SI23547A - OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO IN Al O - Google Patents
OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO IN Al O Download PDFInfo
- Publication number
- SI23547A SI23547A SI201000397A SI201000397A SI23547A SI 23547 A SI23547 A SI 23547A SI 201000397 A SI201000397 A SI 201000397A SI 201000397 A SI201000397 A SI 201000397A SI 23547 A SI23547 A SI 23547A
- Authority
- SI
- Slovenia
- Prior art keywords
- nanoparticles
- suspension
- coating
- tio
- tio2
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 100
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000725 suspension Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 35
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 29
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title abstract description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title abstract description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 12
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 4
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 21
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- -1 coatings Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;hydrate Chemical compound O.O=[Si]=O LRCFXGAMWKDGLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229960004029 silicic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
- C09C1/36—Compounds of titanium
- C09C1/3607—Titanium dioxide
- C09C1/3653—Treatment with inorganic compounds
- C09C1/3661—Coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/01—Crystal-structural characteristics depicted by a TEM-image
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Izum se nanaša razvoj hitrega prilagodljivega obvladljivega in ponovljivega pristopa k sintetiziranju oplaščenih nanodelcev TiO s hidratiziranimi silicijevimi in aluminijevimi oksidi ob rabi nenevarnih kemikalij Predlagani postopek temelji na pripravi dobro dispergiranega sistema nanodelcevTiO in kontrolirani hidrolizi SiO iz alkalnega prekurzorja Na SiO ob prisotnosti mineralne kisline H SO oz na hidrolizi Al O iz alkalnega prekurzorja NaAlO ob prisotnosti mineralne kisline H SO Na podlagianaliz smo ugotovili da daljši časi oplaščevanja vplivajo na povečanje količine SiO in debeline nanosa S kontroliranimi sinteznimi pogoji sobili oplaščeni posamezni nanodelci TiO Mehanizem anorganskega oplaščevanja nanodelcev TiO lahko kategoriziramo kot izobarjanje hidratiziranih oksidov v obliki tankih plasti na že prisotne delce heterogena nukleacija Prednost postopka je vnjegovi enostavnosti in v tem da je v celotnem postopku od začetka do konca prisotna stabilna suspenzija nanodelcev TiOkar omogoča zdrave pogoje dela zaposlenih pri proizvodnji in uporabi ter preprečuje negativne vplive na okolje emisija nano delcev
Description
OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO2 V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO2 IN A12O3
PODROČJE IZUMA
Predmet izuma je oplaščevanje rutilnih nanodelcev TiO2 v suspenziji s SiO2 in AI2O3.
Predloženi izum sodi na področje koloidne kemije, podrobneje pa obsega suspenzije nanodelcev TiO2 v kristalni strukturi rutila, s poudarkom na njihovi površinski obdelavi, z uporabo natrijevega silikata in natrijevega aluminata kot reagentov za oplaščenje nanodelcev s tankimi sloji hidratiziranega silicijevega in aluminijevega oksida (SiO2 in A12O3).
PODROČJE TEHNIKE
Izum omogoča kontrolirano oplaščevanje nanodelcev v obliki suspenzije TiO2 s tankimi sloji hidratiziranega aluminijevega in silicijevega oksida (SiO2 in AI2O3). Odločitev o proizvodnji nanodelcev TiO2, ki daje izključno izdelke v obliki suspenzije, temelji na skrbi za zdrave pogoje dela zaposlenih pri proizvodnji in uporabi ter preprečevanju negativnih vplivov na okolje (emisija nano delcev). Oplaščevanje temelji na principu hidrolize natrijevega silikata (Na2SiO3) in natrijevega aluminata (NaA102). Namen oplaščevanja nanodelcev TiO2 z anorganskimi oksidi je omejitev tvorbe prostih radikalov na površini TiO2 in sprememba elektrokinetičnih lastnosti. Površinska obdelava ima za posledico spremembo površinskega naboja in s tem povečano disperzibilnost v polarnih medijih. Površinska obdelava z neaktivnimi anorganskimi materiali rezultira v pripravi suspenzij brez večjih aglomeratov. S tem se poviša stopnja transparentnosti (premazov, ki vsebujejo oplaščene nanodelce TiO2) v vidnem delu spektra in poveča pokrivnost barv/lakov/premazov ter zaščita osnovnega substrata. Oplaščeni nanodelci TiO2 obranijo svoje tehnološke in uporabne lastnosti, ob tem pa izkazujejo še višjo aplikativno vrednost, saj je vključitev UV-absorberjev, kot je TiO2, učinkovit način za izboljšanje UV-odpomosti materialov. Oplaščeni nanodelci TiO2 v kristalni strukturi rutila služijo kot UV-absorberji, zanje pa obstajajo različna področja aplikacij: kozmetika, plastika, barve, laki, premazi, tekstilije, itd. Oplaščenje po izumu je cenovno ugodno.
