SU1213781A1 - Apparatus for growing single-crystal sapphire bands - Google Patents
Apparatus for growing single-crystal sapphire bands Download PDFInfo
- Publication number
- SU1213781A1 SU1213781A1 SU843795519A SU3795519A SU1213781A1 SU 1213781 A1 SU1213781 A1 SU 1213781A1 SU 843795519 A SU843795519 A SU 843795519A SU 3795519 A SU3795519 A SU 3795519A SU 1213781 A1 SU1213781 A1 SU 1213781A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crucible
- molybdenum
- thickness
- bands
- layer
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
f1f1
Изобретение относитс к техноло- гии выращивани монокристалпических лент сапфира и может быть использовано в электронной, приборостроительной и оптической отрасл х промышленности .The invention relates to the technology of growing single-crystal sapphire ribbons and can be used in electronic, instrument-making and optical industries.
Целью изобретени вл етс повышение износостойкости элементов уст- ройства и увеличение выхода лент.The aim of the invention is to increase the wear resistance of the elements of the device and increase the output of the tapes.
На чертеже изображено предложенное устройство, общий вид.The drawing shows the proposed device, a General view.
Внешн поверхность молибденового тигл 1 имеет слой 2 вольфрама, вну ри тигл находитс формообразова- тель 3. Тигель 1 со слоем 2 вольфрама расположен на пьедестале 4 внутри графитового нагревател 5, внутренн поверхность которого имеет слой 6 карбида молибдена. Над тиглем 1 расположены экраны 7. На за- травкодержателе 8 закреплена затраика 9..The outer surface of the molybdenum crucible 1 has a layer 2 of tungsten, the core of the crucible is shaper 3. Crucible 1 with a layer of 2 tungsten is located on pedestal 4 inside the graphite heater 5, the inner surface of which has a layer 6 of molybdenum carbide. Screens 7 are located above crucible 1. Zarakha 9 is fixed on the holder 8.
Слой 6 карбида молибдена на внутреннюю , поверхность графитового нагр вател 5 нанос т следующим образом. Предварительно из молибденового листа толрщной, приблизительно равной необходимой тол1цине сло 6 карбида молибдена, выполн ют цилиндр, внешний диаметр которого равен внутреннему диаметру графитового нагревател 5. Этот цилиндр вставл ют внутрь графитового нагревател 5. Затем собирают устройство из графитового нагревател 5 с молибденовым цилиндром, пьедестала 4 и экранов 7. С помощью резистивного нагрева графитового нагревател 5 со вставленным в него цшшвдром поднимают темЬературу до 2.000 С и выдерживают в течение 0,5- ч. При этой температуре происходит интенсивна диффузи углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие его. с молибденом с образованием сло 6 . карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает а 10 до 10 атм, т.е. уменьшаетс на три пор дка . The layer 6 of molybdenum carbide on the inner surface of the graphite heater 5 is applied as follows. A cylinder with an outer diameter equal to the internal diameter of the graphite heater 5 is made from a molybdenum sheet, which is approximately equal to the required thickness of the layer 6 of molybdenum carbide. This cylinder is inserted inside the graphite heater 5. A graphite heater 5 device is assembled with a molybdenum cylinder, a pedestal 4 and screens 7. With the help of resistive heating of a graphite heater 5 with cshshvdrom inserted into it, the temperature is raised to 2.000 ° C and held for 0.5 hour. The temperature is intense diffusion of carbon into the molybdenum cylinder, the interaction of it. with molybdenum to form layer 6. molybdenum carbide. At this, the vapor pressure of carbon drops as low as 10 to 10 atm, i.e. reduced by three times.
Слой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигл нанос т при помощи плазменно-дуговой Горелки при 45000°С с использованиемThe layer 2 of tungsten on the outer surface of the molybdenum crucible is applied using a plasma-arc burner at 45000 ° C using
1one
toto
1515
2020
2525
37812.37812.
