SU1636334A1 - Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder - Google Patents
Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder Download PDFInfo
- Publication number
- SU1636334A1 SU1636334A1 SU894705943A SU4705943A SU1636334A1 SU 1636334 A1 SU1636334 A1 SU 1636334A1 SU 894705943 A SU894705943 A SU 894705943A SU 4705943 A SU4705943 A SU 4705943A SU 1636334 A1 SU1636334 A1 SU 1636334A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- carbide powder
- silicon carbide
- mixture
- argon
- pressure
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии высокодисперсного порошка карбида кремни , используемого дл изготовлени изделий, наход щих широкое применение в космонавтике, энергетике, машинос поении. Цель изобретени - повышение дисперсности порошка карбида кремни . Готов т смесь из диоксида кремни и сажи, брикетируют и нагревают ее до 1300-1350°С в атмосфере аргона, затем нагрев до 1400- 1450°С ведут со скоростью 1- 1,5 град/мин в потоке аргона с добавкой 5-15 об„% водорода при давлении 20-100 кГ1а, и выдерживают шихту при этом давлении и конечной температуре 6-10 ч. Получен порошок карбида кремни удельной поверхностью 30,0- 35,3 м2/г. Снижение температуры синтеза приводит к уменьшение энергозатрат . 1 табл. QThe invention relates to the technology of highly dispersed silicon carbide powder used for the manufacture of products that are widely used in astronautics, energy, and watering. The purpose of the invention is to increase the dispersibility of silicon carbide powder. A mixture of silica and soot is prepared, briquetted and heated to 1300-1350 ° C in an argon atmosphere, then heated to 1400-1450 ° C in a flow of 1-1.5 deg / min in a stream of argon with the addition of 5–15 vol% of hydrogen at a pressure of 20–100 kG1a, and the mixture is kept at this pressure and final temperature of 6–10 h. Silicon carbide powder with a specific surface of 30.0–35.3 m2 / g is obtained. Lowering the temperature of the synthesis leads to a decrease in energy consumption. 1 tab. Q
Description
Изобретение относитс к технологии получени высокодисперсного порошка карбида кремни , используемого дл изготовлени изделий, наход щих широкое применение в космонавтике, энергетике и машиностроении.The invention relates to the technology of obtaining a highly dispersed silicon carbide powder used for the manufacture of products that are widely used in astronautics, energy, and mechanical engineering.
Целью изобретени вл етс повышение дисперсности порошка карбида кремни .The aim of the invention is to increase the dispersion of silicon carbide powder.
Пример 1. Смесь диоксида„ кремни с высокодисперсной сажей (в мол рном соотношении 1:4) и водой брикетируют, сушат в течение 10 ч при 150 С и загружают в графитовый тигель, который помещают в печь.Example 1. A mixture of silicon dioxide with highly dispersed carbon black (in a molar ratio of 1: 4) and water is briquetted, dried for 10 hours at 150 ° C and loaded into a graphite crucible, which is placed in an oven.
Нагрев смеси до 1000°С провод т при атмосферном давлении аргона, а нагрев от 1300 до 1400°С ведут со скоростью 1 град/мин в потоке смеси аргона и 10 об.% водорода со скоростью потока 5 л/ч5 что позвол ет поддерживать в печном пространстве остаточное давление 50 кПа. Продолжительность выдержки при 1400°С и давлений 50 кПа составл ет Ь ч. Дл удалени - свободного углерода проводитс отжиг порошка карбида кремни на воздухе при 600°С в течение - 0 ч.The mixture is heated to 1000 ° C at atmospheric pressure of argon, and heating from 1300 to 1400 ° C is carried out at a rate of 1 deg / min in a stream of argon and 10% by volume of hydrogen at a flow rate of 5 l / h5, which allows to maintain furnace space residual pressure of 50 kPa. The duration of holding at 1400 ° C and pressures of 50 kPa is LH. To remove - free carbon, the silicon carbide powder is annealed in air at 600 ° C for - 0 h.
Полученный порошок карбида кремни имеет следующие характеристики: удельоэ соThe resulting silicon carbide powder has the following characteristics:
па поверхность 35,3 м2/г, максималь- ный размер частиц 10 мкм, содержание, мас.% .кислород 0,4; свободный углерод 0,05; Fe 0,05.5PA surface 35.3 m2 / g, maximum particle size 10 μm, content, wt.% oxygen 0.4; free carbon 0.05; Fe 0.05.5
Из полученного порошка SiC с добавками 0,5% и 1% сажи при 2000°С и Ј 1 ч в среде аргона спекают образцы . Их плотность составл ет л/94% от теоретической.ЮSamples were obtained from the obtained SiC powder with the addition of 0.5% and 1% carbon black at 2000 ° C and Ј 1 h in argon. Their density is l / 94% of theoretical.