-2Nano titanov dioksid (TiO2) je eden od novih sodobnih materialov. V primerjavi s pigmentnim TiO2 ima spremenjene lastnosti. Nanodelci TiO2 se od pigmentnega TiO2 razlikujejo po velikosti in fizikalno-kemijskih lastnostih, zato je tudi njihova uporaba drugačna od pigmentnega. Velikost delcev, specifična površina, oblika del cev ter kristalna struktura so ključni parametri, ki vplivajo na lastnosti in uporabnost končnega izdelka. V smislu kristalne strukture je TiO2 snov z več znanimi polimorfi. Izmed vseh kristalnih struktur TiO2 pa sta pomembnejša le rutil in anatas. Glavni lastnosti nano TiO2 sta absorbcija UV-svetlobe in fotokatalitska aktivnost. Že pigmentni TiO2 je fotokatalitsko aktiven, ta lastnost pa je pri nanodelcih TiO2 še veliko bolj izrazita. Nanodelci TiO2 se najpogosteje uporabljajo kot UV absorberji in fotokatalizatorji. Nanodelci TiO2 v kristalni strukturi anatas imajo visoko fotokatalitsko aktivnost, zato jih uporabljamo kot samočistilna sredstva, baktericide pri čiščenju odpadnih voda in tudi kot polprevodnike pri izdelavi fotocelic. Nanodelci TiO2 v kristalni strukturi rutila pa so odlični UV-absorberji, in jih dodajamo različnim barvam in premazom, saj s tem dosežemo boljšo UV in vremensko obstojnost. Lastnosti nanodelcev TiO2 je mogoče izboljšati z oplaščanjem le-teh z drugimi materiali. Površinsko obdelavo TiO2 oz. oplaščevanje dosežemo s hidrolizo oksidov na površino TiO2 nanodelca.
Vodno steklo je po kemični sestavi natrijev silikat (Na2SiO3). Nastaja pri raztapljanju kremenčevega peska s sodo. Na2SiO3 je topen v vodi. Stabilen je v alkalnem mediju, pri vrednostih pH večjih od pH 10. Pod to vrednostjo se začne hidroliza, Na2SiO3 hidrolizira in izloča se SiO2. V odvisnosti od pogojev hidrolize oksida lahko pri površinski obdelavi s SiO2 nastanejo nanodelci z različnimi karakteristikami. Hidroliza pri kislem oz. nevtralnem pH vodi do nastanka amorfnega SiO2 nanosa, ki ga sestavljajo submikronski delci, povezani v strukturi gela. Nastali nanos omogoča boljšo disperzibilnost (TiO2) delcev v mediju in posledično izboljšanje optičnih lastnosti. Pri nevtralnih oz. šibko kislih pogojih nastajajo nanosi z nižjo stopnjo sijaja oz. leska - matiranje. Počasna hidroliza pri alkalnem pH pa vodi do nastanka gostejšega, steklu podobnega SiO2 nanosa, in ima za posledico izboljšanje obstojnosti oz. trajnosti delca.
