SU1019019A1 - Composition for selectivly etching neodimium monoaluminate film from aluminium - Google Patents
Composition for selectivly etching neodimium monoaluminate film from aluminium Download PDFInfo
- Publication number
- SU1019019A1 SU1019019A1 SU813278240A SU3278240A SU1019019A1 SU 1019019 A1 SU1019019 A1 SU 1019019A1 SU 813278240 A SU813278240 A SU 813278240A SU 3278240 A SU3278240 A SU 3278240A SU 1019019 A1 SU1019019 A1 SU 1019019A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- etching
- composition
- film
- monoaluminate
- neodimium
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 title 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 5
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
О QP Изобретение относитс к химическому травлению металлов и может быть использовано в микроэлектронике дл получени конфигурации пассивной части тонкопленочных больших гибридных интегральных схем. Моноалюминат неодима примен етс в качестве диэлектрика в тонкопленочных конденсаторах и многослойных тонкопленочных коммутационных платах. Конфигурацию пленок моноалюмината неодима получают методом фотолитографии | химического травлени . При этом необходимо , чтобы состав дл травлени пленон моноалюмината неодима не воздействовал} на пленки аломини , используемые в ка честве нижних обкладок конденсаторов и токоведущих слоев коммутационных плат. Кроме того. Этот состав должен обеспечивать равномерный край и высокую скорость травлени пленок моноалю мината неодима. Известен раствор 1, примен емый дл травлени пленок окиси алюмини следующего состава, г/л: ХромЪвый ангидрид 60-lAO Фосфорна кислота АО-300 Однако при травлении пленок моноалюмината неодима в данном растворе интенсивно травитс агвоминий, лежащий под пленкой мрноалюмината неодима.Кроме того, происходит значительное боко вое подтравливание и нарушаетс равномерность кра рисунка схемы. Наиболее близким по технической : сущности к предлагаемому составу вл етс состав 2j дл травлени пленки окислов с алюкСиниевой подложки, содер жащий фосфорную, уксусную, азотную кислоты в качестве окислител и воду, мл: Фосфорна кислота 7бО Уксусна кислота 150 Азотна кислота 30 Вода50 Известный состав предназначен дл одновременного травлени .пористых пле нок окиси алюмини и алюмини . скорость травлени алюмини составл ет 0,26-0,3 мкм/мин, а окиси алюмини - 0,5-0,6 мкм/мин, т.е. состав не вл етс избирательным по отношению к металлическим пленкам алюмини . Скорость травлени пленок . алюмини всего в два раза ниже скорости травлени пленки окиси алюмини , лежащей на пленках алюмини . Целью, изобретени вл етс снижение скорости травлени алюминиевой подложки и бокового подтравливани . Поставленна цель достигаетс тем, что состав д Я избирательного травлени пленки моноалюмината неодима с аломини , содет кащий фосфорную кислоту yjKcycHyto кислоту и окислитель, д ополнительно содержит крахмал, а в качестве окислител - хромовый ангидрид при следующем соотноиюнии компонентов, г/л: Фосфорна кислота 10-50 Уксусна кислота 3-20 Хромовый ангидрид 20-50 Крахмал0,1-1 Концентраци хромового ангидрида вл етс критичной: недостаток Cfflj приводит к воздействмо фосфорной кислоты на пленку алюмини , а избыток вл етс причиной электрохимической коррозии в определенных участках алюминиевой металлизации. . о. ;;. .. , : . ; . . , Введение уксусной кислоты и крах- . мала обеспечивает равномерность кра рисунка и минимальное бокрвое лодтрааливание , а также увеличивает скорость травлени . Дл установлени граничных и оптимальных значений концентраций компот; нентов определена скорость травлени и качество микрорельефа в зависимости от содержани компонентов. Результаты экспериментов приведены в табл. 1.About QP The invention relates to chemical etching of metals and can be used in microelectronics to obtain the configuration of the passive part of thin-film large hybrid integrated circuits. Neodymium monoaluminate is used as a dielectric in thin film capacitors and multilayer thin film switching boards. The configuration of monoaluminate films of neodymium is obtained by the method of photolithography | chemical etching. In this case, it is necessary that the composition for etching