SU1621165A1 - Transistor logic component - Google Patents
Transistor logic component Download PDFInfo
- Publication number
- SU1621165A1 SU1621165A1 SU884477855A SU4477855A SU1621165A1 SU 1621165 A1 SU1621165 A1 SU 1621165A1 SU 884477855 A SU884477855 A SU 884477855A SU 4477855 A SU4477855 A SU 4477855A SU 1621165 A1 SU1621165 A1 SU 1621165A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- base
- emitter
- collector
- resistor
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в системах дискретной автоматики. Цель изобретени - уменьшение потребл емой мощности. Транзисторный логический элемент, содержит два диода, семь резисторов, фазораз- делительный транзистор, составной транзистор, выполненный на первом и втором транзисторах, выходной транзистор, третий транзис ор и входной транзистор Введение новых св зей позвол ет уменьшать среднюю потребл емую мощность путем исключени протекани сквозных токов. 1 илThe invention relates to a pulse technique and can be used in discrete automation systems. The purpose of the invention is to reduce power consumption. The transistor logic element contains two diodes, seven resistors, a phase-separation transistor, a composite transistor made on the first and second transistors, an output transistor, a third transistor, and an input transistor. The introduction of new connections reduces the average power consumption by eliminating the flow of end-to-end currents. 1 silt
Description
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в системах дискретной-автоматикиThe invention relates to a pulse technique and can be used in discrete automation systems.
Целью изобретени вл етс уменьшение потребл емой мощности.The aim of the invention is to reduce power consumption.
На чертеже приведена принципиальна электрическа , схема транзисторного логического элемента.The drawing shows an electrical principle, a transistor logic element circuit.
Транзисторный логический элемент, содержит фазоразделительный транзистор 1, коллектор которого подключен через первый резистор 2 к шине питани , эмиттер к базе выходного транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор с эмиттером составного транзистора и выходом 4. Составной транзистор включает первый 5 и второй 6 транзисторы, соединенные так, что коллекторы их объединены и образуют коллектор составного транзистора , подключенный через седьмой резистор 7 к шине питани , база транзистора 5 образует базу составного транзистора, эмиттер транзистора 5 соединен с базой транзистора 6, а эмиттер транзистора 6 образует эмиттер составного транзистора, коллектор третьего транзистора 8 подключен к базеThe transistor logic element contains a phase-separation transistor 1, the collector of which is connected through the first resistor 2 to the power supply bus, the emitter to the base of the output transistor 3, the emitter of which is connected to the common bus, and the collector with the composite transistor emitter and output 4. The composite transistor includes the first 5 and The second 6 transistors connected in such a way that their collectors are combined and form a collector of a composite transistor, connected through the seventh resistor 7 to the power supply bus, the base of transistor 5 forms the base of a composite tra ican, the emitter of the transistor 5 is connected to the base of transistor 6 and transistor 6, the emitter of the emitter forms a composite transistor, the collector of the third transistor connected to the base 8
транзистора 3 эмиттер к общей шине, а база соединена с выводами третьего 9 и второго 10 резисторов, анодом второго диода 11, катод которого подключен к второму выводу резистора 9 и эмиттеру транзистора 5, второй вывод резистора 10 подключен к общей шине, база транзистора 5 подключена к коллектору транзистора 1, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора 12 и через четвертый резистор 13 к общей шине, коллектор и база транзистора 12 через п тый 14 и шестой 15 резисторы соединены с шиной питани , база транзистора 12 подключена к аноду первого диода 16, катод которого соединен с входом 17.transistor 3 emitter to a common bus, and the base is connected to the terminals of the third 9 and second 10 resistors, the anode of the second diode 11, the cathode of which is connected to the second output of resistor 9 and the emitter of transistor 5, the second output of resistor 10 is connected to the common bus, the base of transistor 5 is connected to the collector of transistor 1, the base of which is connected to the emitter of the input transistor 12 and through the fourth resistor 13 to the common bus, the collector and base of the transistor 12 through the fifth 14 and sixth 15 resistors are connected to the power bus, the base of the transistor 12 of the diode 16, the cathode of which is connected to the input 17.
