[go: up one dir, main page]

SU1764335A1 - Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления - Google Patents

Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления

Info

Publication number
SU1764335A1
SU1764335A1 SU4772188/21A SU4772188A SU1764335A1 SU 1764335 A1 SU1764335 A1 SU 1764335A1 SU 4772188/21 A SU4772188/21 A SU 4772188/21A SU 4772188 A SU4772188 A SU 4772188A SU 1764335 A1 SU1764335 A1 SU 1764335A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sample
plasma concentration
nis
cathode
pulse
Prior art date
Application number
SU4772188/21A
Other languages
English (en)
Inventor
А.И. Рябчиков
Н.М. Арзубов
Н.А. Васильев
Р.А. Насыров
Original Assignee
Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова filed Critical Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова
Priority to SU4772188/21A priority Critical patent/SU1764335A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1764335A1 publication Critical patent/SU1764335A1/ru

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к химической физике, в частности к радиационному материаловедению, и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков, сверхпроводников и других материалов. Сущность изобретения: путем выбора соотношения времен разрядного τи ускоряющего τимпульсов в зависимости от сорта ускоренных ионов, их энергии материала и концентрации плазмы в соответствии со следующим соотношением, где f - степень ионизации паров материала катода; S - коэффициент распыления образца ускоряющими ионами; n- концентрация плазмы на выходе из источника; n- концентрация плазмы у поверхности коллектора-образца; а также выбором в устройстве размеров ячейки сетки и расстояния между катодом и сеткой, можно получить высококонцентрационную примесь в облучаемом образце, исключая дополнительные включения, и упростить систему управления источником имплантации. 2 ил.
SU4772188/21A 1989-12-20 1989-12-20 Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления SU1764335A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4772188/21A SU1764335A1 (ru) 1989-12-20 1989-12-20 Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4772188/21A SU1764335A1 (ru) 1989-12-20 1989-12-20 Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1764335A1 true SU1764335A1 (ru) 1994-09-15

Family

ID=60532926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4772188/21A SU1764335A1 (ru) 1989-12-20 1989-12-20 Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1764335A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2113538C1 (ru) * 1996-07-09 1998-06-20 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Способ импульсно-периодической ионной и плазменной обработки изделия и устройство для его осуществления
RU2161662C2 (ru) * 1999-03-29 2001-01-10 Слепцов Владимир Владимирович Способ обработки поверхности твердого тела
RU2166746C2 (ru) * 1999-03-02 2001-05-10 Швилкин Борис Николаевич Способ экспериментального определения дебаевского радиуса в электрических колебаниях в плазме

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2113538C1 (ru) * 1996-07-09 1998-06-20 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Способ импульсно-периодической ионной и плазменной обработки изделия и устройство для его осуществления
RU2166746C2 (ru) * 1999-03-02 2001-05-10 Швилкин Борис Николаевич Способ экспериментального определения дебаевского радиуса в электрических колебаниях в плазме
RU2161662C2 (ru) * 1999-03-29 2001-01-10 Слепцов Владимир Владимирович Способ обработки поверхности твердого тела

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2000008670A3 (en) Dose monitor for plasma-monitor ion implantation doping system
TW346645B (en) Method and device for introducing impurity and manufacture of semiconductor device
EP0747927A3 (en) Apparatus for obtaining dose uniformity in plasma doping (PLAD) ion implantation processing
JPS57201527A (en) Ion implantation method
SU1764335A1 (ru) Способ импульсно-периодической ионной обработки изделия и устройство для его осуществления
JPS56156662A (en) Device for ion implantation
JPS5249774A (en) Ion implanting device
JPS6421073A (en) Ion implanting device
JPS5713178A (en) Method and device for surface treatment
JPS57130358A (en) Full automatic ion implantation device
JPS5772320A (en) Manufacture of semconductor device
JPS6476983A (en) Sintered part of silicon carbide and production thereof
JPS52123174A (en) Specimen scanning method for ion implantation
JPS6439730A (en) Gas ion source apparatus
RU94036276A (ru) Устройство получения ультракоротких импульсов тока ускоренных ионов в линейном ускорителе
SUCHKOV Interstellar medium ionization in the vicinity of nonstationary sources of ionizing radiation(Ionizatsiia mezhzvezdnoi sredy v okrestnosti nestatsionarnykh istochnikov ionizuiushchego izlucheniia)
JPS6438959A (en) Ion beam neutralization device
JPS6452469A (en) Method for sterilizing, asceptic and antifungal treatment of material or processed product composed of synthetic resin, rubber, synthetic fiber, metal or ceramics
JPS57171660A (en) Method and device for vacuum deposition
JPS6481185A (en) Vacuum trigger gap
Kurganov et al. Analytical Calculation of the Distribution of Radiation Defects and Impurities for Limiting Doses of Ion Implantation
JPS5688322A (en) Processing method for semiconductor substrate
JPS5635775A (en) Ion beam etching method
JPS55134930A (en) Ion implantation
JPS6419665A (en) Ion beam device