the plenons of neodymium monoaluminate does not affect} the films of almines, used as the lower plates of capacitors and current-carrying layers of switching boards. Besides. This composition should provide a uniform edge and a high etching rate of the films with neodymium minate monoal. Known solution 1 used for etching alumina films of the following composition, g / l: Chromium anhydride 60-lAO Phosphoric acid AO-300 However, when etching films of neodymium monoaluminate in this solution, agvominium underneath the film of neodymium mineral aluminate is intensely etched. significant side trimming occurs and the uniformity of the edge of the pattern pattern is disturbed. The closest in technical: essence to the proposed composition is the composition 2j for etching a film of oxides from an alu-Blue substrate, containing phosphoric, acetic, nitric acid as an oxidizer and water, ml: Phosphoric acid 7bO Acetic acid 150 Nitric acid 30 Water50 The known composition is intended for the simultaneous etching of porous alumina and aluminum films. The etching rate of aluminum is 0.26-0.3 µm / min, and alumina 0.5-0.6 µm / min, i.e. The composition is not selective for metallic aluminum films. The rate of etching films. aluminum is only two times lower than the etching rate of an alumina film lying on aluminum films. The aim of the invention is to reduce the etching rate of the aluminum substrate and the side etching. The goal is achieved by the fact that the composition of the D I selective etching of a neodymium monoaluminate film with alomyne, contains a phosphoric acid, yjKcycHyto acid and an oxidizer, additionally contains starch, and chromic anhydride as an oxidizing agent in the following ratio of components, g / l: Phosphoric acid 10 -50 Acetic acid 3-20 Chromic anhydride 20-50 Starch 0.1-1-1 The concentration of chromic anhydride is critical: a deficiency of Cfflj causes phosphoric acid to affect the aluminum film, and an excess causes electrochemical eskoy corrosion in certain parts of the aluminum metallization. . about. ;;. ..,:. ; . . , The introduction of acetic acid and starch-. small ensures uniformity of the edge of the pattern and minimal lateral drainage, and also increases the etching rate. To establish the boundary and optimum values of compote concentrations; The rate of etching and the quality of the microrelief were determined depending on the content of the components. The results of the experiments are given in table. one.
Таблица 1Table 1
Как 8ИДЙО из . 1, содержание JB составе хромового ангидрида менее 26 г;/. ,фосфорной кислоты менее 10 г/ /л, уксусной кислоты менее 3 г/л, приводит к резкому снй«енйю скорости травлени плежж мрйоалюмйната неодима и увеличению бокового подтравливани .. . .- . ..How 8IDYO of. 1, the content of JB chromic anhydride composition is less than 26 g; /. , phosphoric acid is less than 10 g / / l, acetic acid is less than 3 g / l, leads to a sharp decrease in the etching rate of the etching of the pryazh cryoaluminate neodymium and an increase in side etching. .-. ..
Итак, оптимальным вл етс став t соде|ща1Ц Ий комп женты в ющих соотношени х, г/л Хромовый ангидрид 35 кислота 35 Уксусна кислота .10 Крахмал0,2So, it is optimal to set t the content of the I1 of the complex in ratios, g / l Chromic anhydride 35 acid 35 Acetic acid .10 Starch 0.2
Содержание хромсвого ангидрида более 50 г/л, фосфорной кислоты более 50 г/л, уксусной кислоты более 20 .г/л приводит к резкому увеличению травлени пленок алюмини .The content of chromic anhydride more than 50 g / l, phosphoric acid more than 50 g / l, acetic acid more than 20. g / l leads to a sharp increase in the etching of aluminum films.
Сравнительные данные обработки в .предлагаемом и известном составах представлены в табл. 2.Comparative data processing in the proposed and known compositions are presented in table. 2
- -. . - -. .
Таблица 2table 2
.Скорость травлени алюмини в & Предложенном составе в 30-200 раз ниже скорости травлени пленок моно алюмината неодима.The etching rate of aluminum in the proposed composition is 30–200 times lower than the etching rate of mono aluminate films of neodymium.
