[go: up one dir, main page]

SU1621165A1 - Transistor logic component - Google Patents

Transistor logic component Download PDF

Info

Publication number
SU1621165A1
SU1621165A1 SU884477855A SU4477855A SU1621165A1 SU 1621165 A1 SU1621165 A1 SU 1621165A1 SU 884477855 A SU884477855 A SU 884477855A SU 4477855 A SU4477855 A SU 4477855A SU 1621165 A1 SU1621165 A1 SU 1621165A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
base
emitter
collector
resistor
Prior art date
Application number
SU884477855A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Геннадиевич Мелентьев
Юрий Федорович Мурый
Original Assignee
Организация П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-3106 filed Critical Организация П/Я А-3106
Priority to SU884477855A priority Critical patent/SU1621165A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1621165A1 publication Critical patent/SU1621165A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в системах дискретной автоматики. Цель изобретени  - уменьшение потребл емой мощности. Транзисторный логический элемент, содержит два диода, семь резисторов, фазораз- делительный транзистор, составной транзистор, выполненный на первом и втором транзисторах, выходной транзистор, третий транзис ор и входной транзистор Введение новых св зей позвол ет уменьшать среднюю потребл емую мощность путем исключени  протекани  сквозных токов. 1 илThe invention relates to a pulse technique and can be used in discrete automation systems. The purpose of the invention is to reduce power consumption. The transistor logic element contains two diodes, seven resistors, a phase-separation transistor, a composite transistor made on the first and second transistors, an output transistor, a third transistor, and an input transistor. The introduction of new connections reduces the average power consumption by eliminating the flow of end-to-end currents. 1 silt

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в системах дискретной-автоматикиThe invention relates to a pulse technique and can be used in discrete automation systems.

Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности.The aim of the invention is to reduce power consumption.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа , схема транзисторного логического элемента.The drawing shows an electrical principle, a transistor logic element circuit.

Транзисторный логический элемент, содержит фазоразделительный транзистор 1, коллектор которого подключен через первый резистор 2 к шине питани , эмиттер к базе выходного транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор с эмиттером составного транзистора и выходом 4. Составной транзистор включает первый 5 и второй 6 транзисторы, соединенные так, что коллекторы их объединены и образуют коллектор составного транзистора , подключенный через седьмой резистор 7 к шине питани , база транзистора 5 образует базу составного транзистора, эмиттер транзистора 5 соединен с базой транзистора 6, а эмиттер транзистора 6 образует эмиттер составного транзистора, коллектор третьего транзистора 8 подключен к базеThe transistor logic element contains a phase-separation transistor 1, the collector of which is connected through the first resistor 2 to the power supply bus, the emitter to the base of the output transistor 3, the emitter of which is connected to the common bus, and the collector with the composite transistor emitter and output 4. The composite transistor includes the first 5 and The second 6 transistors connected in such a way that their collectors are combined and form a collector of a composite transistor, connected through the seventh resistor 7 to the power supply bus, the base of transistor 5 forms the base of a composite tra ican, the emitter of the transistor 5 is connected to the base of transistor 6 and transistor 6, the emitter of the emitter forms a composite transistor, the collector of the third transistor connected to the base 8

транзистора 3 эмиттер к общей шине, а база соединена с выводами третьего 9 и второго 10 резисторов, анодом второго диода 11, катод которого подключен к второму выводу резистора 9 и эмиттеру транзистора 5, второй вывод резистора 10 подключен к общей шине, база транзистора 5 подключена к коллектору транзистора 1, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора 12 и через четвертый резистор 13 к общей шине, коллектор и база транзистора 12 через п тый 14 и шестой 15 резисторы соединены с шиной питани , база транзистора 12 подключена к аноду первого диода 16, катод которого соединен с входом 17.transistor 3 emitter to a common bus, and the base is connected to the terminals of the third 9 and second 10 resistors, the anode of the second diode 11, the cathode of which is connected to the second output of resistor 9 and the emitter of transistor 5, the second output of resistor 10 is connected to the common bus, the base of transistor 5 is connected to the collector of transistor 1, the base of which is connected to the emitter of the input transistor 12 and through the fourth resistor 13 to the common bus, the collector and base of the transistor 12 through the fifth 14 and sixth 15 resistors are connected to the power bus, the base of the transistor 12 of the diode 16, the cathode of which is connected to the input 17.

