SU1167674A1

SU1167674A1 - Case,particularly,for electronic devices

Info

Publication number: SU1167674A1
Application number: SU803216459A
Authority: SU
Inventors: Олег Богданович Домбровский
Original assignee: Dombrovskij Oleg B
Priority date: 1980-12-15
Filing date: 1980-12-15
Publication date: 1985-07-15

Abstract

1. КОРПУС ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ , содержащий основание, крышку с фланцем и прокладку, выполненную из материала с деформационной пам тью, отличающийс тем, что, с целью повышени надежности герметизации во всем температурном диапазоне работы прибора, корпус снабжен дополнительными герметизирующей прокладкой и прокладками, выполненными из материала с деформационной пам тью, а основание выполнено с кольцевым пазом дл размещени фланца крышки и буртиком , причем герметизирунрща прокладка расположена на фланце крышки корпуса, а дополнительные прокладки из материала с деформационной пам тью установлены на буртике основани , при этом часть поверхности прокладки, выполненной из материала с деформационной пам тью и расположенной на фланце крышки, прилежаща к поверхности герметизирующей прокладки, выполнена под углом к оси корпуса. (Л 15 а Од 4ib1. BODY FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, comprising a base, a lid with a flange and a gasket made of a material with a deformation memory, characterized in that, in order to increase the reliability of the sealing over the entire temperature range of the instrument, the housing is equipped with an additional sealing gasket and gaskets, made of a material with a deformation memory, and the base is made with an annular groove to accommodate the flange of the cover and the collar, and the sealing gasket is located on the fl The body cover is attached, and additional gaskets made of material with a deformation memory are installed on the base collar, while part of the gasket surface made of material with a deformation memory and located on the flange of the cover, adjacent to the surface of the sealing gasket, is angled to the axis of the body. (L 15 and Od 4ib

Description

2.Корпус по п. 1, отличающийс тем, что поверхность герметизирующей прокладки , установленной на фланце крышки, прилежаща к поверхности прокладки из материала с деформационной пам тью, выполнена с выступом.2. A body according to claim 1, characterized in that the surface of the sealing gasket installed on the flange of the cover, adjacent to the surface of the gasket made of a material with a deformation memory, is made with a protrusion.

3.Корпус по п. 1, отличающийс тем, что в прокладке из материала с деформационной пам тью, установленной на фланце крыщки, выполнены пазы, а на ее наружной образующей поверхности выполнены выборки.3. The body according to claim 1, characterized in that the gasket is made of a material with a deformation memory mounted on the flange of the lid and grooves are made, and samples are made on its outer forming surface.

4.Корпус по п. 1, отличающийс тем, что одна из прокладок, установленных на буртике основани , выполнена из материала с деформационной пам тью при отрицательных температурах, а друга прокладка, установленна на буртике основани , и прокладка , расположенна на фланце крыщки , выполнены из материала с деформационной пам тью при положительных температурах .4. The body according to claim 1, characterized in that one of the gaskets installed on the base collar is made of material with a deformation memory at negative temperatures, and the other gasket mounted on the base collar, and the gasket located on the flange of the lid is made from material with deformation memory at positive temperatures.

5.Корпус по п. 1, отличающийс тем, что герметизирующа прокладка выполнена из стали.5. A housing according to claim 1, characterized in that the sealing gasket is made of steel.

Изобретение относитс к электротехнике, в частности к конструкции полупроводниковых приборов, и может найти щирокое применение в электротехнической и электронной промыщленност х.The invention relates to electrical engineering, in particular, to the construction of semiconductor devices, and can find wide applications in the electrical and electronic industries.

Цель изобретени - повыщение надежности герметизации во всем температурном диапазоне работы прибора.The purpose of the invention is to increase the reliability of sealing over the entire temperature range of the instrument.

На фиг. 1 изображен корпус полупроводникового прибора по первому варианту; на фиг. 2 - то же, по второму варианту; на фиг. 3 - то же, по третьему варианту; на фиг. 4 - конструкци верхнего кольца первого и третьего вариантов; на фиг. 5 - конструкци нижнего кольца первого варианта; на фиг. 6 - узел I на фиг., 2 верхнего и нижнего колец второго варианта; на фиг. 7 - одна из деталей термоизол тора , частичное изображение.FIG. 1 shows the body of a semiconductor device in the first embodiment; in fig. 2 - the same, according to the second option; in fig. 3 - the same, according to the third option; in fig. 4 shows the structure of the upper ring of the first and third variants; in fig. 5 shows the structure of the lower ring of the first embodiment; in fig. 6 - node I in Fig., 2 upper and lower rings of the second variant; in fig. 7 - one of the parts of thermal insulation, a partial image.