Транзисторный логический элемент работает следующим образомTransistor logic element works as follows
Пусть на входе 17 низкий уровень напр жени , Тогда транзисторы 1,12,3 закрыты , так как отсутствует ток в базовых цеп х этих транзисторов. На выходе 4 будет установлен высокий уровень напр жени , определ емый открытыми транзисторами 5 и 6 составного транзистора Транзистор 8 открыт , так как на его базу передаетс напр слLet the input voltage 17 be low, then the transistors 1,12,3 are closed because there is no current in the base circuits of these transistors. The output 4 will be set to a high voltage level, defined by the open transistors 5 and 6 of the composite transistor. Transistor 8 is open, as its base transmits to
сwith
чh
Жение высокого уровн через резистивный делитель, образованный резисторами 9 и 10. При изменении напр жени на входе с низкого на высокий диод 16 запираетс и в базу транзистора 12 поступает ток от шины 5 питани через резистор 15. Транзистор 12 открываетс и в его коллекторной цепи протекает ток, определ емый резистором 14 и поступающий в базу транзистора 1. Транзистор 1 открываетс , в его коллекторной 10 цепи протекает ток, определ емый рези- стором 2, который через цепь коллектор - эмиттер открытого транзистора 8 протекает в общую шину и потенциал на коллекторе транзистора 1 уменьшаетс . Цепь коллек- 15 тор - эмиттер транзистора 8 шунтирует переход база - эмиттер выходного транзистора 3 и он продолжает оставатьс закрытым . Таким образом, происходит снижение потенциала на базе составного транзистора 20 и соответственно снижение высокого уровн напр жени на выходе схемы при отключенном выходном транзисторе. Резистивный делитель передает понижение напр жени с базы составного транзистора 25 на базу транзистора 8 и он начинает выключатьс . Эмиттерный ток транзистора 1 начинает поступать в базу выходного транзистора 3, и транзистор 3 открываетс . Следовательно, установление на выходе 30 схемы низкого уровн напр жени происходит при уже отключенном составном транзисторе и таким образом сквозной ток при переходе выхода 4 из высокого состо ни в низкое устран етс .35A high level through a resistive divider formed by resistors 9 and 10. When the input voltage changes from low to high, diode 16 is locked and the base of transistor 12 receives current from power bus 5 through resistor 15. Transistor 12 opens and flows into its collector circuit the current detected by the resistor 14 and entering the base of the transistor 1. Transistor 1 opens, a current defined by resistor 2 flows through its collector 10 circuit, which through the collector - emitter circuit of the open transistor 8 flows into a common bus and potential on the collector of transistor 1 is reduced. The collector-emitter circuit of transistor 8 shunts the base-emitter junction of output transistor 3 and it continues to remain closed. Thus, there is a reduction in potential based on the composite transistor 20 and, accordingly, a decrease in the high voltage level at the output of the circuit when the output transistor is turned off. The resistive divider transmits a voltage drop from the base of the composite transistor 25 to the base of the transistor 8 and it starts to turn off. The emitter current of transistor 1 begins to flow into the base of the output transistor 3, and transistor 3 opens. Consequently, the establishment of a low voltage circuit at the output 30 occurs when the composite transistor is already disconnected, and thus the through current when output 4 goes from a high to a low state is eliminated.
При переходе входного сигнала с высокого уровн на низкий происходит открывание диода 16 , транзисторы 12 и 1 закрываютс .When the input signal goes from high to low, diode 16 is opened, transistors 12 and 1 are closed.
