[go: up one dir, main page]

SU1093265A3 - Фотогальванический элемент - Google Patents

Фотогальванический элемент Download PDF

Info

Publication number
SU1093265A3
SU1093265A3 SU792787394A SU2787394A SU1093265A3 SU 1093265 A3 SU1093265 A3 SU 1093265A3 SU 792787394 A SU792787394 A SU 792787394A SU 2787394 A SU2787394 A SU 2787394A SU 1093265 A3 SU1093265 A3 SU 1093265A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
photovoltaic cell
metal
barrier
electrode
conversion efficiency
Prior art date
Application number
SU792787394A
Other languages
English (en)
Inventor
О.Лофти Рафик
Хсиао Чен-Куо
Х.Шарп Джеймс
Original Assignee
Ксерокс Корпорейшн (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ксерокс Корпорейшн (Фирма) filed Critical Ксерокс Корпорейшн (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU1093265A3 publication Critical patent/SU1093265A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/451—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a metal-semiconductor-metal [m-s-m] structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое св зующего диэлектрика , с барьерным и оптическими электродами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  эффективности преобразовани  энергии, барьерный электрод выполнен в виде сло , содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел - с электрическим сопротивлением менее 200 Ом/оО ) с

Description

Изобретение относитс  к полупрово никовой электронике, в частности к оптоэлектронике, а именно к полупро1ВОДНИКОВЫМ фотоэлементам, и может быть использовано при конструировани недорогих и простых в изготовлении преобразователей энергии. Известны солнечные элементы, в KoToiMdx используютс  органические по лупроводники , диспергированные в гел дешевые простые в изготовлении tl7Недостаткам данных солнечных элементов  вл етс  крайне низка  эффективность преобразовани  энергии. f Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  фотогальванический элемент на основе без метального фталоцианина, размещенног в слое св зукщего диэлектрика с барь ерным и оптическим электродом С 2 3. Однако такие элементы отличаютс  очень низкой эффективностью преобразовани  энергии. ЦeJnью изобретени   вл етс  повыше ние эффективности преобразовани  эне гин, . Указанна  цель достигаетс  тем, что в фотогальваническом элементе на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое св зующего диэлектршса , с барьерным и оптическими (электродами, барьерный электрод выполнен в виде сло , содержащего ме та   с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел - с электрическим сопро тшшением менее 200 Ом/о. Такое сочетание работы выхода металла и электрического сопротивлени  его окисла обеспечивает повьшекие эффективности преобразовани  энергии. Так как безметальный фталоцианин,  вл етс  полупроводником р-типа, используемый в качестве барьерного электрода металл должен характеризоватьс  низкой работой выхода. Известно , что оптимальна  величина работы выхода находитс  в диапазоне от 3,8 до 4,5 эВ. В процессе изготовлени  дл  большинства металлов невозможно предотвратить окисление металла, образующего барьерный электрод. Однако при электрическом сопротивлении окисла, не превьшающем 200 Ом/о, подобное окисление не оказывает вли ни  на характеристики фотогальванического элемента. Типичными такими металлами  вл ютс  индий и олово. На чертеже показан фотогальванический элемент. Слой безметального фталоцианина, размещенного в св зующем диэлектрике, нанесен на оптический электрод 1, выполненный из золота, и образует фотоактивный слой 2, на котором сформиован барьерный электрод 3. Фотогальванический элемент может быть легко изготовлен известными технологическими методами с использованием обычного оборудовани  и обеспечивает эффективность преобразовани  энергии, превышающую эффективность преобразовани  других фотоэлементов на основе недорогих органических фотоактивных материалов.

