TW200301814A - Optimised use of PCMS in cooling devices - Google Patents

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200301814 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） 說明 本發明有關於冷卻裝置中相位變更材料之使用。 在工業製程中’通常必須避免⑴ 奸#、、 、尤煞大峰或赤竽，也就是需 疋七、溫度控制，通常可藉由鼽交 …、人換态達到此目的，最簡單 的彳目況，他們通常僅肖各一道 口寸尤、板，其可散熱並將其釋放 夕卜界大氣中，或替代灿白人a 乂、 飞曰代地包含熱傳介質，其將熱優先由— 位置或介質中傳遞至另一者。 I電予零件冷卻之技藝描述（圖1)，例如用於微處理器（中 α央處理單元= CPUS)(2)，為由擠壓成形之㈣製程，其可 及收來自固定於支禮座门1卜、 " )上〈笔子零件的熱，並透過冷 部葉片（1)釋放到環境，冷卻葉 茱片足對流一般疋由風扇所 支援。 這種類型的散熱氣必須總是被設計用於大多數不受歡迎 的外界高溫下’以及零件的最高負載情況，以便避免過熱， 導致減少零件的生命週期與可靠度，cpu的最大工作溫度 是介於60T：到90t之間，依設計而定。 當CPU的時脈速度變得更快時，他們發出的熱量又升高 —級，當目前必須發散最大3〇 w尖峰輸出功率等級同時， 根據期待在將來8到1 2個月會需要輸出功率高達9 〇 w下的 ~部能力’使用傳統的冷卻系統，將不再能在這種等級輸 出功率下散熱。 在某些專利（美國專利第4,673,〇3〇八、歐洲專利第1165〇3八 200301814 (2) 發明說明續頁 、美國專利第4,446,916A)中已經說明，在最嚴苛的外界條 件，例如遙控飛彈，其散熱器可藉由相位變更材料吸收電 子零件發散出之熱量，並將其藉由例如熔解的方式釋放， 這些相位變更材料（PCM)可充當能量發散的暫時替代品， 但不能（且一定不可）再被重複使用。 已知的儲熱介質，例如用於可感知儲熱之水或石頭/混 凝土，或用於以溶解熱（潛熱）形式儲存之相位變更材料如 鹽、鹽水合物（salt hydrates)或其混合物、或有機化合物（如 石蠟）。 已知當物質熔解時，也就是從固態轉變為液態時，熱量 會被消耗，也就是吸收，且只要物質保持在液態，熱量就 會以潛熱的方式儲存，而這種潛熱會在固化時，也就是從 液態轉變為固態時，再次釋放出來。 儲熱系統的吸熱，基本上需要一個比在排熱中所得溫度 更高的溫度，因為對熱的輸送或流動而言，溫差是必須的， 熱的品質取決於其可被獲得的溫度：溫度愈高，熱發散得 愈佳，基於這個原因，在儲熱過程中，一般希望溫度愈低 愈好。 在可感知熱（例如水的加熱所得）的儲存情況中，當潛熱 僅在相位變更材料的相位變更溫度下儲存並排出時，熱之 輸入是與儲存材料的固定加熱有關（而排熱時恰好相反）， 因此，潛熱具有優於可感知熱之處在於，溫度損失受限於 熱從儲熱系統排出以及傳送至儲熱系統期間的損失。 迄今在潛儲熱系統中所使用的儲熱介質，一般是在使用 200301814 (3) 發明說明續頁 溫度範圍 如此， 熱介質， 含相位變 布料，其 處所使用 虫鼠碳氫化 2〇2號敘έ 介質為石 儲存材料 美國專 鹽類混合 溶點7 5 °C 在潛熱 會在使用 業上使用 止液體外 彈性結構 使用情況 此外， 加，結果 在，在熔 多物質熔 因此， 愤熟糸統 中發生， 的問題， 洩，而導 中，或彈 中，這通 許多潛在 橡解的揮 月午相位變 解中大量 相位變更 内會有相位變更者，也就是在使用中會熔解者。 