 制裝置CONT加以控制。在回收管 、 之/瓜路開放期間，液 23 200819920 -回收部能通過回收口 22從液浸區域ar2吸引回收液 體:，在閥28為關閉狀態下，以㈤23封閉回收管η之流 路時’即停止透過回收口 24吸引回收液體ι。之後，藉： 開閥28 了能從洗淨液供應部26注人洗淨液，經供騎 ”、回收管22及網狀過濾器25而通過嘴構件π之回收口 24 ° 2料將液浸機構之-部分'例如至少將嘴構件3〇 於保持投影光學系…主框架(例如含前述鏡 :十口），或不同於主框架之其他框架構件亦可。或者，如 當投影光學系、統旧系以懸吊方式支撐時，可投影光 pV:門::：體懸吊支撐嘴構件30，亦可與投影光學系統 ,刀開獨立的將嘴構件3〇設於測量框架，若為後者之情 形，投影光學系統PL可不以懸吊方式支撐。 圖1中’液體供應部11及洗淨液供應部26之液體供 應係以控㈣置C隨加以控制。控制裝置c贿，能分別 :立㈣液體供應部η及洗淨液供應部26對基板p上每 早立％間之液體供應量。從液體供應部u送出之液體ι， =供下應管12及嘴構件3()之供應流路82a，82b，從嘴構 下面與基板p對向設置之供岸 應至基板卩上。 應13，14(參照圖3)被供 又’液體回收部21之液體回收動作係以控制裝置c〇nt 控制。控制裝置CONT，能控制液體回收部 時間之液體回收量。從嘴構件3G下面與基板 回…透過網狀過據器25回收之基板p上的液體、，經 24 200819920 嘴構件3 〇 21 〇 之回收流路84及回收管22 被回收至液體回收部 [测量載台之說明] 圖1中’測量載台MST’具備：γ方向細長之長方形、 破驅動於X方向（掃描方向 χ 鉦i壯# 戟ϋ邛181，例如透過空氣 軸承裝載於其上之調平台188， .^ 汉衣載於此調平台1 88上 作為測量單元之測量台ΜΤβ。 、^产 馮例，測ΐ台MTB係透

=工氣軸承裝載於調平台188上，但亦可將測量台謂斑 =平台體化。X载台181部，係例如透過空氣轴承裝 戰於底座54上能於X方向移動自如。 圖5’係顯示圖！中之基板載台psT及測量載台· T俯視圖’此圖5中，於Y方向(非掃描方向)隔著底座5心 铃X軸平行的設有χ軸固定件186及187(其内面分別於乂 方向以既定排列配置有複數個永久磁鐵），於固定件186及 87之間分別透過含線圈之移動件^ 及1 ，與γ軸方向 大致平仃的配置有於X方向移動自如之γ軸滑件18〇。並 沿Υ軸滑件18〇配置於γ方向移動自如之基板載台PST， 由基板载台PST内之移動件、與γ軸滑件18〇上之固定件（未 圖不）構成將基板載台PST驅動於γ方向之γ軸線性馬達， 由移動件182及183及與對應之固定件186及187構成分 別將基板载台PST驅動於Χ方向之一對χ軸線性馬達。此 等X轴、Υ軸線性馬達等，構成圖1之基板載台驅動裝置 PSTD。 又，測ϊ載台MST之χ載台部} 8丨，係透過在固定件 25 200819920 及187之間分別包含線圈之移動件—&⑻配置成能 在X方向移動自如，由移動件184及185及與對應之固定 件1 86及187構成分別將測量载台奶了驅動於乂方向之一 對^軸線性馬達。此χ軸線性馬達等，於圖i中係顯示為 測量載台驅動裝置TSTD。 圖5中，於X载台部l8l之—又方向端部，以和γ轴 平行於Z方向重豐且依序對向於内面之方式，固定 春#截面形狀為〔字形之固定件167(配置有用以在Z方向產 生相同磁場之複數個永久磁鐵)，以及包含大致沿X軸方向 捲繞(排列)之線圈的平板狀固定件171，配置於下方固定件 W内、於測量台MTB之γ方向分離的2處分別固定有包 含沿γ轴捲繞（排列）之線圈的移動件166AA贿，於z 2向隔著上方固定件171、於測量…固定有截面形狀 為〔字形之固定件170(配置有在¥方向以既定排列配置之 複數個永久磁鐵）。由下方固定件167與移動件祕及赚 • 分別構成將測量台MTB相對χ載台部m微驅動Μ方向 及“方向的X軸音圈馬達祕及168Β(參照圖”，由上 2之固定件171與移動件17〇構成相對又載台部ΐ8ι將列 ΐ台ΜΤΒ驅動於γ方向的γ軸線性馬達169。 又，於測量台謂上之—χ方向及+γ方向分別固定 有X軸移動鏡（反射面）55«及Υ軸移動鏡（反射面…CY， 以和移動鏡55CZ於-X方向對向之方式配置有〜雷射干 Γ義⑽。移動鏡5们，55〜於圖1中係以移動鏡伙 加以顯示。雷射干涉儀56C係多軸雷射干涉儀，以雷射干 26 200819920 涉儀56C隨時測量測量台麗丁6之又方向位置、及02方向 之旋轉角度等。又，或者，亦可取代移動鏡55CX，55CY而 使用例如對測量載台MST之侧面等施以鏡面加工所形成反 射面。 另一方面，圖5中，Y方向位置測量用之雷射干涉儀 5 6BY，係共用於基板載台PST及測量載台MST。亦即，X 軸的2個雷射干涉儀56BX及56C之光軸，係通過投影光學 系統PL之投影區域AR1之中心（本例中係與圖1之光軸AX 一致）與X軸平行，Y軸雷射干涉儀563丫之光軸則通過其 投影區域之中心（光軸AX)與Y軸平行。因此，通常，為進 行掃描曝光，在將基板載台PST移動至投影光學系統PL之 下方時，雷射干涉儀56BY之雷射光束照射於基板載台PST 之移動鏡55BY，藉雷射干涉儀56BY測量基板載台PST(基 板P)之Y方向位置。此外，例如為測量投影光學系統PL 之成像特性等，在將測量載台MST之測量台MTB移動至投 0 影光學系統PL之下方時，雷射干涉儀56BY之雷射光束照 射於測量台MTB之移動鏡55CY，藉雷射干涉儀56BY測量 測量台MTB之Y方向位置。如此，即能恆以投影光學系統 PL之投影區域之中心為基準，以高精度測量基板載台PST 及測量台MTB之位置，而能減少高精度且昂貴之雷射干涉 儀之數量，降低製造成本。 此外，沿基板載台PST用之Y軸線性馬達及測量台 MTB用之Y軸線性馬達169，分別配置有學方式等之線線 編碼器（未圖示），在雷射干儀56BY之雷射光束未照射移動 27 200819920 鏡55BY或55CY的期間，基板載台pST或測量台mtb之 Y方向位置則分別以上述線性編碼器加以測量。

回到圖1 ’測量台MTB之2維方向位置及旋轉角，係 =雷射干涉儀56C及圖5之雷射干涉儀56Βγ(或線性編碼 為）加以測里，測1結果被送至控制裝置c〇nt。控制裝置 CONT根據名測里結果驅動測量載台驅動裝置、線性 馬達169、以及音圈馬達168八，168B，據以進行測量載台 MST中測量台MTB之移動或定位。 又調平口 1 8 8，具備能分別以例如氣缸或音圈馬達方 式控制Z方向位置的3個z軸致動器，通常，以調平台 控制測量台MTB之Z方向位置、方向、口方向之角 度，以使測量台ΜΤΒ之上面與投影光學系統pL之像面對 焦。因此，於嘴構件30附近，設有用以測量投影區域趣 内及其附近之基板P上面等被檢測面之位置的自動聚焦感 測器（未圖示），根據此自動聚焦感測器之測量值，由控制穿 置CONT控制調平台188之動作。再者，雖未圖/亦二 有用以維持調平台1 88相對X載台部j 81 〜八万向、γ方 向、ΘΖ方向之位置的致動器。 又，自動聚焦感測器藉由以其複述個測量點分別測量 被檢測面之Z方向位置資訊，而亦檢測0 χ方向' 0 γ方口 之傾斜資訊（旋轉角），但亦可將該複數個測量點之至，卜一= 分設定在液浸區域AR2(或投影區域aRi^，+屯夕° 7 n 或者，亦可將 王部設定在液浸區域AR2之外側。再者，☆ ^ 狀'如能以雷射干 以儀56B，5 6C測量被檢測面之z軸、0 X爲 yx及ΘΥ方向之位 28 200819920 寸 方了不设置能在基板P之曝光動作中測量其z 、方向之位置資訊的自動聚焦感測器，亦可作成至少在曝 光動作中使用雷射干涉儀55B，55C之測量結果來進行被檢 測面於Z軸、0 X及0 Y方向的位置控制。

、f例之測量台MTB，具備為進行關於曝光之各種測量 的則i器頦（測量用構件）。亦即，測量台具備：固定 線線馬達169之移動件等及移動鏡55C的測量台本體159, 以及固定在此上面、例如由石英玻璃等低膨脹率之光透射 性材料所構成的板# 101。此板件1〇1之全表面形成有鉻 膜，隨處設有測量器用之區域、以及特開平5—⑴⑷虎公 報（對應美國專利第5,243，195號）等所揭示之形成有複數個 基準標記之基準標記區域FM。 如圖5所示，於板件1〇1上之基準標記區域fm，形成 有圖i之光罩用對準感測器AS用之—對基準標記舰 FM2、以及基板用對準感測器副用之基準標記觸。將 此等基準標記之位置，以對應之對準感測器分別加以測 量，即能測量出投影光學系統PL之投影區域AR1之投影位 置與對準感測H ALG之檢測位置間之間隔（位置關係）的基 準、__ linem基準線量之測量時，於板件】〇丄上 亦形成液浸區域AR2。又，對準咸測哭Λ Α τ Τ + α劂态ΜΑ、ALG可分別為 影像處理方式，或以檢測藉同調光束之照射而從該標記產 生之繞射光的方式等。 形成有各奘測量器用 例如有空間像測量用 於板件1 01上之測量器用區域， 開口圖案。作為此測量用開口圖案， 29 200819920 開口圖案(例如狭縫狀開口圖案)、照明不均測量用針孔開口 圖案、照度測量用開口圖案、以及液面像差測量用開口圖 案等’於此等開口圖案底面側之測量台本冑159内，配置 有以對應測量器用光學系統及光電感測器構成之測量哭。

