SU1234763A1 - Moisture transducer - Google Patents
Moisture transducer Download PDFInfo
- Publication number
- SU1234763A1 SU1234763A1 SU853845262A SU3845262A SU1234763A1 SU 1234763 A1 SU1234763 A1 SU 1234763A1 SU 853845262 A SU853845262 A SU 853845262A SU 3845262 A SU3845262 A SU 3845262A SU 1234763 A1 SU1234763 A1 SU 1234763A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- sensor
- sensitivity
- oxide layer
- increase
- epitaxial film
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области газового анализа и может быть использовано в адсорбционных электрических датчиках дл измерени влажности различных газов. Датчик содержит эпитак- сиальную пленку арсенида галли 1 на полуизолируннцей подложке 2 и металлически электроды 4 и 5 в виде омических и нулевых контактов. Дл повышени чувствительности датчика поверхность эпитаксиальной пленки 1 пот крыта фторированным оксидным слоем 3. Покрытие фторированным оксидным слоем увеличивает концентрацию активных центров, что позвол ет повысить чувствительность датчика по сравнению с известными в 5 раз. 1 ил. (Л /7 XThe invention relates to the field of gas analysis and can be used in adsorption electrical sensors for measuring the humidity of various gases. The sensor contains epitaxial film of gallium arsenide 1 on a semi-insulated substrate 2 and metal electrodes 4 and 5 in the form of ohmic and zero contacts. To increase the sensitivity of the sensor, the surface of the epitaxial film 1 is covered with a fluorinated oxide layer 3. The coating of the fluorinated oxide layer increases the concentration of active sites, which makes it possible to increase the sensitivity of the sensor 5 times compared to the known ones. 1 il. (L / 7 x
Description
Изобретение относитс к области газового анализа и может быть использовано в адсорбционных электрических датчиках дл измерени влажности различных газов.The invention relates to the field of gas analysis and can be used in adsorption electrical sensors for measuring the humidity of various gases.
Цель изобретени - повьшение чувствительности датчика влажности.The purpose of the invention is to increase the sensitivity of the humidity sensor.
На поверхности монокристаллическогоOn the surface of single crystal
арсенида галли сформирован оксидный слой, полученный травлением поверхности полупроводника в водном растворе плавиковой кислоты с последующим вакзгумированием. Этот слой повьпцает степень зар жени поверхности, котора определ ет чувствительность датчика .Gallium arsenide is formed of an oxide layer obtained by etching the surface of a semiconductor in an aqueous solution of hydrofluoric acid, followed by vaccinating. This layer detects the degree of surface charge that determines the sensitivity of the sensor.
На чертеже показан датчик, общий вид,The drawing shows the sensor, a general view,
Датчик влажности газов состоит из эпитаксиальной пленки арсенида галли 1 на ползгизолирующей подложке 2, причем пленка покрыта оксидным слоем 3 и металлические электроды 4 и 5, представл ющие собой омические индиевые контакты, изготовленные методом вплавлени .The gas humidity sensor consists of a epitaxial film of gallium arsenide 1 on a creep insulating substrate 2, the film being coated with an oxide layer 3 and metal electrodes 4 and 5, which are ohmic indium contacts, produced by the method of melting.
Датчик работает следующим обоазом.The sensor works as follows.
Датчик помещают в исследуемую среду и при адсорбции паров воды происходит зар жение поверхности раздела оксид - полупроводник из взаимодействи адсорбированных молекул с активными центрами. Зар жение границы раздела оксид - полупроводник измен етThe sensor is placed in the test medium and the adsorption of the oxide – semiconductor interface from the interaction of adsorbed molecules with active centers occurs during the adsorption of water vapor. The oxide – semiconductor interface boundary changes
Составитель Г.Боровик Редактор Л.Авраменко Техред И.Попович Корректор Т.КолбCompiled by G. Borovik Editor L. Avramenko Tehred I. Popovich Corrector T. Kolb
Заказ 2979/48 Тираж 778ПодписноеOrder 2979/48 Circulation 778 Subscription
ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Г гоектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, st. Goktna, 4
5five
00
концентрацию свободных носителей зар дов в поверхностной области полупроводниковой пленки, измен тем самым ее проводимость. По величине изменени проводимости полупроводниковой пленки с помощью градуировочных зависимостей можно определить влажность исследуемой среды.concentration of free charge carriers in the surface region of a semiconductor film, thereby changing its conductivity. According to the magnitude of the change in the conductivity of the semiconductor film using the calibration dependencies, it is possible to determine the humidity of the medium under study.
