TW200406726A - Barrier metal layer for a carbon nanotube flat panel display - Google Patents

Description

200406726 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於平板顯示器領域，尤其是相關於平板 顯示器和用以形成具有電子放射用屏障金屬的平板顯示器 之方法。 【先前技術】 陰極射線管（C RT )顯示器通常提供習知技術電腦顯 示器的最佳亮度、最高對比、最佳色彩品質、和最大觀看 角度。CRT顯示器典型上使用一層澱積在薄玻璃螢光屏上 的磷光體。這些CRTs使用掃描過光域圖型中的磷光體之 產生高能量電子的一到三個電子束加以產生圖像。 磷光體將電子能量轉換成可見光，以便形成想要的圖 像。然而，由於封閉陰極和從陰極延伸到顯示器螢光屏的 大型真空包線，所以習知技術CRT顯示器變得大且笨重 。因此，典型上，過去已有使用諸如主動式矩陣液晶顯示 器 '電漿顯示器、和電場發光顯示器等其他類型顯示器技 術來形成薄型顯示器。 近年來，已發展使用與CRT裝置中產生圖像所使用 的方法相同之薄型平板顯示器（FPD )。這些平板顯示器 使用包括行及列的電極之矩陣結構的背板。在倂入本文做 爲參考用之U· S.專利號碼5,541，473中已有說明一此種平 板顯示器。平板顯示器典型上是矩陣定址式並且包含矩陣 定址電極。矩陣中的每一列和每一行的交點定義電子顯示 (2) 200406726 器中的畫素及最小可定址元件。 電子顯示器的本質是要能夠個別開 )。典型高資訊內容顯示器在33 cm對 有大約25萬畫素，每一畫素皆在電子 畫素解析度通常正好付合眼睛的解像能 ，可自賦能畫素的圖型產生品質良好的 其中一用以產生場致放射陰極結構 據成功建立的半導體微製造技術。這些 的場致放射尖端之高度規則陣列。通常 用的石版印刷術包含許多處理步驟，將 的光致抗蝕劑和接觸的輻射決定每一單 、尖端尺寸、和其間隔。 利用該方法所製造的尖端典型上是 等級的基座直徑、〇· 5到2 // m任一點 米的尖端半徑之圓錐形。雖然大量數目 1〇〇〇射極）對均勻放射以提供適當灰 和較長使用壽命減少每一尖端的目前密 尺寸限制適合高度解析度顯示器之每一 利用習知方法爲閘式場致放射結構在諸 幕等大面積上維持周期尖端陣列的二次 問題，導致產量少成本高。 U. S專利號碼4,338，164說明備製 式突起的平面表面之方法，包含一連串 例如來自重離子加速器的高能量離子照 關圖像元件（畫素 角線正交陣列'中具 的各別控制之下。 力或其之下。如此 圖像。 的陣列之方法乃依 技術產生精確成形 在這些技術中所使 它們弄濕。由有效 位面積的尖端數目 具有0 · 5到1从m 的局度、好幾十奈 目（每一畫素 400-色等級和爲穩定性 度是適用的，但此 畫素的尖端數目。 如大型電視尺寸螢 元登入也可能是個 在其上具有微結構 複雜步驟，如利用 射可溶解材料（如 -6 - (3) (3)200406726 ，雲母），用以在矩陣中設置行狀軌跡，稍後以適當導電 、電子放射材料塡滿接著被蝕刻的該矩陣。然後，利用爲 電子放射材料設置導電基體之額外的金屬澱積步驟有機可 溶解材料。該方法據說產生每cm2直到106射極，該等射 極具有大約1 - 2 # m的直徑。 U· S專利號碼5,2 66,5 3 0說明在基體上（最好是水晶 的）利用一連串複雜的澱積和蝕刻步驟所備製的閘式場致 射極。 圖1爲當作放置在基體上的熱離子電子源之習知技術 平面CRT鎢陰極。掃描電子和資料電極形成於在畫素位 置中具有複數孔之玻璃板上。