該測量器之-例，例如係特開昭57—ιΐ7238號公報（對 應美國專利第4, 465, 368號說明請所揭示之照度不均感 測器’例如特開2002- U005號公報（對應美國專利申請公 開第2002/ _1377號說明書）等所揭示之用以測量以投影 光學系統PL所投影之圖案空間像（投影像）之光強度的空間 像測量裝置61’例如特開平u— 16816號公報（對應美國專 利申清公開第2002/0061469號說明書）等所揭示之照度監 視器，以及例如國際公開g 99/6〇361號小冊子（對應歐洲 專利第1，079,223號說明書）等所揭示之波面像差測量器。 又，本例中，係進行透過投影光學系統PL與液體1以 曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光，與此對應的，使曝 光用光EL之測里所使用之上述照度不均感測器、照度監視 器、空間像測量器、波面像差測量器等，則係透過投影光 學系統PL及液體1來接收曝光用光EL。因此，於板件1〇1 表面塗有撥液塗層。 [洗淨液之噴出機構之說明] 圖4係顯示安裝於測量載台MST之洗淨液喷出機構， 於此測里〇 MTB之截面之圖4中，於測量台本體上面 之2處形成有凹部6〇Α及6〇β，於第}凹部6〇α上部之板 件101形成有開口 101a，於第2凹部6〇Β上部之板件1〇1 30 200819920 之區域101b未形成遮光膜及剝液塗層。因此 照明光能通過板件101。 [线101b 之洗=:6°:之中央部’固定有用以將從底部供應 喷射嘴部速㈣向上丨之切嘴部9〇, -供應流路心及二透:測*台本趙159内 之噴 °八可撓性官線63A連接於洗淨液 示之‘構液， 體接觸部。作為來洗淨與液體1接觸之液 該洗淨液來以喷出態樣，本例中係以高麼喷射 時與《接：堡洗淨。又，雖可至少洗淨於液浸曝光 洗淨液體接觸部之—部分、例如僅洗 =了 部分。該洗淨Π kin ## 3〇ΤΦ^- 出成霧狀。又，^ 樣’亦可以是將該洗淨液喷 例如—行。進一：，、備複數個噴射嘴部％並將此等排列成 之洗淨液噴出:Γ’可將來自噴射嘴部9〇之噴射口術 外之斜方Π 設定為對㈣1〇1上面之垂直方向以 ° 亦即，洗淨液對板件101上面之喷出角度 丈《於9。度’可藉由例如致動 之- 來變化洗淨液之噴屮“ 贺射嘴。"0之驅動’ 噴出” h之洗淨液擴:二，二可在既;角落範圍内使 觸部相關之資訊，例如洗淨部:及； 機構之液體接觸部洗淨倏#心及/或Μ程度改變喷出 之洗淨液種類（亦包含#述、、/人改變從噴射嘴部90喷射 力、噴出圖宰、t、w 匕率、氣體溶解濃度等)、壓 “度等。此情形’改變之洗淨條件不限 31 200819920 於1個，可以是複數個。又， 性與喷出條件之至少其中一方 噴出機構。 洗淨條件並不限於洗淨液特 ’洗淨機構亦不一定須具備 賀出裝i 62,係由洗淨液之蓄積部心、將從此蓄積部 &供應之洗淨液控制於既定溫度(例如高溫)之溫度控制部 ㈣以及將經溫度控制之洗淨液以高壓送出至管線6从側 , 62^ ^

— 之動作以含電腦之控制部6 1加以控制。在例如被洗 之/亏木幸乂多犄，可加高洗淨液之溫度。又，於管線63A =途中透過具可撓性之管線⑽，連接有將氣體及洗淨液混 ^ 乂噴出之混合噴出裝置66。混合喷出裝置66，例如 係由例如經導f 66c及内部除塵濾器吸引無塵室内之空氣 氣體吸引部66a、與混合加壓部66b構成。混合加壓部 66b將由氣體吸引部66a供應之氣體、與從喷出裝置62 之溫度控制部62經管線63D供應之經溫度控制後之洗淨液 加以’吧合後，以既定壓力送出至管線63B側。氣體吸引部 66&及此合加壓部66b之動作以控制部6 1加以控制。 再者’於管線63 A及63B分別安裝有閥64 A及閥64B， 控制部61在使用噴出裝置62時關閉閥64B而打開閥64A， 而在使用混合喷出裝置66時則關閉閥64A而打開闊64B。 又’考里因测量载台MST之移動使管線63 A及63B頻繁的 弓曲而有招致内部之液體漏出之虞，閥64A，64B以盡可能 的"又在接近測量台MTB之位置較佳。 又’凹部60A之底面，透過測量台本體159内之回收 32 200819920 流路87、及外部具可撓性之管線63C連接於液體之回收裝 置65 ’於管線63C亦安裝有開關用之閥64C。回收裝置65 包含吸引用泵、除塵用過濾器部、以及回收後液體之蓄積 部，其動作及閥64C之開關以控制部61加以控制。本例中， 係以回收裝置65回收進到凹部6〇A内之洗淨液等（含形成 液次區域AR2之液體）。又，亦可以圖i之液體回收部 經嘴構件來吸引回收進入凹部6〇A内之洗淨液等。此場合，

可省略包含回收裝置65、管線63C及回收流路87測量載台 MST側之洗淨液等之回收機構。 再者，於圖4之測量台本體159上之第2凹部6〇b内， 配置有包含物鏡67a、CCD等之2維攝影元件6几、以及且 有照明被檢測面DP之未圖示照明系統的觀察裝㈣。攝影 元件67b之攝影訊號透過控制部61供應至圖i之控制芽置 CONT之影像處理處㈣，此影像處理系統根據該攝影訊號 (被檢測面DP之影像），進行噴射嘴部％之洗淨對象構漸之 位置確認、以及污染程度之確認等。 予又，本例中，由於圖5 中基準標記FM1〜FM3與凹部6〇δ p目> , /、u 4 60Α間之位置關係為已知， 且亦能藉由對準感測器ALG檢測其進挪^ ^ 々双列基準標記FM1〜FM3來測 量與圖1之嘴構件30間之位置關孫 m r 直關係，因此能從此結果高精 度地求出圖4之喷射嘴部90與圖1 口 1之嗱構件30(洗淨對象） 間之位置關係。因此，觀察裝置67 〇 /之设置並非絕對需要。 此外，在將測量載台MST設置於翻袞壯亜 罝於規察裝置67之情形時，可 將觀察裝置67之一部分、例如將命 J如將則述照明系統配置在測量 載台MST之外部。 33 200819920 從圖4之噴出裝置62噴出之渰潘、六k v*讲處a 、 先乎液，與從圖1之洗淨 液供應。p 26供應之洗淨液同樣的， J使用例如水與稀釋劑 之此a液、r _ 丁内酯或IpA等 …或者包含前述液體1 之液體4。本實施形態中，從噴出 k ^ 衣置62噴出之洗淨液係 與從洗淨液供應部26供應之洗淨液為 % . 甲/從為冋一種類。以控制部 61進仃之贺出裝置62、混合噴出 貝衣置66及回收裝置65之 動作控制，閥64A〜64C之開關動作，

_L t _ F 从及測夏載台MST

對水員應此等動作之動作，係以圖1 口 1 <徑制裝置CONT統籌 控制。又，亦可將喷出裝置62之洗溱 ^ 元平液畜積部02a作成可 裝卸之匣式容器，將以回收裝置65f式 衣1 Η或圖1之液體回收部21) 回收之液體經除塵濾H後送回較式容器，將此回收之液 體再使用為洗淨液。再者，亦可使噴出裝置62與洗淨液供 應部26之洗淨液種類不同。例如，使洗淨液供應部26供 應ΙΡΑ等溶劑’而噴出裝置62則供應洗淨液丨。此外，洗 淨機構之一部分，可使用例如曝光裝置Εχ之設置工廠等之 設備代用。又’洗淨機構並不限於上述構成，例 設置蓄積部62a 〇 [曝光步驟之說明] 圖1中，於基板P上設定有複數個照射區域，本例之 控制裝置CONT係一邊監測雷射干涉儀56B之輸出一邊移 動基板載台pst，以相對投影光學系統PL之光軸Αχ(投= 區域AR1)使基板ρ沿既定路徑前進，並以步進掃描（skp & scan)方式依序使複數個照射區域曝光。亦即，以曝光裝置 EX進行之掃描曝光時，於投影光學系統pL之矩形投影區 34 200819920 域Akl投影光罩]y[之部八 〇刀圖案像，光罩…相對投影光學系 、、死PL·以速度V移動於γ 士 ^ ^ y 方向，與此同步的，基板P透過

基板載。PST以速度η · V (点為投影倍率）移動於X方向。 在對基板Ρ上之一個昭私 ’、、、區域之曝光結束後，藉由基板ρ 之步進移動，移動至次_昭鼾斤0 ^ 槪 …、射&域之掃描開始位置，然後， 如圖5所示，以步進播护 一 坪指方式一邊移動基板Ρ、一邊依序進 灯對各照射區域之掃描曝光處理。

