SU1598238A1 - Высокочастотный интегральный модуль - Google Patents
Высокочастотный интегральный модуль Download PDFInfo
- Publication number
- SU1598238A1 SU1598238A1 SU874198299A SU4198299A SU1598238A1 SU 1598238 A1 SU1598238 A1 SU 1598238A1 SU 874198299 A SU874198299 A SU 874198299A SU 4198299 A SU4198299 A SU 4198299A SU 1598238 A1 SU1598238 A1 SU 1598238A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- elements
- housing
- dielectric
- frequency
- module
- Prior art date
Links
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 abstract description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к высокочастотной интегральной технике и может быть использовано в приемоусилительных, радиопередающих устройствах и устройствах обработки информации в радиорелейной св зи, св зи с первичными объектами и т.д. Цель изобретени - повышение плотности компоновки и технологичности конструкции - достигаетс тем, что высокочастотный интегральный модуль содержит основание-радиатор 1, тепловую трубу, состо щую из корпуса 2, фитил 3 и парового канала 4, а также компоненты в виде пр моугольных параллелепипедов: полупроводниковые кристаллы 5, металлические элементы 6 и 7, диэлектрические элементы 8, дисикативные (поглощающие, резистивные) элементы 9, гиромагнитные элементы 10, элементы 11 интегральной оптики, элементы 12 из анизотропного диэлектрика, с использованием которого сформирован направленный ответвитель 13. Металлические элементы 6 и 7 образуют экранные слои металлизации полосковых плат, которые в сочетании с полупроводниковыми кристаллами 5 образуют управл емый резонансный узел 14. Пенистый диэлектрик 15 заполн ет зоны несочленени между стенками корпуса 16 и компонентами. Сборка корпуса 16 с основанием 1 по ребрам 17 выполн етс пайкой или микросваркой. Корпус имеет выступы 18 под крепление модул в изделии. Дл внешней коммутации модул служат высокочастотные коаксиальные 19 и волноводные соединители, содержащие фланец 20, волновод 21 и волноводно-полосковый переход 22, а также низкочастотные металлостекл нные соединители. Теплоотвод от основани -радиатора 1 выполн етс , например, в общей системе принудительной вентил ции издели при соответствующей ориентации ребер 24 радиатора. Высокочастотный интегральный модуль может быть использован дл реализации различных микроэлектронных устройств до частот 50-70 ТГц. 2 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
экранные слои металлизации полосковых плат, которые в сочетании с полупроводниковыми кристаллами 5 образуют управл емый резонансный узел 14. Пенистый диэлектрик 15 заполн ет зоны несочленени между стенками корпуса 16 и компонентами . Сборка корпуса 16с основанием 1 по ребрам 17 выполн етс пайкой или микросваркой . Корпус имеет выступы 18 под крепление модул в изделии. Дл внешней коммутаций модул служат высокочастотные коаксиальные 19 и волноводные соединители , содержащие фланец 20, волновод 21 и волноводно-полосковый переход 22, а также низкочастотные металлостекл нные соединители. Теплоотвод от основани -радиатора 1 выполн етс , например, в общей системе принудительной вентил ции издели при соответствующей ориентации ребер 24 радиатора. Высокочастотный интегральный модуль может быть использован дл реализации различных микроэлектронных устройств до частот 50-70 ГГц. 2 з.п.ф-лы, 10 ил.
Изобретение относитс к высокочастотной интегральной технике и может быть ис- пользовано в приемоусилительных, радиопередающих устройствах и устройствах обработки информации в радиорелейной св зи, св зи с подвижными обьектами, в промышленном телевидении, автоматике и в радиоизмерительной технике.
Цель изобретени -повышение плотности компоновки и технологичности конструкции .
На фиг. 1 приведена конструкци высокочастотного интегрального модул объемного формообразовани (ВИМОФ); на фиг. 2 и 3 - примеры наращивани структуры в одном и в двух направлени х соответственно; на фиг. 4-компоновочна схема ВИМОФ с полосковыми лини ми передачи (ЛП) с послойным наращиванием интеграции; на фиг, 5 - компоновочна схема ВИМОФ с полосковыми и волноводными ЛП с объемным наращиванием интеграции; на фиг. 6 - компоновочна схема ВИМОФ с комбинацией диэлектрических, диэлектрико-полу- проводниковых и квазиоптических ЛП с объемным наращиванием интеграции; на фиг. 7 - пример конкретной реализации ВИМОФ; на фиг. 8 - пример электрического соединени различных компонентов; на фиг. 9 - типичный пассивный компонент ВИМОФ; на фиг. 10 - типичный активный компонент ВИМОФ.