則本文敘述了在潛儲熱系統中，使用石蠟作為儲 國際專利申請書WO 93/15625敘述了一種鞋底，包 更材料的微膠囊，申請書WO 93/24241敘述了一種 塗覆物包含這種類型的微膠囊，以及黏結劑，此 的相位變更材料最好是包含丨3到2 8個碳原子的石 合物（paraffinic hydrocarbon)，歐洲專利第 EP-B-306 L 了一種纖維，其具有一種儲熱性質，其中儲熱 虫鼠％I氫化合物或晶態塑膠（CrystalHne plastic)，且 以微膠囊的形式被整合入基礎纖維材料中。 利第5,728,3 16號推薦以碳酸鎂及碳酸鋰為基礎的 物，用於熱能的儲存與利用，此處的儲熱，是在 以上時熔解而完成。 伴隨而來的是潛 因為金封或封裝 致物質的損失或 性結構上例如纖 苇需要儲熱材料 適當化合物之蒸 發，通常以儲存 更材料的工業用 體積的變化而產 材料以一特殊售 種轉變為液態 儲熱介質在工 的，以便於防 污染，特別在 或泡沫材料的 〇 熔解中大量增 期使用方式存 題經常因為許 個新領域，這 熱系統中 總是必須 對環境的 維、布料 的微封裝 汽壓，在 材料的長 途上，問 生。 點提供一 200301814 (4) 發明說明續頁 些是固態相位變更材料，因為這些物質在整個過程的溫度 範圍内都是固態的，所以不再有密封的需要，如此，則潛 熱系統中儲存介^ ’丨谷解造成的儲存介質損失或環境污染將 不再發生，這種相位變更材料的群體正在找尋許多新的應 用領域。 美國專利第583 1 83 1A、日本專利第1〇13538 1Α以及蘇聯專 利第57013 1A號敘述了相位變更材料散熱器的使用，其類 似於另一非軍事用途，這些發明的共同特色為，省略了傳 統散熱器（例如具有冷卻葉片以及風扇）。 以上提到的相位變更材料散熱器並不適用於吸收輸出功 率曲線不規則的零件之尖導輸出功率，因為他們並不能確 保相位’交更材料之最佳排熱，或也能吸收基礎的負載，西 德專利第100 27 803號（圖2)提出在相位變更材料的協助 下’缓衝一電氣或電子零件之輸出功率尖峰，而用於冷卻 包含一不均勻之輸出功率曲線之生熱電氣與電子零件（2) 之裝置’其基本上由一導熱單元與一包含相位變更材 料之吸熱單元（4)所組成。 本發明之目的是更有效地冷卻生熱零件，並消除溫度尖 ° 此目的可藉由一種裝置達成，該裝置能夠冷卻包含一不 均勻輸出功率曲線之生熱電氣與電子零件（2)，其基本上 由一導熱單元（1)與一吸熱單元（4)所組成，該吸熱單元包 含至少 種根據主要申請專利範圍之相位變更材料。 本發明的不同處在於，至少有一種相位變更材料被安排 200301814 ⑸ I發明說明續頁 在冷卻裝置中，其相位變更溫度（Tpe)對應於依照溫度踢度 之冷卻裝置中的外界環境，等於將被緩衝之生熱單元（2) 溫度。 本發明之較佳不同處在於，其具有至少兩種不同相位變 更溫度（Tpe)之相位變更材料，相位變更材料是以相關於另 一相位變更材料之方式安排，具有較高Tpe之相位變更材 料在每一種情況中位在冷卻裝置之相對溫暖區域，每一種 情況中之TPC，都低於生熱零件（2)之最大臨界溫度之下， 在此溫度會發生零件之過熱，最大臨界溫度是生熱零件不 可被超過之溫度。 