Natrijev aluminat (NaA102) je pomembna anorganska kemikalija. Deluje kot učinkovit vir aluminijevega oksida za številne industrijske in tehnične aplikacije. Brezvodni natrijev aluminat je bela kristalinična snov s formulo NaA102, Na2O · A12O3, oz. Na2Al2O4. Natrijev aluminat je razpoložljiv tako v raztopini kot tudi v trdni obliki. Proizvajajo ga z raztapljanjem
-3aluminijevega hidroksida v raztopini NaOH. NaAlCE je prav tako kot Na2SiC>3 topen v vodi. Vodna raztopina NaAlCE je stabilna v alkalnem mediju, pri vrednostih pH večjih od pH 10. Pod to vrednostjo se začne hidroliza, NaAlCE hidrolizira in izloča se AI2O3. Površinska obdelava s hidratiziranim aluminijevim oksidom je verjetno najpogostejša površinska obdelava TiO2- Hidratiziran aluminijev oksid lahko hidrolizira iz natrijevega aluminata, ki reagira s kislino. Morfologija nanosa je odvisna od pogojev oplaščevanja. Hidratizirani aluminijevi oksidi, ki hidrolizirajo iz natrijevega aluminata pri kislih pogojih, so amorfne oblike. Hidratizirani AI2O3 delci na površini nanodelca T1O2 povzročajo zmanjšanje privlačnih sil med delci in izboljšajo disperzibilnost. V primeru večplastne površinske obdelave je AI2O3 najpogosteje zadnji nanos.
ZNANO STANJE TEHNIKE
Lastnosti nanodelcev T1O2 je mogoče izboljšati z oplaščanjem le-teh z drugimi materiali. Najpogosteje uporabljene površinske obdelave so: obdelava s S1O2, AI2O3 in/ali ZrO2. Za izdelavo plasti oksidov pri kontroliranih sintezah so znani različni pristopi na molekularnem nivoju. Sinteza T1O2 lahko poteče po različnih metodah, vendar je pomembnejša izmed njih solgel tehnika, ki dopušča oblikovanje mikrostrukture pri različni izbiri vrste prekurzorja in procesnih pogojev. Kljub vsem prednostim, kijih ponuja sol-gel postopek, pa številne obstoječe industrijske proizvodnje TiCE-SiCE kompozitov pri tem sinteznem načinu najpogosteje ovirajo faktorji kot so: uporaba dragih in nevarnih kemikalij pri sol-gel postopku; dolgi sintezni časi.
Pomembnejši publikaciji, v katerih so avtorji kot vir SiCE in AI2O3 kjer so kot za oplaščenje nanodelcev T1O2 uporabili natrijev silikat (Na2SiCE) in natrijev aluminat (NaAlCE), sta omenjeni v nadaljevanju.
S. R. Frerichs in W. H. Morrison sta raziskala površinsko obdelavo nanodelcev TiO2 s S1O2 in AI2O3 v prisotnosti citronske kisline. Pri svojem delu sta avtorja za pripravo gošče uporabila nanodelce T1O2 v obliki prahu. Površinska obdelava obsega: pripravo gošče nanodelcev T1O2; dodatek citronske kisline; dodatek vira kovinskega oksida izbranega iz skupine, ki jo sestavljajo vir AI2O3 in vir SiCE; končna obdelava površinsko obdelanih nanodelcev T1O2. Hidroliza S1O2 je potekala pri povišani T (T-30-100°C) pri pH - 7. Po površinski obdelavi z Na2SiO3 in NaAlCE sta delce posušila, zdrobila in presejala. Oplaščeni nanodelci T1O2 so imeli vsebnost -44% S1O2 in ~ 6% AI2O3. Delci, oplaščeni po opisanem postopku, so izkazovali visoko svetlobno stabilnost in so imeli manjšo težnjo k aglomeraciji.
C. R. Bettler in M. P. Deibold pa sta raziskala postopek za izdelavo visoko obstojnega pigmenta T1O2, ki se enostavneje dispergira. Postopek obsega naslednje korake: segrevanje gošče delcev T1O2 do T=85-100°C; dodajanje citronske kisline; uravnavanje pH na pH>10; dodajanje vodne razoptopine Na2SiO3; nevtralizacija gošče z mineralno kislino (dušikova, klorovodikova ali žveplova kislina); uravnavanje T (T=55-90°C); dodajanje vodne razoptopine NaAlCh; uravnavanje pH na 5-9 z z mineralno kislino (dušikova, klorovodikova ali žveplova kislina).