基板Ρ之曝光處理φ，固， 处里中圖1之控制裝置CONT驅動液 體供應機構1 0，進行對其^ 丁對基板ρ上之液體供應動作。從液體 供應機構1 0之液體供靡部 欣 _ 聪1,、應邛11送出之液體1在流通過供應 & 12後’經形成在嘴構件3〇内部之供應流路UA，供 應至基板Ρ上。 ’、 …供應至基板Ρ上之液體i，配合基板ρ之動作流過投影 光予系、、先PL之下。例如’在一照射區域之曝光中基板ρ移 動於+ Χ方向時，液體1即與基板Ρ往相同之+ Χ方向、與 基板Ρ大致相同速度，流過投影光學系統PL之下。於此狀 態下，從照明光學系統IL射出、通過光罩Μ之曝光用光 EL照射至投影光學系統pL之像面侧，據此，光罩μ之圖 案即透過投影光學系統PL及液浸區域AR2之液體1曝光至 土板Ρ控制衣置CONT，在曝光用光EL照射於投影光學 系統PL之像面侧時，亦即在基板Ρ之曝光動作中，進行以 液體供應機構1〇對基板ρ上之液體1的供應。在曝光動作 中持續以液體供應機構1〇供應液體丨而良好的形成液浸區 域AR2。另一方面，控制裝置c〇NT，在曝光用光el照射 35 200819920 於投影光學系統PL之像面侧時，亦即在基板p之曝光動作 中，進行以液體回收機構20對基板p上之液體1的回收。 在曝光動作中（曝光用光EL照射於投影光學系統pL之像面 側時），藉持續進行液體回收機構2〇對基板p上之液體} 的回收’能抑制液浸區域AR2之擴大。 本例中’於曝光動作中，液體供應機構1〇係以供應口 13，丨4同時進行從投影區域AR1之兩側對基板p上之液體1 # 的供應。據此，從供應口 13, U供應至基板P上之液體卜 能良好的擴散至投影光學系統！^終端部之光學元件2之下 端面與基板P之間、以及嘴構件30(第丨構件31)下面與基 板P之間，形成至少較投影區域AR1大範圍之液浸區域 主2又，饭6又供應口 13及14係連接於其他液體供應部之 形時，亦可就掃插方向，將從投影區域綱前方供應之 每單位時間之液體供應量，設定為多於從其相反侧供應之 液體供應量。 • i 、又，亦可不在曝光動作中進行液體回收機構20之液體 。的回收動作，而在曝光結束後，開放回收管U之流路來 σ收基板P上之液體卜舉一例而言，可僅在基板p上之某 區域之曝光結束後、至次一照射區域之曝光開始前 刀/月間（基板Ρ之步進移動期間之至少一部分），以液體 回收機構20進行基板？上液體i之回收。’ 控制裝置C〇NT，於基板P之曝光中，持續以液體供應 倡〇、進仃液體1之供應。藉持續進行液體1之供應，不 Μ液體1良好的將投影光學系統孔與基板？之間予以 36 200819920 充滿’亦能防止產生液體！之振動（所謂之水鎚現象”以此 方式’即能對基板P之所有照射區域以液浸法進行曝光。 又’例如在基板P之更換中，控制裝置CONT，使測量 載台MST移動至與投影光學系統pL之光學元件2對向之 位置，於測量載台MST上形成液浸區域AR2。此時，係在 使基板載台PST與測量載台|^8丁接近的狀態下移動，藉由 與一載台之更換將另一載台與光學元件2對向配置，來在 φ 基板載台PS丁與測量載台MST之間移動液浸區域AR2。控 制裝置CONT，在測量載台MST上形成有液浸區域AR2之 狀態下，使用裝載於測量載台MST之至少一個測量器（測量 構件），進行與曝光相關之測量（例如基準線測量）。 關於在基板载台PST與測量載台MST之間移動液浸區 域AR2之動作，以及基板p更換中之測量載台mst之測量 動作的詳細情形，已揭示於國際公開2〇〇5/〇74〇14號小冊 子（對應歐洲專利申請公開第1713113號說明書）、以及國際 # 公開第2006/ 013806號小冊子等。此外，具備基板載台與 測量載台之曝光裝置，例如已揭示於曰本特開平U— U5400號公報（對應國際公開第1999/ 23692號小冊子）、 特開2000- W4504號公報（對影美國專利第6,897 Μ)號）。 此處，援用美國專利第M97,963號等之揭示作為本說明書 之一部分。 [洗淨動作之說明] 如上述之曝光步驟中’當圖1之基板P與液浸區域AR2 之液體1接觸時，會有基板p之部分成分溶析至液體^中 37 200819920 之h形。例如，作為基板p上之感光性材料而使用化學增 幅型光p且之情形時，該化學增幅型光阻，包含基底樹脂、 •樹月曰中所含之光酸產生劑（PAG : ph〇t〇 Acid Generator) 以及被稱為Quencher”之胺系物質。當此種光阻接觸液體 1柃，光阻之部分成分，具體而言，其中之pAG及胺系物 質等會有溶析至液體丨中之情形。又，在基板p之基材本 身（例如矽基板）與液體i接觸時，亦會因構成該基材之不 同，而有該基材之部分成分（矽等）溶析至液體丨中的可能 性。 如岫所述’接觸基板p後之液體1，有可能包含由產生 於基板P之雜質及光阻殘渣等所構成之微粒等的微小異 物。又，液體1亦有可能包含大氣中之塵埃及雜質等之微 小異物。因此，以液體回收機構2〇回收之液體1，有可能 包含各種雜質等之異物。因此，液體回收部2丨係將回收之 液體1排出至外部。又，亦可將回收後液體〗之至少一部 分以内部處理裝置加以淨化後，將該淨化後之液體i送回 至液體供應機構1 〇。 又’混入液浸區域AR2之液體1中之上述微粒等之異 物中，車父设於圖1中之嘴構件3 〇之回收口 24之網狀過濾 器25之網眼大的異物等，有可能附著而殘留在包含網狀過 濾器25表面（外面）等之上述液體接觸部。此等殘留之異 物’有可能在基板p之曝光時，再次混入液浸區域AR2之 液體1。當混入液體1之異物附著於基板p上時，有可能導 致將形成於基板P之圖案產生形狀不良等之缺陷。 38 200819920 因此，本例之曝光盤署P /么上， ，置EX，係在例如液體供應機 ㈣體回收機冑⑼之定期或操作員等之要求而進行維修 犄根據圖9(A)之程序以下述方式進行殘留在嘴構件30之 異物的洗淨。又，亦可左 、 Γ 了奴牯監測以液回收機構21所回收之 液體中微粒之私度’在該微粒程度超過既定容許範圍時實 也G 3以下洗淨步驟之維修。例如，在回收管^途中透過 分歧管設置測量異物（微粒）之微粒計數器，來監測回收液體

中之微粒數。徽叙斗叙时 ，t y 计數為，例如係從回收之液體以既定取 樣率抽出既疋谷I之液體，對抽出之液體照射雷射光束， 對散射光之影像進行影像處理來測量該液體中之微粒數。 此外，亦可在基板载台PST上之基板p之更換中隨時進行 以下之洗甲動作。再者’亦可例如預先使用圖*之觀察裝 置67偵測嘴構件3G之污染較多的部分，於該洗淨動作時， 僅洗淨該污染較多之部分。 此洗淨步驟中，在停止曝光用光EL照射之狀態下，於 圖9(A)之步驟301，如圖6所示，將測量載台MST之測量 台MTB緊貼（或接近）於基板載台psT上之基板保持具 PH。其次，使基板載台MST與測量台MTB(測量載台MST) 同時往+ X方向移動，將測量纟MTB上之池部60移動至 投影光學系統PL正下方。之後，可使基板載台進一步往+ X方向退避。其結果，如圖7(A)所示，將測量台MTB上之 凹部6〇A内之噴射嘴部90以圍著投影光學系統PL前端之 光學70件2之方式，移動至藉由支撐構件33A及33B(塗有 撥液膜）以未圖示之立柱機構所支撐之嘴構件30之回收口 39 200819920 24(網狀過濾器25)底面。 在此狀態下’以和使用液浸法之曝光時同樣的（但不照 射曝光用光EL) ’於步驟3〇2中，從圖1之液體供應機構 10通過嘴構件30之供應口 13, 14，將液體i供應至之光學 兀件2及圍繞此之嘴構件3〇底面與測量台MTb上面之間， 如圖7(B)所不，形成液浸區域AR2(液浸步驟）。此時，為避 免液浸區域AR2擴張至嘴構件3〇之外側，關閉圖1之閥 28而打開閥23，以液體回收機構2〇回收液浸區域AR2内 之液體1。又，由於液體i亦會流入凹部6〇A内，因此，亦 可視需要打開圖4之閥64C，經回收流路87及圖4之管線 63C以回收裝置65回收凹部6〇A内之液體丨。如以上所述， 藉預先形成液浸區域AR2，即能容易的剝離附著於嘴構件 30之異物。此外，亦能抑制從噴出裝置以噴射而出撞擊於 嘴構件30之洗淨液之飛散等。於此狀態下，停止以圖1之 液體回收機構20從進行液浸區域AR2回收液體丨，並停止 從液體供應機構1〇1對液浸區域AR2供應液體1。使洗淨 液1A從池部60溢流，以使洗淨液1A通過嘴構件π之回 收口 24之網狀過濾器25浸透至嘴構件3〇内部。但可藉二 測量台ΜΤΒ上面之撥液性及液體！之表面張力，而心學 元件2及嘴構件3〇底面與測量台Μ 予 之間維持液浸區域 AR2 〇 其次’設使用圖4之喷出裝置62，於牛_ 於步驟303，Μ批 制部61之控制，關閉閥64Β而打開閥 从+ " Λ k噴出梦署 經管線63A、供應流路86及喷射嘴部 、、 1 90,如圖7(C)所示， 200819920 朝嘴構件30之回收口 24内之網狀過遽器25噴射洗淨液 1B。與此同時’將流入凹部6〇A内之洗淨液ib，經回收流 路87及圖4之管線63C以回收褒置65加以回收。如此， 一邊進行從喷射嘴部90喷射洗淨液1B及回收凹部6〇a内 之洗淨液⑺一邊將圖4之測量載台MST驅動於χ方向、γ 方向，如圖7(C)所示，使噴射嘴部9〇沿嘴構件％之矩形 框狀回收口 24及供應口 13，14相對移動。據此，將洗淨液 鲁 1B噴向網狀過滤器25及供應口 13，14之全面（洗淨步驟）。 又，如圖7(D)所不，在測量台MTB上面脫離嘴構件3〇底 面之一部分的情形時，亦可以圖！之液體回收機2〇回收液 浸區域AR2内之液體1。 其結果，附著在嘴構件30之網狀過濾器25(回收口 24) 及供應η 13, 14 0之異物的大部分，即混入或溶至洗淨液 1Β内。且δ亥等異物與洗淨液1Β 一起被回收至圖4之回收 衣置65此外，亦可視需要重複複數次從圖7(Α)至圖7(D) 馨之洗淨動作又，亦可至少部分的平行實施圖7(B)之對液 /又區域AR2之液體1之供應及回收動作（步驟3〇2)、與圖 7(C)之攸喷射嘴部9〇之洗淨液ib之喷射動作（步驟3们）。 再者，亦可取代以回收裝置65進行之洗淨液ib之回收， 或與此亚订的進行液體回收機構2〇之洗淨液之回收。 又，亦可於洗淨動作中，持續進行對液浸區域AR2之液體 1之供應及回收動作。 本例之洗淨動作之作用及優點，整理如下。 (A1)如圖7(c)所示，由於洗淨液ΐβ係供應至嘴構件 41 200819920 30之回收口 24及供應口 13, 14， 口此在以液浸法進行曝光 拎，能將蓄積在嘴構件3〇内、 ;堆積在其表面之至少部分 異物與洗淨液1B —起加以去险仏π 士 > 紊除。此犄，由於係由於係預先 或部分地並行形成液浸區域 匕飞AR2，因此能容易的剝離並除 去附著於嘴構件30之昱物。+从 ^ Αμ /、 此外，亦能防止因洗淨液之飛 散等造成之曝光裝置之污毕。 木 因此，此有效率的進行液體