尤其，本發明有關於一種裝置，用於冷卻具有不均勻輸 出功率曲線之電氣與電子零件，例如，用於桌上型或膝上 型電腦或伺服器中微處理器之記憶晶片，兩者都可在主機 板與圖形卡、電源供應器、硬碟以及其他操作中發熱的電 子零件。 然而，以相位變更材料的協助，冷卻這種類型至消除熱 尖峰並不受限制用於電腦中，根據本發明之系統可被用於 所有具有輸出功率變異，及其中熱尖峰被消除的裝置，因 為過熱會引起可能的缺陷產生，這種例子有用於行動通訊 之電源電路與電源開關電路、用於行動電話與固定傳送器 之傳送器電路、用於工業電子與馬達車輛中之電機致動元 件的控制電路、用於衛星通訊與雷達設備之高頻電路、單 主機板電腦，以及用於家電與工業電子之致動元件及控制 單元，根據本發明之冷卻裝置可更進一步被使用於例如在 200301814 (6) 發明說明續頁 電梯、變電所或内燃引擎之馬達中。 根據本發明之冷卻裝置為例如，散熱器，傳 可透過相位變更材料改良之。 由生熱元件至散熱器之熱流，不應該被中斷， 熱量應該先流經發熱元件，例如散熱器，而不 位變更材料，這種中斷會在相位變更材料由 計，而必須在熱量可經由冷卻葉片發散前，先 情況下存在，此會導致一既定設計中散熱器效 為了確保相位變更材料僅吸收輸出功率尖峰 材料因此最好以一種方式安排在冷卻裝置中或 散熱單元之效能不會損失，且到相位變更材料 只有在散熱單元溫度超過個別相位變更材料之 度Tpe時會發生，在達到此點之前，僅有少量 位變更材料，如同在環境之正常溫度上生中所 而，如果已經達到Tpe，則進一步的冷卻會經 發生，此外會有更多熱流至相位變更材料。 當生熱零件之最大臨界溫度已經達到時，根 冷卻裝置具有一介於生熱單元與散熱單元相反 溫度梯度，已經發現，特別適合之相位變更材 更溫度低於生熱單元最大臨界溫度一適當溫度 根據本發明所使用之相位變更材料，是冷卻裝 選擇與安排，其方式是他們的相位變更溫度1 能地符合這個定義的臨界溫度梯度，也就是說 梯度或恰低於其下同時，相位變更會實際發生 統之散熱器 也就是說， 是先流到相 於散熱器設 吸收熱量的 能的損失。 ，相位變更 其上，其中 之顯著熱流 相位變更溫 的熱流入相 吸收者，然 由散熱單元 據本發明之 端間之定義 料為相位變 者，因此， 置中較佳的 ’pc：能夠盡可 ’在此溫度 200301814 ⑺ 發明說明續頁 纟桌上』電腦CPU所用’商業上可得之具有風扇 的散熱器中’有大量的溫度梯度發生，其可以從簡散敎 器介面，到冷卻葉片> _ 相反％相差2 0 °C到4 0 °C，對最接近 生熱早元的相位變爭好冰土 欠更材科而言，適當的丁％，以微處理器 為例子，是低於生埶灾杜、θ …、々件 < 取大臨界溫度大約1〇到15t , 較遠的相位變更材斜胃+ f ”有相對較低的TPC，由於冷卻裝置 中的溫度梯度，根據本 知明具有至少兩種相位變更材料安 排中不同的TPC，接著最 b 予月匕头乎在同時達到，亦即冷卻 裝置效能的提升顯著妯 ^ ^ 0H . "加，且相位變更材料之加強效應 變得更明確。 此外，顯著流至相 ^ 田古1 Μ、、、 笑更材料之熱流，應該優勢地僅在 取南可此之溫度時開私 裝置以非常傳統之方^方法中，根據本發明之冷卻 此可確保最大傳统、入7作，到其最大臨界溫度梯度’如 能會藉由相位變更能，只有當達到Tpc時，冷卻效 置效能之途升高 〈硪吸收而補充，這會造成冷卻裝 顯，結果生熱零件：：位變更材料之加強效應變得更明 7什不會過熱。 透過根據本發明之、 效能較低的冷卻壯万法使用相位變更材#，可使用冷卻 代之的是緩衝。…因為不需要消除最大熱炎峰’取而