V literaturi ni zaslediti podatkov o opisanem načinu modifikacije nepraškastih nanodelcev TiO2. Prav tako ni zaslediti pojasnitve stabilnosti Na2SiC>3 in NaAlCk prekurzorjev pri različnih pH pogojih z uporabo titracijskega pristopa in pojasnitve elektrokinetičnih lastnosti nanodelcev T1O2, ki vplivajo na določitev procesnih pogojev in končno na rezultat oplaščevanja. Prav tako ni zaslediti podatkov o vplivu pranja površinsko obdelanih nanodelcev T1O2. Opisan način modifikacije se od ostalih postopkov oplaščevanja razlikuje v tem, da postopek ne vključuje faze sušenja in posledično praškastih delcev, ki imajo negativen vpliv na zaposlene pri proizvodnji, uporabnike in na okolje. Oplaščeni nanodelci T1O2 bodo za različne aplikacije na voljo v suspenziji in ne v obliki prahu. S tem se izognemo stroškom segrevanja pri kalcinaciji in aglomeraciji oplaščenih nanodelcev, ki nastopi pri kalcinaciji.
OPIS IZUMA
Izum dodatno pojasnjujejo slike:
Slika 1: TEM posnetek neobdelanih nanodelcev TiO2 s kristalno strukturo rutila.
Slika 2: TEM posnetek submikronskih S1O2 delcev nastalih po izvedbenem primeru A, povezanih v strukturo gela.
Slika 3: TEM posnetek oplaščenih nanodelcev T1O2 s kristalno strukturo rutila, z amorfno plastjo hidratiziranega S1O2, nastalega s hidrolizo Na2SiO3 po izvedbenem primeru C, ki enakomerno prekriva površino T1O2 nanodelcev.
-5Slika 4: TEM posnetek oplaščenih nanodelcev TiO2 s kristalno strukturo rutila, z amorfno plastjo hidratiziranega S1O2 in AI2O3 nastalega po izvedbenem primeru D, ki enakomerno prekrivata površino nanodelcev TiO2 .
Slika 5: SEM posnetek neopranih opalščenih nanodelcev TiO2 s kristalno strukturo rutila, z amorfno plastjo hidratiziranega S1O2, nastalega s hidrolizo Na2SiO3 po izvedbenem primeru B, ki enakomerno prekriva površino nanodelcev TiO2 in kristali soli, nastalih v reakcijah med površinsko obdelavo.
Slika 6: SEM posnetek opranih oplaščenih nanodelcev TiO2 s kristalno strukturo rutila, z amorfno plastjo hidratiziranega S1O2, nastalega s hidrolizo Na2SiC>3 po izvedbenem primeru C, ki enakomerno prekriva površino T1O2 nanodelcev.
Slika 7: SEM posnetek opranih opalščenih nanodelcev TiO2 s kristalno strukturo rutila, z amorfno plastjo hidratiziranega S1O2 in AI2O3 nastalega po izvedbenem primeru D, ki enakomerno prekrivata površino nanodelcev TiO2.
t
Pričujoči izum opisuje oplaščevanje nanodelcev T1O2 s tankimi sloji hidratiziranega amorfnega aluminijevega in silicijevega oksida (S1O2 in AI2O3). Bistvo oplaščevanja nanodelcev T1O2 po izumu so kontrolirani pogoji, ki vodijo do oblikovanja homogenih slojev hidratiziranih oksidov na površini nanodelcev T1O2, kar se odraža v spremembi elektrokinetičnih lastnosti nanodelcev T1O2. Fizikalno-kemijsko so bili določeni in nadalje uporabljeni pogoji, ki vodijo do želene morfologije in lastnosti nanosov. V primeru kontroliranega oplaščevanja delcev T1O2, so nastali na površini le-teh homogeni nanosi, ki v celoti prekrivajo površino delcev. Prednost opisanega postopka je tudi v tem, da ne vključuje končne faze kalcinacije.