具有預定電壓施加其上的電 極選擇性通過自線陰極放射出的電子，使得電子加速朝向 螢幕並且激勵覆蓋在螢幕內表面上的磷光體。在過去已有 爲圖1的平面CRT建議不同類型的射極。 在這些不同射極中間乃使用碳奈米管。在碳奈米管顯 示器中，圖型化微結構被澱積在一列電極上，使得當電壓 施加在列電極和行電極之間時，自陰極放出電子到螢幕以 激勵螢幕上的磷光體產生影像。 圖2爲根據本發明的一實施例，一部分包括陰極2 〇 之習知技術矩陣定址無閘式場致放射顯示裝置1 〇的槪要 圖（橫剖面圖）。澱積在基體1 4所支撐的列導體1 6上之 圖型化微結構層12設置陰極20。通常是陰離子氧化物（ ITO)之透明行導體18澱積在基體22 (最好是玻璃）上 ，該基體支撐一層連續或不連續磷光體材料23和包含本 -7- (4) (4)200406726 發明的陽極24。磷光體材料23能夠被電子激勵。依據自 電壓源26施加的電壓，產生有施加到微結構層〗2的放射 位置之高電場。.此導致橫越過行導體1 8與列導體1 6之間 的低壓氣體或真空間隙28之電子流。 圖3爲另一習知技術閘式矩陣定址場致放射顯示裝置 3 0的例子。該裝置包括具有導電閘行3 4、絕緣間隔物3 6 、圖型化微結構層38之閘式陰極32澱積其上並且與支撐 在基體（通常是玻璃）41上的列導體4 0電接觸。利用低 壓氣體或真空間隙（較佳）4 4、磷光體5 0與陰極3 2之間 的間隔將陰極3 2與陽極4 2分開。陰極4 2包括透明含層 50的磷光體位在其上之基體46。 圖4爲一部分習知技術碳奈米管CRT顯示器之橫剖 面圖。圖4的顯示器包括閘式陰極、由碳奈米管結構構成 的圖型化微結構層、絕緣間隔物、澱積在其上並且與支撐 在基體上的列導體電接觸之圖型化微結構層。利用低壓真 空將陰極與節點結構分開。陽極包含螢光屏、導體層、和 當利用自陰極放出的電子激勵磷光體之磷光體。圖4的奈 米管結構典型上包括陰極導體與微結構放射元件之間的電 阻層。典型上以平面配置構製微結構放射元件和電阻層。 圖5爲另一習知技術之碳奈米管場致放射顯示裝置的 例子。圖5的場致射極圖解說明一部分FED平板顯示器 的橫剖面圖之多層結構1 〇〇。多層結構1 〇〇包含場致放射 背板結構110。影像產生在螢光屏結構160。 背板結構1 1 0通常包含圖型化射極電極1 20、電阻器 -8- (5) (5)100406726 層1 1 5、電絕緣層1 4 0、閘層1 5 0、和位在穿過絕緣·層1 3 5 的孔徑之電子放射元件140。電子放射元件14〇是碳基材 料。 背板1 1 〇也包括電子放射元件1 4 0位在其上之催化劑 層。電阻層1 1 5和催化劑層1 2 0給予需要產生適當影像在 顯示器上之結構1 〇 0統一的射極元件形成。雖然圖5的結 構1 〇〇具有垂直結構，但是催化劑層和電阻器層丨〗5可製 造成平面。 典型上，圖5的習知裝置以鎳（N i )材料當作催化劑 層，砂基材料（S i )當作電阻器層1 1 5。催化劑材料（在 此例是Ni )直接與電阻器1 15材料接介。催化劑12〇與 電阻器1 1 5材料之間的接介造成來自催化劑材料與電阻器 1 1 5材料之間的相互擴散之多結晶處理。多結晶處理通常 造成降低電阻器材料1 1 5的電阻値。N i催化劑與s i電阻 器的多結晶也影響催化劑層的黏附能力。當催化劑層擴散 到電阻器層1 1 5中時，催化劑層喪失作爲射極元件丨4〇與 電阻器層1 1 5之間的有效黏附層之能力。減弱催化劑層的 黏附能力使其難以生長射極元件1 40並且導致昂貴的製造 處理。 【發明內容】 在閱讀下文以各種圖式圖解說明的較佳實施例之詳細 說明之後精於本技藝之人士無疑地將更明白本發明的這些 和其他目的及優點。 冬 (6) (6)200406726 本發明提供一具有被圖型化成符合前述需求的金屬屏 障層之電子放射裝置。