供應機構Η)及液體回收機構2〇之維修（進而曝光裝置之維 修)，或進行偷3〇之洗淨。其結果，於其後之曝光步驟 中’由於基板Ρ上之液浸區域AR2之液體巾異物量減少， 因此能降低被轉印之圖案形狀誤差等，高精度的進行曝光。 ^此外，例如圖1令液體之供應口 13, 14與回收口 24係 置在不同鳴構件之情形時，可於洗淨步驟中，僅進行其 中方實構件之洗淨。此外，於曝光裝置Εχ中，可對以液 又法進行曝光日守包含可能接觸液體丨之部分（液體接觸部） 之至夕部分的被洗淨部，從喷射嘴部90喷射洗淨液。據 此，亦忐減少其後之曝光時液體中之異物量。此被洗淨部， I不限於除網狀過濾器25(回收口 2句及供應口 13，14以外 之驚構件30之其他液體接觸部，亦可以是與嘴構件30不 同之構件、例如光學元件2等之液體接觸部。 (A2)又’由於本例中係從喷射嘴9〇喷射洗淨液1^， 口此疮有效率的除去附著在嘴構件3〇之異物。又，不使用 嘴射嘴部90 ’而從單純的噴出口朝被洗淨部噴出洗淨液1β 亦可。此外’為提高例如洗淨液1B之洗淨效果，在從嘴構 件3〇喷出洗淨液1β時，使測量台mTB於X方向、γ方向 42 200819920 亦可包含測 =z方向之至少一方向振動。前述洗淨條件 量台MTB之有無振動、及/或振動條件。 桊例中雖係從喷射嘴部 Φ壯班， 貝奶攸圖4之喷 衣 2供應之洗淨液，但亦可將從圖*之噴出裝置q 供應之洗淨液與氣體之混合物從噴射嘴部90噴射/此時， ^藉由該氣泡（空泡，—atiGnb祕le)提高洗淨效果:此 外，亦可將氮氣等氣體溶至洗淨液中。

(/)又，本例之嘴構件3G係配置成圍繞最接近投影 “糸統PL像面之光學構件2, ^於嘴構件％之回收口 口又有、、罔狀過濾器25 ’上述洗淨步驟中將洗淨液ib喷射 於網狀過濾器25等。此時，可對光學^件2之下面亦喷射 洗淨液1B。據此，亦能除去附著於光學元件之之異物。 ()又由於上述洗淨動作包含回收從噴射嘴部9〇 喷射之洗甲液1B之動作(回收步驟），因此能將混有異物之 洗/尹液1B排至外部。本射，雖係將洗淨液ib之回收機 構（含圖4之回收裝置65之機構）設在測量載台Μ”側，但 亦可將該洗淨液之吸引口設在例如嘴構件30之附近。此情 形下，能以圖1之液體回收裝置21兼作為從該吸引口吸引 洗淨液之裝置，據此，能簡化測量載台MST(可動體）之構成。 (A6)又，上述實施形態中，由於液浸曝光用之液體1 與洗淨液1B為不同種類，因此能使用溶劑等洗淨效果高之 液體來作為洗淨液1B。 此外’亦可使用液體i來作為洗淨液1B，此時，能以 圖1之液體供應部11兼作為圖1之洗淨液供應部26及圖4 43 200819920 62a ’能簡化液體及洗淨液之供應 之噴出裝置62之蓄積部 機構之構成。 [其他實施形態之洗淨動作之說明]

八人多…、圖8 5兒明本發明之其他實施形態例。本例 之曝光裝置基本上與圖1之曝光裝置EX為相同構成，但本 例之曝光裝置，為洗淨嘴構件3()設於圖…則量載台聽 ·】之洗/τ機構不同。以下，目8中，與圖4及圖7(a)對應 之部分係賦予相同符號並省略詳細說明。 圖8(A)係顯示本例之測量載台（參照圖1)之測量台 MTB及圍繞投影光學系、统PL之光學元件2 ^置之嘴構件 3〇的截面圖，此圖8(A)中，以液浸法進行曝光時，透過嘴 構件30從圖1之液體供應機構i 〇供應液體丄並以液體回 收故構20回收該液體丨，據而以包含投影光學系統pL之光 予疋件2及嘴構件30之底面與和此對向之基板（未圖示）表 面間之空間的方式，形成液浸空間Ar2。 圖8(A)中，從測量台本體ΜΤΒ上面之χ方向（掃描方 向）中央部至測量台本體之_ X方向側面形成有回收流路 ΡΑ，於回收流路87Α中途設有防止液體流向上方（+ζ方 向）逆止閥89。又，在與測量台ΜΤΒ上面之回收流路87Α 連通之開口附近形成有凹部60Α，於凹部6〇Α之中央部固 疋噴射嘴部90，凹部60Α之底部藉回收流路87Β連接於較 回收流路87Α之逆止閥89上部之處。 又，凹部60Α内之噴射嘴部90底部之液體流入口，經 由測量台ΜΤΒ内之供應流路86、及外部之供應管63£連通 44 200819920 於用以蓄積液體之圓箇立 △ Mtr …σ 1。此外，回收流路87Α從測量 。咖之側面經由安裝有除錢器88 於圓筒部91。於圓-划Α 叹Β 63F連通 、、，、— 、同。1安裝以藉未圖示之驅動部進行抽 运之活基部92，藉活塞部％之拙嗯处 、夺 2之抽及犯I由回收管63F將 次區域AR2之液體！蓄積 S W至™同邙91内，猎活塞部92之 屢送能將圓筒部91内之液體】經由供應管 ： -向上方喷射（喷出）。因此，液體^蓄積機構係包^ 收流路87A、逆止閥89、回收管研、圓筒部9卜 92:及此驅動部(未圖示)而構成，而液體i之噴出機構則包 含喷射嘴部90、供應流路86、供應管63£、圓筒部w、活 塞部92、及此驅動部（未圖示）而構成。本例之洗淨機構包 含該蓄積機構及喷出裝置而構成。 又，本例中，包含該回收管63F、圓筒部Η、活塞部 92之液體1之蓄積機構，與回收流路87β 一起亦用作為從 喷射嘴部90喷射、流入凹部60A内之液體的回收機構。2 外，本例中，亦可在例如供應管63E與圓筒部91之間設置 控制液體1之溫度的溫度控制部，以控制從噴射嘴部噴 射之液體溫度。再者，亦可在例如供應管63E與圓筒部91 之間設置於液體1中混入（或溶入）空氣等氣體之混合部，以 在從喷射嘴部90喷射之液體中混入氣體（氣泡）。進一步 的，亦可從噴射嘴部9G喷射於液體i混人了例如稀釋劑二 或IP A等溶劑之洗淨液。又，本例之洗淨機構並不限於上 述構成。 其次，參照圖8(A)及8(B)，說明在進行例如圖工之液 45 200819920 體供應機構10及液體回收機構20之維修時，使用本例之 洗淨機構進行圖1之嘴構件30之洗淨時的—動作例。