基於由生熱零件所、、矣A 材料均適用於根據本=疋的最大臨界溫度，所有相位變更 為包裝材料、固能"月之裳置，適用於相位變更材料者 陣_叫、空二固態相位變更材料、相位變更材料矩 固態液態相位變更材料或這些形式的 -12- 200301814 (8) ' ^___ 發明說明續頁 L—--' 混合物，對於固態-固熊或固能、冷 η心、攻Η也履怨相位變更材料而士， 適合的矩陣有特殊聚合物、石墨 " 例如擴張石墨（例如夹 自SGL之sigri λ)、或多孔無機物，例如發膠” ί (zeo1時至少J種根據本發明所使用之相位變更材料最 好是一固態/固悲相位變更材料。 材料可選自包含石蠟（c2Q-c45：)、^ 混合物、竣酸（carboxylic acid)或轉^ 各種相位變更材料均可用於 可能會使用相位變更溫度介於 更材料，對於使用在電氣與電 介於大氣溫度到9 5 C之間是較 根據本發明之裝置，原則上 _l〇〇t與150°c之間的相位變 子零件而言，相位變更溫度 佳的相位變更材料，此處之 機鹽類、鹽水合物及其 酒精類（sugar alcohol)之群 體中，一非限制之選擇示於表1中

** 13 - 200301814 (9) 發明說明續頁 材料 熔點 熔解熵(J/g) 群體 Heneicosane 40 213 石虫歎 Docosane 44 252 石虫鼠 Tricosane 48 234 石虫敗 Sodium thiosulfate pentahydrate 48 210 硝酸鹽類 Myristic acid 52 190 複酸 Tetracosane 53 255 石堪 Hexacosane 56 250 石蠟 Sodium acetate trihydrate 58 265 硝酸鹽類 Nonacosane 63 239 石鐵 Sodium hydroxide monohydrate 64 272 硝酸鹽類 Stearic acid 69 200 羧酸 Mixture of lithium nitrate, magnesium nitrate hexahydrate 75 180 硝酸鹽類 Trisodium phosphate dodecahydrate 75 216 硝酸鹽類 Magnesium nitrate hexahydrate 89 160 硝酸鹽類 Xylitol 93-95 270 糖酒精類 表1 同樣適用的一種是，例如選自包含由di-n-alkylammonium 鹽類選擇性具有不同alkyl群，及其混合物之群體中，電氣 與電子零件中特別適用的相位變更材料為相位變更溫度介 於周圍溫度至 95 °C 者，例如 dihexylammonium bromide、 dioctylammonium bromide 、 di octyl ammonium chloride 、 dioctylammonium acetate 、 dioctylammonium nitrate 、 200301814 發明說明續頁 (ίο) di octyl ammonium formate 、 didecyl ammonium chloride didecyl ammonium chlorate 、 dido decyl ammonium chlorate di do decyl ammonium formate 、 didecyl ammonium bromide 、 didecyl ammonium nitrate 、 didecyl ammonium acetate 、 dido decyl ammonium acetate 、 dido decyl ammonium sulfate 、 didodecylammonium chloride、dibutylammonium 2-nitrobenzoate、

didodecyl ammonium propionate 、didecylammonium formate 、 didodecylammonium nitrate 以及 didodecylammonium bromide 0 在較佳具體實施例中相位變更材料除實際儲熱材料之 外，包含至少一種輔助物，儲熱材料與該至少一種的輔助 物是以混合物形式存在，最好是密切的混合物。 輔助物最好是一種具有良好熱導係數的物質，特別是金 屬粉末或金屬微粒（如鋁粉或銅粉）或石墨，這些輔助物確 保良好的熱傳。