本屏障層包含位在一端是電子放射 元件與另一端是射極電極之間的複數橫向分開區間。尤其 是，屏障層位在催化層的區間上。沿著每一射極電極間隔 開催化層的區間。 本發明設置一電子場致放射顯示器，包括含陰極電極 、位在基體的至少一或多個表面上之一部分的含離散固體 微結構的密集陣列層、具有實際密度數目大於106/cm2的 微結構。一部分保角微結構被由上而下覆蓋有一或多個電 子放射材料。 顯示器另外包括電場，產生含彼此絕緣地隔開並且實 際上平行的第一和第二導電電極之結構。第一導電電極包 含用以設置射極分佈一致之一層由碳的奈米結構製成較佳 的電子放射元件、電阻器層、催化層，及作爲催化劑層與 電阻器層之間的黏附層之金屬屏障層。金屬層也作爲電阻 器層與催化劑層之間的反擴散層。 製造本發明的場致放射顯示裝置專用電極之較佳方法 包含設置矩陣可定址結構之步驟。 爲了製造利用本發明的金屬屏障層之電子放射裝置， 典型上，首先設置一結構，其中控制電極覆蓋於介電層之 上’該介電層覆蓋於導電催化層之上，該導電催化層覆蓋 於射極電極之上。在結構中，電子放射元件位在延伸經過 控制電極和介電層的複合開口，使得電子放射元件覆蓋於 射極電極上方的催化層之上。金屬屏障區間的建立包含去 -10- (7) (7)200406726 除催化層通常位於控制電極側的空間下方之該部位。 通常藉由透過至少局部形成有催化劑層的掩蔽加以蝕 刻屏障層以執行去除步驟。藉由此技術，典型上無需爲了 將催化劑層圖型化成沿著射極電極的分離區間而執行分離 掩蔽步驟。再者，在屏障層的部位是橫向隔開在屏障層下 方的實施例中，使用典型上用於圖型化射極層以形成射極 電極之掩蔽能夠最初圖型化屏障層。此外，也無需執行用 以設置此最初圖型給催化劑層之額外掩蔽步驟。最終結果 H 是無需增加掩蔽步驟數目就可將想要的圖型設置在屏障層 中 。 【實施方式】 現在將詳細參詳本發明的較佳實施例，其例子皆圖示 在附圖中。儘管連同較佳實施例說明本發明，但是應明白 它們並不用於將本發明限制在這些實施例中。相反地，本 發明用於涵蓋可包括在如附錄於後的申請專利範圍所定義 H 之本發明的精神及範圍內之其他選擇、修正、及同等物。 而且，在下面本發明的詳細說明中，爲了全面性瞭解本發 明陳述許多特定細節。然而，精於本技藝之人士將明白可 無需這些特定細節仍可實施本發明。在另一例子中，將不 再說明眾所皆知的方法、程序、組件、和電路以免不必要 地混淆本發明的觀點。 圖6A圖解含有根據本發明以垂直校正方式被圖型化 成導體的垂直射極導體之矩陣定址式場致射極的核心。以 -11 - (8) (8)200406726 垂直面截取圖6A的橫剖面圖。自典型上由具有大約1 mm 厚度的玻璃構成之平面電絕緣底板（基體）600產生圖 6A的場致射極。爲了簡化畫面圖解，底板600未圖示在 圖6A的立體圖中。 如圖6B所示，一組通常平行的射極電極6 1 0位在底 板6 0 0。射極電極6 1 0延伸於列方向並且構成列電極。如 圖6B所示，每一射極電極610皆具有大體上是直立二等 邊梯形之橫斷剖面。此剖面有助於提高形成在射極電極 610上的層之步進式收斂。 射極電極6 1 0典型上由鋁、鉬、鉻、或任何這些金屬 的合金構成。典型上，射極電極610的厚度大約是1000-5000A 。 在本發明的一實施例中，利用一些眾所皆知的習知技 術澱積方法即時澱積射極電極6 1 0。在一實施例中，使用 濺射澱積法。 在澱積射極電極610的同時，光致抗蝕掩蔽劑（pr )根據所設計的圖型掩蔽射極電極6 1 0。然後軟烤光致抗 蝕掩蔽。在掩蔽和烘烤光致抗蝕掩蔽之後，利用一些技術 中已知的照相平版印刷處理触刻電極射極6 1 0。可應用的 倉虫刻方法包括濕蝕刻法。利用技術中已知方法剝去剩餘的 PR掩蔽劑。 