百先，如圖8(A)所示，在停止曝光用光EL之照射之狀 態下驅動測量載台MST，將測量台MTB之回收流路87A 之開口私動至投影光學系統PL底面（移動步驟）。在此狀態 下，圓筒部91之活塞部92被壓至極限，圓筒部91内無二 體1之蓄積。接著，以和使用液浸法之曝光時同樣的（但不 照射曝光用光EL) ’從圖1之液體供應機構1()通過嘴構件 3〇之供應口 13, 14,將液體i供應至之光學元件2及圍繞 此之嘴構件3〇底面與測量台㈣上面之間，形成液浸區 域AR2(液浸步驟）。然後’將圓筒部91之活塞部π逐漸抽 至極限，將液浸區域AR2内之液體！經由回收流路87A及 回收管63F蓄積至圓筒部91内(蓄積步驟）。此時，從圖丄 之液體供應機構 其次，如圖 1 〇 ’係供應圓筒部91之容量以上的液體工。 8(B)所示，逐漸推壓圓筒部9ι之活塞部 92’將蓄積在圓筒部91内之液體 路86、及噴射嘴部9〇朝嘴構件3〇 1經供應管63E、供應流 之回收口 24内之網狀過 凡貨射臂部90之液體1之 噴射，-邊將圖4之測量载台㈣驅動於X方向、γ方向， 如圖8⑻所示’據以使噴射嘴部90沿嘴構件3G之矩形框 ?愿器25噴射 狀之回收口 24及供應口 13j 4 赁射於網狀過滤器2 5及供應口 驟）。此場合，由於設有逆止闕 回收流路8 7 A内。 相對移動。如此，將液體1 13，14之大致全面（洗淨步 89 ’因此液體1不致逆流至 46 200819920

田進行至中适圓筒部9!内之液體i變少時，如圖8(A) 所丁可從圖1之液體供應機構10透過嘴構件30將液體1 =應至液浸區域AR2，抽拉活塞部92將液體i補充至圓筒 :"1内。此時’流入凹部6〇A内之液體亦被回收。之後， 藉由活U 92之壓送，能再從噴射嘴部9()噴射液體卜其 結果，附著在嘴構件30之網狀過濾器25(回收口 24)及供應 :A Η内之異物的大部分，即混入或溶至液體μ。且 犯將3等異物與液體」_起回收至圖8(Α)之圓筒部w内。 又可藉由疋期更換除塵濾器88、或於圓筒部91設置排水 用閥，視需要將圓筒部91内之液體排出至外部，據以防止 異物混入從喷射嘴部90噴射之液體中。 本例之洗淨動作之作用等整理如下。 (A7)用以洗淨嘴構件3()之洗淨液，係使用從圖i之 液體供應機構10透過嘴構件3〇供應至液浸區域ar2之液 體b因此能簡化洗淨液之供應機構。又’由於與預先將液 體1供應至液體接觸部之狀況相當，因此能有效率的除去 附著在嘴構件30内之異物。因此，能有效率的進行液體供 應機構U)及㈣回收機構2G之維修（進而曝光裝置之維修） 或嘴構件30之洗淨。 又本例之曝光裝置EX，亦可對包含液體接觸部之至 少—部分的被洗淨部’從喷射嘴部9G喷射洗淨液。據此， 亦能減少其後之曝光時液體中之異物量。此被洗淨部，並 不限於除網狀m 25(回收口 24)及供應口 13, 14以外之 嘴構件3G之其他液體接觸部，亦可以是與嘴構件3〇不同 47 200819920 之構件、例如光學元件2等之液體接觸部。 (A8)如圖8⑷所示’由於本例中係從喷射嘴9〇喷射 液體卜因此能獲得高洗淨效果。又，不使用噴射嘴部9〇, 而使用單純的喷出液體1之構件亦可。 (A9)如8⑷所示，由於本例在回收流路87a中設有 逆止閥89，因此可將圓筒部91乃、、去金如Λ I 1及活基部92兼作為液體i 蓄積機構及喷出裝置。又’亦可取代逆止_ 89，設法例如 用以關閉回收管63F之閥。 此外’亦可將圓筒部91及活塞部92就蓄積機構及喷 ㈣n㈣下’例如㈣2個圓筒部透過逆 止閥加以連結，即能至少部分的平行實施上述液體丨之蓄 積步驟與使用液體1之洗淨步驟。 又，亦可將液體1之噴出機構設置在測量载台MST上。 此場合：舉一例而言’可於圖8㈧中，在測量台MTB上褒 载贺出液It 1之小型泵’連續的反復進行從圖】之液體供 2構10經圖8(A)之供應口 A U供應液^，將供應^ =二該小型泵喷出至嘴構件3G之底面等（液體接觸部之 、夜體1 ::)的動作。此外，亦可使在測量台MTB上噴出之 之槿/加以噴出。此種在測量台MTB上設置小型泵 之構成，可將載台機構全體小型化。 述K ^ I悲中’雖係移動測量載台MST來相對 夕贺ί洗淨液1Β或液體i之喷射 =:嘴構件30作成可動，在靜止之測量…二 基板載口叫上相對移動嘴射嘴部9〇與嘴構件3〇。此= 48 200819920 合，亦可移動嘴構件30與測量載台MST之雙方。再者，亦 可取代嘴構件3〇與測量載台MST之相對移動、或與此組合 使液浸區域AR2之液體振動，以提高洗淨效果。使液體振 動之構件，可使用例如壓電陶瓷（鈦酸鋇系或锆鈦酸鉛系（所 明之PZT)等）或肥粒鐵振動器（磁致伸縮振動器）等之超音波 振動器。此場合，可至少部分的平行實施液浸區域AR2之 液體之振動與洗淨;夜1B或液冑J之喷出，亦可在洗淨液m 或液體1之噴出前先使液浸區域AR2之投影光學系統扛 振動。 又，上述實施形態雖係在洗淨動作時以液體 品或AR2，但亦可使用與液浸曝光用液體不同之液體 例如從洗淨液供應部26或前述洗淨機構供應之洗淨液來形 成液次區域AR2。此場合，可噴出與液浸區域趣之洗淨 液同一種類之洗淨液，亦可噴出不同種類之洗淨液或液浸 厂光用液體。此外，上述實施形態雖係在洗淨動作時形成 ’又區域AR2 ’但亦可不形成此液浸區域而進行液體 此場合’可配置抑制或防止撞擊液體接觸 奴液體飛散的構件、或形成圍繞液體接觸部之洗淨對象 =之氣體障壁（gasbarrier)。此外，上述實施形態中雖然 ^機構係採用液體噴出方式，但若洗淨機構是變更洗淨 :件時，可採用與液體噴出方式不同之洗淨方式的洗淨機 者 述Λ她形恕雖係以與液浸曝光用液體1接觸 之液體接觸部為洗淨對參 .^ ^ 接觸之部分作為洗但右有需要’亦可將不與液體1 49 200819920 又，上述實施形態中，可將設於嘴構件3〇之回收口 24 :、祠狀過濾器25作成可更換。此外，設於回收口 24等之 ^ 牛若為、、周狀過濾器2 5 (網眼狀過濾構件）時，能有效 率的除去異物，且亦容易的洗淨附著之異物。 、巧以而叹於回收口 24等之多孔構件並不限定於網狀過 濾益#25。亦即，可取代網狀過濾器25，而使用由海棉等構 、夕夕孔構件、或具備可更換之匣式過濾器（陶瓷過濾器等） # 夕孔構件等。又，多孔構件之設置位置並不限於回收口 y ，將嘴件30内之網狀過濾器25(其他多孔構件之情 ^亦同）作成可更換之情形時，在將附著了異物之網狀過渡 '25更換為未使用(或經洗淨)之網狀過濾器時，最好是能 γ彳士圖1之控制裝置c〇NT驅動液體回收機構μ，將 二含圖3之嘴構件3G内之供應流路似，82β及回收流路 之液體1之流路中之液體1全部排丨。如此，即能防止 器25之更換時，從網狀過濾器25溶析至晶圓W /體1中之異物殘留在嘴構件3〇内。 又’上述實施形態中，測量載台MST除洗 2備上述複數測量器之至少—個及基準標記㈣ =、’，但搭载於測量載台MST之測量構件之種類及/或數 =查亚不限於此。亦可設置例如測量投影光學系統PL之透 「的透射率測量器等來作為測量構件。再 上述測量器或僅將其—部分設於測量載台 ：： 部分設於測量載台咖外部。再者，亦可將至少_ = 50 200819920

構件没於基板載台PST ^、曰上述Λ施形態中，雖係將洗淨機構之至少一部分 汉於測量载台MST’但亦可將洗淨機構之至少一部分設於 與測量載台]vjst八p弓® 士 刀開獨立之可動载台（可動構件、可動體）。 此可動载台可以是基板載台PST、亦可以與基板載台PST 不.此場合’例如’可藉由與基板載台PST之更換將該 σ載《 杈衫光學系統Plj配向配置，以在例如基板P之

更換時等，維持前述液浸區域AR2。 迷各實施形態中，雖係使用干涉儀系統（56Λ〜 來測里光罩載台咖、基板載台聊、及測量載台⑽丁 之口位置貝訊’但並不限於此，例如亦可使用供檢測設於 各載台之標尺(繞射光栅)的編碼器系統。此場合，以混合干 涉儀系統，器系統之雙方的混合系統，使用干涉：系 統之測量結果來進行編碼器系統測量結果之校正 較佳。此外，亦可切換使用干涉儀系、統與編碼 /、、、先、或使用雙方來進行载台之位置控制。 又，上述各實施形態中可將基板保持具阳與 w形成為H可分別構成基板保持具阳 : 此外，本發明亦可適用於將各種測量器類搭 載台pst之曝光裝置(不具備測量載台體之曝光裝置土 又’各種測量器類可僅將其—部分搭載於測量栽台⑽ 基板載台’其餘則設在外部或其他構件。&等情形中，； 51 200819920 將例如包含圖4之喷射嘴部9〇之洗淨機構設於基板载台 PST 側。 口 此外，上述實施形態中曝光用光EL之照射區域（含前 述照明區域、投影區域AR1)雖為矩形，但並不限於此，亦 可以是例如弧形等。又，照射區域（AR1等）雖係設定在投影 光學系統PL之視野内包含光軸Αχ，但不限於此，亦可設 定為不包含光軸而呈偏心。 又’半導體元件等之微元件，如圖9(B)所示，係經微 元件之功能、性能設計步驟201，根據此設計步驟製作光罩 (標線片）的步驟202，製造基板（元件之基材）的步驟2〇3，包 含使用前述實施形態之曝光裝置Εχ將光罩之圖案曝光至 基板之製程 '將曝光後之基板予以顯影之製程、顯影後基 板之加熱及蝕刻製程等的基板處理步驟2〇4,元件組裝步驟 205(包含切割製程、結合製程、封裝製程等之加工製程）， 並經檢查步驟206等加以製造。 又，上述各實施形態之基板Ρ，除了半導體元件製造用 之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之破璃基 板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩 或標線片的原版（合成石英、矽晶圓）、以及薄片狀構件等。 此外’基板Ρ之形狀並限於圓形，亦可以是矩形等之其他 形狀。 又，上述各實施形態中，雖係使用形成有轉印圖案之 光罩，但亦可取代此光罩，而使用例如美國專利第6,778,257 號說明書所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射 52 200819920 圖案或反射圖案的電子光罩。此t子光罩，包含亦被稱為 可變成开> 光罩（主動式光罩或影像產生器），例如非發光型影 像顯不70件（空間光調變器）之一種的DMD(Digitai ⑺一 mirror Device)等）。