ВИМОФ (фиг. 1) содержит основание- радиатор 1, в квадратном глухом отверстии которого жестко (с помощью пайки или по плотной посадке) закреплена миниатюри- зованна низкотемпературна теплова труба (ТТ), состо ща из пр моугольного (в поперечном сечении) корпуса 2, фитил 3 и парового канала 4. Данный узел в сборе вл етс основным элементом несущей конструкции, вокруг которого размещена непрерывна трехмерна структура, образованна из компонентов, преимущественно в виде пр моугольнь1х параллелепипедов с кратными размерами ребер. Набор последних определ етс конкретным схемным решением ВИМОФ, в частности, может содержать полупроводниковые кристаллу 5, металлические элементы 6 и 7, диэлектрические элементы 8, диссипативные (погло- щающие, резистивные) элементы 9,
гиромагнитные элементы 10, элементы 11 интегральной радиооптики, элементы 12 из анизотропного диэлектрика и . Компоненты 5-12 образуют объемные функциональные узлы (ФУ), в которых компоненты
преимущественно в виде пр моугольных параллелепипедов электрически соедин ютс по тракту передачи высокочастотного сигнала по контактирующим гран м тонкими прослойками из жидких провод щих
композиций.
Металлические элементы 7 и 6 образуют экранные слои металлизации (ЭСМ), а ЭСМ в сочетании с токонесущими полосковыми проводниками (ТПП)- полосковые линии передачи (ЛП), например компланарную ЛП. ФУ сформированы из различных элементов и кристаллов. Например, на основе двух элементов из анизотропного диэлектрика и двух ТПП сформирован- направленный ответвитель 13 с высоким коэффициентом направленности; на основе двух ТПП (или ТПП и ЭСМ) и кристалла полупроводника сформирован электрически управл емый резо- нансный узел 14.
Пенистый диэлектрик 15 заполн ет зоны несочленени между стенками корпуса 16 и непрерывной трехмерной структурой при асимметричной компоновке последней,
.как показано на фиг. 1. Одновременно диэлектрик 15 при необходимости электрически изолирует трехмерную структуру от стенок корпуса 16.
Сборка корпуса 16 с основанием 1 по ребрам 17 выполн етс пайкой или микросваркой . Корпус имеет выступы 18 под креп- ление модул в изделии. Дл внешней коммутации модул на стенках корпуса 16 установлены проходные соединители: высо кочастотные коаксиальные 19 и волновод- ные соединители, последние содержат фланец 20, волновод 21 и волноводно-поло- сковыйпереход 22. Также установлены низ- кочастотиыеметаллостекл нные
соединители 23. Теплоотвод от основани - радиатора 1 выполн етс , например, в общей системе принудительной вентил ции издели при соответствующей ориентации ребер 24 радиатора.
Узел обработки сигнала (фиг. 2) содержит диэлектрический изотропный 8 и диэлектрический анизотропный 12 элементы. полупроводниковый кристалл 5. общий ЭСМ 7 и общий ТПП 25; зона 26 заполн етс другими компонентами или пенистым диэлектриком до условно выделенного обьема параллелепипеда.
На фиг. 3 приведен более сложный фрагмент с наращиванием интеграции в двух измерени х: пр моугольные отрезки 27, 28. 29, 31 и 32, уголковый элемент 30 поворота ТПП, ЭСМ 33 компланарной ЛП, содержащий ФУ: активной обработки сигт нала (элементы 5, 7 и 25), передачи сигнала (элементы 7, 8 и 25), ответвлени сигнала (элементы 7, 8, 12, 25 и 27), направленного ответвлени сигнала (элементы 7, 8. 12, 27, 28 и 29), который через уголковый поворот (элементы 7, В, 28, 29, 30 и 31) соединен с невзаимным узлом - компланарной ЛП на ферритовой подложке (элементы 7, 10, 32 и 33). При этом в ВИМОФ элементы ТПП и ЭСМ изготавливаютс либо в виде отдель- ных металлических элементов, либо по пле- ночной технологии на поверхности .кристаллов, диэлектрических и тому подобных элементов.
Наращивание интеграции в третьем из- мерении выполн етс аналогичным образом .