порошка вольфрама диаметром 20- 50 мкм. Вверху и внизу толщина стенки тигл 1 отличаетс на 2-3 мм за счет небольшой конусности, котора 5 облегчает извлечение незакристаллизовавшегос в ленту сапфира распла ва. tungsten powder with a diameter of 20-50 microns. At the top and bottom, the wall thickness of the crucibles 1 differs by 2-3 mm due to the small taper, which facilitates the extraction of uncrystallized sapphire into the melt ribbon.
Подготовленное устройство собирают . В тигель 1 помещают формооб- разователь 3 ниже уровн тигл . Пространство между стенками тигл и формообразователем заполн ют боем кристаллов А12Oj. Тигель со слоем 2 вольфрама помещают внутрь гра- фитбвого нагревател 5 со слоем 6 карбида молибдена и на пьедестал 4. Сверху над тиглем располагают экраны 7.The prepared device is collected. A mold 3 is placed below the crucible 1 in the crucible 1. The space between the walls of the crucible and the shaper is filled with a battle of A12Oj crystals. A crucible with a layer of 2 tungsten is placed inside a graphite heater 5 with a layer of 6 molybdenum carbide and on a pedestal 4. A screen 7 is placed above the crucible.
После сборки теплового узла камеру вакуумируют до давлени 2МО мм рт.ст. и с помощью резистивного графитового нагревател поднимают температуру до в течение 1 ч. Затем напускают инертный газ Аг и шаднимают температуру до 2100°С в течение 40 мин дл расплавлени крошки AljOj. Затравко-:- держатель 8 с затравкой 9 опускают до соприкосновени с поверхностью формообразовтел 3. В местах касани по вл етс пленка расплава. Ус- .танавливают скорость подъема затрав- кодержател 8 0,8 мм/мин и по углу paзpaJЩ вaни ленты подбирают необходимую температуру. Таким образом выт гивают группу из семи дент общей длиной 3500 мм, из которой 1505 мм вл ютс годной Частью.After assembling the thermal unit, the chamber is evacuated to a pressure of 2MO mm Hg. and using a resistive graphite heater, the temperature is raised to 1 hour. Then, inert gas Ar is injected and the temperature taken up to 2100 ° C for 40 minutes to melt the AljOj crumb. The seed -: - the holder 8 with the seed 9 is lowered until it touches the surface of the die 3. At the points of contact, a film of melt appears. Set the lifting speed of the feeder to 8 0.8 mm / min and select the required temperature by the angle of the span of the tape. In this way, a group of seven dent is drawn with a total length of 3500 mm, of which 1505 mm is a suitable Part.
В таблице приведены сравнительные данные износостойкости узлов устройства и выхода леНт.The table shows the comparative data of the wear resistance of the device assemblies and the output of the linac.
Как видно из таблицы, выход за « указанные пределы в сторону их уменьшени приводит к уменьшению стойкости элементов устройства.и уменьщеншо выхода годных лент (пример 4). Выход за пределы в сторону увеличени не приводит к ухудапению характеристик, однако это св зано с ненужными расходами материала (вольфрама) и увеличением расхода мощности на дополнительный нагрев сло карбида молибдена.As can be seen from the table, going beyond the specified limits in the direction of decreasing them leads to a decrease in the resistance of the elements of the device. Going beyond the limits of the increase does not lead to a better understanding of the characteristics; however, this is associated with unnecessary consumption of material (tungsten) and an increase in the power consumption for additional heating of the molybdenum carbide layer.
