TW200306245A - Polishing method - Google Patents

Description

500306245 玖、發明說明 (發明說明應敘明··發明所屬 交奋 技術領域、先前技術、内 夺、戶、知方式及圖式簡單說明） [發明所屬之技術領域] 本發明係有關拋光方法，尤 之半導w s η β 尤其有關將表面形成有薄膜 + V ,豆日日0寺之研磨對象物 方法。 吁心成千垣且鏡面狀之拋光 [先前技術] 近年來，由於半導體裝詈俞彡 ― π 置〜被、、用化兀件構造愈複雜， 且’卩返邏輯系之多層配線之層數 a双^加，+導體裝置之表面 =凹凸愈增加’以致段差有愈大之傾向。其原因在於，半 :體裝置之製需要反覆幾次，薄膜之形成、圖案形成 s開孔之微細加工、然後又形成其次之薄膜之製程。 當半導體裝置之表面之凹凸增加時，則或在薄膜形成 時出現段差部之膜厚變薄…於電路之斷線形成斷路或 由於配線層間的絕緣不良形成短路’戶斤以有無法生產良品 或良率降低之傾向。而即使初期正常操作，但經長時 1使用紅仍冒發生k賴性之問題。並且，在微影製程之曝 光時，若被照射之表面有凹凸，則曝光系統之透鏡焦點將 會發生部分模糊，所以，當半導體裝置之表面之凹凸増多 化’則微細圖案之形成本身將發生難題。 因而’在半導體裝置之製造製程中，半導體裝置表面 之平坦化技術愈加重要。此平坦化技術之中，最為重要之 技術為化學機械研磨（CMP (Chemical Mechanical 6 314622 200306245