DMD具有根據既定電子資料驅動之複數個反射元件 (微小面鏡），複數個反射元件於DMD表面排列成2維矩陣 狀，且以像素單位被驅動而反射、偏向曝光用光。各反射 兀件可調整其反射面角度。DMD之動作可藉控制裝置CONT 加以控制。控制裝置C0NT，根據與待形成至基板p上之圖 案對應的電子資料（圖案資訊）驅動DMD之反射元件，將照 明系統IL所照射之曝光用光以反射元件加以圖案化。藉由 DMD之使用，與使用形成有圖案之光罩（標線片）進行曝光 之情形相較，在圖案變更時，由於不須要光罩更換作業及 在光罩載台之光罩位置對準操作，因此能更為有效率的進 行曝光動作。此外，使用電子光罩之曝光裝置，可不設置 光罩載台，而僅藉由基板载台使基板移動於χ軸及γ軸方 向。又’使用DMD之曝光裝置除上述美國專利外，亦揭示 於例如日本特開平8— 313842號公報、特開胸— 號公報。此處，援用美國專利第6,778,257號公報等之揭示 作為本文兄載之一部分。 又，作為曝光裝置以，除了使光罩Μ與基板ρ同步移 動以掃描曝光光罩Μ圖案之步進掃描方式的掃描型曝光裝 置(掃描步進器)之外’亦能適用於在光罩Μ與基板Ρ靜： 之狀態下使光罩Μ之圖案一次曝光，並依序步進移動基板 53 200819920 P之步進重複方式的投影曝光裝置（步進器）。作為曝光裝置 EX之種類，並不限於將半導體元件圖案曝光至基板p之半 導體元件製造用的曝光裝置’亦能廣泛的適用於液晶顯示 元件製造用或顯不器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜 磁頭、微機器、MEMS、DNA晶片、攝影元件（ccd)，或標 線片、光罩等的曝光裝置等。 又，本發明亦能適用於例如特開平1〇一163〇99號公 報、特開平10—2M783號公報（對應美國專利第6,341，〇〇7 號、第6,400,441號、第6,549,269號及第6,59〇,634號說明 書）、特表2〇00 - 505958號公報（對應美國專利第5,969,441 號說明書）或美國專利第6,2〇8,4〇7號說明書等所揭示之具 備複數個基板載台之多載台型曝光裝置。此場合，係對複 數個基板載台分別實施洗淨。關於多載台型曝光裝置，援 用上述美國專利等之揭示作為本說明書記載之一部分。 興又’上述各實施形態之投影光學系統，雖係將前端光 學元件像面側之光路空間（液浸空間）充滿液體，但亦可採用 :如國際公開帛2004/〇19128號小冊子所揭_ 予兀件之光罩侧光路空間亦以液體充滿的投影光學系統。 此外，本發明亦能適用於將投影光學系統與基板間之液浸 區域以其周圍之$链 ^ 乳廉（air eurtain)來加以保持之液浸型曝光 裝置。 土 1尤 又本發明亦能適用於例如國際公開第2〇〇1/〇351 號小冊子所揭示 ,_ ^ 精由在基板上形成干涉條紋，以在基板 上形成線與空間圖幸 示Uine & Space pattern)之曝光裝置。此 54 200819920 場合，亦係透過光學構件與基板p間之液體對基板p照射 曝光用光。 再者，本發明亦能適用於例如日本特表2004 — 519850 號公報（對應美國專利第6,611，3 16號）之揭示，將2個光罩 圖案透過投影光學系統合成在基板上’藉由一次掃描曝光 使基板上之一個照射區域大致同時雙重曝光的曝光裝置。

上述各實施形態及變形例中，不須將液體供應部及/ 或液體回收部設於曝光裝置，而可代之以例如曝光裝置設 置工廠等之設備。又，液浸曝光所需之曝光裝置及附屬設 置之構造，不限於上述構造，亦可使用例如歐洲專利公開 第1420298號公報、國際公開第2〇〇4/〇558〇3號小冊子、 國際公開第2004/ 057590號小冊子、國際公開第2〇〇5/ 〇29559小冊子（對應美國專利公開第20〇6/ 0231206號）、 國際公㈣2〇〇4/ 086468 +冊子(對應美國專利公開第 /0280791號）、特開2004 - 289126號公報（對應美國 專利第M52,253號）等所記載者。關於液浸曝光裝置之液 ::構及其附屬機器，援用上述美國專利或美國專利公開 寺之揭示作為本說明書記載之一部分。 用斟ί述實施形態中’作為液浸法所使用之液冑卜可使 用對曝光用光之折射率高於水 μ ^ lL ^ 巧如折射率為1.6〜1·8程 又。此處，作為折射率高於純水（例如丨5 U h 例如右t 如1·5以上）之液體！， J如有折射率約L50之異丙醇（1 之丙二妒pr〇Pan〇l)、折射率約1·61 丙一％(Glycerol)等具有 c—Η Ρ ^ 硬0一Η鍵之既定液艚， 元、庚烷、癸烷等之既定液體（ 篮1有機溶劑）、折射率約1.60 55 200819920 之十氫奈（DeCalin: Decahydr_phthalene)等。或者，液體 1、亦可以是此等既定液體中任意2種類以上液體之混合物， 或於純水中添加（混合）上述液體亦可。再者，作為液體卜 亦可以是於純水中添加（混合）H+、Cs+、、Cl+、S〇42-、 P〇4 f鹼或酸者。進一步的，亦可以是於純水中添加(混 :)A1虱化物等之微粒子者。又，作為液體卜以光之吸收 係數小、溫度依存性少、且對投影光學系㉟孔、及/或基 板p表面所塗之感光材（及面塗膜或反射防止膜等）安定者 較佳。作為液體！，女 一 亦可使用超臨界流體。此外，可於基板 p設置隔離液體以保制光材及基材之面塗層膜等。、 ^ ^亦可取代氟化每（螢石），而以例如石英（二氧化石夕）、 =2、,氣化銷、氣化鐘、說化鎮等之氣化合物之單結 .形成杈影光學系統PL之光學元件（終端光學元 妒成’ 斤射率（例如“以上）高於石英及螢石之材料來 2二射率1,6以上之材料’例如，可如國際公開第 或者V:7號小冊子所揭示’使用藍寶石、二氧化鍺等， 使用氣化2國際公開第細5/()59618號小冊子所揭示， 使用虱化斜（折射率約1·75)等。 使用液浸法之_ ^ 號小冊子(對應美國7 ’可例如國際公開第2_/019128 之，除終端Γ學杜開第2〇〇5/〇248856號）所揭示 之物體面側光=像面側之光料，亦將終端光學元件 叫丨和尤路亦以液髀右 件表面之一部分（ ，。再者，亦可於終端光學元 77 (至少包含與液_ 有親液性及/或溶解防… )或全部’形成具 解防止功能之薄臈。此外，石英雖與液 56 200819920 但右係石英的話 體之親和性焉，且亦不須需溶解防止膜 至少形成溶解防止膜較佳。 上述各實施形態中，雖 曝光用光&之光源，亦可&用心準分子雷射來作為 rm ^ „ ’、 、ΰ國際公開第1999/46835號小 冊子（對應吴國專利7 〇23