Корпус полупроводникового прибора по первому варианту содержит основание, которое вл етс электродом 1. Электрод 1 выполнен, например, из меди и содержит резьбовой штырь 2. Корпус также содержит крышку 3 со стеклоизол тором, в который впа на трубка 4 и кольцеобразный держатель 5, последний состоит из набора прокладок 6, 7, 8 и 9. На крышке 3 со стороны ее сопр жени с электродом 1 выполнен вспомогательный фиксирующий элемент креплени в виде фланца с перет жкой 10. В основании (электроде 1) выполнен кольцевой паз 11, шириной равной разности наибольщего наружного и наименьшего внутреннего диаметров перет жки 10. Кольцевой паз 11 с одной стороны (наружной ) ограничен кольцевым буртиком 12, а с внутренней - возвышающейс - площадкой 13, на которой размещаетс полупроводникова структура 14 с выводом 15, проход щим через трубку 4 крышки 3.The body of the semiconductor device in the first embodiment contains a base, which is an electrode 1. Electrode 1 is made, for example, of copper and contains a threaded pin 2. The body also contains a cover 3 with a glass insulator, into which is a tube 4 and an annular holder 5, the latter consists of a set of gaskets 6, 7, 8 and 9. On the cover 3, on the side of its interface with electrode 1, there is an auxiliary locking fastening element in the form of a flange with an overlap 10. At the base (electrode 1) there is an annular groove 11, the width equal to the difference naib The outer and smallest internal diameters of the overlap 10. The annular groove 11 on one side (outer) is bounded by an annular collar 12, and on the inner side, a raised platform 13, on which the semiconductor structure 14 is located with a terminal 15 passing through the tube 4 of the cap 3 .

На наименьщий наружный диаметр перет жки 10 крышки 3 насажена прокладка 7, а на наибольший внутренний диаметр перет жки крышки 3 - прокладка 8, котора совместно с перет жкой 10 располагаютс в кольцевом пазу 11 электрода 1.A gasket 7 is seated on the smallest outer diameter of the overhang 10 of the cover 3, and a gasket 8 which, together with the rest of the 10, are located in the annular groove 11 of the electrode 1, is mounted on the largest inner diameter of the overhang of the cover 3.

Прокладка 9 кольцеобразного держател 5 имеет кольцевую проточку 16, насажена на кольцевой буртик 12 электрода 1 через термоизол тор 17, состо щий из двух деталей в виде цилиндров 18 и 19, имеющих реборду 20. При насадке прокладки 9 через термоизол тор 17 на упом нутый кольцевой буртик 12 обрзуетс кольцева полость, в которой находитс прокладка 6, насаженна на тот же кольцевой буртик 12, т. е. прокладка 6 находитс в кольцевом пазу 16 прокладки 9 и отделена от него термоизол тором 17 (его деталью - цилиндром 18). Термоизол тор 17 также отдел ет прокладку 9 и от электрода 1 своим цилиидром 19. Стенки цилиндров 18 и 19 термоизол тора 17, обрамл ющие соответственно наружный диаметр кольцевого буртика 12 и наружный диаметр прокладки 6, разрезаны по окружности на сегменты, 21, 22, которые имеют возможность упруго деформироватьс в радиальном направлении к центру корпуса в момент редукции размеров при пониженной температуре прокладки 9. Прокладка 6, наход сь в кольцевом пазу 16 (в образовавщейс кольцевой полости) прокладки 9, удерживаетс им также в момент редукции его размеров при пониженной температуре .The gasket 9 of the ring-shaped holder 5 has an annular groove 16, mounted on the annular flange 12 of the electrode 1 through a thermal insulator 17, consisting of two parts in the form of cylinders 18 and 19, having a flange 20. With the gasket 9 attached through the thermal insulator 17 to the said annular the flange 12 is surrounded by an annular cavity in which the gasket 6 is mounted on the same annular flange 12, i.e. the gasket 6 is in the annular groove 16 of the gasket 9 and is separated from it by thermal insulator 17 (its part is a cylinder 18). The thermal insulator 17 also separates the gasket 9 and from the electrode 1 with its cilidrome 19. The walls of the cylinders 18 and 19 of the thermal insulator 17, framing, respectively, the outer diameter of the annular shoulder 12 and the outer diameter of the gasket 6, are cut around the circumference into segments, 21, 22, which have the ability to elastically deform radially to the center of the body at the time of dimensional reduction at a reduced temperature of the gasket 9. The gasket 6, being in the annular groove 16 (in the resulting annular cavity) of the gasket 9, is also retained by it at the moment of ktsii its dimensions at a reduced temperature.