Polishmg))。此化學機械研磨，係以拋光裝置，將含有二 氧化硅（Si〇2)等之磨石粒之研磨液一面供給給研磨台墊等 的研磨面i ’同時將半導體晶圓等之基板滑接於研磨面進 行研磨者。 此種拋光裝置，具備由研磨台墊所形成具有研磨面之 研磨台與’用以固定(hold)半導體晶圓之頂環或承載頭 (can iei head)寺。以這種拋光裝置研磨半導體晶圓時’以 頂環邊固定半導體晶圓，邊將此半導體晶圓以所定之舞力 推壓於研磨台。此時，經使研磨台與頂環相對運動料 體晶圓滑接於研磨面，方〜是丰導 、 、 孓疋牛V脰日日®之表面研磨成平坦 且為鏡面。 如此之拋光裝置，研磨中之半導體晶圓與研磨台塾之 研磨面之間之相對推厭士 ,,. 推^力，如未在整個半導體晶圓形成均 勻時’則會按施加於半導體晶圓之各部分 研磨不足或過度研磨。因而 毛生 — 力淘肘頂％之+導體晶圓之 疋面以橡膠等之由彈性材所構成的彈性膜加以形成，在 彈性膜之背面施加空氣壓等之流體壓，以使施加4導： 晶圓之推塵力達到全面均勾化。 、牛^ 上述研磨台墊因呈 磨中之半導Π: 有可能形成施加於研 牛^曰曰®之外周緣部之推壓力不均勾，而僅 體晶圓之外周绫卹為本丨々 丨至卞¥ 口P又到夕研磨之所謂「緣鈍 防止如此之緣鈍，亦古 …， “為 n ^亦有，以V引裱或扣環（retalner rincr) 固夂半導體晶圓之外用接 匕 t 卜周、味之同呤，採用導引環或扣環推厣 位於半導體晶圓 土 u爻外周緣側之研磨面之構造之頂環者。 3J4622 7 200306245 使用如此之頂環進行研磨時，需要將搬運過來 嗜 體晶圓吸附並固定於頂環。而且，研磨終了後，⑥: 半導體晶圓吸附於頂環之後，在搬運位置使半導二 守 頂環脫離。然而，使用上述之彈性膜 == 、么田於彳早性膜 之存在而會有半導體晶圓之吸附及脫離無法、 [發明内容] Θ ° 發明所欲解決之課 本發明係有鑑於如此之先前技術之問題點而為者 以提供，即使介由彈性膜固定研磨對象物以進行研磨時， 仍可確實吸附及脫離研磨對象物之拋 了 y広為具目的。 [用以解決課題之手段] ^為解決如此之先前技術之問題點，本發明之第丨態樣， 係，以頂環固定研磨對象物以將該研磨對象物推壓 面以進行研磨之拋光方法之中，經在可上下移動之上下= 動零組件之下面安料性膜以在上述頂環内形成壓 : 經將加壓流體供給於上述壓力室 至亚以上述流體之流體壓將 上迹研磨對象物推壓於上述研磨 … 汁Μ面以進仃研磨，經由形成 於上述上下移動零組件之中央部之開口喷射加壓流體以使 研磨後之研磨對象物由上述頂環脫離為特徵之拋光方法。 +如此，透過由形成於上下移動零組件之中央部之開口 σ貧射加壓流體，因加壓流體亦能 达進弹性膜與研磨對象物 之不貼之。卩/刀，所以，研磨對象物可確實脫離。 本發明之良好態樣係在形 风上返屋力室之彈性膜之盥 研磨對象物靠接之面形成孔，纟 ~ 、、二田形成於上述上下移動零 314622 8 200306245 組件之中央部之開口，以及由上述 ^ r > ri ^ m Λ ^ 14朕之孔亦贺射加壓 使研磨以研磨對象物由上述頂環脫離為特徵。 如此，非但由形成於上下移動零組件之令央部之門 由彈性膜之孔亦喷射加厂堅流體，使研磨對象^ = 脫離。 又加石S貝 本I月之X I好悲樣係由上述彈性 流：之後，由形成於上述上下移動零组…央 編’為特徵…，則可消除彈性膜與研二 間之I、貼性，使研磨對象物能更加 ， 广明之第2態樣係以頂環固定研磨對象=將該研 2對象物減於研磨面以進行研磨之拋光方法之中， 可上下移動之上下移重 、’工 動令組件之下面安裝彈性膜以在上述 頂核内形成塵力室’經將加麼流體供給於上述麗 之流體厂堅將上述研磨對象物推壓於上述研磨面二 研磨，於研磨終了時’使上述上下移動零組件往下方 矛夕動以使上述研磨對多 汁Μ對象物罪接於設在上述上下 附部，並藉由該吸附部將上述研磨對象物吸附固：： 上述頂環，為特徵之拋光方法。 疋方、 :磨終了時’會有研磨對象物與上下移動零組件分離 之厂’而有欲以吸附部直接吸附研磨對象物亦無法吸附 ’發生。根據本發明，則，因於研磨終了日寺， 私動令組件往下方移動以使研磨對象物靠接於吸附部以吸 附固疋研磨對象物’所以可使研磨對象物確實吸附。 ，I月之第J悲樣係以頂環固定研磨對象物以將該研 314622 9 200306245 磨對象物推壓於研磨面以進行研磨之拋光方法之 可上下移動之上下移動零組件之下面安裝 二在 頂環内形成壓力室，使上述上下肤以在上述 使上述上下移動零組件相對於 定上述研磨對象物之外周竣 邳之外周...豕之扣％為位於上方位置 態，將上述研磨對象物導引於上 ^ ^ 亚將破導引於上 述頂環之研磨對象物以設於上述上下移動零組件” 吸附固定於上述頂環，使被固定於上述頂環之研磨對象: 移動至上述研磨面上 '經由供給加壓流體於上述愿力室以 將上述研磨對象物以上述流體之流㈣推壓於上述研磨面 並加以研磨，為特徵之拋光方法。 石 々將研磨對象物交給頂環時，若上下移動零組件較扣環 大出方、下彳貝I] ’研磨對象物被吸附在偏離之位置時，由 於其，之上下移動零组件之上昇而使研磨對象物有可能鈎 到扣壤’以致成為研磨對象物之脫落或破損之原因。根據 本發明，則因預先使上下移動零組件位於較扣環為上方之 位置，故研磨對象物之外周部被扣環導引交給頂環。因而， 研《象物不致於因上下移動零組件上昇而被扣環鈎到， 而得以防止研磨對象物脫落或破損。 [實施方式] β 1貫施形熊： 以下’有關對於本發明拋光方法之第1實施形態，參照 第1乃至第1 2圖詳細說明。第〗圖係，本發明第i實施形態中 有關拋光裝置之模式性顯示之俯視圖。如第丨圖所示，拋光 衣置係在全體為長方形之台上之空間之一端側相向配置 10 314622 200306245 一對研磨部la、lb，他端側配置有各用以載置半導體晶圓 收納用盒2a、2b之一對裝卸單元。連接研磨部1 a、1 b與裝 卸單兀之線上配置有2台用以搬運半導體晶圓之搬運機器 人4a、4b而形成搬運線。此搬運線之兩側各配置有1台之反 轉機5、6與夾著此反轉機5、6之2台之潰洗機7a、7b、8a、 8b ° .1 一 — !个丄兩问一规袷（裒置對稱配 置方、搬運、泉上，分別各具備，上面黏附有研磨台墊之研磨 台11與，將研磨對象物之半導體晶圓以真空吸附固定並將 /、推I在研磨台i丨上之研磨台墊而加以研磨之頂環單元U 與，用以修整（dressing)研磨台u上之研磨台墊之修整單元 研磨邛1 a、1 b，分別在搬運線側設有用以與頂環單元 門互相進行授受半導體晶圓之昇降機（pusher) 1 4。 搬運機器人4a、4b，具有可在水平面内彎曲自如之關 Z才^別各具有上下2個把持部，分為乾爪與濕爪分開使 人:二：施形態因使用兩台機器人，故基本上第1搬運機器 人讣負I:反轉機5、6至盒〜、孔側之區域，第2搬運機器 、貝反轉機5、6至研磨部i a、！ “則之區域。 反轉機5、6係用以反轉半導體晶 搬運機哭人^ 工卜面，配置於 口口 a、仆之手臂可伸到之位置。 兩台反#撼s 、 不声、麵形恶，將 者。 …刀為用以反轉乾基板者與用以反轉濕基板 各清洗機7a、7b、8a、 1 b側為以海綿滾筒擦 8 b之型式為隨意，例如，研磨 拭半導體晶圓之表裏兩面之型 314622 11 200306245 式之清洗機7a、7b’盒2a、2b側為抓持半導體晶圓之邊括 在水平面内，邊旋轉邊供給清洗液之型式之清洗機I: 後者複具備离隹心、脫水並乾燥之乾燥機功能。、清;先機 可實^半導體晶圓之第丄次清洗而清洗_、8b則可實施第 1次清洗後之半導體晶圓之第2次清洗。 其次’對於上述之研磨部予以詳細說明。第2圖 1圖中之研磨部κ重要部分之縱剖視圖。卩下，僅對 磨。Pla加以况明’至於研磨部1]3，/亦可視為與研磨部h相 同。 如第2圖所示，研磨部1a具備，上面黏附有研磨台墊10 之研磨台11與’將研磨對象物之半導體晶圓W以直空吸附 固定並將其推壓於研磨台u並加以研磨之頂環單元二與， 用以修整研磨台U上之研磨台墊10之修整單元"。研磨A 11 ’介由台轴Ua連接在酉己置於其下方之馬達（未圖示 研磨台11如第2圖箭頭c所示，可在該台軸Ua之周圍旋 轉、。.研磨台11上之研磨台塾10之表面構成與研磨對象物之 半導體晶圓W滑接之研磨面。 在市面上可購到各種研磨台墊，例如羅德公司，之 3磁_、10_1〇〇〇、11〇嶋嶋4〇〇(雙層布[不、二見 公司製之 Wlnxxx_5、Surfin_等。suba綱、 η"、〜伽_係將纖維以氨酯樹脂固著之不織布、 1000為硬貝之發泡聚氨酯(單層）。發泡聚氨酯為多孔質 狀，其表面有多數之微細凹面或孔。 研磨台li之上方配置有研磨液供給嘴嘴15及水供給嗔 314622 12 200306245 為16 ’由研磨液供仏口土 ，σ Λ噹1 5有純水或藥液等之研磨液，由 水供給噴嘴1 6有修整. ^ Τ使用之修整液（例如、水），分別供 給於研磨台U上之研广△ 叮^面10上。研磨台11之周圍設有用以 口收此寺研磨液盘太 、 /、K之框體1 7，此框體1 7之下部則形成有 槽溝1 7 a。 山' 衣單兀12，由，可旋轉之支軸20與，連接在支輛2〇 而之頂％頭21與’由頂環頭21之自由端垂下之頂環軸 —接於頂環軸22之下端之大致圓盤狀之頂環23所構 :、頁衣23，「逍支軸20之旋轉所形成之頂環頭2 1之搖動而 在水平方向移動’形成如第i圖中之箭頭A所示， 機Μ與研磨面1〇上面之研磨位置之間往復運動。頂環= 二二頁％軸22與設在頂環頭21之内部之未圖示之馬達 …目連結’由此，如第2圖之箭頭D、_示可昇降且可 * j衣轴22之周圍旋轉。研磨對象之半導體晶圓^，以真 ^吸附固定於頂環23之下端面。由於此等機構，頂環;、3 可坆自轉’邊將固定於其下面之半導體晶圓w 力推壓於研磨面10。 w之昼 修整單元13，係用以使經研磨而劣化之研磨面之表 面再生，配置於以研磨台u為中心之頂環單元12之相义 側。修整單元13與上述頂環單元12同#，由可旋轉之支袖 J〇與，連接於支軸30之上端之修整頭31與，由修整頭3i = 自由端下垂之修整軸32與，連接於修整軸Μ之下、之 哭7 3 # 而个多整 〇σ人，安裝於修整器3 3之下面之修整零組件3 4所構成 t正為j 3，隨支軸3 〇之旋轉所形成之修、 尸、心徭動而往 3】4622 13 200306245 :ΚΛ平方向移動’形成如第1圖中之箭頭B所示，可在研卢面 修整位置與研磨台-外-等待位置之間Si ^圖係將第2圖所示研磨部之項環單元12連同流路構 不之概略圖’第4圖顯示第3圖中之頂環單元 萬：:^23之縱剖視圖。如第3及第4圖所示，頂環 =:::部4°連r頂環心，而侧-則連接於固定 ^ 21之1'm空氣缸111 1環23,具備連接在頂環 軸22下&之大致圓盤狀之頂環本體㈣，配 42之外周部之扣環-頂環本體-由金屬或陶㈣^ =強之材料所形成。扣環-則由剛性強之樹脂材料;