Результаты примеров 1-6 приведены в таблице.The results of examples 1-6 are shown in the table.
Изобретение позвол ет получить высокодисперсный порошок карбида крем- Йи с удельной поверхностью 30,0- 15 35,3 ма/г, с узкой кривой распределени частиц по размерам, с размерами частиц менее 10 мкм. Снижение температуры синтеза приводит к уменьшению энергозатрат.20The invention allows to obtain a highly dispersed creamy carbide-Yi powder with a specific surface area of 30.0-115.33 ma / g, with a narrow curve of particle size distribution, with particle sizes less than 10 microns. A decrease in the synthesis temperature leads to a decrease in energy consumption.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894705943A SU1636334A1 (en) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894705943A SU1636334A1 (en) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1636334A1 true SU1636334A1 (en) | 1991-03-23 |
Family
ID=21454529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894705943A SU1636334A1 (en) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1636334A1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2296102C1 (en) * | 2005-10-03 | 2007-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Process for production of silicon carbide from rice husk |
| RU2299177C1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-05-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Method of production of silicon carbide powder from rice husk |
| US7569716B2 (en) | 2004-04-08 | 2009-08-04 | Dow Corning Corporation | Method of selecting silicon having improved performance |
| RU2574450C1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-02-10 | Российская Федерация в лице которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Method for obtaining polydisperse silicon carbide powder |
-
1989
- 1989-04-21 SU SU894705943A patent/SU1636334A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| За вка JP № 58-32007, кл. С 01 В 31/36, 1983. Косолапова Т.Я., Андреева Т.В. и др. Неметаллические тугоплавкие соединени . - М.: Металлурги , 1985, с. 224. Патент DE № 2848377, кл. С 01 В 31/36, 1978. * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7569716B2 (en) | 2004-04-08 | 2009-08-04 | Dow Corning Corporation | Method of selecting silicon having improved performance |
| RU2296102C1 (en) * | 2005-10-03 | 2007-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Process for production of silicon carbide from rice husk |
| RU2299177C1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-05-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Method of production of silicon carbide powder from rice husk |
| RU2574450C1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-02-10 | Российская Федерация в лице которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Method for obtaining polydisperse silicon carbide powder |
| RU2799378C1 (en) * | 2022-08-19 | 2023-07-05 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Method for producing silicon carbide powder |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH072513A (en) | Method for producing synthetic quartz glass powder | |
| JPS5850929B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide powder | |
| US4517305A (en) | Finely divided silicon carbide having a high content of 2H-type silicon carbide and method of producing the same | |
| JP2001089168A (en) | Method for producing high-purity synthetic quartz glass powder | |
| SU1636334A1 (en) | Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder | |
| JPH0323206A (en) | Aluminum nitride powder and its production | |
| JPH0362643B2 (en) | ||
| JP2008150263A (en) | Method for producing silicon carbide powder | |
| KR100766621B1 (en) | Manufacturing method of aluminum nitride powder and aluminum nitride sintered body | |
| JPS6278103A (en) | Production of aluminum nitride powder | |
| JPH02271919A (en) | Production of fine powder of titanium carbide | |
| SU1555279A1 (en) | Method of obtaining ultradisperse silicon carbide powder | |
| JP3154773B2 (en) | Method for producing particulate silicon carbide | |
| JP3318946B2 (en) | Powdery dry gel, silica glass powder, and method for producing silica glass melt molded article | |
| JPS62167208A (en) | Production of aluminum nitride powder | |
| JPS6328873B2 (en) | ||
| JPS6270210A (en) | Manufacturing method of aluminum nitride-silicon carbide composite fine powder | |
| JPH02160610A (en) | Production of aluminum nitride powder | |
| JPH01179763A (en) | Production of combined sintered body of boron nitride and silicon nitride | |
| CN116675189A (en) | Method for synthesizing aluminum nitride by utilizing microgravity combustion | |
| JPH01176215A (en) | Production method of α-alumina | |
| JPH0570175A (en) | Production of porous glass | |
| JPH01167213A (en) | Production of fine powder of titanium diboride | |
| JPH10101322A (en) | Silica gel, synthetic quartz glass powder, method for producing the same, and method for producing quartz glass compact | |
| CN119390450A (en) | A method for preparing porous silicon carbide ceramics |