Claims (1)

  1. ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика, с барьерным и оптическими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования энергии, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел - с электрическим сопротивлением менее 200 Ом/п.
    SU ш, 1093265 ° О о ° 6 ° ΰ о о о о оЧ о.ожо η (ОДО О λΟλΟ г
    О о о0 ОС°о О оо°000ОССр00 о°р О Q°t> QOqoP°O| у
    1093265 2
SU792787394A 1978-07-03 1979-07-02 Фотогальванический элемент SU1093265A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/921,289 US4175982A (en) 1978-07-03 1978-07-03 Photovoltaic cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1093265A3 true SU1093265A3 (ru) 1984-05-15

Family

ID=25445213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792787394A SU1093265A3 (ru) 1978-07-03 1979-07-02 Фотогальванический элемент

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4175982A (ru)
JP (1) JPS5511398A (ru)
CA (1) CA1089065A (ru)
DE (1) DE2926376A1 (ru)
ES (1) ES482151A1 (ru)
GB (1) GB2024513B (ru)
IT (1) IT1122002B (ru)
MX (1) MX150760A (ru)
SU (1) SU1093265A3 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4138131A1 (de) * 1991-10-19 1993-04-22 Provera Ges Fuer Projektierung Kontaktlose chip-karte mit integriertem mikroprozessor und vorrichtung zum lesen und eingeben von informationen
DE4225576A1 (de) * 1992-08-03 1994-02-10 Abb Patent Gmbh Photoelektrochemische Zelle

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4445036A (en) * 1981-04-21 1984-04-24 Irt Corporation Solid state fast-neutron spectrometer/dosimeter and detector therefor
JPS63149993U (ru) * 1987-03-20 1988-10-03
JP2813428B2 (ja) * 1989-08-17 1998-10-22 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置
DE19652818A1 (de) * 1996-12-18 1998-07-02 Priesemuth W Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle sowie Solarzelle
JPH11265738A (ja) * 1998-01-13 1999-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 光半導体電極、およびそれを用いた光電池
JP2002502120A (ja) * 1998-02-02 2002-01-22 ユニアックス コーポレイション 有機半導体製画像センサ
DE19837019C2 (de) * 1998-08-14 2001-05-23 Forschungszentrum Juelich Gmbh Solarzelle mit gestapelten Molekülen, Verfahren zu deren Herstellung und zu deren Betrieb
US6689950B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-10 The Boeing Company Paint solar cell and its fabrication
US6538191B1 (en) * 2001-09-26 2003-03-25 Biomed Solutions, Llc Photocell with fluorescent conversion layer
US6977390B2 (en) * 2002-08-23 2005-12-20 Agfa Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
US7307276B2 (en) * 2002-08-23 2007-12-11 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
WO2004019348A1 (en) * 2002-08-23 2004-03-04 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
DE102005010978A1 (de) 2005-03-04 2006-09-07 Technische Universität Dresden Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
DE102008034256A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Technische Universität Dresden Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
DE102008036310A1 (de) 2008-07-29 2010-02-11 Technische Universität Dresden Organisches photoaktives Bauelement, insbesondere organische Solarzelle oder organischer Photodetektor
DE102009022408A1 (de) 2009-05-18 2010-12-09 Technische Universität Dresden Organische Solarzelle oder Photodetektor mit verbesserter Absorption
DE102009036110A1 (de) 2009-06-05 2010-12-09 Heliatek Gmbh Licht absorbierendes organisches Bauelement
DE102009024956A1 (de) 2009-06-05 2010-12-09 Technische Universität Dresden Invertierte oder transparente organische Solarzelle oder Photodetektor mit verbesserter Absorption
US20120267240A1 (en) * 2009-10-26 2012-10-25 Agency For Science Technology And Research Photoelectrode with a polymer layer
EP2400575B1 (de) 2010-06-24 2016-03-23 heliatek GmbH Optoelektronisches Bauelement mit organischen Schichten
GB201016366D0 (en) * 2010-09-29 2010-11-10 Dzp Technologies Ltd Printable composition, method and uses thereof
US8962994B2 (en) 2010-10-22 2015-02-24 Xerox Corporation Photovoltaic device
US9012772B2 (en) 2010-10-22 2015-04-21 Xerox Corporation Photovoltaic device
US9749044B1 (en) * 2016-04-05 2017-08-29 Facebook, Inc. Luminescent detector for free-space optical communication