陶二免寻所形成。 + A 頂環用空氣叙lu介由調整器Ri連接於壓力調整部 120。此壓力調整部120 ’由壓縮空氣源供給加壓空氣等之 =體，或…拉真空，以調整壓力。由於此墨力調 :’可將供給於頂環用空氣紅⑴之加壓空氣之氣壓 寻由調整器R1予以調整。此頂環用空氣缸iu使頂環轴 3下移動’可使頂環23全體昇降之同時，可將安裝於頂 衣、42之扣43以所定之推壓力推壓在研磨台丨1。、 頂％軸22介由鍵（未圖示）連接於旋轉筒丨丨2。此旋轉筒 U2在其外周部具有時規帶輪113。頂環頭㈣定有料用 馬k 114 ’上述時規帶輪i 13介由時規帶"5連接於設在頂枣 用馬達⑴之時規帶輪116。因而，頂環用馬達114旋轉^ 力則〃由4規卞輪i i 6、時規帶丄i 5、及時規帶輪⑴ 3]4622 34 200306245 走軏筒1 1 2及頂環軸22 —體旋轉，而令頂環23旋轉。至 方〜了貝王驻 - 一員2 1，係由可旋轉地支撐於台架（未圖示）之支軸2 〇 所支撐。 弟4圖所不，頂環本體42，具備，圓筒容器狀之殼部 4 2 3. iSl ，山 部42、S欺&於设部42a之圓筒部内側之環狀之加壓板支撐 M2b與，嵌合於殼部42a之上面之外周緣部之環狀之封部 4 2 C。丁§ ts： ▼ 〇 、展本肢42之殼部42a之下端固定有扣環43。此扣環 心之下部往内方突出。 了产頂％本體42之殼部42&之中央部之上方配設有上述之 =%軸22，而頂環本體42與頂環軸22以萬能接頭部40連 L此萬能接頭部40,具有’可使頂環本體心與頂環軸22 為傾動之球面轴承機構與’用以將頂環⑽之旋轉傳達 、、，古頂％本體42之旋轉傳逵 尋達枝構由頂環軸22對於頂環本體 政互為容許傾動邊傳達推壓及旋轉力。 球面轴承機構係由，幵》成於頂環轴22下面之中央之球 面狀凹部22a與，形成於頂環 、- 狀凹部-與，介裝於兩凹部2二之二面：中央部之球面 材料所形成之軸承球5 2所構成 B之由陶…硬度 之頂4 厅構成如乐4圖所示，頂環本體42 此之構:^彈簧座^之間介裝有螺㈣簧格由於如 另;:方面本體42對於料轴22可傾㈣被固定住。 另方面’旋轉傳達機構係由’ 頂環㈣近傍之整合銷49與，二在頂環本體似 ΊΊΓ ^ ^ ^ 战在了頁％軸2 2之擊人別 肩構成。因即使頂環本體42傾斜，繫合銷 314622 15 200306245

σ孔22^内上下方向移動’所以繫合銷49係與繫合孔？2C 移接觸點繫合，於是，旋轉傳達機構可將頂環轴22之旋轉 矩確實傳達給頂環本體42。 才 f頂環本體42及扣環43之内部所隔成之空間内，收容 _有#接於頂環23所固定之半導體晶圓w之彈性塾⑼與， •環^之固定環61與，可在頂環本體42内部之收容空严/内上 •下私動之大略圓盤狀之卡盤板Chuck plate(上下移動零组 參件）62。彈性墊6〇，其外周部夹在固定環^與固定在固定環 ^下^之卡盤板62之間，並覆蓋住卡盤板62之下面。由此， ?早性墊6G與卡盤板62之間形成壓力室7q。彈性墊⑼，由乙 橡Mepdm)、聚氨醋橡膠、石圭橡膠、氯丁橡膠等強度及 耐久性良好之橡料所形成。 &卡盤板62之中央部形成有開口 62a。此開口 62a連通到 . B接頭等所形成之流體路8 0，並介由配置在流體路8 〇 上之調整器R2連接於壓力調整部12〇。亦即，位於彈性墊 • :〇與：盤板62之間之壓力室7〇，介由配置在流體路8〇上之 调整器R 2連接於厭士 _^田# 安万、L力调整部12〇。彈性墊6〇，在對應於開 口 62a之位置形点女丄 成有大口徑（例如直徑12n]m)之中央孔 60a 〇 。固定環61與頂環42之間張設有由彈性膜所形成之加壓 θ 力^片6〕之一端，由安裝於頂環本體42下面之加 [片口疋#42b所夾撐。他端夾撐於固定環η之上端部“a 與阻措部心之間。由頂環本體42、卡盤板62、固定環61、 及加壓片63，在頂環本體42之内部形成壓力室71。如第4 16 314622 200306245 圖所示，壓力室π連通由管、接頭等 予所形成之流體路8 !， 並介由配置在流體路8 1上之調整器R3遠技女、阿丄 心接方；壓力調整部 120。加壓片63 ’由乙丙橡膠（EPDivn、取七 )I氨酯橡膠、硅橡 膠、氯丁橡膠等強度及耐久性良好之於M ^ 休抖’或含纖維之強 化橡膠，或非常薄之不銹鋼（例如原0 9 、〜 ^ϋ·2_)等所形成。 在此，彈性墊60之外周面與扣環 J之·間有細小之間