本莫_帝 ，，諕）所揭示，使用包含DFB 丰^體每射或光纖雷射等 、 于U體田射先源、光纖放大器等之 邛、以及波長轉換部等， 认古）比a 士 卞彌it{波長1 93nm之脈衝光 的回纟自波產生裝置。此外， 光區物為矩形，作亦可以上1门 投影區域（曝 、 一丌了以疋例如圓弧形、梯形、平行四 邊幵>、或菱形等其他形狀。 如以上所述，本案實施形態之曝光裝置Ex，係將包含 本案申請專利範圍所舉之各構成要素的各種子系統，以能 料既疋機械精度、電氣精度、光學精度之方式，加以組 裝製造。為確保上述各種精度’於此組裝之前後，對各種 光學系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系統 進仃用以達成機械精度之調整’對各種電氣系統則進行用 達成各種電氣精度之調整。各種子系統組裝至曝光裝置之 步驟，包含各種子系統彼此間之機械連接、電氣迴路之連 接、^壓迴路之連接等。此各種子系統組裝至曝光裝置之 步驟前’當然有各個子系統之組裝步驟。各種子系统组裝 至曝光裝置之步驟結束後，即進行综合調整，以確保曝光 裝置全體之各種精度’曝光裝置的製造以在溫度及清 潔度等受到管理的無塵室中進行較佳。 關於本案說明書所揭示之各種美國專利及美國專利申 57 200819920 請公開等，除特別表示援用於此外，該等之揭示亦作為本 文之一部分。 … 匕一本發明亚不限定於上述實施形態，在不脫離本發明要 曰範圍内田然可以有各種構成。此外，包含發明内容、申 請專利範圍、圖式及摘要之繼6年6月3G日提出之日本 特願2006- 182561之所有揭示内容，完全引用於本案說明 書中。 ^ " 鲁 根據本發明，由於能有效率的進行以液浸法進行曝光 之曝光衣置的維修，因此可減少其後之曝光時液浸區域之 液體中的異物量，以高精度製造元件。 【圖式簡單說明】 圖卜係顯示本發明曝光裝置之一實施形態例，部分剖 開的概略構成圖。 圖2，係顯示圖！中之嘴構件3〇的立體圖。 圖3，係沿圖2之AA線的截面圖。 _ 圖4 ’係顯示設於圖1中之測量載台MST之洗淨機構 的部分剖斷圖。 圖5 ’係顯示圖i之基板载台psT及測量載台mst的 俯視圖。 "悤圖6,係顯示測量載台MST從圖$之狀態移動至投影 光學系統PL底面之過程的俯視圖。 、、圖7係以截面顯不用以說明本發明之一實施形態例之 洗淨動作之測量台MTB及嘴構件3〇的圖。 圖8(A) ’係顯不本發明另一實施形態例之洗淨機構的 58 200819920 部分剖斷圖；圖8(B)，係顯示從該洗淨機構噴射液體之狀 態的部分剖斷圖。 圖9(A)，係顯示一維修動作例的流程圖；圖9(B)，係 顯示微元件之一製程例的流程圖。 【元件代表符號】 1液體 2光學元件 10 液體供應機構 ® 11液體供應部 13, 14 供應口 20 液體回收機構 21 液體回收部 24 回收口 25 網狀過濾器 30 嘴構件 0 62 喷出裝置 65 回收裝置 66 混合噴出裝置 89 逆止閥 90 喷射嘴部 91 圓筒部 92 活塞部 AR1投影區域 AR2液浸區域 59 200819920 CONT 控制裝置 EL 曝光用光 EX 曝光裝置 Μ 光罩 ΜΤΒ測量台 MST測量載台 Ρ基板 PL 投影光學系統 PST基板載台

Claims (1)

1. 200819920 十、申請專利範圍： ^1 種維修方法，用以維修曝光裝置，該曝光裝置係 以第1液體充滿光學構件與基板之間以形成液浸空間，透 過該光學構件與該第1液體以曝光用光使該基板曝光，其 包含： 、移動步驟，係與使用該第1液體形成該液浸空間之液 /文空間形成構件對向配置可動體；

   液浸步驟’使用該液浸空間形成構件 成該第1液體所構成之該液浸空間；以及 於該可動體上形 洗淨步驟，為進行與該第 洗淨，從該可動體侧朝包含該 域噴出第2液體。 1液體接觸之液體接觸部之 液體接觸部至少一部分之區 2·如申請專利範圍第！項之維修方法，其中，至 邛的平打實施該液浸步驟與該洗淨步驟。 夕σ

   …3·如申請專利範圍第i或2項之維修方法，其 洗甲步驟，係從噴射嘴喷射該第2液體。 “ η ·哪τ睛寻利範圍第 ^ , t 1雖修方法 其中，該洗淨步驟，俜於哕筐？、為鹏、& 乃在 係於。亥弟2液體混合氣體後噴出。 5·如申請專利範圍第1至4項中任—項' °、 其具有回收該第2液體之回收步驟。 > 法， 6.”請專利範圍第…項中任一項 其中，該第1液體與該第2液體不同。 /万法 7·如申請專利範圍第1至6項中任一項之維佟士 其中’㈣2液體包含該第1液體。 法 61 200819920 利乾圍弟7項之維修方法，其中，該第 液體係於該筮】 弟2 液體混入氣體或溶劑而成。 豆φ9\如申請專利範圍第1至5項中任一項之維修方法， /、 "亥第1液體與該第2液體相同。 申明專利範圍第7至9項中任一項之維修方法， 其中’該第1 、％ μ /夜體係透過該液浸空間形成構件被供應至該 可動體側。 ν 種維修方法，用以維修曝光裝置，該曝光裝置 係乂第1液體充滿光學構件與基板之間以形成液浸空間， 透人4光學構件與該第1液體以曝光用光使該基板曝光， 其包含： 夕動步驟’係與使用該第1液體形成該液浸空間之液 /又二間形成構件對向配置可動體； 畜積步驟’使用該液浸空間形成構件將該第1液體供 應至,可動體上，纟蓄積此供應之該第"夜體；以及 、0洗’尹步驟，為進行與該第1液體接觸之液體接觸部之 洗#將於该蓄積步驟中蓄積之該帛1液體朝包含該液體 接觸部至少一部分之區域噴出。 …12 ·如申請專利範圍第11項之維修方法，其中，該洗 係將該蓄積步驟中蓄積之該冑1 ^夜體從噴射嘴喷 出0 i 13 ·如申請專利範圍第11或12項之維修方法，其中， 局°卩的平行實施該蓄積步驟與該洗淨步驟。 4如申清專利範圍第1至13項中任一項之維修方 62 200819920 法，其中，該洗淨步驟，係至少 之該第i液體通過口。 該液浸空間形成構件 15·如申請專利範圍第14項 浸空間形成構件至少具有該第万法”中°亥液 本，卜 + > 履體之供應口及回收口之 至二方’該通過口包含該供應口及該回收口之至少一方。 16 ·如申請專利範圍第1 、土 甘山 ^ Α 1 15項中任一項之維修方 法，八中，該洗淨步驟，係至少 之多孔構件。 洗淨遠液浸空間形成構件 項之維修方法，其中，該多 孔構件係設在該液浸空間形成 或回收流路。 1件之該弟i液體之回收口 =如申請專利範圍第i至17項中任一項之維修方 ^’該/浸空間形成構件係配置成圍繞該光學構件。 419·如t請專利範圍第18項之維修方法，其中，該曝 光衣置具有才又影光學系缔，q ’、、、、 該技影光學系統中該光學構件 配置於最接近像面。 ……種維修方法，用以維修曝光裝置，該曝光裝置 係透過光學構件與帛i液體以曝光用光使基板曝光，其特 徵在於： 具有與該弟1液轉姑細 體接觸之液體接觸部，且與在該光學 構件與該基板Μ保持該第1 «之嘴構件對向配置可動 體使用透過口亥嘴構件供應至該可動體之第2液體 該液體接觸部。 21 ·如中請專利範圍第20項之維修方法，其中，係從 63 200819920 該可動體喷出該第2液體以洗淨該液體接觸部。 22·如申請專利範圍第2〇或21項之維修方法，其中， 於該洗夺時’在該光學構件與該可動體之間形成液浸區域。 &如中請專利範圍第^項之維修方法，其中，該液 次區域係以該第2液體形成。 24.如中請專利範圍第2〇至23項中任—項之維修方

   法一其中’係畜積供應至該可動體之帛2液體，將該蓄積 之第2液體朝向該液體接觸部。 、 25 · —種維修方法 係透過光學構件與第1 徵在於： ，用以維修曝光裝置，該曝光裝置 液體以曝光用光使基板曝光，其特 與在該光學構件與該基板之間保持該第i液體 :二配置可動體，根據與該第1液體接觸之該液體接觸 之資訊’設定以該第2液體洗淨該液體接觸部之洗 $如中請專利範圍第25項之維修方法，其中，該次 έ G含與該液體接觸部洗淨 貝 少^ 丨无乎對象區域之位置與狀態中至 ^〜方相關之資訊。 ^ ^ 27 ·如申請專利範圍第26項之維修方法 訊包含與該洗淨對象區域之污染相關之資訊 、28 ·如申請專利範圍第25至27項中任 去，其中，該洗淨條件可視該資訊變動。 其中，該資 項之維修方 法 29 ·如申請專利範圍第25至 其中，該洗淨條件包含該第2 28項中任一項之維修方 液體之特性。 64 200819920 τ唄号列乾固弟25至29項中杯_ 法’其中，兮楚9 #触// 項之維修方 攻體係朝向該液體接觸部噴出4 條件包含㈣2液體之噴出條件。 Μ，錢淨 31·如申請專利範圍帛20至30項中 法，其中，該第2液體包人任—項之維修方 狀·巴含該第1液體。 法 32.如申請專利範圍第31項之維 2液體係於該第1液體混入氣體或溶劑而成。，、中’該第 33·如申請專利範圍第2〇至31 其中，該第2液體與兮第任—項之維修方 π /、邊弟1液體相同。 法 34·如申請專利範圍第2〇至3 其中，該第2液體| 4 ~ 、任一項之維修方 從賵與该第1液體不同。 法 35·如申請專利範圍第2〇至3“ 其中，係至少洗淨該嘴構件中該第以體二之:：方 3 6 ·如申諸真剎1又聪之通過口。 法 甲《月專利乾圍帛20至35 其中，該嘴構件I有、任一項之維修方 /、有違弟1液體之供座n 至少一方，洗淨該供應Q 及回收口之 t 口及該回收口之至少_ 37·如申請專利範圍第 -方。 法’其中，係至少洗淨兮… 貞中任-項之維修方 件。 〜嘴構件之液體接觸部中之多孔構 3 8 ·如申請專利範園繁 孔構件係設在該嘴構件 項之維修方法，其中，該多 ,Q如申該弟1液體之回收口或回收流路。 39 ·如申％專利範園 法，其亦進行與該嘴構件相/至38項中任-項之維修方 部之洗淨。 …、之與該弟1液體之液體接觸 65 200819920 4〇 ·如申請專利範圍第39項之維修方法，其中，與該 觜構件相異之液體接觸部至少包含該光學構件。 41·如申請專利範圍第2〇至4()項中任一項之維修方 法，其中，該嘴構件係圍繞該光學構件配置，該曝光裝置 具有投影光學系統，該投影光學系統中該光學構件配置於 最接近像面。 42·如申請專利範圍第i至41項中任一項之維修方 法其中該液體接觸部包含對該第1液體具親液性之區 域。 43如申凊專利範圍第1至42項中任一項之維修方 法，其中，該可動體與能保持該基板之可動體不同。 44· 一種曝光方法，係透過光學構件與第i液體以曝 光用光使基板曝光，其特徵在於： 具有使用申請專利範圍第1至43項中任一項之維修方 法的步驟。 45· —種曝光方法，係透過光學構件與第i液體以曝 光用光使基板曝光，其特徵在於·· 具有與該第1液體接觸之液體接觸部，且與在該光學 構件與該基板之間保持該第i液體之嘴構件對向配置可$ 體，並包含使用經該嘴構件供應至該可動體之第2液體洗 淨該液體接觸部之動作。 46· —種曝光方法，係透過光學構件與第】液體以曝 光用光使基板曝光，其特徵在於： 包含與在該光學構件與該基板之間保持該第〗液體之 66 200819920 嘴構件對向配置可動體，並包含根據與該第1液體接觸之 該液體接觸部相關之資訊，設定以該第2液體洗淨該液 接觸部之洗淨條件。 一 47 · —種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍44至46項中任一項之曝光方法使 基板曝光之動作；以及 使該曝光後基板顯影之動作。 48 · —種曝光裝置，係以第丨液體充滿光學構件與基 板之間以形成液浸空間，透過該光學構件與該第丨液體以 曝光用光使該基板曝光，其具備： 液浸空間形成構件，係使用該第丨液體形成該液浸空 間； ^ 可動體，能相對該光學構件移動； 液體喷出機構，其至少一部分係設於該可動體且噴出 弟2液體，以及 、 上以該第1液體形成該液浸空間時 接觸之液體接觸部之洗淨，使該液 體接觸部至少一部分之區域喷出第 控制裝置，係在透過該液浸空間形成構件於該可動體 為進行與該第1液體

