SU1490167A1 - Method of producing niobium dioxide films - Google Patents
Method of producing niobium dioxide films Download PDFInfo
- Publication number
- SU1490167A1 SU1490167A1 SU874198957A SU4198957A SU1490167A1 SU 1490167 A1 SU1490167 A1 SU 1490167A1 SU 874198957 A SU874198957 A SU 874198957A SU 4198957 A SU4198957 A SU 4198957A SU 1490167 A1 SU1490167 A1 SU 1490167A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- epitaxial
- films
- heated
- heat resistant
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Chemical compound O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позвол ет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшени их структуры до эпитаксиальной. Ниобий испар ют в атмосфере кислорода при давлении 1.10-5 - 3.10-4 Торр и осаждают на монокристаллическую подложку, выполненную из фторфлогопита или оксида алюмини , нагретую до 1050-1150 К. Получают эпитаксиальные пленки состава NBO2, обладающие термической устойчивостью при нагреве до 1150 К. 1 табл.The invention relates to the growth of crystals, specifically to the production of epitaxial films of metal oxides, which possess thermoelectric properties at high temperatures, and improves the thermal stability of films by improving their structure to epitaxial. Niobium is evaporated in an oxygen atmosphere at a pressure of 1.10 -5 - 3.10 -4 Torr and deposited on a single-crystal substrate made of fluoroflogopite or aluminum oxide heated to 1050-1150 K. Epitaxial films of the composition NBO 2 are obtained, which are thermally stable when heated to 1150 K. 1 table.
Description
1one
(21)4198957/23-26(21) 4198957 / 23-26
(22)04.01.87(22) 01/04/87
(46) 30.06.89. Бюл. № 24 (72) В.С.Коган, А.А.Сокол и В.М.Шулаев(46) 06/30/89. Bul № 24 (72) V.S.Kogan, A.A.Sokol and V.M.Shulaev
(53)621.315.592 (088.8)(53) 621.315.592 (088.8)
(56) Belanger G. ,Destry J.,Perlug- go J., Raccah P.M., Electron transport in Single crystals of niobium dioxide. - J.Phys., 1974, № 52, № 22, p.2272-2280.(56) Belanger G., Destry J., Perluggo J., Raccah P.M., Electron transport. - J.Phys., 1974, No. 52, No. 22, p.2272-2280.
Shook M.W.G., Shomas C.B., ReehalH.S., Preparation of-Polycrys- talline Films of NbO by sputfering.- Mater. Seff., 1985, v. 3, № 11, p.462- 466.Shook M.W.G., Shomas C.B., ReehalH.S., Preparation of Polycrys- talline Films of NbO by sputfering.- Mater. Seff., 1985, v. 3, No. 11, p. 462-46.
(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК NbOj(54) METHOD FOR OBTAINING NbOj FILMS
22
(57) Изобретение относитс к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов , обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позвол ет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшени их структуры до эпитаксиальной . Ниобий испар ют В ат- мосфере кислорода при давлении 1-10 - З-Ю Торр и осаждают на монокристаллическую подложку, выполненную из фторфлогопита или окаща алюмини , нагретую до 1050-1150 К. Получают эпитаксиальные пленки состава Nb02., обладающие термической устойчивостью при нагреве до 1150 К. 1 табл(57) The invention relates to the growth of crystals, specifically to the production of epitaxial films of metal oxides with stable thermoelectric properties at high temperatures, and allows to increase the thermal stability of films by improving their structure to epitaxial. Niobium is evaporated in an oxygen atmosphere at a pressure of 1-10 ° C-10 Torr and is deposited on a single-crystal substrate made of fluoroflogopite or aluminum, heated to 1050-1150 K. Epitaxial films of composition Nb02. Are obtained that are thermally stable when heated up to 1150 K. 1 tabl
УHave
-Изобретение касаетс роста кристаллов и относитс к получению эпи- таксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах .The invention relates to crystal growth and relates to the production of epitaxial metal oxide films having a stable thermoelectric properties at high temperatures.
Целью изобретени вл етс повышение термической устойчивости пленок за счет улучшени их структуры до эпитаксиальной.The aim of the invention is to increase the thermal stability of films by improving their structure to epitaxial.
Пример 1. В вакуумной камере создают атмосферу кислорода при давлении 1 Торр обеспечением посто нного потекани с помощью игольчатого вентил при содержании других газов при парциальном давлении 5-10 Па.Example 1. In a vacuum chamber, an atmosphere of oxygen is created at a pressure of 1 Torr by ensuring constant flow with a needle valve with the content of other gases at a partial pressure of 5-10 Pa.
Дл испарени ниоби используют электронно-лучевую пушку с отклонением луча в магнитном поле на 270 ,For evaporation, niobium uses an electron beam gun with a beam deflection of 270 in a magnetic field,
с катодом, полностью оптически заэкранированным от испар емого источника и подложки. Ниобий помещают в центре медного водоохлаждаемого тигл и испар ют. Осаждение ниоби производ т на монокристаллическую подложку из фторфлогопита, нагретую до 1100 К, со скоростью 2 А . При таких услови х на подложке получают зпитак- сиальную пленку состава NbO.with a cathode fully optically shielded from a vaporized source and substrate. Niobium is placed in the center of a water-cooled copper crucible and evaporated. The niobium deposition is produced on a fluoroclogopite single crystal substrate heated to 1100 K at a rate of 2 A. Under such conditions, an opticial film of composition NbO is obtained on the substrate.