隙，所以，固定環6 1與卡盤板6 2等之A 、 令組件，相對於頂環 本體42及扣環43可上下方向移動而成 又」，予動構造。固定環 6 1之阻擋部6 1 b，複數處設有由苴外用接 ，、外周緣部往外方突出之突 出部61c，此突出部61c繫合於突出， 在扣每4 3内方之部分之 上面，使上述固定環6 1等之零組件彳 仟彺下方之移動受限於所 定之位置。 加壓片63為橡膠等之彈性體時 月且守將加壓片63夾在扣環 43與頂環本體42之間並予以固宗, 固疋日守，由於彈性體加壓片63

之彈性變形，導致在扣環43之下面I 、 …、次取仔女適之平面。 因此為防止此狀況發生，本實施 y y ίν^ 以另外之零組件之 形態設置加壓片固定部42 b，並蔣JL十* ^ 亚知其夹在頂環本體42之殼部 42a與加壓片固定部42b之 ^ 卫卞以固疋。此外，亦可將扣 環4 j形成對於頂環本體4 2p卜 為了上下私動，或使扣環43為獨 立於頂環本體42而可推厣之糂、土 , f ± 』推&之構造，在此情形則未必限定使 用上述之加壓片63之固定方法。 j述卡盤板62與彈性墊6G之間之|力室及卡盤板^ 1力至7 1，可分別介由連通於壓力室、7 1之流體路 80、81，供給加塵空氣等之加慶流體，或做成大氣麼或真 314622 17 200306245 空。亦即，如第3圖所示，經由配置於壓力室7 〇、7丨之流體 ‘路80、81上之調整器R2、R3，可分別調整供給於各壓力室1 之加壓流體之壓力。由此，可各個獨立控制各壓力室7〇、 71内部之壓力或做成大氣壓或真空。 • 卡盤板62设有突出於下方之内側吸附部64及設於開口 _ 62a之外側之外側吸附部65。内側吸附部64，形成有連通由 •管、接頭等所形成之流體路（82)之連通孔64a，内側吸附部 φ 64則介由配置在此流體路82上之調整器R4，連接於壓力調 整部120。同樣地，外側吸附部65，形成有連通由管，接頭 等所形成之流體路83之連通孔65a，外側吸附部65則介由配 置在此流體路83上之調整器R5，連接於壓力調整部12〇。 由於壓力調整部120而在吸附部64、65之連通孔64&、 之開口端形成負壓而可將半導體晶圓w吸附在吸附部Μ、 ^ 65。吸附部64、65之下端面貼有薄橡片或襯墊膜等所形成 之彈性片，以使吸附部64、65可將半導體晶圓1柔軟吸附 固定。 、頂環本體Μ之封部42C之下面形成有由環狀之溝所構 成之清洗液路9 1。此清洗液路9 1連通流體路84。而且，由 封部42C之清洗液路91延伸貫穿殼部42a，加壓片固定部 42b之連通孔92形成於複數處，而此連通孔92連通於彈性墊 60之外周面與扣環43之間之僅小之間隙。介由此清洗液路 9 1將清洗液（純水）供給於間隙。 其次說明，如此構成之拋光裝置之動作。首先，以第工 搬運機器人4a將半導體晶圓W由盒2a或2b取出，以反轉機5 314622 18 200306245