Za površinsko obdelavo je uporabljena suspenzija nanodelcev T1O2 z masno koncentracijo γ = 100 - 300 g/L. Povprečna velikost posameznega nanodelca T1O2 v suspenziji je 80x20 nm. Specifična površina nanodelcev T1O2 je 130 m2/g. Z analizo elektrokinetičnih lastnosti je bila določena izoelektrična točka (IET) nanodelcev T1O2, ki se nahaja pri vrednosti pH ~ 6,5. Dvig vrednosti pH suspenzije nanodelcev T1O2 iz močno kislega na pH 10,5 se doseže z dodatkom baze. Kot baza za uravnavanje pH medija se uporablja 10-60 ut. % natrijev hidroksid. Stabilizacija suspenzije nanodelcev T1O2 z bazičnim pH se izvaja v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času dveh ur ali manj. Kot stabilizacijsko sredstvo, ki preprečuje aglomeracijo nanodelcev T1O2 v pH območju blizu izoelektrične točke, se doda 0,5 - 2 ut.% citronske kisline. Reakcija s citronsko kislino poteka v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času
-6dveh ur ali manj ob sočasnem mešanju pri 150 do 400 obratih/min. Kot prekurzorja sta uporabljena Na2SiO3; 10-30 ut.% (ysi02 = 220 g/L) in NaAlCh; 10-30 ut.% (yai2O3 = 280,3 g/L). Sinteza nanosa nanodelcev S1O2 iz natrijevega silikata z dodatkom mineralne kisline. Kot mineralna kislina za izobarjanje S1O2 nanodelcev uporablja 10-60 ut. % žveplova kislina. Izoboritev nanodelcev S1O2 je dosežena pri vrednosti pH 7, pri kateri se suspenzija meša v času treh ur ali manj. Kot iniciator hidrolize in kondenzacije se uporabi razredčena H2SO4, saj bi lahko koncentrirana kislina povzročila lokalno oz. homogeno nukleacijo S1O2, kar pa je v našem primeru neželen pojav. Sinteza nanosa nanodelcev AI2O3 iz natrijevega aluminata se izvede s simultanim dodatkom mineralne kisline pri vrednosti pH med 6,5 in 7,5. Nastala suspenzija meša v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času ene ure ali manj. kot sredstvi za uravnavanje pogojev pH pa 10 -60 ut. % mineralna žveplova kislina in 10 - 60 ut. % NaOH. Pred postopkom površinske obdelave sta bila oba prekurzorja analizirana z uporabo titracij, medtem ko so bile nanodelcem T1O2 določene elektrokinetične lastnosti oz. izoelektrična točka (IET). Določena je bila vrednost pH vodnega Na2SiO3 (ysiO2 = 220 g/L), ki je za 1 ut. % Na2SiO3 raztopino znašal 10,3, medtem ko je pH nerazredčene vodne Na2SiO3 11,7. Alkalna raztopina je bila titrirana s Chci = 0,1 mol/L. Na2SiO3 raztopina je bila pri vrednosti pH 10,5 še stabilna, medtem ko pri vrednosti pH <10 raztopina ni več stabilna, kar dokazuje tudi potek krivulje in prevojne točke. pH vrednost razredčenega vodnega NaAlCE je ~ 11,5, z dodajanjem kisline oz. nižanjem vrednosti pH pa nastopi hidroliza hidratiziranega AI2O3. IET nanodelcev TiC>2 se je določila z uporabo aparata za določanje naboja delcev (PCD). IET je pri pH 6,5. Pri dani vrednosti pH je stabilnost vodne suspenzije T1O2 najnižja, nanodelci T1O2 imajo visoko težnjo k aglomeraciji. Površinski naboj delcev pogojuje stabilnost disperzij, zato se naboj na površini delcev ustvari z uravnavanjem pH na pH 10,5. Pri tej vrednosti pH pa se je določila tudi stabilnost obeh prekurzorjev, kar zagotavlja optimalne pogoje, pri katerih bodo nastali homogeni tanki sloji hidratiziranega aluminijevega in silicijevega oksida (S1O2 in A^CE), ki bodo v celoti pokrili površino posameznih nanodelcev T1O2 in ne aglomeratov.