На фиг. 4-6 обозначены: N ± х; N± у; N ± Z- направлени наращивани мозаичной структуры.
Компоновочна схема ВИМОФ (фиг. 4) на основе параллелепипеидальных компонентов 34 с поуровневым расположением ТПП 25 и ЭСМ 7 используетс в СВЧ-диапа- зоне..
На фиг. 5 приведена компоновочна схема ВИМОФ на основе параллелепипеидальных компонентов 34 с произвольно-ортогональным ориентированием ТПП 25 и
ЭСМ 7, а также с конструктивными волноводами , образованными замкнутыми в локальном обьеме ЭСМ 35 и диэлектрическим заполнением 36. Данный ВИМОФ сочетает в себе ФУ, реализованные на полосковых, диэлектрических и волноводных направл ющих и резонансных структурах, и работает на частотах, переходных от СВЧ к КВЧ диапазону .
В ВИМОФ по фиг. 6 пространственна передача и обработка сигналов КВН-диапазона (частоты свыше 50-70 ГГц) выполн ютс с помощью ФУ, выполненных на основе диэлектрических и полупроводниковых элементов (кристаллов) 34, контактирующих друг с другом по виртуал ьным границам 37.
Дл создани контактов между элементами в ВИМОФ по тракту передачи СВЧ (КВЧ)-сигналов простого механического контакта недостаточно, например, между металлическими элементами и полупроводниковыми кристаллами (в различных их со- четани х) можно использовать контактирующие прослойки из жидких ме- талличес.чих композиций.
На фиг. 7 -показано сечение одного из четырех идентичных каналов (позици 38 - зона сечени аналогичного соседнего канала ). Каналы имеют выходы на коммутационную многослойную плату (подложку) 39, средний диэлектрический (материал ФАФ- 4) слой 40. который одновременно вл етс верхней крышкой модул , на лицевой поверхности сло нанесены слои металлизации: излучатели 41 и экранные слои 42, образующие компланарные микрополоско- выеантенны.
Передача высокочастотного сигнала в канале выполн етс по тракту: коаксиальный соединитель 19 - металлический стержень 43 возбуждени волноводно-диэлектрического фильтра с запредельными св з ми (ВДФЗС), образованного чередующимис сло ми (пластинами) диэлектрика с малой диэлектрической проницаемостью (е 1)44 и с относительно большой (е 3-5) 45. стенки и торцева заглушка образованы металлическими пластинами 46 и 47 соответственно (незаполненна полезными элементами зона заполнена пенистым диэлектриком 15) - .выходной металлический стержень 48 ВДФЗС - четырехканаль- ный объемный делитель мощности, образованный диэлектрическими пластинами 49 с напыленными на них полосковыми элементами 50 - двухслойна структура, реализующа набор фазовращателей 51 - набор усилителей мощности, реализованных на полупроводниковых кристаллах (подложках ) 52, проложенных диэлектрическими пластинами 53 - коммутационна плата 39 - компланарные пакеты тепловыдел ющих элементов 54 с корпусом тепловой трубы.
Дл уменьшени присоединительных габаритов высокочастотный коаксиальный соединитель 19 выполнен с угловым изгибом 90°. Аналогичные соединители имеютс и со стороны других стенок корпуса 16 модул . Стрелками показано направление передачи энергии сигнала (Прием-передача ). При разработке ВИМОФ дл работы в коротковолновой части СВЧ-диапазона BjyiecTO коаксиальных используютс волно- водные соединители (элементы 20-22 на фиг. 1), Низкочастотные соединители (соединитель 19 на фиг. 1) в данном ВИМОФ размещены со стороны основани -радиатора (на фиг. 7 не показаны).