或6反轉後，以第2搬運機器人4b搬運載置於昇降機14上。 以此狀恶搖動頂環I 貝衣早兀1 2之頂裱頭2 1，使頂環2 3移動到昇 降機14之上方。 ㈢第5圖，係顯示此時之狀態之縱剖視圖。如第5圖所示， 昇降機14具備，以空氣缸等可上下移動之導引台141與，設 T此外周部之晶圓導引142與，配置於導引台141上方而與 導引台m為獨立可上下移動之推壓台143。晶圓導引142 為具有上段部144與下段部145之2段之台階構造。晶圓導引 142之上段部144係與頂環”之扣環43之下面為對口部，而 下段部145為半導體晶圓w之求心用及支撐用。上段部144 之上方形成有用以導引扣環43推拔146，下段部145之上方 形成有用以導引半導體晶圓W之推拔147。半導體晶圓w， 以晶圓導引142之推拔147求出心之狀態載置於晶圓導引 142之下段部145。 此時，於第5圖所示之狀態時，將頂環23内之壓力室7丄 介由流體路8 1連接在壓力調整部丨2〇，使壓力室7丨形成負 壓。由此，卡盤板62，如第5圖所示，對於扣環43形成處於 上方之位置。如此，則如後述，可確實吸附半導體晶圓w。 其次’如第6圖所示，使昇降機1 4之導引台丄4 1上昇， 以晶圓導引142之推拔146將扣環43導引至晶圓導引142之 上段部144。晶圓導引142之上段部144與扣環43之下面接 觸，則導引台1 4 1之上昇終了。 以此狀態，如第7圖所示，昇降機1 4之推壓台丄43上并， 支撐住載置於晶圓導引1 4 2之下段部1 4 5之半導體晶圓w i 314622 19 200306245 圖案面’使半導體晶圓W靠接於頂環23之彈性墊60。然後， 將吸附部64、65之連通孔64&、65a介由流體路82、83連接 方；力。周正σρ 120，以此連通孔64a、65a之吸引作用將半導 體晶圓W真空吸附於吸附部64、65之下端面。 ， 於此半導體晶圓w之授受時，如卡盤板62較扣環43突 _出方、下方日守，則半導體晶圓W以偏離之位置被吸附的情況 •下，由於其後之卡盤板62之上昇導致半導體晶圓w鈎到扣 •知、4 3，以致有形成晶圓脫落或破損之原因。按本實施形態， 則如上所述，使頂環23内之壓力室71形成負壓，使卡盤板 -預先對於扣裱43處於上方之位置，所以半導體晶圓％邊 被扣環43導？|其外周部邊進行授受。因而，半導體晶圓w 不致於因卡盤板62之上昇而鈎到扣環43，於是，可防止晶 圓之脫落或破損。 〜 半導體晶圓W之吸附完了後，使昇降機14下降，並使 • 丁員環頭21水平搖動以吸附半導體晶圓w之狀態，將頂環頭 蠢21移動到研磨面10之上方。此時，半導體晶圓歡外周緣 、才裒4 3固疋住，以免半導體晶圓w脫離頂環2 3。然後， ，項環23邊旋轉邊下降，將半導體晶_往旋轉中之研磨 11上之研磨面1 〇推壓。亦即，於研磨時解除吸附部64、 ^對於半導體晶圓w之吸附，將半導體晶圓W固定於頂環 23之下面之同時，使連接在頂環軸22之頂環用空氣缸lu $仃操作’以將固定在頂環23之下端之扣環43以所定之推 :力推壓在研磨台11之研磨面丨。。以此狀態，以所定壓力 供給加壓流體於壓力室70，以將半導體晶圓w推壓在研磨 314622 20 200306245 台1 1之研磨面。此時’由研磨液供給噴嘴丨5供給研磨液， 以半導體晶圓W之被研磨面（下面）與研磨面1〇之間存在研 磨液之狀態，進行半導體晶圓W之研磨。 第4圖顯示，此研磨時之狀態。 如上述，扣環43被頂環用之空氣缸lu推壓在研磨面1〇 之力量’與供給於壓力室70之加壓空氣將半導體晶圓，推 壓於研磨面10之力量，給予安適調整以進行半導體晶圓w 之研磨。此外，因供給加壓流體於壓力室7〇將使卡盤板62 叉到往上方向之力量’所以本實施形態，在壓力室7 1介由 流體路81供給壓力流體，以防止壓力室7〇之力量將卡盤板 62往上方提起。 研磨終了後，如第8圖所示，停止對壓力室7〇之加壓流 月丑之i、k，並經開放於大氣壓，使卡盤板6 2下降，以使吸 附部64、65之下端面靠接於半導體晶圓w。將壓力室η内 之壓力開放於大氣壓，或形成負壓。這是因為如將壓力室 71之壓力放置於高壓狀態，則僅半導體晶圓w之與吸附部 64、65靠接之部分被強烈推壓於研磨面之故。铁後，使半 導體晶圓w再真空吸附於吸附部64、65之下端面。如此， =研磨、、、了呀’使卡盤板62下降，則可將半導體晶圓冒確 實吸附於吸附部64、65。 接著，以吸附半導體晶圓W之狀態，使頂環23移動到 外伸之位置，如第Q同仏— 圖所不’將壓力室7 1介由流路8丨連接厣 力调整部1 2 0以借了g卢〇 ο〜 使頂％2〕内之壓力室71成為負壓，以使 板62對於扣環43 A # I , I i 為位於上方之位置。以此狀態使頂環23上 314622 21 200306245 再移 昇使頂5衣頭2 1水平搖動以使頂環2 3如第1 0圖所示 動到昇降機14之上方。 其次，如第11圖所示，使昇降機14之導引台14丨上昇， 以曰曰圓導引142之推祓146將扣環43導引到晶圓導引142之 上&部144。然後，晶圓導引142之上段部144接觸到扣環u 之下面’則導引台1 4 1之上昇終了。 以此狀態，如第12圖所示，將卡盤板62之中央部之開 口 及吸附部64、65分別介由流體路⑽、82、83連接於: 力凋正部120，由開口 62a及吸附部64、65將加壓流體（例 如，壓縮空氣或氮與純水之混合者）以例如〇、2Mpa之壓力 彺下方賀射（水柱噴射）。由於此流體喷射，半導體晶圓w 由彈性墊60之下面脫離，於是半導體晶圓w由於晶圓導引 4一之推拔147而形成求心之狀態，被支撐於晶圓導引丨42 之下段部1 4 5。 • 如此，於本實施狀態，因由形成於卡盤板62之中央部 系之大口徑之開口 62a及吸附部64、65噴射加壓流體，加壓流 體亦被送入彈性墊60與半導體晶圓w緊貼之部分，所以可 使半導體晶圓W更確實脫離。 士此 汗磨後之半導體晶圓W由了頁環2 3送交於爵降機 14，按需要而進行半導體晶圓w及頂環23之純水或清洗液 的清洗。然後，頂環23由昇降機14接受新送來之半導體晶 圓W往研磨台10上面移動，卩進行新的研磨。 將半導體晶圓W僅以所定之研磨量研磨完了之時刻則 為研磨處理完了，但在此研磨作業終了之時刻時，由於研 22 314622 200306245 磨而使研磨面l 〇之特性產生變化，對於下一研磨之研磨性 能已降低，所以，需以修整單元η進行研磨面1 〇之修整。 修整時，邊使修整器33及研磨台}1分別獨立自轉，邊以修 整令組件34以所定之推壓力靠接於研磨面丨〇。此時，修整 零組件34接觸研磨面1〇之同時，或在接觸之前，由水供給 賀嘴16供給水於研磨面10之上面，以將殘留在研磨面之 使用過之研磨液清洗掉。修整終了後之修整器33，由於修 整頭31之驅動而被送回待命位置，並以設於此待命位置之 修整裔清洗裝置1 8 (參照第1圖）予以清洗。 載置於昇降機14上面之研磨後之半導體晶圓w，由第2 搬運機器人搬運到例如具有兩面清洗功能之滾筒海綿之清 =機7a或7b，以此清洗機7&或几洗淨基板评之兩面後，以月 第2搬運機器人4b將其搬到反轉機5或6並予以反轉。然後， 以第i搬運機器人4&將反轉機5或6上面之半導體晶圓卿 出，並搬到例如具有上面清洗之筆尖海綿與旋轉乾燥功能 之第2之清洗機8&或此清洗.乾燥後，以帛i搬運機器人心 搬回盒2a、2b。 _第2實施形_態二 其人對衣有關本發明拋光方法之第2實施形態，參照 弟：圖乃至乐22圖詳細說明。與上述第i實施形態中之零組 件或元件具有同-之作用或功能之零組件或元件付予；一 圖號’而未予特別說明之部分為與第i實施形態相同。除了 頂環以外。之構成，基本上為與第1實施形態相同。 第13圖顯示本發明之第2實施形態之頂環之縱剖視 314622 200306245 圖。於本實施形態中，在頂環本體42及與頂環本體42為， 體固定之扣環4 3之内部所隔成之空間内，收容有用以與頂 環1 2 3所固疋之半導體晶圓w之外周部靠接之外膜1 6 〇， 但’未没有弟1貫施形態中之彈性塾。 外膜1 60，其外周部夾在固定環6丨與固定在固定環6工 下端之卡盤板62之間，並覆蓋卡盤板62之外緣近傍之下 面此外膜16 〇之下纟而面接觸於抛光對象物之半導體晶圓W 之上面。外膜160，由乙丙橡膠（EPDM)、聚氨酯橡膠、砝 橡膠等強度及耐久性優良之橡料所形成。何體晶圓歡 外緣設有所謂切口或定向扁平之用以認知（特定）半導體 晶圓之正反面之切口，外膜160，以延伸至卡盤板62之内周 側為止要較此等切口或定向扁平為佳。 土卡盤板62與半導體晶圓w之間所形成空間之内部，設 有靠接於半導體晶圓w之靠接零組件之環管^ 7 〇。於本實施 形態中，如第圖所示，環管170配置成圍繞卡盤板^之中 央4之開口 62a之能提。太廢说犯的； ^本只施形怨中，僅在環管170之外 侧設有外側吸附部65，但未設有内側吸附部。 +環管170’由與半導體晶圓，之上面靠接之彈性膜171 興，可將彈性膜171裝卸自如地固 说描士、丄 疋之¥官支架（holde〇172 所構成，由此等彈性膜1 7丨與環管 邻# ^ &文木172而在環管170之内 口ρφ成壓力室72。形成於卡盤板62與 曰 空間，被上述環管17。區隔成複數個 ：* W之間之 之内側亦即卡盤板62之中央部之開D6a=在環管- 力室-而於環管17〇之外側亦即吸附部形成有壓 之周圍則形成有 314622 24 200306245 廢力室74。環管170之彈性膜171係由乙丙橡膠(EPDM)、聚 氨酯橡膠、硅橡膠等強度及耐久性優良之橡料所形成。 環管之彈性膜m’在半導體晶圓wt接之面形成 有孔171a。此孔171a，例如，亦可為第^圖八及第μ圖b所 示之複數個糖圓或圓之組合之形狀，或亦可如第所 示在橢圓切入三角形狀而形成者，亦或如第所示之 大橢圓形狀者。又如第14圖£所示之正方形或菱形亦可， 如第14圖F及第14圖G所示之單純之縫隙也可以。 環管170内之壓力室72，連通於由管、接頭等所形成之 流體路85 ’壓力室72則介由配置在此流體路以上之調整器 連接於壓力調整部120(參照第3圖）。壓力室乃’連通於由 管、接頭等所形成之流體路86，壓力室73介由配置在此流 體路86上之調整器連接於壓力調整部12〇。 上述之在卡盤板62上方之壓力室71及上述壓力室U、 h、74，可介由連通於各壓力室之流體路8丨、h、％、μ t、、、’σ加壓工氣等之加壓流體，或可通大氣壓或做成真空。 亦即可由配置在壓力室71至74之流體路81、85、86、83 上之調整器，分別調整供給於各壓力室之加壓流體之壓 力由此可將各壓力室7 1至74之内部壓力各個獨立控制， 或t大氣壓或做成真空。如此，往由調整器將各壓力室Β 至74之内部壓力形成可變，可將半導體晶圓w推壓於研磨 i 1 0之推壓力，按半導體晶圓w之每一部分予以調整。 、在此丨月形，亦可將供給於各壓力室72至74之加壓流體 或大氣壓之溫度^以各個分別控制。如此，則可由半導體 314622 25 200306245 a曰圓專之研磨對象物之被研磨面之背面直接控制研磨對象 物之度尤其，將各壓力室之溫度予以獨立控制，則可 控制CMP中之化學研磨之化學反應速度。 其次說明本實施形態中之拋光裝置之動作。首先，以 ^第1搬運機器人4a將半導體晶圓w由盒2a或2b取出，以反轉 機5或6反轉後，以第2搬運機器人4b搬運載置於昇降機 ^上。以此狀態搖動頂環單元1 2之頂環頭2卜使頂環i 23移動 φ 到昇降機14之上方。 第1 5圖係顯示此時之狀態之縱剖視圖。於第丨5圖所示 之狀態時，將頂環123内之壓力室71介由流體路81連接在壓 力調整部120，使壓力室71形成負壓。由此，卡盤板“，如 第15圖所示，對於扣環43形成處於上方之位置。與第i實施 形態相同，如此，則可確實吸附半導體晶圓w。 其次’如第1 6圖所示，使昇降機丨4之導引台1 4丨上昇，