На горизонтальных кольцевых поверхност х (поверхност х перпендикул рных к образующей) прокладок 7 и 8 выполнены пазы 23, между которыми на внутреннем диаметре прокладки 7 и на наружном и на внутреннем диаметрах прокладки 8 выполнены выборки 24. Пазы 23 выполнены на горизонтальных кольцевых поверхност х по радиусу; например по длине менее одной четвертой окружности. Пазы 23 служат дл разгрузки (предотвращени увеличени размера ) во врем деформации и термообработки в прокладке 7 его наружного диаметра . Прокладки 6, 7 и 8 выполнены из материала , обладающего деформационной пам тью при положительных температурах (от О до -|-130°С), например из титаноникелевого сплава. Прокладки 9 выполнены из того же материала, обладающего деформационной пам тью при отрицательных температурах (от О до -60°С). Прокладки 6, 7 8 и 9 изготавливают по известной технологии .Grooves 23 are made on horizontal annular surfaces (surfaces perpendicular to the generator) of gaskets 7 and 8, between which samples 24 are made on the inner diameter of the gasket 7 and on the outer and on the inner diameters of the gasket 8. Grooves 23 are made on horizontal annular surfaces radius; for example, a length of less than one quarter of a circle. The grooves 23 serve to unload (prevent size increase) during deformation and heat treatment in the gasket 7 of its outer diameter. Gaskets 6, 7, and 8 are made of a material that has a deformation memory at positive temperatures (from O to –– -130 ° C), for example, from a titanium-nickel alloy. The gaskets 9 are made of the same material, which has a deformation memory at low temperatures (from 0 to -60 ° C). Gaskets 6, 7, 8 and 9 are made by known technology.

Конструкци корпуса полупроводникового прибора по второму варианту, изображенна на фиг. 2, отличаетс от конструкции корпуса прибора, изображенной на фиг. 1, тем, что на крыщке 25 со стороны ее сопр жени с электродом 1 выполнен вспомогательный фиксирующий элемент креплени в виде L-образного фланца 26. На наружный диаметр крыщки 25 насаживаютс прокладки 27 и 28, которые совместно с фланцем 26 располагаютс в кольцевом пазу 11 электрода 1. Прокладка 27, имеюща пазы и углублени на внутреннем диаметре, выполнена с наклонной плоскостью 29, угол наклона которой увеличиваетс к центру корпуса. Наклонна плоскость 29 прокладки 27 опираетс и взаимодействует со сферической поверхностью 30 прокладки 28, лежащей на фланце 26 крыщки 25. Прокладка 27, расположенна в кольцевом пазу 11 электрода 1, выполнена из того же материала, что и прокладка 6, насаженна на кольцевой буртик 12, а именно, из материала, обладающего деформационной «пам тью при положительных температурах. Прокладка 28, расположенна в том же пазу 11 электрода 1, лежаща на фланце 26 крыщки 25, выполнена из стали.The design of the semiconductor device case according to the second embodiment shown in FIG. 2 differs from the design of the instrument housing shown in FIG. 1 by the fact that on the lid 25, on the side of its interface with the electrode 1, there is an auxiliary fixing element of the mount in the form of an L-shaped flange 26. Gaskets 27 and 28 are mounted on the outer diameter of the lid 25, which, together with the flange 26, are located in the annular groove 11 electrode 1. The gasket 27, having grooves and grooves on the inner diameter, is made with an inclined plane 29, the angle of which increases toward the center of the housing. The inclined plane 29 of the gasket 27 rests and interacts with the spherical surface 30 of the gasket 28 lying on the flange 26 of the lid 25. The gasket 27, located in the annular groove 11 of the electrode 1, is made of the same material as the gasket 6, mounted on the annular shoulder 12, namely, from a material with a deformation memory at positive temperatures. The gasket 28, located in the same groove 11 of the electrode 1, lying on the flange 26 of the lid 25, is made of steel.