在更進一步具體實施例中，除了實際儲熱材料之外，該 存在於相位變更材料中之至少一種輔助物，可以是黏結 劑，這種情況下，儲熱材料之顆粒最好是以精細地分開存 在於黏結劑中’尤其在相位變更材料將被成形時，會使用 這種黏結劑，此外’黏結劑會在儲熱介質與散熱單元表面 之間，建立起緊密的接觸，亦即良好的潤濕（wetting)，舉 例來說’潛儲熱系統可以用適合冷卻電子零件之精確度建 立，黏結劑將空氣排出接觸表面，如此確保儲熱材料跟零 件之間緊密的接觸，因此，這種類型的介質適合用於冷卻 電子零件之裝置中。 -15- 200301814 發明說明續頁 (11) 根據本發明之聚合物黏結劑，可以是任一種適合根據本 申請書黏結劑之聚合物，此處的聚合物黏結劑最好是一種 可硬化之聚合物或聚合前導物，尤其是選自包含 polyurethanes、nitrile rubber、chloroprene、polyvinyl chloride、 silicones、ethylene-vinyl acetate copolymers 以及 polyacrylates 之 群體中’所用之聚合黏結劑尤其最好是碎樹脂，將儲熱材 料納入這些黏結劑中適當的方法，對本領域中熟知該技藝 者而言，是已經普遍知道的，對於找尋適當的、必須的添 加物以穩定這種類型的混合物而言，他們並不覺得困難。 對無機液態-固態相位變更材料而言，成核劑如硼砂 (borax)或各種金屬氧化物，都被額外使用。 整個材料，亦即相位變更材料與輔助物，最好不是以寬 鬆的形式存在’就是以製模（m〇ulding)的方式存在，此處字 囊製模（moulding)係指特別是可藉由壓擠法製造之所有結 構例如打粒（pelleting)、刻寫（tabletting)、滾壓或擠壓， 此處製模可採用非常寬廣的空間效果，例如球形、立方體、 或長方體。 土於製杈，相位變更材料可被壓製成純的形式，在粉碎 (例如輪磨）又後壓製或與輔助物混合壓製，此製模可以安 然地被以各種方式儲存、運輸以及使用，例如，製模可被 直接插入電子零件中，製模插入冷卻葉片中的方式，是緊 密地與冷各P茔&主 ' ^ |茱片表面接觸，製模的厚度，需能夠在葉片與 製杈义間％成摩擦的連#，製模也可在熱交換器被連接以 形成堆$又可，被插入冷卻葉片/熱交換器之間。 -16- (12)200301814 發明說明績頁 根據本發明之冷卻裳 面積，進一步較被偏好置熱單元（1)結構可增加表 卻葉片，這種類型之、社 θ…單元（1)最好有部分具有冷 得根據本發明之裳置:構對傳統冷卻效能有正面作用，使 最好更進-步具有在今：#放牝更加有效，散熱單元⑴ 撐冷卻效能。 "硌單元（2)相反側的風扇，以便支 本發明進一步有關 々、〜種零件，甘甘丄 發明之冷卻裝置，與一 ^ J ，、基本上由根據本 單元（1)與（4)，及生熱时-’、單兀（2)所組成，散熱與吸熱 熱零件(2)與散熱單元（⑺彼此相關排列的方式，使生 (1)有直接的接觸。 生熱單元（2)最好是— 種電氣或電子零件， MPU(微處理單元），鞋p 尤其取好疋 r別是CPU(中央處理單元、 △命w 的記憶晶片。 ）或一口电月匈

CpU冷卻之一般例子 以下參考電腦用 本發明之裝置。 t詳細說明根據 在^一根據本發明之 被排列在散熱器（1 )中 裝置中（圖3)，相位變更材料（4a + 4b) 或其上之方式，使得熱先流過散熱

器，隨後流過相位變更材料，也就是只有在其對應散熱器 區超過鄰近相位變更材料之相位變更溫度Tpc時，才會有 大量熱從支撐座（3)上之cpu(2)流到相位變更材料（4a、 4 b )，以此方式’可確保相位變更材料僅吸收輸出功率义 峰，在高功率電腦中，在散熱器的根部會達到60 °C至90 °C (T1)，冷卻葉片具有顯著的溫度梯度，且在更遠離CPU區 域之溫度（T3)較CPU附近之溫度（T2)低，由於在相反端之 -17 - 200301814 (13) 發明說明續頁 高效能風扇，在這裡只能達到溫度T3 = 4〇t至5〇°C ’而T2 = 50 〇C 至 7 〇 〇C。 如果根據CPU在散熱器中之最大臨界溫度之溫度梯度’ 溫度通過相位變更材料1 (4 a)之相位變更溫度到達CPU附近 之溫度（T2max) ’且在散熱器更遠的區域中，溫度對應地通 過相位變更材料（4b)之相位變更溫度（T3max)，則雨材料之 相位變更貫際上會同時發生，且就在到達或恰低於CPU之 最大臨界溫度（Tlmax)時，也就是說，相位變更材料的支援 動作特别有效地開始’相位變更材料的儲熱動作愈晚開 始，也就是說，散熱器的溫度愈高，則根據本發明之元件 的傳統且整體冷卻效能就愈高。 同樣地，相位變更材料的排熱以這種方式也更有效， 為整個相位變更材料實際上在散熱器冷卻的同時發生， ^ ^ ^ ^ 快的排熱 說明