Возрастание потенциала на коллекторе 40 транзистора 1 до величины двух переходов база - эмиттер приводит к броску тока в базу транзистора 8 через короткозамкнутую в первый момент времени емкость обратно смещенного диода 11. Транзистор 8 откры- 45 ваетс , и на эмиттере транзистора 1 происходит резкое снижение потенциала. Так как напр жение на базе транзистора 1 из-за .1чи высокоомного резистора 13 измен етс медленно, то происходит кратковре- 50 менное дополнительное открывание транзистора 1 за счет разр да его диффузионной емкости через эмиттерный переход и, таким образом, замедление нарастани потенциала на коллекторе транзистора 1.55An increase in the potential at the collector 40 of transistor 1 to the magnitude of two base-emitter junctions leads to a surge of current into the base of transistor 8 through the capacitance of the reverse-biased diode 11 closed at the first moment of time. Transistor 8 opens and a sharp decrease in potential occurs at the emitter of transistor 1 . Since the voltage at the base of transistor 1 changes slowly because of the high resistance resistor 13, a short-time additional opening of transistor 1 occurs due to the discharge of its diffusion capacitance through the emitter junction and, therefore, the potential increase at the collector transistor 1.55
Это замедление нарастани потенциала на базе составного транзистора и наличие низкоомной цепи коллектор - эмиттер транзистора 8 дл выключени выход-. ного транзистора.3 обеспечивает устранение сквозного тока при переходе выхода схемы из низкого состо ни в высокое. Резистор 7 необходим дл ограничени тока при коротком замыкании на выходе схемы. Таким образом, предложенное техническое решение позвол ет устранить сквозной ток при переключении элемента, т.е. уменьшаетс средн потребл ема схемой мощность, а также повысить быстродействие при переходе с низкого уровн в высокийThis is a slowdown in the rise of potential on the basis of a composite transistor and the presence of a low-impedance collector-emitter circuit of transistor 8 for switching off the output-. Transistor 3 provides elimination of the through current when the output of the circuit goes from low to high. Resistor 7 is needed to limit the current during a short circuit at the output of the circuit. Thus, the proposed technical solution allows to eliminate the through current when the element is switched, i.e. the average power consumed by the circuit is reduced, as well as the speed increase from low to high
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884477855A SU1621165A1 (en) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | Transistor logic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884477855A SU1621165A1 (en) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | Transistor logic component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1621165A1 true SU1621165A1 (en) | 1991-01-15 |
Family
ID=21397180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884477855A SU1621165A1 (en) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | Transistor logic component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1621165A1 (en) |
-
1988
- 1988-08-15 SU SU884477855A patent/SU1621165A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент US №4552389, кл.Н 03 К 19/088, 1985. Патент US N 4330723, кл. Н 03 К 19/088,1982. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4251737A (en) | Dottable active collector driver circuit | |
| SU1621165A1 (en) | Transistor logic component | |
| EP0069853A2 (en) | A TTL logic gate | |
| US4562364A (en) | TTL Circuit in which transient current is prevented from flowing therethrough | |
| US4897566A (en) | Bipolar transistor logic circuit | |
| KR930009152B1 (en) | Ecl logic circuit | |
| RU2035841C1 (en) | Transistor key with overload protection | |
| US5408136A (en) | Circuit for providing fast logic transitions | |
| CA1050123A (en) | Switching circuit | |
| US5319251A (en) | Circuit arrangement for generating a switching pulse from a square-wave signal | |
| US4617478A (en) | Emitter coupled logic having enhanced speed characteristic for turn-on and turn-off | |
| SU1614104A1 (en) | Pulse shaper | |
| SU1598157A1 (en) | Low-power transistor logic element | |
| SU1660169A1 (en) | Transistor switch | |
| KR930006692Y1 (en) | Switching time reduction circuit using Schottky diode | |
| EP0546486A2 (en) | Memory device for use in power control circuits | |
| KR930003257B1 (en) | Logic circuit | |
| SU1274150A1 (en) | Transistor-transistor logic element | |
| SU1051717A1 (en) | Semiconductor switch | |
| SU1651372A1 (en) | Transistor-transistor inverter | |
| SU1173524A1 (en) | Controlled multivibrator | |
| SU1637003A1 (en) | Pulse driver | |
| RU1835118C (en) | High-voltage power transistor controlling device | |
| SU1051716A1 (en) | Semiconductor switch | |
| RU1810994C (en) | Transistorized switch |