Преимущественной особенностью конструкции корпуса прибора второго варианта по сравнению с конструкцией корпуса прибора первого варианта заключаетс в том, что она дает возможность надежно герметизировать корпус прибора, в котором крыщка выполнена с фланцем, использу при этом радиальное перемещение верхнего кольца, насаженного на крышку и расположенного в кольцевой канавке электрода.An advantageous design feature of the instrument housing of the second variant as compared with the housing design of the instrument of the first embodiment is that it provides an opportunity to reliably seal the instrument housing, in which the lid is made with a flange, using the radial movement of the upper ring mounted on the lid and located in the annular electrode groove.

Конструкци корпуса полупроводникового прибора по третьему варианту, изображенна на .фиг. 3, отличаетс от конструкций корпусов первого и второго вариантов тем, что на крыщке 31 со стороны ее сопр жени с электродом отсутствуют вспомогательные фиксирующие элементы креплени . На наружный диаметр крыщки 31 так же насажены прокладки 32 и 33 кольцеобразного держател 5, которые так же расположены в кольцевом пазу 11 электрода 1. Прокладка 32, расположенна в кольцевом пазу 11 электрода 1, по форме и конструкции така же, как и прокладка 7, и изготовлена из материала, обладающего деформационной пам тью, например из титаноникелевого сплава. Прокладка 33, лежаща на дне кольцевого паза 11 электрода 1, выполнена разрезной из пружинной стали и на наружном своем диаметре имеет за , остренные кромки 34, взаимодействующие с металлом основани кольцевого буртика 12 электрода 1, начина с момента сборки корпуса. В кольцевом пазу Il электрода 1 выполнен дополнительный кольцевой паз 35, в котором находитс торец крыщки 31, т. е.The design of the semiconductor device case according to the third option, shown in .fig. 3 differs from the structures of the first and second variants in that on the lid 31, from the side of its interface with the electrode, there are no auxiliary fixing elements of fastening. The outer diameter of the lid 31 is also fitted with gaskets 32 and 33 of the ring-shaped holder 5, which are also located in the annular groove 11 of electrode 1. The gasket 32, located in the annular groove 11 of electrode 1, is the same in shape and design as the gasket 7, and is made of a material with a deformation memory, for example of a titan-nickel alloy. The gasket 33, which lies at the bottom of the annular groove 11 of the electrode 1, is made of spring steel and has a sharp edge 34 that interacts with the base metal of the annular flange 12 of the electrode 1, starting from the moment the housing is assembled. In the annular groove Il of the electrode 1, an additional annular groove 35 is made, in which the end face of the cover 31 is located, i.e.

0 дополнительный кольцевой паз 35 служит дл прохода торца крыщки в момент сборки корпуса прибора.0, an additional annular groove 35 serves to pass the end of the lid at the time of assembly of the device body.

Преимущественной особенностью конструкции корпуса прибора третьего варианта по сравнению с конструкци ми корпусов The advantageous design feature of the instrument case of the third variant as compared with the case structures

5 приборов по первому и второму вариантам заключаетс в том, что она дает возможность предварительно осуществить сборку крышки с электродом, а затем осуществить конечную герметизацию (самогерметиза0 цию) корпуса прибора (перфорированной прокладкой и прокладкой, расположенной на наружном диаметре кольцевого буртика электрода) при определенной температуре.5 devices according to the first and second options is that it allows you to pre-assemble the cover with an electrode, and then carry out the final sealing (self-sealing) of the device case (perforated gasket and gasket located on the outer diameter of the annular collar of the electrode) at a certain temperature .

Сборку корпуса полупроводникового прибора по первому варианту (фиг. 1) осуществл ют следующим образом.The assembly of the semiconductor device case according to the first embodiment (Fig. 1) is carried out as follows.

На площадку 13 электрода 1 креп т полупроводниковую структуру 14 с выводом 15. Затем в кольцевой паз 11 электрода Ь помещают охлажденное до температуры близ0 кой к температуре жидкого азота нижнюю перфорированную прокладку 8 кольцеобразного держател 5. После этого крыщку 3 перет жкой 10 помещают в кольцевой паз 11 электрода 1, в образовавшийс кольцевой зазор между наружным диаметром прокладки 8 и внутренней стенкой буртика 12, ограничивающего кольцевой паз 11. При установке крышки 3 в кольцевой паз 11 электрода 1 вывод 15 полупроводниковой структуры 14 проходит через трубку 4, впа ннуюAt site 13 of electrode 1, a semiconductor structure 14 with pin 15 is attached. Then, in the annular groove 11 of electrode b, the lower perforated gasket 8 of annular holder 5, cooled to a temperature close to liquid nitrogen temperature, is placed. After that, the lid 3 with an overlap 10 is placed in an annular groove 11 of the electrode 1, into the annular gap formed between the outer diameter of the gasket 8 and the inner wall of the flange 12, which bounds the annular groove 11. When installing the cover 3 in the annular groove 11 of the electrode 1, terminal 15 of the semiconductor structure ry 14 passes through the tube 4, VPA nnuyu