Po končani površinski obdelavi se delci še operejo na centrifugi, s čimer se odstranijo vsebovane nečistoče, predvsem različne soli, nastale pri reakcijah površinske obdelave nanodelcev T1O2.
Izvedbeni primer A:
V čašo se natoči 500 mL destilirane vode, pH se uravna na pH 9,5 - 10,5 z dodajanjem 10 - 60 ut. % NaOH. Sočasno segrevamo pri temperaturi 40 -100 °C Pri tej pH-vrednosti je Na2SiO3 še
-7stabilen. Počasi (po kapljicah) se doda 10-30 ut.% Na2SiO3. Na2SiC>3 je v tem primeru predstavljal vir SiO2. Suspenzijo se meša 5-30 minut, nakar se doda 10-60 ut. % H2SO4, dokler ni dosežena vrednosti pH 6,5 - 7,5. Suspenzija smo pri tej vrednosti pH meša 0,5 - 4 ure, da se izobori ves SiO2. Sledi zorenje.
Izvedbeni primer B:
V čašo se natoči 500 mL pripravljene suspenzije rutilnih nanodelcev TiO2 z masno koncentracijo γ = 100 - 300 g/L, ki je bila predhodno dispergirana z uporabo dispergatorja Ultra Turrax T25 (IKA, Nemčija) pri 8000 - 13500 obratih/min. Suspenzija rutilnih nanodelcev TiO2 po sintezi je močno kisla (pH ~ 0). Suspenziji se ob mešanju s propelerskim mešalom pri 150 400 obratih/min doda 0,5 - 2 ut. % citronske kisline v obliki raztopine. Delci se lahko med postopkom površinske obdelave pri prehodu preko izoelektrične točke močno zaglomerirajo in so kot taki neprimerni za oplaščenje s SiO2. Pri oplaščevanju nanodelcev TiO2 s SiO2 je potrebno preprečiti aglomeracijo delcev, torej pripraviti stabilno suspenzijo v vodi. Aglomeracija se lahko prepreči z vezavo citronske kisline na površino. Kislina, vezana na površini, sterično preprečuje aglomeracijo nanodelcev, hkrati pa zagotovi na njihovi površini visok naboj, ki prispeva k elektrostatski stabilizaciji suspenzije (elektrosteričena stabilizacija). Mešanica je bila segreta na 40 - 100 °C, ob mešanju pri 150 - 400 obratih/min 0,5 - 2 uri. Med tem se je citronska kislina kemijsko vezala na površino nanodelcev. pH vrednost suspenzije je bila nato uravnana na pH 10,5 z dodajanjem 10 - 60 ut. % NaOH. Pri tej pH-vrednosti imajo delci na površini visok negativni naboj, kar se kaže kot visok ζ-potencial, ki preprečuje njihovo močno aglomeriranje. Suspenzijo se meša 0,5 - 2 uri, z namenom doseganja enakomerne porazdelitve naboja na površini nanodelcev TiO2. Ob nadaljnjem segrevanju in mešanju se dodaja 10-30 ut.% Na2SiO3. Na2SiO3 v tem primeru predstavlja vir SiO2. Suspenzijo je potrebno mešati 5-30 minut, nakar se doda 10-60 ut. % H2SO4, dokler ni dosežena vrednosti pH 7. Pri tej vrednosti pH se suspenzija 0,5 - 3 ure meša, z namenom izločitve vsega SiO2. Sledi zorenje in centrifugiranje.
Izvedbeni primer C:
Začetek Izvedbenega postopka B je enak Izvedbenemu postopku B. Po zorenju sledi centrifugiranje in pranje. Postopek pranja oplaščenih nanodelcev TiO2 je pomembna faza, saj se s pranjem odstranijo nastale soli pri reakcijah hidrolize SiO2 in ostale nečistoče, ki bi lahko imele negativen vpliv na aplikativne lastnosti opšlaščenih nanodelcev TiO2.