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3009981A (en) * 1959-06-01 1961-11-21 Monsanto Chemicals Photoelectric device
US3057947A (en) * 1959-10-01 1962-10-09 Calvin Melvin Photoelectric cell using organic materials
US3530007A (en) * 1967-12-19 1970-09-22 Us Air Force Solar cell including aceanthraquinoxaline photosensitive material
US3789216A (en) * 1973-01-02 1974-01-29 Xerox Corp Photodetection device and method comprising phthalocyanine
US3900945A (en) * 1973-01-02 1975-08-26 Philco Ford Corp Organic semiconductor solar cell
US3844843A (en) * 1973-01-02 1974-10-29 Philco Ford Corp Solar cell with organic semiconductor contained in a gel
SU534808A1 (ru) * 1975-08-06 1976-11-05 Вологодский Политехнический Институт Фоточувствительный слой
US4127738A (en) * 1976-07-06 1978-11-28 Exxon Research & Engineering Company Photovoltaic device containing an organic layer
CA1086410A (en) * 1977-08-02 1980-09-23 Ching W. Tang Organic photovoltaic elements

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент US № 3844843, кл. 136-206, опублик. 29.10.79, 2. Патент US № 3789216, кл. 250-211, опублик. 29.01.74 (прототип) . *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4138131A1 (de) * 1991-10-19 1993-04-22 Provera Ges Fuer Projektierung Kontaktlose chip-karte mit integriertem mikroprozessor und vorrichtung zum lesen und eingeben von informationen
DE4225576A1 (de) * 1992-08-03 1994-02-10 Abb Patent Gmbh Photoelektrochemische Zelle

Also Published As

Publication number Publication date
JPS623596B2 (ru) 1987-01-26
CA1089065A (en) 1980-11-04
GB2024513A (en) 1980-01-09
US4175982A (en) 1979-11-27
IT7924046A0 (it) 1979-07-02
DE2926376A1 (de) 1980-01-17
ES482151A1 (es) 1980-02-16
MX150760A (es) 1984-07-12
GB2024513B (en) 1983-03-30
IT1122002B (it) 1986-04-23
JPS5511398A (en) 1980-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1093265A3 (ru) Фотогальванический элемент
RU2694086C1 (ru) Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами
US7977131B2 (en) Method for manufacturing nano-array electrode and photoelectric conversion device using same
US7332785B2 (en) Dye-sensitized solar cell
US3290175A (en) Semiconductor photovoltaic devices
US4378460A (en) Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4442185A (en) Photoelectrochemical cells for conversion of solar energy to electricity and methods of their manufacture
JP2015119102A (ja) ハイブリッド型太陽電池
US4520086A (en) Rechargeable solid polymer electrolyte battery cell
US4492811A (en) Heterojunction photovoltaic device
JP5586489B2 (ja) 染料感応型太陽電池用電極基板、及びこれを具備する染料感応型太陽電池
JPS60149178A (ja) 太陽電池
EP1095387B1 (en) Reversed dye-sensitized photovoltaic cell
JPH0434833B2 (ru)
JPH038375A (ja) 電気素子
US4608750A (en) Preparation of photovoltaic device by electrochemical deposition
JPS59167975A (ja) 光電化学電池
US4644638A (en) Photovoltaic device prepared by electroless deposition
RU1801232C (ru) Твердотельный фотогальванический элемент дл преобразовани энергии света в электрическую энергию
JP3443198B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
JPS6143870B2 (ru)
US4196263A (en) Semiconductor devices with enhanced properties
JPS6318349B2 (ru)
JPS6317343B2 (ru)
JPS6095980A (ja) 光電変換装置