0 в стеклоизол тор крыщки 3, а прокладка 8 своим наружным диаметром насаживаетс на наибольщий внутренний диаметр перет жки 10. Затем на наименьший наружный диаметр перет жки 10 крыщки 3 насаживают охлажденную до температуры близкой к0 into the glass insulator of the lid 3, and the gasket 8 with its outer diameter fits onto the largest inner diameter of the overhang 10. Then, at the smallest outer diameter of the overhang 10 of the lid 3, they are inserted cooled to a temperature close to

5 температуре жидкого азота прокладку 7, одновременно устанавлива ее в кольцевой паз 11 электрода 1. Затем на наружный диаметр кольцевого буртика 12 насаживают вместе с термоизол тором 17 прокладку 9, нагретую до температуры выше нормальной. После чего прокладку 6, охлажденную до температуры близкой к температуре жидкого азота, также насаживают на наружный диаметр кольцевого буртика 12, который располагаетс в кольцевой проточке 16 кольца 9.5, a gasket 7 is installed at the same time as the temperature of the liquid nitrogen, while it is installed in the annular groove 11 of the electrode 1. Then, the gasket 9 heated to a temperature higher than normal is placed on the outer diameter of the annular flange 12. Then, the gasket 6, cooled to a temperature close to the temperature of liquid nitrogen, is also placed on the outer diameter of the annular shoulder 12, which is located in the annular groove 16 of the ring 9.