30thirty
3535
4040
4545
5050
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843795519A SU1213781A1 (en) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | Apparatus for growing single-crystal sapphire bands |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843795519A SU1213781A1 (en) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | Apparatus for growing single-crystal sapphire bands |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1213781A1 true SU1213781A1 (en) | 1991-04-23 |
Family
ID=21140323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU843795519A SU1213781A1 (en) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | Apparatus for growing single-crystal sapphire bands |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1213781A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2163943C2 (en) * | 1999-05-11 | 2001-03-10 | Институт минералогии и петрографии СО РАН | Method of crystallization process control and device for its embodiment |
| WO2017132711A1 (en) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Plansee Se | Crucible |
-
1984
- 1984-07-13 SU SU843795519A patent/SU1213781A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Е.Р. Добровинска , Л.А. Литвинов, В.В. Пищик. Проблемы ползгче- ни и новые области применени Про- филированного сапфира. - Извести АН СССР, сер. Физическа , № 9, т. 43, 1979, с. 1944-1946. А.П. Егоров, Д.М. Затуловский, Д.Я, Кравецкий, Б.В. Пельц, Е.А.Фрей- ман, П.М. Чайкин и И.Е. Бе езииа. Аппаратурное оформление процесса выращиваний профилированных кристаллов сапфира способом Степанова. - Извести АН СССР, сёр. Физическа , № 9, т. 43, 1979, с. 1947-1952. Hovak Й.Ё. at all. The production of EFI sapphire ribbon for heteroepo- taxial Silicon Substrates. - J. Crystal GrotTth, 1980, v. 50, p. 143- 150. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2163943C2 (en) * | 1999-05-11 | 2001-03-10 | Институт минералогии и петрографии СО РАН | Method of crystallization process control and device for its embodiment |
| WO2017132711A1 (en) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Plansee Se | Crucible |
| CN108884591A (en) * | 2016-02-05 | 2018-11-23 | 普兰西股份有限公司 | crucible |
| US10844518B2 (en) | 2016-02-05 | 2020-11-24 | Plansee Se | Crucible |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3953174A (en) | Apparatus for growing crystalline bodies from the melt | |
| US5009863A (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
| UA89491C2 (en) | SAPPHIRE single crystal AND METHOD for ITS producing | |
| KR20120013300A (en) | Quartz glass crucible for pulling silicon single crystal and manufacturing method of silicon single crystal | |
| JPS5631019A (en) | Apparatus for producing graphite fiber | |
| US5207992A (en) | Silicon single crystal pulling-up apparatus | |
| EP0798404B1 (en) | Apparatus for manufacturing single crystal of silicon | |
| SU1213781A1 (en) | Apparatus for growing single-crystal sapphire bands | |
| US2665320A (en) | Metal vaporizing crucible | |
| CN1055964A (en) | Make the equipment of silicon single-crystal | |
| US3224840A (en) | Methods and apparatus for producing crystalline materials | |
| KR900014644A (en) | Silicon single crystal manufacturing apparatus | |
| JPS59213697A (en) | Pulling device for single crystal semiconductor | |
| KR920003612B1 (en) | Silicon Single Crystal Pull-up Device | |
| US12467157B2 (en) | Enclosed crystal growth | |
| JPH06329493A (en) | Quartz crucible for pulling up silicon single crystal | |
| US5431124A (en) | Rutile single crystals and their growth processes | |
| EP0166500B1 (en) | An apparatus for manufacturing a compound-semiconductor single crystal by the liquid encapsulated czochraiski (lec) process | |
| CN218666392U (en) | Device for improving temperature of molten liquid at central part of crucible | |
| US20080127886A1 (en) | Heat Shield Member and Single Crystal Pulling Device | |
| JPH0597571A (en) | Crucible for pulling up silicon single crystal | |
| KR0134185B1 (en) | Sustained and sealed devices for dendritic web crystal growth | |
| US4663187A (en) | Scintillation crystal and method of making it | |
| KR950010802B1 (en) | Manufacturing Method of Electrolytic Magnesia | |
| US4125425A (en) | Method of manufacturing flat tapes of crystalline silicon from a silicon melt by drawing a seed crystal of silicon from the melt flowing down the faces of a knife shaped heated element |