命名 ^^---一" 2 3

Z ΤΙ 冷卻葉片

t ^ Tt(CPU) 4 ' 4a 、 4b

CPU附近之溫度 一中央區&令卻葉片夕涊夸 '一 ———— Τ2 區域冷度 Τ3 表2 :圖中命名的說明 -18 - 200301814 發明說明續頁 (14) 例示 對於最大輸出功率W之處理器而言，可設計一種如圖 3所示之散熱器，其具$在外界溫度3代時G.61K/W之冷卻 效能，從最大操作溫# Tl_㈣開始’冷卻葉片中央的 溫度與上不的溫度為T^65°C以及T3max45°C ’ Λ時所使用 之相位變更材料為tpc為65 °C之didodecylammonium chl〇ride(相位變更材料 1) ’ 以及 TPC為 49〇C 之 didecylammonium chloride(相位變更材料2)。 有了適當的相位變更材料’透過使用超過兩種相位變更 材料，可以更精準地使散熱器達心度梯度。 附圖之簡短說明 圖1:不具有根據先前技藝相位 圖2 : PI古姐诚A 4、、 又更材料的散熱器 圖 3 :具有根據本發 圖式 代表符號說明 (1) 導熱單元 (2) 生熱零件 (3) 支撐座 (4) 吸熱單元 材料的 散熱器 -19-

Claims (1)

1. 200301814 拾、申請專利範圍 1. 一種用於冷卻生熱零件之裝置，其基本上由散熱單元（1) 與吸熱單元（4)所組成，該吸熱單元（4)包含至少一相位 變更材料（PCM)，其具有一相位變更溫度（TPC)，其中相 位變更材料依照其根據溫度梯度之溫度Tpe，在冷卻裝 置中排列。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其特徵為該吸熱單元（4) 包含至少兩種具有不同Tpe之相位變更材料，其中該相 位變更材料按照其根據溫度梯度決定之Tpe，彼此相關 排列於該冷卻裝置中。 3. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵為在每一情況 中，丁^低於該生熱零件（2)之最大臨界溫度。 4. 如申請專利範圍第1或2之裝置，其特徵為該相位變更材 料排列之方式，使得其相位變更實際上在相同時間，與 /或恰低於該溫度時發生，該溫度係取決於冷卻裝置中 之溫度梯度，並對應於生熱單元（2)之最大臨界溫度。 5. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵為該相位變更 材料排列之方式，使得從生熱零件流至散熱單元（1)之 熱流不會中斷，且僅有當散熱單元（1)超過該相位變更 材料之相位變更溫度時，才會有明顯的熱流流至相位變 更材料。 6. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵為含有相位變 更材料之單元（4)，係由一或多個引入相位變更材料之 空孔所組成，該空孔位於散熱單元（1)中。 200301814 申請專利範圍續頁 7. 如申請專利範圍第i或2項之裝置 變更材料係1態/固態相位變更材料…一 8. 如申請專利範圍第丨或2項之裝置 相位變更材料。 為私 9. =:::==置’ 1〇·々巾μ專利乾圍第9項之裝置，其特徵為該輔助物係具 有^好導熱係數之物質，特別是金屬粉墨、金屬微粒或 石墨，以及/或一種黏結劑，尤其是聚合物黏結劑。 11·如申請專利範圍第U 2項之裝置，其特徵為該相位變更 材料以及若有使用輔助物時，呈現壓擠形式。 12.如申請專利範圍第}或2項之裝置，其特徵為該散熱單元 (1)具有可增加表面積之結構，特別是冷卻葉片。 13如申請專利範圍第1或2項之裝置，其特徵為該散熱單元 (1)具有一風扇，用於額外的冷卻。 14· 一種基本上由根據申請專利第1或2項之冷卻裝置與一生 熱零件（2)所組成之零件（Ζ)，其中兩種結構性單元（1)與 (4)以及零件（2)彼此相關排列的方式，使得在生熱零件（2) 與散熱單元（1)之間的熱流，呈直接接觸的方式。 15·如申請專利範圍第14項之零件（Ζ)，其特徵為該零件（2) 係一電氣或電子零件，特別是電腦之MPU(微處理器）或 記憶晶片。 16· —種包含根據申請專利範圍第1 4或1 5項之零件之電腦。 17. —種在電腦以及電子資料處理系統之方法中使用根據申 200301814 申請專利範圍續頁 請專利範圍第1或2項之裝置或使用根據申請專 1 4或1 5項之零件。 18. —種在電源電路與用於行動通訊之電源開關電 行動電話與固定發送器之發送器電路、用於工 馬達車輛中電機致動元件之控制電路、用於衛 雷達設備之南頻電路、早主機板電腦以及用於 業電子之致動元件與控制單元之方法中使用根 利範圍第1或2項之裝置或使用根據申請專利範 1 5項之零件。 利範圍第 路、用於 業電子及 星通訊與 家電與工 據申請專 圍第14或