5 После установки охлажденных прокладок 6, 7 и 8 кольцеобразного держател 5 в соответствующие посадочные места они нагре , ваютс до температуры окружающей среды выше 0°С (до комнатной температуры) и увеличиваютс в объеме, восстанавливают свои размеры до термообработки холодом, обжима тем самым соответствующий диаметр элемента с усилием, равным 680- 700 кгс/см. При нагревании указанных прокладок до температуры окружающей среды (+25°С и выше) в прокладке 8 увеличиваетс наружный и внутренний диаметры, один из которых - наружный - действует на наибольший внутренний диаметр перет жки 10 крышки 3, прижима ее наибольший наружный диаметр к внутренней стенке буртика 12 у основани , а внутренний - обжимает наружный диаметр выступающей площадки 13. В прокладке 7 увеличиваетс одновременно его внутренний диаметр, действующий на наименьший диаметр перет жки 10 крыщки 3, прижима ее наименьший внутренний диаметр (перет жки) к наружному диаметру той же возвышающейс площадки 13. Одновременно уменьшаетс и диаметр прокладки 6, котора обжимает наружный диаметр кольцевого буртика 12. В результате чего кольцевой буртик прижимаетс к наибольшему наружному диаметру перет жки 10 крышки 3, а верхней частью к наружному диаметру прокладки 7, расположенной в кольцевом пазу 11 электрода 1. Прокладки 7 и 8, расположенные в кольцевом пазу 11 электрода 1, действуют на соответствующие посадочные диаметры перет жки 10 крыщки 3 во взаимно противоположных направлени х, а прокладка 6, обжима верхнюю часть буртика 12, не дает ему возможности деформироватьс в сторону от центра корпуса при действии на него усилий прокладок 7 и 8. Таким образом, обеспечиваетс надежна герметизаци (самогерметизаци ) крышки 3 с электродом 1. Надежна герметизаци корпуса прибора обеспечиваетс и тогдё, когда прибор находитс в рабочем режиме, т. е. когда прибор работает в электронной схеме и его рабоча температура - 125±130°С. После герметизации крышки 3 с электродом производ т сборку и герметизацию вывода известным способом, . например пайкой . В случае если полупроводниковый прибор используетс в различном технологическом оборудовании и вместе с ним находитс на хранении или во врем транспортировки при температуре окружающей среды ниже нормальной (до -60°С), то герметизаци корпуса также обеспечиваетс за счет прокладки 9, насаженной через термоизол тор 17 на наружный диаметр кольцевого буртика 12. При температуре ниже нормальной прокладка 9 уменьшаетс в диаметре, обжима тем самым через упруго деформирующийс термоизол тор 17 наружный диаметр кольцевого буртика 12, в результате чего кольцевой буртик также упруго деформируетс и с необходимым усилием герметизации г рижимаетс к наибольшему наружному диаметру перет жки 10 и к наружному диаметру прокладки 7. Во врем герметизации корпуса при температуре ниже нормальной прокладка 9 через сегменты 22 термоцилиндра 18 термоизол тора 17 удерживает прокладку 6 от смещени . Разборку корпуса (разгерметизацию) в случае обнаружени брака по электрическим параметрам полупроводнковой структуры прибора осуществл ют следующим образом . Отпаивают эелементы вывода. Монтажным инструментом охлаждают, например, до температуры близкой температуре жидкого азота прокладку 6. При указанной температуре прокладка уменьшаетс в объеме, после чего ее демонтируют. Затем демонтируют вместе с термоизол тором 17 прокладку 9. После чего корпус прибора охлаждают до такой же температуры как и прокладку 6. При этом прокладки 7 и 8 уменьшаютс в объеме, т. е. уменьщаютс их соответствующие сопр гаемые диаметры, и крышку 3 совместно с прокладкой 7 извлекают из кольцевого паза 11 электрода 1. После чего извлекают из кольцевого паза 11 кольцо 8. Отпаивают полупроводниковую структуру 14 от площадки 13 электрода 1. Затем элементы корпуса проход т соответствующую обработку-очистку с возможностью их повторного применени . Сборку корпуса полупроводникового прибора по второму варианту, изображенному на фиг. 2, осуществл ют аналогично сборке корпуса по первому варианту, за исключением того, что в кольцевой паз 11 электрода 1 помещают фланец 26 крыщкн 25с ранее расположенной на фланце 26 прокладкой 28. После чего на наружный диаметр крышки 25 насаживают прокладку 27 с пазами и выборками на внутреннем диаметре , одновременно устанавлива ее в кольцевой паз 11 электрода 1 . При нагревании до температуры окружающей среды в прокладке 27 увеличиваетс ее внутренний диаметр, который действу на наружный диаметр крышки 25 прижимает ее внутренний диаметр к наружному диаметру возвышающейс площадки 13. Одновременно при увеличении внутреннего диаметра прокладки 27 наклонна плоскость 29 так же перемещаетс к центру корпуса и действует на сферическую поверхность 30 прокладки 28, прижима его совместно с фланцем 26к основанию кольцевого паза 11 электрода 1. Одновременно также уменьшаетс н диаметр прокладки 6, котора обжимает верхнюю часть наружного диаметра кольцевого буртика 12, в результате чего кольцевой буртик 12 прижимаетс к наружному диаметру прокладки 28 и к наружному диаметру прокладки 27. Таким образом, герметизаци крышки 25 с основанием 1 осуществл етс прокладкой 6 в радиальном направлении , а прокладкой 27 в радиальном и осевом направлени х через прокладку 28, установленную на фланце 26 крышки 25.5 After installing the cooled pads 6, 7 and 8 of the ring-shaped holder 5 into the corresponding seats, they heat up to ambient temperature above 0 ° C (to room temperature) and increase in volume, restore their size to cold heat treatment, thereby crimping the corresponding the diameter of the element with a force equal to 680-700 kgf / cm. When these gaskets are heated to ambient temperature (+ 25 ° C and higher) in the gasket 8, the outer and inner diameters increase, one of which, the outer one, acts on the largest inner diameter of the overhang 10 of the cover 3, pressing its largest outer diameter to the inner wall collar 12 at the base, and the inner one compresses the outer diameter of the protruding platform 13. In the gasket 7, its inner diameter increases simultaneously, acting on the smallest diameter of the overhang 10 of the lid 3, pressing it in the smallest inner diameter aperture (overlapping) to the outer diameter of the same elevated platform 13. At the same time, the diameter of the gasket 6 decreases, which compresses the outer diameter of the annular flange 12. As a result, the annular shoulder presses against the largest outer diameter of the overhang 10 of the cover 3, and its upper part toward the outer the diameter of the gasket 7, located in the annular groove 11 of the electrode 1. The gaskets 7 and 8, located in the annular groove 11 of the electrode 1, act on the corresponding landing diameters of the wiring 10 of the lid 3 in opposite directions and x, and the gasket 6, crimping the upper part of the collar 12, does not allow it to deform away from the center of the body when the forces of the gaskets 7 and 8 act upon it. Thus, reliable sealing (self-sealing) of the cover 3 with electrode 1 is ensured. Reliable sealing the device case is provided even when the device is in operation, i.e. when the device is operated in an electronic circuit and its operating temperature is 125 ± 130 ° C. After sealing the cover 3 with the electrode, the output is assembled and sealed in a known manner,. for example soldering. If the semiconductor device is used in various technological equipment and is stored with it during storage or during transportation at an ambient temperature below normal (down to -60 ° C), the body is also sealed by a gasket 9 mounted through thermal insulator 17 on the outer diameter of the annular flange 12. When the temperature is below normal, the gasket 9 decreases in diameter, thereby crimping through an elastically deforming thermal insulator 17, the outer diameter of the annular flange 12, in In this case, the annular flange is also elastically deformed and, with the necessary sealing force, is pressed to the largest outer diameter of the overhang 10 and to the outer diameter of the gasket 7. During the sealing of the case at a temperature below the normal gasket 9 through the thermal insulator 18 of the thermal cylinder 18, the gasket 6 from displacement. The case disassembly (depressurization) in the event of a defect in the electrical parameters of the semiconductor structure of the device is carried out as follows. Solder the output elements. The installation tool is cooled, for example, to a gasket 6 close to the temperature of liquid nitrogen. At this temperature, the gasket decreases in volume, after which it is dismantled. Then, the gasket 9 is removed together with the thermal insulator 17. After that, the instrument body is cooled to the same temperature as the gasket 6. In this case, the gaskets 7 and 8 are reduced in volume, i.e. their respective matching diameters and the cover 3 together with gasket 7 is removed from the annular groove 11 of electrode 1. Then the ring 8 is removed from the annular groove 11. Solder the semiconductor structure 14 from electrode 13 of the electrode 1. Then the body elements undergo the appropriate treatment-cleaning with the possibility of their reapplication . The assembly of the semiconductor device case according to the second embodiment shown in FIG. 2, is carried out similarly to the housing assembly in the first embodiment, except that a flange 26 of a pad 28 previously located on the flange 26 is placed in the annular groove 11 of the electrode 1. Then the pad 27 is grooved and grooved into the outer diameter of the cover 25 the inner diameter, while installing it in the annular groove 11 of the electrode 1. When heated to ambient temperature in the gasket 27, its inner diameter increases, which, acting on the outer diameter of the cover 25, presses its inner diameter to the outer diameter of the elevating platform 13. At the same time, as the inner diameter of the gasket 27 increases, the inclined plane 29 also moves to the center of the body and acts on the spherical surface 30 of the gasket 28, pressing it together with the flange 26k to the base of the annular groove 11 of the electrode 1. At the same time, the diameter of the gasket 6 is also reduced, which presses the upper part of the outer diameter of the annular flange 12, as a result of which the annular flange 12 presses against the outer diameter of the gasket 28 and to the outer diameter of the gasket 27. Thus, the sealing of the cover 25 with the base 1 is performed by the gasket 6 in the radial direction and the gasket 27 in the radial direction and axial directions through the gasket 28 mounted on the flange 26 of the cover 25.