U 以晶圚導引142之推拔146將扣環43導引至晶圓導引142之 _上段部144。晶圓導引142之上段部144與扣環43之下面接 觸，則導引台141之上昇終了。 以此狀悲’如第1 7圖所示，昇降機丨4之推壓台]4 3上 昇，支杈住載置於晶圓導引1 42之下段部1 4 5之半導體晶圓 W之圖案面’使半導體晶圓ψ靠接於頂環123之外膜160及 環管1 7 0。然後’將連接於環管1 7 〇内之壓力室7 2，及壓力 室73、74之流體路85、86、83連接於壓力調整部120，使流 體路8 5、8 6、8 3成為負壓以真空吸附半導體晶圓w。例如， 將流體路8 j之壓力做成一 8 OkPa、流體路85、8 6之壓力做成 26 314622 200306245 一 2〇 kPa以真空吸附半導體晶圓w。 此時，如上所述，使頂環123内之壓力 使卡盤板62預先對於扣環43史於上1形成負壓， 衣處方；上方之位置， 踱 晶圓W，邊被扣環43導弓I 1外g A 、 、 〒力具外周部，邊進行授 半導體晶圓w不致於因卡盤板62 θ 上升而鈎到扣環4 3，於 疋，可防止晶圓之脫落或破損。 半導體晶圓W之吸附& τΘ . S 一 I付兀了伋，使昇降機14下降，並伏 頂壞頭2 1水平搖動以吸附丰導 咐牛V月豆日日® W之狀態，將頂環顽 21移動到研磨面10之上方。 ^ 牛V肢日日® W之外周緣被扣瓖 4一3支心住，以免半導體晶圓W脫雅頂環123。然後，邊使谓 環123旋轉邊下降，將半導體晶圓W往旋轉中之研磨台u 上之研磨面1G推壓。亦即，於研磨時解除半導體晶圓料 吸附，將半導體晶圓w固定於頂環123之下面之同時，使速 接在頂環軸22之頂環用空氣缸U1操作，以將固定在頂環 1 2 J下έ而之扣％ 43以所定之推壓力推壓在研磨台1 1之研磨 乂此狀您’ h別以所定壓力將加壓流體供給至壓力 至72、73、74，以將半導體晶圓w推壓在研磨台u之研磨 守 由研磨液供給σ貧嘴1 5供給研磨液，以半導體晶 D 之被研磨面（下面）與研磨面1 〇之間存在研磨液之狀 心進行半導體晶圓W之研磨。第1 3圖顯示此研磨時之狀 態0 如上述’扣環4 3被頂環用之空氣缸1 1 1推壓在研磨面1 〇 之力置’與供給於壓力室72至72之加壓空氣將半導體晶圓 W推壓於研磨面丨〇之力量，給予妥適調整以進行半導體晶 27 314622 200306245 圓W之研磨。給予壓力室72至74供給加壓流體，將使卡盤 板62受到往上方向之力量，所以本實施形態，在壓力室71 介由流體路8 1供給壓力流體，以防止來自壓力室7 2之力量 將卡盤板6 2往上方提起。 研磨終了後’如弟18圖所示，停止對壓力室72至74供 給加壓流體，並開放於大氣壓，使卡盤板62下降，以使吸 附部65之下端面靠接於半導體晶圓w。將壓力室η内之壓 力開放於大氣壓，或做成負M。如此做，是因為如將壓: =之壓力放置於高壓，則僅半導體晶圓w之與吸附部W 靠接之部分將被強烈推壓於研磨面之故。然後，使半導俨 晶圓w再真空吸附於吸附部65之下端面。研磨終了時，: 導體晶圓W與卡盤板62會有離開之情形，如此即使欲以吸 附部65來吸附半導體晶圓w亦有無法吸附之情形。因而， 本貫施形態，如上所述’於研磨終了時，使卡盤板62下降， 以使半導體晶圓w確實被吸附於吸附部65。 接著’以吸附半導體晶圓w之狀態，使頂環123移動到 嚴力，：置’如弟19圖所示’將虔力室71介由流㈣連接 i力调整部120以使頂環123内之 盤板62位於扣環43之上方 。、至71成為負』，使卡 曰 置。以此狀態使頂璟1 ? 3卜