Фазовый состав и кристаллическую структуру пленки исследуют на электронном микроскопе ЭМБ-ЮОл. Электронно-графическим анализом показывают , что пленка диоксида ниоби монофазна по составу и эпитлксиаль- на по структуре.The phase composition and the crystal structure of the film are examined on an EMB-UOl electron microscope. Electron-graphic analysis shows that the film of niobium dioxide is monophasic in composition and epithelial in structure.
Термическую устойчивость эпитаксиальной пленки оценивают по характеру структурных изменений, проис4The thermal stability of an epitaxial film is evaluated according to the nature of the structural changes, or
CD ОCD o
ходивших при нагреве непосредственно в колонке электронного микроскопа . Нагреву подвергают двухслойные элементы пленка-подложка, толщину которых берут соответственно 50 и Юнм Такой элемент получают при отделении пленки с помощью желатины от подложки , когда вместе с пленкой отры- ваетс тонкий слой слюды.walking when heated directly in the electron microscope column. The bilayer film-substrate elements are subjected to heating, the thickness of which is taken respectively to 50 and Ynm. Such an element is obtained by separating the film with gelatin from the substrate when a thin layer of mica comes off with the film.
При нагреве до температур ниже 1150 К в пленке каких-либо заметных изменений структуры или фазового состава не наблюдают. При нагреве до температур выше 1150 К фиксируют начало взаимодействи пленки с монокристальной подложкой, что ведет к образованию новых фаз и нарушению однородности пленки.When heated to temperatures below 1150 K, no noticeable changes in the structure or phase composition are observed in the film. When heated to temperatures above 1150 K, the beginning of the interaction of the film with the single crystal substrate is fixed, which leads to the formation of new phases and the violation of the film homogeneity.
Пример 2. Процесс провод т, как в примере 1, но измен ют давление кислорода и температуру подложкиExample 2. The process is carried out as in Example 1, but the oxygen pressure and the substrate temperature are changed.
Данные по структуре и термической устойчивости пленки приведены в таблице .Data on the structure and thermal stability of the film are given in the table.
П р и м е р 3. Процесс провод т, как в примере 2, но подложку вьшол- н ют из кристалла оксида алюмини .PRI me R 3. The process is carried out as in Example 2, but the substrate is made of an alumina crystal.
II
1100 1100 11001100 1100 1100
10001000
1050 11501050 1150
1200 8931200 893
Характеристика структуры и термической устойчивости полученных пленок та же, что в таблице.The characteristic of the structure and thermal stability of the obtained films is the same as in the table.
Таким образом, способ позвол ет получить эпитаксиальные пленки NbO, которые обладают эпитаксиальной стру ктурой, высокой термической устойчивостью до 1150 К, в то врем как по способу-прототипу пленки NbO растут только поликристаллическими и при нагреве выше 900 К претерпевают структурные изменени .Thus, the method allows to obtain epitaxial NbO films, which have epitaxial structure, high thermal stability up to 1150 K, while in the prototype method, NbO films grow only polycrystalline and undergo structural changes when heated above 900 K.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874198957A SU1490167A1 (en) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Method of producing niobium dioxide films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874198957A SU1490167A1 (en) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Method of producing niobium dioxide films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1490167A1 true SU1490167A1 (en) | 1989-06-30 |
Family
ID=21287286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874198957A SU1490167A1 (en) | 1987-01-04 | 1987-01-04 | Method of producing niobium dioxide films |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1490167A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016049727A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Владимир Яковлевич ШИРИПОВ | Precision chip resistor and preparation method thereof |
-
1987
- 1987-01-04 SU SU874198957A patent/SU1490167A1/en active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016049727A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Владимир Яковлевич ШИРИПОВ | Precision chip resistor and preparation method thereof |
| EA032068B1 (en) * | 2014-09-30 | 2019-04-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" | Precision chip resistor and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080071973A (en) | Coating Deposition by Sputtering | |
| US3887451A (en) | Method for sputtering garnet compound layer | |
| US4172718A (en) | Ta-containing amorphous alloy layers and process for producing the same | |
| Müller et al. | The epitaxial vapor deposition of perovskite materials | |
| SU1490167A1 (en) | Method of producing niobium dioxide films | |
| US4478877A (en) | Process for the preparation of superconducting compound materials | |
| Harris et al. | MBE growth of high critical temperature superconductors | |
| US5238526A (en) | Method of forming charge transfer complexes | |
| JPH02258700A (en) | Ferroelectric thin film and production thereof | |
| JPS59121119A (en) | Method for manufacturing ferroelectric thin film | |
| JPH01208327A (en) | Manufacturing method of thin film superconductor | |
| US4575464A (en) | Method for producing thin films of rare earth chalcogenides | |
| DeVries | On the Preparation of Thin Single‐Crystal Films of BaTiO3 | |
| US3437577A (en) | Method of fabricating uniform rare earth iron garnet thin films by sputtering | |
| NL2029666B1 (en) | MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE (SiC) SINGLE CRYSTAL | |
| KR860000161B1 (en) | Indium antimony composite crystal semiconductor and its manufacturing method | |
| JP2702711B2 (en) | Manufacturing method of thin film superconductor | |
| CN1033192C (en) | Preparation method of oxide superconducting material | |
| JPH1036183A (en) | Production of polycrystal ceramic membrane and polycrystal ceramic member | |
| JPS63299019A (en) | Manufacture of thin film superconductive material | |
| RU1716813C (en) | Method for production thin films of aluminium nitride | |
| JPH0535563B2 (en) | ||
| JPS60255698A (en) | Member for producing compound semiconductor and production thereof | |
| UA35210A (en) | A process for preparation of thin films PBTE by method of hot wall | |
| JPS63235462A (en) | Method for forming oxide thin film with K↓2NiF↓4 type crystal structure |