После герметизации крышки 25 с электродом 1 производ т герметизацию вывода прибора аналогично первому варианту.After sealing the cover 25 with the electrode 1, the output of the device is sealed in a manner similar to the first embodiment.

Разборку корпуса и подготовку годных элементов дл повторного применени осуществл ют аналогично первому варианту. Сборку элементов корпуса полупроводникового прибора по третьему варианту, изображенному на фиг. 3, осуществл ют аналогично первому варианту за исключением того, что вначале в кольцевой паз И электрода 1 помеща1рт нижнюю прокладку 33 из пружиной стали. После чего в кольцевой паз II помещают крышку 31, предварительно установив ее торцом на прокладку 33. Затем , прилага осевое усилие к крыщке 31, ее торец взаимодействует с прокладкой 33, разжима ее, и крышка перемещаетс вниз в дополнительную кольцевую канавку 35. При разжатии прокладки 33 ее заостренные кромки 34 взаимодействуют у основани с внутренней кольцевой поверхностью буртика 12, предварительно удержива крышку 31 в кольцевом пазу 11. Затем на наружный диаметр крыщки 31 насаживают охлажденную прокладку 32, одновременно устанавлива The disassembly of the casing and the preparation of suitable elements for reuse are carried out similarly to the first embodiment. The assembly of the semiconductor device case elements according to the third embodiment shown in FIG. 3 is carried out in a manner similar to the first embodiment, except that a bottom gasket 33 of steel spring is placed first in the annular groove AND of the electrode 1. Then, a cover 31 is placed in the annular groove II, having previously installed it on the gasket 33. Then, applying an axial force to the lid 31, its end interacts with the gasket 33, expanding it, and the cover moves downwards into the additional annular groove 35. When the gasket expands 33, its pointed edges 34 interact at the base with the inner annular surface of the collar 12, previously holding the lid 31 in the annular groove 11. Then put a cooled gasket 32 onto the outer diameter of the lid 31, simultaneously setting