^並使頂環頭21水平搖動 f 1⑶U 蔣叙μ曰々 使頂％ 123如第20圖所示，再 私動到昇降機U之上方。此 Q厅丁再 供給加麼流體以給予加壓為#，,“170内之壓力室72 由外膜160及環管17Q脫離:、17此則半導體晶圓w容易 其次’如第21圖所示，使昇降機14之導引台⑷上昇， 314622 28 200306245 以晶圓導引M2之推拔146將扣環43導引到晶圓導 上段部144。缺後，曰[ΐΐ道、 〜之 佼日日0¥引142之上段部144接觸到 之下面’而終了導引台M1之上昇。 ]扣裱43 、此狀也，如第22圖所不，將卡盤板62中央 62a及吸附部65分別介由流體路％、83連接於|力調： 120’由開口 62a及吸附部。將加壓流體(例如，壓二。 氮與純水之混合者)往下方喷射(水柱喷射)。再者:二 no内之昼力室72接於塵力調整部⑵，由形成在環管1: …膜m之孔171a(參照第13圖)將加麼 與純水之混合者）往下方嗔射（水检嘴 ^ 此等流體之喷射，丰邕邮曰n w山 、 由方、 ... +¥月豆日日BW由頂環123脫離，而由曰 V引M2之推拔M7使半導體晶圓％以 日曰. 於晶圓導引⑷之下段部⑷。例如，由開口 H，被固定 〇‘〇3MPa，由吸附部65以〇2Mpa’由環管17〇之孔、 。.。蕭a之壓力分別各喷射流體。在此情形，為使“二 彻膜171與半導體晶圓W間之緊貼性容易消除，：由環 心。之孔ma喷射流體之後，才由開口6 喷 射流體，為佳。 貝 如此，按本實施形態’因由形成於卡盤板62中央部之 大口徑之開口 62a及吸附部65 ’以及形成於環管” 月莫171之孔17]3分別喷射加壓流體’被將加厂堅流體亦送進外 無160及環管170之彈性膜m與半導體晶圓，緊貼之部 :’所以’使半導體晶圓W可更確實脫離。而且，如將形 成於環管斷彈性膜171之孔171a之形狀，形成如第“圖 314622 29 200306245 C或第1 4圖D之形狀，則半導體晶圓w脫離時不致於發出聲 音’而可使半導體晶圓W更順暢脫離。 按上述之實施形態，係將流體路8 0至8 6各分別設置， 但，將此等流體路予以統合，或使各壓力室間互為連通等， 可按C方、加方；半導體晶圓w之推壓力之大小或給予施加之 位置’予以自由改變。上述實施形態中，說明了環管丨7〇 直接與半導體晶圓|接觸之例，但，並非受限於此，例如，

亦可使彈性墊介存於環管170與半導體晶圓w之間，而令環 官1 70間接性接觸於半導體晶圓w。 再者，上述實施形態之中，係以研磨墊形成研 但，亚非X限於此。例如，亦可以固定磨石粒形成研磨面。 所謂固定磨石粒，係將磨石粒固定於膠合劑中形成板狀 者，，使用固定磨石粒之研磨，係以固定磨石粒所自生之磨 石粒進仃研磨。固定磨石粒，係由磨石粒與膠合 所構成，例如磨石粒為平均粒徑…m以下之氧化^ (〇2) ^ *劑為使用環氧樹脂者。如此之固定磨石粒構 t硬質之研磨面。固定磨石粒，了上述之板狀者之外， 層構造之固定磨…I 研磨墊之雙 UCM_。 。，、他之硬質之研磨面，尚有上述 上呢明了本發明之實施形態 於上述之實施形態’係，可在其技術；、 種不同之形態實施者，當毋庸… "圍内以種 如上所述，按本發明，則，因由形成於上下移動零組 314622 30 200306245 件之中央部之開口喷射加壓流體，使加壓流體亦送進彈性 朕與研磨對象物緊貼之部分，所以可使研磨對象物確實脫 離。而且，非但由形成於上下移動零組件之中央部之開口， 具在彈性膜之與研磨對象物靠接之面形成孔，由此彈性膜 之孔亦°貝射加壓流體，則可更確實使研磨對象物脫離。 再者，按本發明，則，於研磨終了時，使上下移動零 組件往下方移動以使研磨對象物靠接吸附部之後，才吸附 固定研磨對象物，所以，可使研磨對象物確實吸附。 能性 曰本發明，可安適使用於，將表面形成有薄膜之半導體 曰曰圓等之研磨對象物’研磨成平坦且為鏡面狀之，抛光方 法0 [圖式簡單說明] >、弗1圖·本發明之第1實施形態中有關拋光裝置之 模式性顯示之俯視圖。 之研磨部之重要 第2圖：顯示第1圖所示拋光裳置 部分之縱剖視圖。 第3圖··第2圖中所示研磨部之頂谖留 | <^貝私早兀連同流路 稱成一併顯示之概略圖。 之頂環之縱剖 第4圖：顯示第3圖中之頂環單元中 視圖。 環與昇降機（pusher) 第5圖··顯示第4圖所示頂 之關係之縱剖視圖。 第δ圖：顯示第4圖所示頂環鱼昇降搪夕_ 4，、幵I牛槪之關係之縱 314622 31 200306245 剖視圖。 1 $第4圖所不7頁環與昇降機之關係之縱 第7圖： 剖視圖。 第8圖：麵〜μ , 環研磨終了後之狀態 ”肩$第4圖所示之了f 之縱剖視圖。 、 之縱:視口圖·”“第4圖所示之頂環研磨終了後之狀態 縱剖：1 圖〇圖：~示第4圖所示頂環與昇降機之關係之 第11圖 貢示第4圖所示 了頁環與昇降機之關係 縱剖視圖。 第1 2圖：顯示第4圖所示頂 縱剖視圖。 、辰與幵卜機之關係之 第13圖：顯示本發明之^ t '縱剖視圖。 < 男' %形恶有關頂環之 ‘ 第14A圖乃至第1仏圖：t •管之报#你卩、 員不第丨3圖所示頂产+ 之升/成於弓早性膜之ί丨，夕报u,、 負衣之環 之 膜之孔之形壯々 ^ 1 r g) . Β 之概略圖。 弟15圖·_示第13圖所示 縱剖視圖。 、衣人幵降機之 第16圖：顯示第13圖所 縱剖視圖。 與昇降機之 關係 之 第17圖··顯、示第13圖所示 縱到視圖。 員衣與升降機 第18圖：I員示第丨3圖所示了頁琿 之關係 之 之研磨终了後之狀 314622 200306245

