SU1707995A1 - Способ формирования металлизации межсоединений для интегральных схем - Google Patents
Способ формирования металлизации межсоединений для интегральных схемInfo
- Publication number
- SU1707995A1 SU1707995A1 SU4784299/21A SU4784299A SU1707995A1 SU 1707995 A1 SU1707995 A1 SU 1707995A1 SU 4784299/21 A SU4784299/21 A SU 4784299/21A SU 4784299 A SU4784299 A SU 4784299A SU 1707995 A1 SU1707995 A1 SU 1707995A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit connections
- pressure
- bonding integrated
- n10pa
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем за счет исключения дополнительного роста ρпленок AITI и AITISI, а также увеличения стойкости к электромиграции и шипообразованию. Указанная цель достигается тем, что в интегральных схемах металлизация межсоединений на основе алюминия и его сплавов с добавками Ti 0,1 - 1,0 ат.% наносится в установках с вакуумной блокировкой при давлении в рабочей камере 10-9,6·10) Па и давлении в общей камере ~1,33·10Па и содержании активных газовых примесей в среде плазменного разряда, не превышающим для O·10Па,N10Па,CH1,5·10Па. 1 табл.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4784299/21A SU1707995A1 (ru) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Способ формирования металлизации межсоединений для интегральных схем |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4784299/21A SU1707995A1 (ru) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Способ формирования металлизации межсоединений для интегральных схем |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1707995A1 true SU1707995A1 (ru) | 1994-07-30 |
Family
ID=60532174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU4784299/21A SU1707995A1 (ru) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Способ формирования металлизации межсоединений для интегральных схем |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1707995A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2214476C2 (ru) * | 2001-07-18 | 2003-10-20 | Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан | Способ формирования покрытия из драгоценных металлов и их сплавов |
| RU2335576C2 (ru) * | 2003-03-28 | 2008-10-10 | Ппг Индастриз Огайо, Инк. | Подложки, покрытые смесями титановых и алюминиевых материалов, способы получения подложек и катодные мишени из металлических титана и алюминия |
-
1989
- 1989-12-04 SU SU4784299/21A patent/SU1707995A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2214476C2 (ru) * | 2001-07-18 | 2003-10-20 | Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан | Способ формирования покрытия из драгоценных металлов и их сплавов |
| RU2335576C2 (ru) * | 2003-03-28 | 2008-10-10 | Ппг Индастриз Огайо, Инк. | Подложки, покрытые смесями титановых и алюминиевых материалов, способы получения подложек и катодные мишени из металлических титана и алюминия |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200514919A (en) | Evacuation apparatus | |
| TW200510257A (en) | Vacuum degassing method for molten glass flow | |
| NO864833L (no) | Benprotese. | |
| NO934271L (no) | Anvendelse av rensede overflatemodifiseringsmidler for å hindre partikkelaggregering under sterilisering | |
| EP1096577A3 (en) | Method of producing a thin-film photovoltaic device | |
| WO2003017354A1 (fr) | Systeme de traitement de semiconducteurs | |
| EP0764973A3 (en) | Processing system | |
| SU1707995A1 (ru) | Способ формирования металлизации межсоединений для интегральных схем | |
| TW200513544A (en) | High-purity Ni-V alloy, target therefrom, High-purity Ni-V alloy thin film and process for producing high-purity Ni-V alloy | |
| AR017608A1 (es) | Composicion plaguicida de abamectina (a), metodo para controlar plagas, proceso para preparar la composicion, uso y material de propagacion de plantastratado con ella, uso de abacmetina para la preparacion de la composicion | |
| TW363973B (en) | Stable polypeptide composition and method of preparation the same | |
| ATE31911T1 (de) | Trennung eines gemisches durch ausfrieren eines dampfes unter vakuum und verfluechtigung des desublimats. | |
| WO2022101468A3 (de) | Vakuumprozesssystem, stützstruktur und verfahren zum transportieren eines substrats | |
| AU6402496A (en) | Methods and compositions for producing desiccation tolerant paecilomyces fumosoroseus spores | |
| GB2412066A (en) | Method of reducing toxicity of anticancer agents | |
| JPS57160124A (en) | Manufacture of thin film material | |
| ITMI930983U1 (it) | Disposiitivo per succhiare il succo di agrumi direttamente dall'agrume stesso | |
| SU1297523A1 (ru) | Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x | |
| JPS5321570A (en) | Bonding method of semiconductor substrates | |
| KR0118458B1 (ko) | 웨이퍼 언로딩 방법 | |
| WO2003030638A3 (en) | A method of inhibiting sprouting in plant products | |
| WO1990008210A3 (en) | Plasma/radiation assisted molecular beam epitaxy method and apparatus | |
| SU1800856A1 (ru) | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия | |
| GB1267700A (en) | Improvements in or relating to semiconductors | |
| JPS5752142A (en) | Bonding method for pellet |