ее в кольцевой паз 11 электрода 1, а прокладку 6 и прокладку 9 с термоизол тором 17 насаживают на наружный диаметр кольцевого буртика 12, как описано в первом варианте .it in the annular groove 11 of the electrode 1, and the gasket 6 and the gasket 9 with thermal insulator 17 are mounted on the outer diameter of the annular collar 12, as described in the first embodiment.

Установленные прокладки 6 и 32, нагрева сь до температуры окружающей среды, герметизируют крышку 31 с электродом 1 аналогично первому варианту. После герметизации крышки 31 с электродом 1 произ0 вод т герметизацию вывода прибора.The installed gaskets 6 and 32, heated to ambient temperature, seal the cover 31 with the electrode 1 in a manner similar to the first embodiment. After sealing the cover 31 with the electrode 1, the output of the device is sealed.

Разборку корпуса прибора по третьему варианту осуществл ют так же как описано в первом варианте, но дл извлечени крышки 31 из кольцевого паза 11 электрода 1 к ней прикладывают осевое усилие, The disassembly of the instrument case according to the third variant is carried out in the same manner as described in the first embodiment, but an axial force is applied to the cover 31 from the annular groove 11 of the electrode 1,

5 обратное по направлению тому, которое было приложено при герметизации. При этом прокладка 33 сжимаетс , ее острые кромки перестают взаимодействовать с внутренней стенкой кольцевого буртика 12 и после чего ее извлекают из кольцевого паза 11.5 reverse in the direction that was applied during sealing. In this case, the gasket 33 is compressed, its sharp edges no longer interact with the inner wall of the annular shoulder 12 and after that it is removed from the annular groove 11.

00

Подготовку годных элементов корпуса полупроводникового прибора дл повторного применени осуществл ют так же. Как описано в первом варианте.The preparation of suitable semiconductor device housing elements for reuse is also carried out. As described in the first embodiment.

Корпуса полупроводникового прибора, изготовленные по первому, второму и третьему вариантам, выполн ют одни и те же функции и служат одной и той же цели.The semiconductor housing made according to the first, second, and third variants perform the same functions and serve the same purpose.

ФигЛFy

Фиг. 5FIG. five

2525

Ю 20/ 27 / U 20/27 /

Claims

1. CASE PRIMARY FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, comprising a base, a cover with a flange and a gasket made of a material with deformation memory, characterized in that, in order to increase the reliability of sealing in the entire temperature range of the device, the housing is equipped with additional sealing gasket and gaskets made of a material with a deformation memory, and the base is made with an annular groove for accommodating the flange of the lid and shoulder, and the sealing gasket is located on the flange housing legs, and additional gaskets made of material with deformation memory are mounted on the shoulder of the base, while part of the surface of the gasket made of material with deformation memory and located on the flange of the cover adjacent to the surface of the sealing gasket is made at an angle to the axis of the body. R

FIG. 1

2. Case in accordance with π. 1, characterized in that the surface of the sealing gasket mounted on the flange of the cover adjacent to the surface of the gasket of a material with a deformation memory is made with a protrusion.

3. The housing according to π. 1, characterized in that in the gasket of a material with a deformation memory mounted on the flange of the cover, grooves are made, and samples are made on its outer forming surface.

4. Case in accordance with π. 1, characterized in that one of the gaskets installed on the shoulder of the base is made of material with deformation memory at negative temperatures, and the other gasket installed on the shoulder of the base and the gasket located on the flange of the cover are made of material with deformation memory at positive temperatures.

5. Case in accordance with π. 1, characterized in that the sealing gasket is made of steel.