Покрытие поверхности эпитаксиальной пленки фторирован1а1м оксидом увеличивает концентрацию активных центров по сравнению с пленкой, покрытой естественным оксидом. Это повышает степень зар жени границы раздела оксьд - полупроводник при заданной влажности исследуемой среды, 5Гвеличива тем самым чувствительность датчика. Чувствительность датчика составл ет 8,410 (Ом. Па) , что в 5 раз превышает чувствительность известного датчика.The coating of the surface of an epitaxial film with fluorinated 1: 1 oxide increases the concentration of active sites as compared with a film coated with natural oxide. This increases the degree of charging of the interface between the oxyd and semiconductor at a given humidity of the medium under study, thereby increasing the sensitivity of the sensor. The sensitivity of the sensor is 8.410 (Ohm. Pa), which is 5 times the sensitivity of the known sensor.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853845262A SU1234763A1 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Moisture transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853845262A SU1234763A1 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Moisture transducer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1234763A1 true SU1234763A1 (en) | 1986-05-30 |
Family
ID=21159124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU853845262A SU1234763A1 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Moisture transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1234763A1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2235316C1 (en) * | 2003-06-05 | 2004-08-27 | Омский государственный технический университет | Semiconducting gas sensor |
| RU2235315C2 (en) * | 2002-11-11 | 2004-08-27 | Омский государственный технический университет | Gas sensor |
| GB2434647A (en) * | 2006-01-13 | 2007-08-01 | Asthma Alert Ltd | Gas Concentration and Humidity Sensor |
| RU223725U1 (en) * | 2023-09-29 | 2024-02-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) | MOISTURE SENSOR |
-
1985
- 1985-01-18 SU SU853845262A patent/SU1234763A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Проблемы физики полупроводников ./ Под ред. чл. кор. АН УССР О.В.Снитко. Киев: Наукова Думка, 1981, с. 102 Авторское свидетельство СССР № 541137, кл. G 01 W 1/11, 1976. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2235315C2 (en) * | 2002-11-11 | 2004-08-27 | Омский государственный технический университет | Gas sensor |
| RU2235316C1 (en) * | 2003-06-05 | 2004-08-27 | Омский государственный технический университет | Semiconducting gas sensor |
| GB2434647A (en) * | 2006-01-13 | 2007-08-01 | Asthma Alert Ltd | Gas Concentration and Humidity Sensor |
| RU223725U1 (en) * | 2023-09-29 | 2024-02-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) | MOISTURE SENSOR |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4671852A (en) | Method of forming suspended gate, chemically sensitive field-effect transistor | |
| US5500188A (en) | Device for photoresponsive detection and discrimination | |
| US5111221A (en) | Receptor-based sensor | |
| CA1269705A (en) | Photoresponsive detection and discrimination | |
| US4490216A (en) | Lipid membrane electroanalytical elements and method of analysis therewith | |
| US5387328A (en) | Bio-sensor using ion sensitive field effect transistor with platinum electrode | |
| Gaylor et al. | Polarographic oxidation of phenolic compounds | |
| SE7603229L (en) | CHEMICAL PAVABLE SENSOR | |
| JPH0915198A (en) | Thin film transistor bio / chemical sensor | |
| JPS6266154A (en) | Chemical sensitive semiconductor device | |
| CA2131936A1 (en) | Material for establishing solid state contact for ion selective electrodes | |
| SU1234763A1 (en) | Moisture transducer | |
| EP0328108B1 (en) | Electrochemical sensor facilitating repeated measurement | |
| Ciszkowska et al. | Pulse voltammetric techniques at microelectrodes in pure solvents | |
| CN218157677U (en) | Hydrogen sensor | |
| JPS63131056A (en) | Fet electrode | |
| US7638157B2 (en) | Method of fabricating electrode assembly of sensor | |
| Taniguchi et al. | A potentiometric immunoglobulin G sensor based on a polypyrrole modified platinum electrode | |
| EP0241991A2 (en) | Field effect transistor having a membrane overlying the gate insulator | |
| Gotoh et al. | Inosine sensor based on an amorphous silicon ISFET | |
| JPH05188036A (en) | Capacitance-measuring chamical sensor device | |
| JPS6312252B2 (en) | ||
| Fu et al. | Proteolytic enzyme sensors using an ion-sensitive field effect transistor | |
| Suzuki et al. | Development of a disposable miniature L-lysine sensor | |
| JPH03246460A (en) | Electrochemical detector |