Транзисторный логический элемент работает следующим образомTransistor logic element works as follows

Пусть на входе 17 низкий уровень напр жени , Тогда транзисторы 1,12,3 закрыты , так как отсутствует ток в базовых цеп х этих транзисторов. На выходе 4 будет установлен высокий уровень напр жени , определ емый открытыми транзисторами 5 и 6 составного транзистора Транзистор 8 открыт , так как на его базу передаетс  напр слLet the input voltage 17 be low, then the transistors 1,12,3 are closed because there is no current in the base circuits of these transistors. The output 4 will be set to a high voltage level, defined by the open transistors 5 and 6 of the composite transistor. Transistor 8 is open, as its base transmits to

сwith

чh

Жение высокого уровн  через резистивный делитель, образованный резисторами 9 и 10. При изменении напр жени  на входе с низкого на высокий диод 16 запираетс  и в базу транзистора 12 поступает ток от шины 5 питани  через резистор 15. Транзистор 12 открываетс  и в его коллекторной цепи протекает ток, определ емый резистором 14 и поступающий в базу транзистора 1. Транзистор 1 открываетс , в его коллекторной 10 цепи протекает ток, определ емый рези- стором 2, который через цепь коллектор - эмиттер открытого транзистора 8 протекает в общую шину и потенциал на коллекторе транзистора 1 уменьшаетс . Цепь коллек- 15 тор - эмиттер транзистора 8 шунтирует переход база - эмиттер выходного транзистора 3 и он продолжает оставатьс  закрытым . Таким образом, происходит снижение потенциала на базе составного транзистора 20 и соответственно снижение высокого уровн  напр жени  на выходе схемы при отключенном выходном транзисторе. Резистивный делитель передает понижение напр жени  с базы составного транзистора 25 на базу транзистора 8 и он начинает выключатьс . Эмиттерный ток транзистора 1 начинает поступать в базу выходного транзистора 3, и транзистор 3 открываетс . Следовательно, установление на выходе 30 схемы низкого уровн  напр жени  происходит при уже отключенном составном транзисторе и таким образом сквозной ток при переходе выхода 4 из высокого состо ни  в низкое устран етс .35A high level through a resistive divider formed by resistors 9 and 10. When the input voltage changes from low to high, diode 16 is locked and the base of transistor 12 receives current from power bus 5 through resistor 15. Transistor 12 opens and flows into its collector circuit the current detected by the resistor 14 and entering the base of the transistor 1. Transistor 1 opens, a current defined by resistor 2 flows through its collector 10 circuit, which through the collector - emitter circuit of the open transistor 8 flows into a common bus and potential on the collector of transistor 1 is reduced. The collector-emitter circuit of transistor 8 shunts the base-emitter junction of output transistor 3 and it continues to remain closed. Thus, there is a reduction in potential based on the composite transistor 20 and, accordingly, a decrease in the high voltage level at the output of the circuit when the output transistor is turned off. The resistive divider transmits a voltage drop from the base of the composite transistor 25 to the base of the transistor 8 and it starts to turn off. The emitter current of transistor 1 begins to flow into the base of the output transistor 3, and transistor 3 opens. Consequently, the establishment of a low voltage circuit at the output 30 occurs when the composite transistor is already disconnected, and thus the through current when output 4 goes from a high to a low state is eliminated.

При переходе входного сигнала с высокого уровн  на низкий происходит открывание диода 16 , транзисторы 12 и 1 закрываютс .When the input signal goes from high to low, diode 16 is opened, transistors 12 and 1 are closed.

Возрастание потенциала на коллекторе 40 транзистора 1 до величины двух переходов база - эмиттер приводит к броску тока в базу транзистора 8 через короткозамкнутую в первый момент времени емкость обратно смещенного диода 11. Транзистор 8 откры- 45 ваетс , и на эмиттере транзистора 1 происходит резкое снижение потенциала. Так как напр жение на базе транзистора 1 из-за .1чи  высокоомного резистора 13 измен етс  медленно, то происходит кратковре- 50 менное дополнительное открывание транзистора 1 за счет разр да его диффузионной емкости через эмиттерный переход и, таким образом, замедление нарастани  потенциала на коллекторе транзистора 1.55An increase in the potential at the collector 40 of transistor 1 to the magnitude of two base-emitter junctions leads to a surge of current into the base of transistor 8 through the capacitance of the reverse-biased diode 11 closed at the first moment of time. Transistor 8 opens and a sharp decrease in potential occurs at the emitter of transistor 1 . Since the voltage at the base of transistor 1 changes slowly because of the high resistance resistor 13, a short-time additional opening of transistor 1 occurs due to the discharge of its diffusion capacitance through the emitter junction and, therefore, the potential increase at the collector transistor 1.55

Это замедление нарастани  потенциала на базе составного транзистора и наличие низкоомной цепи коллектор - эмиттер транзистора 8 дл  выключени  выход-. ного транзистора.3 обеспечивает устранение сквозного тока при переходе выхода схемы из низкого состо ни  в высокое. Резистор 7 необходим дл  ограничени  тока при коротком замыкании на выходе схемы. Таким образом, предложенное техническое решение позвол ет устранить сквозной ток при переключении элемента, т.е. уменьшаетс  средн   потребл ема  схемой мощность, а также повысить быстродействие при переходе с низкого уровн  в высокийThis is a slowdown in the rise of potential on the basis of a composite transistor and the presence of a low-impedance collector-emitter circuit of transistor 8 for switching off the output-. Transistor 3 provides elimination of the through current when the output of the circuit goes from low to high. Resistor 7 is needed to limit the current during a short circuit at the output of the circuit. Thus, the proposed technical solution allows to eliminate the through current when the element is switched, i.e. the average power consumed by the circuit is reduced, as well as the speed increase from low to high