態之縱剖視圖Q 之研磨终了後之狀 第1 9圖：顯示第1 3圖所示頂環 態之縱剖視圖。 第20圖：顯示第1 3圖所示頂環與昇 縱剖視圖。 第21圖：顯示第1 3圖所示頂環與昇 縱剖視圖。 第2 2圖：顯示第1 3圖所示頂環與昇 縱剖視圖。 ‘ 降機之關係 降機之關係 降機之關係 之 之 之 la、 4a、 7a、 10 Ha 13 15 17 18 21 22a 22b 31 33 lb 研磨部 4b 搬運機器人 7b 、 8a 、 8b 研磨台墊、研磨面 台軸 修整單元 研磨液供給噴嘴 框體 清洗裝置 頂環頭 凹部 彈簧座 修整頭 修整器 2a、 2b 一 ΠΤ7 5、ί 反轉機 清洗機 11 研磨台 12 頂環單 元 14 昇降機 16 水供給 噴嘴 17a 槽溝 20、 30 支車由 22 頂環幸由 23〜 123 頂環 22c 繫合孔 32 修整軸 34 修整零 組件 314622 200306245

40 萬 能 接頭 部 42 頂環 本 體 42a 殼 部 42b 加壓 片 支撐部 42c 封 部 42d 凹部 43 扣 環 47 連接 螺 栓 48 螺 旋 彈簧 49 繫合 銷 52 軸承球 60 彈性墊 60a 中 央 孔 61 固定 環 61a 上 端 部 61b 阻擋 部 61c 突 出 部 62 卡 盤 板（上下移動零組件） 62a 開 Ό 63 加壓 片 64 内 侧 吸附 部 64a 、6 5a、 92 連通 孔 65 外 側 吸附 部 70 ^ 71 > 72 73、 74 壓力 室 80 ^ 81 〜82 83 ^ 84、 85 〜86 流體 路 91 清 洗 液路 111 頂環 用 空氣缸 112 旋 轉 筒 120 壓力 調 整部 113 、116 時規 帶輪 114 頂 環 用馬 達 115 時規 帶 141 導 引 台 142 晶圓 導 引 143 推 壓 台 144 上段部 145 下 段部 146 、147 推拔 34 314622 200306245

160 外膜 170 環管 171a 子L 171 彈性膜 172 環管支架 in、R2、 R3 、 R4 、 R5 調整器 W 半導體晶圓 5 314622

Claims (1)

1. 200306245 拾、申請專利範圍 1. 一種拋光方法，係，以頂環固定研磨對象物以將該研磨 對象物推壓於研磨面而進行研磨之拋光方法之中， 在可上下移動之上下移動零組件之下面安裝彈性 膜以在上述頂環内形成壓力室， 經由供給加壓流體於上述壓力室以將上述研磨對 象物透過上述流體之流體壓推壓於上述研磨面並加以 研磨， 經由形成於上述上下移動零組件之中央部之開口 賀射加壓流體以使研磨後之研磨對象物由上述頂環脫 離者。 、、 2.如申請專利範圍第丄項之拋光方法，其中，在形成上述 壓力室之彈性膜之與研磨對象物靠接之面形成孔，除經 由形成於上述上下絲叙泰 私動令組件之中央部之開口外，複加 卢對之孔亦噴射加塵流體，以使研磨後之研 ^對象物由上述頂環脫離者。 3·如申請專利範圍第2項之拋光方法，立中 膜之孔噴射加壓流體之後:U性 件之中央部之開σ 由开/成方；上述上下移動零組 開貝射加壓流體者。 一種拋光方法，係， 對象物推壓於研磨面而:广固定研磨對象物以將該研磨 上下移動之上下::::=之拋光方法之中，在可 述頂環内形成壓力室，下面安裝彈性膜以在上 314622 36 4. 200306245 經由供給加壓流體於上述壓力室以將上述研 2物以上述流體之流體壓推壓於上述研磨面並加：研 於研磨終了時’使上述上下移動零組件往下 以使上述研磨對象物靠接於設在上述上下移動零組件 之吸附部，而由該吸附部將上述 上述項環者。 L研i:對象物吸附固定於 5. 法以項環固定研磨對象物以將該研磨 對象物推壓於研磨面而進行研磨之抛光方法之中，在可 上下移動之上下移動零組件之下面安農彈性膜以在上 述頂環内形成壓力室， 使上述上下移動零組件相對位於用以固定上述研 磨對象物之外周緣的扣環上 衣上方之狀悲，將上述研磨對象 物導引於上述頂環， 舲被導引於上返頂環之研磨對象物以設於上述上 下移動零組件之吸附部吸附固定於上述頂環， 使被固定於上述頂環之研磨對象物移動至上述研 磨面上， 經由供給加I流體於上述麼力室以將上述研磨對 象物以上述流體之流體堡推虔於上述研磨面而進行研 磨者。 314622 37