然後，如圖6 C所示，利用澱積一層電阻材料在射極 電極層6 1 0上及未以射極電極6 1 0材料覆蓋之玻璃6 〇 .〇的 剩餘表面上加以製造電阻器層6 2 0。在本發明的一實施例 -12- (9) 200406726 中，在沿著射極電極6 1 0表面的每一畫素中，電阻器 6 2 0被形成像個島嶼。.在本發明的一實施例中，利用一 技術中已知的方法澱積電阻器層620。在一實施例中， 用電漿提高化學蒸汽澱積（PECVD)方法完成電阻器 620的澱積。 在澱積電阻器層6 2 0的同時，光致抗蝕掩蔽劑（ )掩蔽電阻器層620。在掩蔽之後，電阻器層620被軟 及曝光。接著，電阻器層6 2 0利用硬烤及乾蝕刻顯影以 合玻璃6 0 0表面的輪廓。利用技術中已知方法剝去剩餘 PR掩蔽劑。 然後，如圖6 D所示，利用各自澱積一層鉬及導電 屬在電阻器層620上加以製造圖型化屏障層640及催化 層6 5 0。在本發明的一實施例中，利用一些技術中已知 法澱積屏障層640。在一實施例中，使用濺射澱積法完 屏障層640的澱積。在本發明的一實施例中，由鎢化鈦 T i W )形成屏障層。 在本發明的另一實施例中，由氮化鈦（TiN )形成 障層。在本發明的一實施例中，由鎢（W )形成屏障層 在本發明的一實施例中，屏障層6 4 0作爲電阻器層6 2 0 本發明之碳奈米管放射元件澱積在其上的催化劑層之間 反擴散層。屏障層64 0如此保護催化劑層材料不會擴散 電阻器層620。在本發明的另一實施例中，屏障層640 高催化劑層65 0的黏附能力以使碳奈米管電子放射元件 黏附於催化劑層6 5 0。 層 些 利 層 PR 烤 符 的 金 劑 方 成 屏 〇 與 的 到 提 可 -13- (10) 200406726 如圖6E所示，被圖型化成一組通常橫向 條6 5 0之催化劑層6 5 0位在屏障層640上部，、 積碳奈米管電子放射元件在其上專用的催化劑 層650延伸在行方向並且沿著每一射極電極61 每一催化劑條65 0延伸在所有電極610之上 6 5 0覆蓋於每一電極6 1 0的橫向分離部分。條 要以電極6 1 0與下面說明的覆蓋電子放射元件 方向流經條6 5 0之電流中的垂直導體。 每一催化劑條65 0典型上由鎳、鐵、鈷、 的合金構成。在另一實施例中，催化劑層由鈷 的厚度是lnm-200 nm。 如圖6F所示，覆蓋介電層630形成在催1 覆蓋未被屏障層640覆蓋的電阻器層620該部 層620表面上。覆蓋於催化劑條6 5 0之上、由 向分離的平行條63 0構成之圖型化介電層接著 一介電條6 3 0完全位在一對應催化劑條65 0上 條63 0的縱向側邊緣大約與對應電阻條620的 垂直校準。介電條630典型上由厚度1.5//m 成。在另一實施例中，介電條63 0由厚度1.5 矽構成。 如圖6 G所示，一覆蓋未電絕緣閘層6 7 0 層63 0上。典型上利用濺射澱積鉻或鋁在介電, 生閘層6 7 0。 用於主控制部位之帶有圖型的光致抗蝕掩 分離的平行 用以形成激 層。催化劑 〇被隔開。 。結果，條 6 5 0是在主 之間的垂直

或這些金屬 構成。鈷層 丨七層6 5 0及 位之電阻器 一組通常橫 被形成。每 。每一介電 縱向側邊緣 的氧化矽構 μ m的氮化 形成在介電 層63 0上產 蔽形成在聞 -14- (11) 200406726 層670上。利用化學蝕刻劑去除層670的露出部 ，也可利用電漿去除層6 70的露出部位。層670 剩餘物由組延伸在行方向的橫向分離主控制部‘ 主控制開口 6 8 0之列及行的陣列向下延伸穿 部位670到介電層63 0。爲每一組電子放射元件 一主控制開口 6 8 0。尤其是，一主控制開口 6 8 0 一主控制部位670橫越過射極電極610的位置。 ，執行控制開口之閘開口形成在每一掃描主 680的閘層670該部位各處之多數位置。 使用閘層670當作蝕刻掩蔽，介電條63 0被 閘開口 6 8 0以形成介電開□。圖6 A圖示結果的 常以介電開口稍微底割閘層670的方式產生閘開 蝕刻。底割量足以大到避免有積聚在介電開口側 電子射極元件6 90對閘材料電短路之層澱積射極 〇 電子放射碳奈米管6 90現在形成在複合開口 能夠使用各種技術產生碳奈米管690。在一技術 的射極材料，典型上是碳，通常以垂直於螢光屏 面的方向蒸發式澱積在結構的上部。射極材料積 劑導電層6 5 0上，並且通過閘開口 6 8 0積聚在導 上。 在場致射極操作期間，以控制電極6 6 0在選 放射元件組中自電子放射元件690吸取電子之方 極610及660上的電壓。位在相對元件690之光 位。另外 的圖型化 ί立構成。 過主控制 690設置 存在於每 控制開口 蝕刻穿過 結構。通 □ 68 0 的 牆上及使 核心材料 6 8 0 中。 中，想要 600上表 聚在催化 電條6 5 0 定的電子 式控制電 放射裝置 -15- (12) (12)200406726 (未圖示）中的陽極引導被吸取的電子朝向位在接近陽極 之光放射元件。當電子被每一賦能電子放射元件690放射 時，正電流流經下面的催化劑條、6 5 0到下面的射極電極 6 10° 催化劑條65 0提供場致射極電子放射一致及短路保護 。尤其是，條65 0限制能夠流經賦能電子放射元件690的 最大電流。因爲流經每一賦能元件690的正電流等於那元 件6 9 0所供應的電子電流，所以條6 5 0限制賦能元件6 9 0 所放射的電子數目。此防止在相同的吸取電壓中一些元件 690提供多於其他元件6 9 0的電子，如此，防止不想要的 光點發生在出現在平板顯示器的觀看表面上。 再者，若其中一閘電極6 7 0對下面的導電條6 5 0變得 電短路並且如此變電耦合於下面的射極電極6 1 0，則短路 位置中的催化劑條65 0明顯地限制流經短路連接的電流。 條6 5 0的垂直電導如此高以致於實際上所有短路位置的電 極660及610之間的正常壓降會發生在遍及導電條6 5 0的 介入部位各處。利用適當電子射極設計，短路的存在不會 不利地影響任何其他電子放射元件690組的操作。 利用透過介電條63 0所產生的導電路徑或藉由具有與 它們的閘電極670發生接觸的一或多個電子放射元件690 能夠出現此種短路。在控制電極到電子放射元件短路的例 子中，每一短路電子放射元件690通常有缺陷。然而，導 電條6 5 0足夠限制經過每一短路元件690的電流，使得在 那組電子放射元件中的未短路元件690通常仍以想要方式 -16- (13) (13)200406726 操作。如此，催化劑條.65 0通常使一組含小比例短路元件 之電子放射元件6 9 0可用適當方式執行想要的電子放射功 能。並且實質.上維持電子放射一致。 根據本發明所製造的電子射極能夠被用於製造除了平 板CRT顯示器之外的平板裝置。同樣地，在除了平板裝 置之外的產品中’能夠使用本電子射極當作電子源。如此 ，在不違背附錄於後的申請專利範圍所定義的本發明之真 正範圍和精神下，精於本技藝之人士可做各種修正和應用 [圖式簡單說明】 倂入及形成本說明書的一部分之附圖圖解本發明的實 施例，並且連同說明用於說明本發明的原則： 習知技術圖1爲習知技術平面CRT顯示裝置之橫剖 面圖； 習知技術圖2爲習知技術矩陣式定址無閘式場致放射 顯示裝置之橫剖面圖； 習知技術圖3爲習知技術矩陣式定址閘式場致放射顯 示裝置之橫剖面圖； 習知技術圖4爲習知技術碳奈米管顯示裝置之橫剖面 圖； 習知技術圖5爲習知技術碳奈米管場致放射顯示裝置 之橫剖面圖； 圖6A爲本發明的碳奈米管場致放射顯不裝置之一貫 -17- (14) 200406726 施例； 圖6B-6.G爲表示製造本發明的碳奈米管場致放射顯 示裝置之步驟的橫剖面結構圖。 圖式及較佳實施例的說明中使用相同參照符號用以表 示相同或非常類似的項目。 元件對照表