При обработке был выбран температурный интервал 50±5 С. При темг1 раS 101901 «During processing, a temperature range of 50 ± 5 ° C was chosen. At a temp S 101901 "
туре меныве Б С резко снижаетс ско-Таким образом, испольйГование предрость траапеии , а при темпергтурелагаемого состава позвол ет получатьThus, the use of traapea precursors drastically decreases with C, and, with a temperature-controlled composition,
больше SyC значительно умёнТша- ..качественную конфигураций пленок моmore SyC significantly improved. .. high-quality configurations of films of mo
втсй адгези фоторезистивнойноалюмината неодима, нанесенных наVtsy adhesion photoresistively aluminate neodymium deposited on
маски.5 пленки алюмини .masks.5 aluminum films.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813278240A SU1019019A1 (en) | 1981-04-29 | 1981-04-29 | Composition for selectivly etching neodimium monoaluminate film from aluminium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU813278240A SU1019019A1 (en) | 1981-04-29 | 1981-04-29 | Composition for selectivly etching neodimium monoaluminate film from aluminium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1019019A1 true SU1019019A1 (en) | 1983-05-23 |
Family
ID=20954294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU813278240A SU1019019A1 (en) | 1981-04-29 | 1981-04-29 | Composition for selectivly etching neodimium monoaluminate film from aluminium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1019019A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5639344A (en) * | 1994-05-11 | 1997-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching material and etching process |
-
1981
- 1981-04-29 SU SU813278240A patent/SU1019019A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Патент US fP 1003772, к . Н 01 L 21/4, опублик. 1977. 2, Реферативный журнал Хими , 1975, ff tit, ЛЗОШ. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5639344A (en) * | 1994-05-11 | 1997-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching material and etching process |
| US5885888A (en) * | 1994-05-11 | 1999-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching material and etching process |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4632727A (en) | Copper etching process and solution | |
| EP0787224B1 (en) | Process for separating metal coatings | |
| CA2168013C (en) | Alkaline ammoniacal cupric chloride etching bath containing a copper (i) stabilizer | |
| US3898095A (en) | Method of etching aluminum | |
| SU1019019A1 (en) | Composition for selectivly etching neodimium monoaluminate film from aluminium | |
| JPH0681172A (en) | Formation of fine pattern | |
| US4395305A (en) | Chemical etching of aluminum capacitor foil | |
| CN114214540A (en) | A kind of galvanized steel sheet with excellent coating quality and its coating and preparation method | |
| JP4669631B2 (en) | Printed circuit and flexible wiring patterning method | |
| US4003772A (en) | Method for preparing thin film integrated circuit | |
| RU2078850C1 (en) | Electrolytically regenerated solution for etching of stamped plates and shaped articles of copper and its alloys | |
| CN117858361A (en) | Outer layer etching method of thick copper plate | |
| KR102584044B1 (en) | Additive for etchant composition and etchant composition comprising the same | |
| JP3941649B2 (en) | Aluminum substrate and surface treatment method thereof | |
| US5377406A (en) | Process for producing a printed circuit board | |
| EP0173894A1 (en) | Test medium and method for detecting phosphorus segregates in metallic material | |
| CN115058715A (en) | Micro-etching solution for rolled copper foil surface and preparation method and application thereof | |
| JP2002194573A (en) | Copper and copper alloy surface treatment agent | |
| SU1696614A1 (en) | Electrolyte for removal of copper coats | |
| JPH0249393B2 (en) | DOOYOBIDOGOKINNOETSUCHINGUEKI | |
| CN116334626B (en) | A W etching solution with controllable side corrosion of laminated metal and preparation method thereof | |
| RU93009968A (en) | SEMI-ADDITIONAL METHOD OF MANUFACTURING BILATERAL CIRCUIT BOARDS | |
| SU1346699A1 (en) | Phosphating electrolyte | |
| SU375820A1 (en) | ||
| SU954517A1 (en) | Solution for pickling nichrome |