Соединение полупроводникового, изотропного диэлектрического и диссипатив- ного (резистивного) компонентов (фиг. 8) по гран м обеспечивает передачу СВЧ-энер- гии прослойками 55 жидкой провод щей композиции (ЖПК). ЖПКоб зательна только дл создани электромагнитного контакта между металлическими и полупроводниковыми компонентами в различных сочетани х . Дл контактировани , например, диэлектрических, резистивных(в различных их сочетани х) компонентов можно использовать и ЖПК, и обычные клеевые соединени , например компаунд ВК-9, либо вообще ограничитьс механическим контактированием по гран м. Возможно использование дл контакта металл-полупроводник полиме- ризующих после нанесени электропроводных покрытий типа пленкообразователей-rio- лупроводников, соединений с сопр женными-двойными или тройными св з ми: полиимидов, полибензимидазолов с графитовым наполнителем, а также пентафта- лееой эмали ПФ-910, полиакрилатной эмали АС-588, АК-562, эмали ХС-775, ХС- 928, ХС-972, кремнийорганической эмали КО-811 и р да других материалов. Однако наиСЗолее эффективно, конструктивно и технологически просто (а на рабочих частотах свыше 10-15 ГГц единственно преемлемо) использование в качестве ЖПК нематиче- ских жидкокристаллических материалов, например материала ЖК-404 (при толщине контактирующей прослойки пор дка 20-30 мкм), либо материалов с различными типа- ми анизотропии; ЖК-440, ЖК-807, ЖК-654. Еще более эффективно, особенно дл обеспечени контактировани полупроводниковых компонентов, использование в качестве ЖПК щелочных металлов в жидком состо нии, например лить .
Дискретные компоненты и ФУ ВИМОФ выполнены преимущественно в виде пр моугольных параллелепипедов с кратными размерами ребер, которые контактируют
друг с другом по гран м.
Провод ща жидка композици используетс дл контакта полупроводниковых подложек 52 с металлическими элементами фазовращателей и коммутаци0 онной платы 39. Все ФУ сформированы в трехмерной компоновке без прив зки к каким-либо вертикальным уровн м. В данной конструкции, при модернизации схемного решени , возможно применение компоиен5 тов из других материалов, например ги- ромагнитйых в фазовращател х, анизотропных диэлектрических в делител х мощности и т.п., при сохранении самого принципа компоновки.
0 Типичный пассивный компонент(дисси- пативный или резистивный) содержит (фиг. 9) элемент 9 из резистивного материала и контактные площадки 56 металлизации. Данный компонент может быть выполнен и
5 резистивным полупроводниковым.
Типичный активный компонент ВИМОФ из класса активных устройств с распределительными параметрами (АУРП) представл ет собой (фиг. 10) полупроводниковые
0 усилители бегущей волны (УБВ) на основе эффекта с отрицательной дифференциальной проводимостью УБВ представл ет собой полупроводниковый кристалл 5 с приповерхностной активной зоной, на по5 верхности которого сформирована управл юща компланарна лини (токонесущий полосковый проводник 57 и экранный слой 58 металлизации) и переход 59 расширени компланарной линии; металлизаци торцов
0 60 необходима дл контактировани с соседним компонентом. На фиг. 10 УБВ показан в сборе с диэлектрическим компонентом (прослойка 55 ЖПК).
5 .ВИМОФ работает следующим образом. Высокочастотный сигнал подаетс через волноводный 22 или коаксиальный 19 соединители на вход модул , в непрерывной трехмерной структуре которого выпол50 н етс требуема объемна обработка сигнала. Выдел емое при работе ВИМОФ мощными тепловыдел ющими элементами тепло передаетс черезТПП, ЭСМ, полупроводниковые кристаллы 5 и элементы 6-12 на
55 стенку ТТ и выводитс с помощью ТТ на основание-радиатор 1, Обработанный высокочастотный сигнал подаетс на выходные соединители. Подача питающих напр жений и низкочастотных сигналов выполн етс через соединитель 23.
Claims (3)
- ВИМОФ может быть использован дл реализации различных микроэлектронных устройств как в СВЧ-диапазоне до частот 50-70 ГГц (при формировании ФУ на основе полосковых ЛП), так и в КВЧ-диапазоне на частотах свыше 50-70 ГГц (при формировании ФУ на основе диэлектрических ЛП). Формула изобретени 1. Высокочастотный интегральный модуль , содержащий корпус, выполненный в виде соединенных между собой основани и кожуха, размещенные в корпусе функциональные узлы дл трехмерной обработки сигналов с активными и пассивными компонентами , размещенными с образованием трехмерной пространственной структуры, и с электрическими высокочастотными соединител ми и распределенные переходы дл передачи высокочастотных сигналов, отличающийс тем, что, с целью повышени плотности компоновки и технологичности конструкции, он снабжен тепловой трубой, установленной в центре основани корпуса и жестко закрепленной на нем, каждый компо 2ВВ..S г /г гб гв гд л з/ s зг зз да fui.J050нент функциональных узлов дл трехмерной обработки сигналов выполнен в форме пр моугольного параллелепипеда с кратными размерами ребер, а электрические соединители функциональных узлов дл трехмерной обработки сигналов - в виде прослоек из жидких токопровод щих композиций , расположенных между прилежащими одна к другой гран ми соответствующих соседних компонентов, причем функциональные узлы дл трехмерной обработки сигналов установлены вокруг тепловой с обеспечением теплового контакта с ней.