1 〇 :矩陣定址無閘式場致放射顯示裝置 1 2 :圖型化微結構層 14 :基體 1 6 :列導體 1 8 :透明行導體 20 :陰極 22 :基體

2 3 :磷光體材料 2 4 :陽極 2 6 :電壓源 2 8 :低壓氣體 2 8 :真空間隙 3 0 :閘式矩陣定址場致放射顯示裝置 3 2 :閘式陰極 3 4 :導電閘行 3 6 :絕緣間隔物 3 8 :圖型化微結構層 - 18- (15) (15)200406726 40 :列導體 41 :基體 ， 4 2 :陽極 44 :低壓氣體 4 4 :真空間隙 46 :基體 50 :層 1 〇 〇 :多層結構 1 1 0 :場致放射背板結構 1 1 5 :電阻器層 1 2 0 :圖型化射極電極 1 2 0 :催化劑層 1 3 5 :絕緣層 1 4 0 :電絕緣層 140 :電子放射元件 1 5 0 :閘層 1 6 0 :螢光屏結構 6 0 0 :底板 6 00 :基體 600 :螢光屏 6 1 0 :射極電極 620 :電阻器層 6 2 0 :電阻條 6 3 0 :覆蓋介電層 19- (16) (16)200406726 6 3 0 :介電條 640:圖型化屏障層 6 5 0 :催化劑層 6 5 0 :催化劑條 6 6 0 :電極 6 7 0 :覆蓋未電絕緣閘層 6 8 0 :主控制開口 6 8 0 :閘開口 6 9 0 :電子放射碳奈米管 6 9 0 :賦能元件 - 20

Claims (1)

1. (1) (1)200406726 拾、申請專利範圍 1. 一種平板顯示器，包括具有主動區表面之螢光屏 和具有主動區表面之背板，該螢光屏裝附於該背板以便定 義外圍被邊界區包圍之主動區，該平板顯示器包含： 催化劑層； 電阻器層； 複數碳奈米管電子放射元件，配置在該催化劑層上； 及 屏障層，居間配置在該催化劑層與該電阻器層之間， 用以在該催化劑層上形成該複數碳奈米管期間防止該催化 劑層擴散到該電阻器層內。 2 ·如申請專利範圍第1項之平板顯示器，其中該屏 障層由鉬形成。 3 ·如申請專利範圍第1項之平板顯示器，其中該屏 障層由鎢化鈦形成。 4 ·如申請專利範圍第1項之平板顯示器，其中該屏 障層由氮化鈦形成。 5 ·如申請專利範圍第2項之平板顯示器’其中該屏 障層由鉬的合金形成。 6 .如申請專利範圍第3項之平板顯示器，其中該屏 障層由鎢化鈦的合金形成。 7 .如申請專利範圍第4項之平板顯示器，其中該屏 障層由氮化鈦的合金形成。 8 ·如申請專利範圍第1項之平板顯示器’其中以濺 ^21- (2) (2)200406726 射澱積法形成該屏障層。 9. 一種場致放射顯示裝置’包含： 複數碳奈米管放射元件； " 催化劑層，具有該複數碳奈米管放射元件配置其上； 電阻器層，在該催化劑層下面；及 居間金屬黏附層，配置在該催化劑層與該電阻器層之 間，用以在該催化劑層上形成該複數碳奈米管放射元件期 間提高該催化劑層的黏附特性。 φ 10. 如申請專利範圍第9項之平板顯示器’其中該居 間金屬黏附層由鉬形成。 11. 如申請專利範圍第9項之平板顯示器，其中該居 間金屬黏附層由鎢化鈦形成。 12. 如申請專利範圍第9項之平板顯示器，其中該居 間金屬黏附層由氮化鈦形成。 1 3 .如申請專利範圍第9項之平板顯示器’其中該居 間金屬黏附層由鉬的合金形成。 · 14.如申請專利範圍第9項之平板顯示器，其中該居 間金屬黏附層由鎢化鈦的合金形成° .-22 -