   51 ·如申請專利範圍第48 48或49項之曝光裝置，其中， 2液體混合氣體之混合器。 48至50項中任一項之曝光裝 67 200819920 置’其具有回收該第2液體之液體回收機構。 52 ·如申請專利範圍第48至5 1項中任一項之曝光裝 置，其中’該第1液體與該第2液體不同。 53 ·如申請專利範圍第48至52項中任一項之曝光裝 置，其中，該第2液體包含該第1液體。 54 ·如申請專利範圍第53項之曝光裝置，其中，該第 2液體係於該第1液體混入氣體或溶劑而成。 55 ·如申請專利範圍第至5ι項中任一項之曝光裝 置’其中’該第2液體與該第1液體相同。 56 ·如申請專利範圍第53至55項中任一項之曝光裝 置，其中，該第1液體係透過該液浸空間形成構件被供應 至該可動體側。 57 · —種曝光裝置，係以第i液體充滿光學構件與基 板之間以形成液浸空間，透過該光學構件與該第1液體以 曝光用光使該基板曝光，其具備： 液浸空間形成構件，係使用該第1液體形成該液浸空 間； 可動體’能相對該光學構件移動； 蓄積機構，係蓄積透過該液浸空間形成構件供應至該 可動體上之該第丨液體；以及 μ噴出裝置’其至少-部分設於該可動體，為進行 與，第1 &體接觸之液體接觸部之洗淨，將以該蓄積機構 所蓄積之該第1液體朝包含該液體接觸部之至少一部分之 區域噴出。 68 200819920 一 + 8如申請專利範圍第57項之曝光裝置，其中，該液 體喷出衣置包含噴射以該蓄積機構所蓄積之該第1液體的 噴射嘴，· ' 該蓄積機構包含用以防止該第丨液體逆流至該液浸空 間形成構件之逆止閥。 59如申請專利範圍第48或項中任一項之曝光裝 晉,甘—,

   ;，該液體接觸部至少包含該液浸空間形成構件之 該第1液體通過口。 3 *60 ·如申請專利範圍第59項之曝光裝置，其中，該液 至I 1形成構件至少具有該第丨液體之供應口及回收口之 至少一方，該通過口包含該供應口及該回收口之至少一方。 61·如申請專利範圍第48至60 置，其中，該液體接觸部至少包含該 夕孔構件。 項中任一項之曝光裝 液浸空間形成構件之 =·如中請專利範圍第61項之曝光裝置，其中，該多 構件係設在該液浸空間形成構件之該第1液體 或回收流路。 63·如申請專利範圍第48至Q項中任一項之曝光褒 將：其中’該液浸空間形成構件係於該第工液體之通過口 將夕孔構件以固定、或可更換之方式設置。 孔播“·如申請專利範圍第63項之曝光裝置，其中，該多 ^件為可更換’並具備於該多孔構件之更換時將該第工 /體從其流路完全排出之液體回收部 65 ·如申請專利範圍第48至64項中任 項之曝光裝 69 200819920 置其中’該液浸空間形成構件係圍繞該光學構件配置。 ”66·如申請專利範圍帛65項之曝光裝置，其具備具有 才又’IV光予系統，該投影光學系統中該光學構件配置於最接 近像面。 67 · 一種曝光裝置，係透過光學構件與第1液體以曝 光用光使基板曝光，其且備： 嘴構件’具有與該第i液體接觸之液體接觸部且於該 光學構件與該基板之間保持該第1液體； 可動體’能相對該光學構件移動；以及 洗淨構件，至少一部分係設於該可動體上，使用經該 鳴構件供應至該可動體之第2液體洗淨該液體接觸部。 68 ·如申請專利範圍第67項之曝光裝置，其中，該洗 淨構件係從該可動體噴出該第2液體以洗淨該液體接觸部。 69 ·如申請專利範圍第67或68項之曝光裝置，其中， 於該洗淨時，藉由該嘴構件於該光學構件與該可動體之間 形成液浸區域。 7〇 ·如申請專利範圍第69項之曝光裝置，其中，該液 浸區域係以該第2液體形成。 71 ·如申請專利範圍第67至70項中任一項之曝光裝 置，其具備用以蓄積供應至該可動體之該第2液體的蓄積 部，該洗淨構件將該係之第2液體朝向該液體接觸部。 72 ·——種曝光裝置，係透過光學構件與第1液體以曝 光用光使基板曝光，其具備： 嘴構件，係於該光學構件與該基板之間保持該第丨液 70 200819920

   洗淨構件 接觸部； 可動體， 控制裝置 之洗淨條件， 條件。 以第2液體洗淨與該第丨液體接觸之液體 至^於該洗淨時與該嘴構件對向配置；以及 ，係控制該洗淨構件以改變使用該第2液體 且視與該液體接觸部相關之資訊設定乾洗淨 一如申明專利範圍第7 2項之曝光裝置，其中，該資 /、忒液體接觸部之洗淨對象區域之位置與狀態中至 少一方之資訊。 74如申4專利範圍第73項之曝光裝置，其中，該資 讯包商與該洗淨對象區域之污染相關之資訊。 75 ·如申請專利範圍第72至74項中任一項之曝光裝 置’其中，該資訊包含該第2液體之特性。 76 ·如申請專利範圍第72至75項中任一項之曝光裝 置’其中’该洗淨構件係將該第2液體朝向該液體接觸部 噴出，該洗淨條件包含該第2液體之喷出條件。 77 ·如申請專利範圍第67至76項中任一項之曝光裝 置，其中，該第2液體包含該第1液體。 78 ·如申請專利範圍第77項之曝光裝置，其中，該第 2液體係於該第1液體混入氣體或溶劑而成。 79·如申喷專利範圍第67至77項中任一項之曝光裝 置，其中，該第2液體與該第1液體相同。 80 ·如申請專利範圍第67至77項中任一項之曝光裝 71 200819920 置，其中，該第2液體與該第i液體不同。 81 ·如申請專利範圍第67至80項中任一項之曝光裝 置，其中，係至少洗淨該嘴構件之液體接觸部中該第i液 體之通過口。 82·如申請專利範圍第67至81項中任一項之曝光裝 置其中，δ亥嘴構件具有該第1液體之供應口及回收口之 至少一方，洗淨該供應口及該回收口之至少一方。 • 83 ·如申請專利範圍第67至82項中任一項之曝光裝 置，其中，係至少洗淨該嘴構件之液體接觸部中之多孔構 件。 84 ·如申請專利範圍第83項之曝光裝置，其中，該多 孔構件係設在該嘴構件之該第1液體之回收口或回收流路。 85 ·如申請專利範圍第67至83項中任一項之曝光裝 f ’其中，該嘴構件具有以固定、或可更換之方式設於該 第1液體通過口之多礼構件。 • 86 ·如申請專利範圍第67至85項中任一項之曝光裝 置，其中，該洗淨構件亦進行與該嘴構件相異之與該第】 液體之液體接觸部之洗淨。 87 ·如申請專利範圍第86項之曝光裝置，其中，與該 嘴構件相異之液體接觸部至少包含該光學構件。 88 ·如申請專利範圍第67至87項中任—項之曝光裝 /、/、有投办光學系統，該投影光學系統中該光學構件 配置於最接近像面，該嘴構件係圍繞該光學構件配置。 89 ·如申請專利範圍第48至88項中任-項之曝光裝 72 200819920 •V 置’其中’該液體接觸部包含對該第1液體具親液性之區 域。 90 ·如申請專利範圍第48至89項中任一項之曝光裝 置’其中’該可動體與能保持該基板之可動體不同。 91 ·如申請專利範圍第48至89項中任一項之曝光裝 置’其中’該可動體係能保持該基板之基板載台、或與該 基板載台分開獨立移動之載台。 92 · —種元件製造方法，其包含： 馨 使用申請專利範圍第48至91項中任一項之曝光裝置 使基板曝光之動作；以及 使曝光後基板顯影之動作。 十一、圖式： 如次頁 73