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Транзисторный логический элемент, содержащий два диода, фазоразделительный транзистор, коллектор которого подключен через первый резистор к шине питани  и базе составного транзистора, который включает в себ  первый и второй транзисторы , коллекторы которых объединены и образуют коллектор составного транзистора , база первого транзистора образует базу составного транзистора, эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, а эмиттер второго транзистора образует эмиттер составного транзистора , который подключен к выходу и коллектору выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а база - к эмиттеру фазоразделитель- ного транзистора и коллектору третьего транзистора эмиттер которого подключен к общей шине, а база через второй резистор подкпюченэ к общей шине, эмиттер первого транзистора соединенс первым выводом третьего резистора-, база фазоразде- лительного транзистора подключена к эмиттеру входного транзистора и через четвертый резистор к общей шине, коллектор и база входного транзистора соответственно через п тый и шестой резисторы подключены к шине питани , база входного транзистора подключена к аноду первого диода, катод которого соединен с входом логического элемента, коллектор составного транзистора через седьмой резистор соединен с шиной питани , отличаю щи й- с   тем, что. с целью уменьшени  потребл емой мощности, второй вывод третьего резистора подключен к базе третьего транзистора и Y аноду второго диода, катод которого соединен с первым аыводом третьего резистора.A transistor logic element containing two diodes, a phase separation transistor, the collector of which is connected through the first resistor to the power supply bus and the base transistor, which includes the first and second transistors, the collectors of which are combined and form the collector of the composite transistor, the base of the first transistor forms the base of the composite transistor , the emitter of the first transistor is connected to the base of the second transistor, and the emitter of the second transistor forms the emitter of the composite transistor, which is connected to The output transistor and collector, the emitter of which is connected to the common bus, and the base to the emitter of the phase separation transistor and the collector of the third transistor, the emitter of which is connected to the common bus, and the base through the second resistor connected to the common bus, connects the first transistor to the first output of the third resistor-, the base of the phase-separation transistor is connected to the emitter of the input transistor and through the fourth resistor to the common bus, the collector and the base of the input transistor, respectively, through the fifth and sixth pe stories are connected to the power bus input transistor base is connected to the anode of the first diode of which cathode is connected to an input of NAND gate, the transistor collector through a seventh composite resistor connected to the power bus, characterized soup d- that. in order to reduce power consumption, the second terminal of the third resistor is connected to the base of the third transistor and the Y anode of the second diode, the cathode of which is connected to the first terminal of the third resistor. «U"U /4/four 7777 /5/five o-KFo-KF UU сwith ОABOUT ##
SU884477855A 1988-08-15 1988-08-15 Transistor logic component SU1621165A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884477855A SU1621165A1 (en) 1988-08-15 1988-08-15 Transistor logic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884477855A SU1621165A1 (en) 1988-08-15 1988-08-15 Transistor logic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1621165A1 true SU1621165A1 (en) 1991-01-15

Family

ID=21397180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884477855A SU1621165A1 (en) 1988-08-15 1988-08-15 Transistor logic component

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1621165A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US №4552389, кл.Н 03 К 19/088, 1985. Патент US N 4330723, кл. Н 03 К 19/088,1982. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4251737A (en) Dottable active collector driver circuit
SU1621165A1 (en) Transistor logic component
EP0069853A2 (en) A TTL logic gate
US4562364A (en) TTL Circuit in which transient current is prevented from flowing therethrough
US4897566A (en) Bipolar transistor logic circuit
KR930009152B1 (en) Ecl logic circuit
RU2035841C1 (en) Transistor key with overload protection
US5408136A (en) Circuit for providing fast logic transitions
CA1050123A (en) Switching circuit
US5319251A (en) Circuit arrangement for generating a switching pulse from a square-wave signal
US4617478A (en) Emitter coupled logic having enhanced speed characteristic for turn-on and turn-off
SU1614104A1 (en) Pulse shaper
SU1598157A1 (en) Low-power transistor logic element
SU1660169A1 (en) Transistor switch
KR930006692Y1 (en) Switching time reduction circuit using Schottky diode
EP0546486A2 (en) Memory device for use in power control circuits
KR930003257B1 (en) Logic circuit
SU1274150A1 (en) Transistor-transistor logic element
SU1051717A1 (en) Semiconductor switch
SU1651372A1 (en) Transistor-transistor inverter
SU1173524A1 (en) Controlled multivibrator
SU1637003A1 (en) Pulse driver
RU1835118C (en) High-voltage power transistor controlling device
SU1051716A1 (en) Semiconductor switch
RU1810994C (en) Transistorized switch