- 2. Модуль поп, 1,отличающийс тем, что основание корпуса выполнено из теплопроводного материала с внешними ребрами.-.
- 3. Модуль по п. 1,отличающийс тем, что полости между стенками корпуса и функциональными узлами трехмерной обработки сигналов заполнены пенистым диэлектриком .М//7 г ff 25 fSге 3 Т 25 а 3S 36/КФи2. 6.2€ jy 343505152SJ5833fZ38 189аг.759Фиг. 957
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874198299A SU1598238A1 (ru) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Высокочастотный интегральный модуль |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874198299A SU1598238A1 (ru) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Высокочастотный интегральный модуль |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1598238A1 true SU1598238A1 (ru) | 1990-10-07 |
Family
ID=21287040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874198299A SU1598238A1 (ru) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Высокочастотный интегральный модуль |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1598238A1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998015979A1 (en) * | 1996-10-10 | 1998-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ehf and microwave-frequency multilayered hybrid and integrated circuit |
| RU2187220C2 (ru) * | 1996-03-09 | 2002-08-10 | Роберт Бош Гмбх | Электрический прибор |
| CN113840413A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 南京矽力微电子(香港)有限公司 | 具有无线转能功能的电磁波屏蔽膜 |
-
1987
- 1987-01-04 SU SU874198299A patent/SU1598238A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент US № 4574331. кл. НОВ К 1/14. 1986. Гвоздев В.И.., Нефедов Е.И. Объемные интегральные схемы СВЧ.-М.: Наука, 1985, с. 210-211. рис. 6.16. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2187220C2 (ru) * | 1996-03-09 | 2002-08-10 | Роберт Бош Гмбх | Электрический прибор |
| WO1998015979A1 (en) * | 1996-10-10 | 1998-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ehf and microwave-frequency multilayered hybrid and integrated circuit |
| RU2148874C1 (ru) * | 1996-10-10 | 2000-05-10 | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. | Многослойная гибридная интегральная схема свч и квч диапазонов |
| CN113840413A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 南京矽力微电子(香港)有限公司 | 具有无线转能功能的电磁波屏蔽膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7973616B2 (en) | Post-wall waveguide based short slot directional coupler, butler matrix using the same and automotive radar antenna | |
| US7561006B2 (en) | Low loss electrical delay line | |
| KR960009529B1 (ko) | 전압 제어식 유전체 사용하는 이상 장치 | |
| US6822532B2 (en) | Suspended-stripline hybrid coupler | |
| US9117835B2 (en) | Highly integrated miniature radio frequency module | |
| US6335664B1 (en) | Branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system | |
| Huang et al. | A broad-band LTCC integrated transition of laminated waveguide to air-filled waveguide for millimeter-wave applications | |
| US3638148A (en) | Lid interaction protected shield enclosed dielectric mounted microstrip | |
| CN102694245A (zh) | 天线装置 | |
| US6542048B1 (en) | Suspended transmission line with embedded signal channeling device | |
| US10128557B2 (en) | Chip-to-chip interface comprising a microstrip circuit to waveguide transition having an emitting patch | |
| US8279129B1 (en) | Transverse device phase shifter | |
| JP2005051331A (ja) | マイクロストリップ線路と誘電体導波管との結合構造 | |
| JP2002076702A (ja) | Ｎ個の信号位相転移のための信号処理装置 | |
| SU1598238A1 (ru) | Высокочастотный интегральный модуль | |
| JP3493265B2 (ja) | 誘電体導波管線路および配線基板 | |
| EP2140547B1 (en) | Rf re-entrant combiner | |
| EP0783773B1 (en) | Surface mounted directional coupler | |
| US3967223A (en) | Resonant ring transmission line having a high Q mode | |
| EP0001890B1 (en) | Improvements in or relating to microwave integrated circuit packages | |
| CN119297569A (zh) | Rf模块 | |
| US20080093731A1 (en) | Cooled Integrated Circuit | |
| Morimoto et al. | Suppression of cavity resonant coupling by L-shaped metal plate on microwave module lid | |
| JPH07120888B2 (ja) | 複数面導波管結合器 | |
| Wu | Towards the development of terahertz substrate integrated circuit technology |