-8Izvedbeni primer D:
Začetek Izvedbenega postopka B je enak Izvedbenemu postopku A. Po 0,5 - 3 urah mešanja suspenzije pri nevtralni vrednosti pH, ko se izobori ves SiO2, se oplaščevanje nadaljuje z dodajanjem 10 - 30 ut. % NaA102, s simultanim dodajanjem 10-60 ut. % H2SC>4, s čimer smo ohranjali pH vrednost pri 6,5 - 7,5. Suspenzija se nato meša in segrevamo pri konstantni temperaturi še 10-60 minut. Sledi zorenje in pranje površinsko obdelanih TiO2 nanodelcev, kjer se odstranijo nastale soli pri reakcijah izobarjanja SiO2 in A12C>3 in ostale nečistoče.
Oplaščevanje rutilnih nanodelcev po izumu je torej značilen po tem, da se kisla suspenzija nanodelcev TiO2 prevede v stabilno suspenzijo z bazičnim pH z dodatkom ustrezne količine citronske kisline v raztopljeni obliki, da poteka reakcija s citronsko kislino v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času dveh ur ali manj ob sočasnem mešanju pri 150 do 400 obratih/min, da se dvig vrednosti pH iz močno kislega na pH 10,5 doseže z dodatkom baze, da se stabilizacija suspenzije nanodelcev TiO2 z bazičnim pH izvaja v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času dveh ur ali manj, da je izvedena sinteza nanosa nanodelcev SiO2 iz natrijevega silikata z dodatkom mineralne kisline, daje izoboritev dosežena pri vrednosti pH 7, pri kateri se suspenzija meša v času treh ur ali manj, daje izvedena sinteza nanosa nanodelcev A12O3 iz natrijevega aluminata s simultanim dodatkom mineralne kisline pri vrednosti pH med 6,5 in 7,5, da se nastala suspenzija meša v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času ene ure ali manj, da je možno oplaščene nanodelce TiO2 očistiti s centrifugiranjem, pri čemer se cikel centrifugiranja lahko večkrat ponovi.
Suspenzija nanodelcev TiO2 je masne koncentracije TiO2 med 100 in 300 g/L ter ima kislo vrednost pH. Kot stabilizator se uporabi citronska kislina med 0,5 in 2 ut.%. Kot baza za uravnavanje pH medija se uporablja 10 - 60 ut. % natrijev hidroksid. Vir SiO2 predstavlja 10 - 30 ut.% natrijev silikat masne koncentracije SiO2 220 g/L. Kot mineralna kislina za izobarjanje SiO2 nanodelcev uporablja 10-60 ut. % žveplova kislina. Vir A12C>3 predstavlja 10-30 ut.% natrijev aluminat masne koncentracije ALO3 280 g/L. Kot mineralna kislina za
-9izobarjanje AI2O3 nanodelcev uporablja 10-60 ut. % žveplova kislina. S centrifugiranjem nevtraliziranih suspenzij oplaščenih nanodelcev TiO2 se odstranijo soli, nastale med nevtralizacijo z bazo in kislino.
Claims (8)
1. Oplaščevanje rutilnih nanodelcev TiO2 v suspenziji s SiO2 in AfCfi pri čemer razvoj postopka izhaja iz kisle suspenzije nanodelcev TiO2 v kristalni strukturi, značilen po tem, da se kisla suspenzija nanodelcev TiO2 prevede v stabilno suspenzijo z bazičnim pH z dodatkom ustrezne količine citronske kisline v raztopljeni obliki, da poteka reakcija s citronsko kislino v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času dveh ur ali manj ob sočasnem mešanju pri 150 do 400 obratih/min, da se dvig vrednosti pH iz močno kislega na pH 10,5 doseže z dodatkom baze, da se stabilizacija suspenzije nanodelcev TiO2 z bazičnim pH izvaja v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času dveh ur ali manj, da je izvedena sinteza nanosa nanodelcev SiO2 iz natrijevega silikata z dodatkom mineralne kisline, daje izoboritev dosežena pri vrednosti pH 7, pri kateri se suspenzija meša v času treh ur ali manj, daje izvedena sinteza nanosa nanodelcev ΑΕΟ3 iz natrijevega aluminata s simultanim dodatkom mineralne kisline pri vrednosti pH med 6,5 in 7,5, da se nastala suspenzija meša v razponu temperatur med 40 in 100 °C in v času ene ure ali manj, da je možno oplaščene nanodelce TiO2 očistiti s centrifugiranjem, pri čemer se cikel centrifugiranja lahko večkrat ponovi.
2. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, daje suspenzija nanodelcev TiO2 masne koncentracije TiO2 med 100 in 300 g/L ter ima kislo vrednost pH.
3. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da se kot stabilizator uporabi citronska kislina med 0,5 in 2 ut.%.
4. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da se kot baza za uravnavanje pH medija uporablja 10-60 ut. % natrijev hidroksid.
5. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da vir SiO2 predstavlja 10 - 30 ut.% natrijev silikat masne koncentracije SiO2 220 g/L.
6. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da se kot mineralna kislina za izobarjanje SiO2 nanodelcev uporablja 10-60 ut. % žveplova kislina.
-117. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da vir AI2O3 predstavlja 10-30 ut.% natrijev aluminat masne koncentracije AI2O3 280 g/L.
8. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da se kot mineralna kislina za izobarjanje AI2O3 nanodelcev uporablja 10-60 ut. % žveplova kislina.
9. Oplaščevanje po zahtevku 1, značilno po tem, da se s centrifugiranjem nevtraliziranih suspenzij oplaščenih nanodelcev TiO2 odstranijo soli, nastale med nevtralizacijo z bazo in kislino.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SI201000397A SI23547A (sl) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO IN Al O |
| PCT/SI2011/000064 WO2012067590A1 (en) | 2010-11-19 | 2011-11-18 | Coating of tio2 rutile nanoparticles in a suspension with hydrated sio2 and ai2o3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SI201000397A SI23547A (sl) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO IN Al O |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SI23547A true SI23547A (sl) | 2012-05-31 |
Family
ID=45563487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SI201000397A SI23547A (sl) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO IN Al O |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| SI (1) | SI23547A (sl) |
| WO (1) | WO2012067590A1 (sl) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104877393A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-09-02 | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 | 一种低吸油量钛白粉及其制备方法 |
| CN106629748A (zh) * | 2015-12-10 | 2017-05-10 | 孝感嘉瑞应用科技开发有限公司 | 一种新型结构的纳米二氧化硅溶胶体 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111234567B (zh) * | 2020-03-18 | 2021-11-05 | 中南大学 | 一种制备高耐候钛白粉的无机包膜工艺 |
| CN111484756B (zh) * | 2020-05-22 | 2022-02-08 | 中信钛业股份有限公司 | 一种提高氧化铝包覆钛白粉分散稳定性的方法 |
| CN113234336A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-10 | 浙江天女集团制漆有限公司 | 一种无机复合紫外线吸收剂的制备方法 |
| CN116285425B (zh) * | 2022-12-15 | 2024-05-31 | 宜宾天原海丰和泰有限公司 | 一种钛白粉硅铝包膜方法 |
| CN117924971B (zh) * | 2024-01-22 | 2024-08-27 | 广东惠云钛业股份有限公司 | 一种超耐候性超细钛白粉及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179857B2 (en) * | 1998-08-20 | 2007-02-20 | Rhodia Chimie | Use of titanium dioxide as anti-UV agent in a rubber composition |
| US6783586B2 (en) * | 2001-11-01 | 2004-08-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Easy to disperse, high durability TiO2 pigment and method of making same |
| US20050129634A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Frerichs Scott R. | Passivated nano-titanium dioxide particles and methods of making the same |
-
2010
- 2010-11-19 SI SI201000397A patent/SI23547A/sl not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-11-18 WO PCT/SI2011/000064 patent/WO2012067590A1/en not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104877393A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-09-02 | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 | 一种低吸油量钛白粉及其制备方法 |
| CN106629748A (zh) * | 2015-12-10 | 2017-05-10 | 孝感嘉瑞应用科技开发有限公司 | 一种新型结构的纳米二氧化硅溶胶体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012067590A1 (en) | 2012-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SI23547A (sl) | OPLAŠČEVANJE RUTILNIH NANODELCEV TIO V SUSPENZIJI S HIDRATIZIRANIM SiO IN Al O | |
| CN102226043B (zh) | 一种船舶涂料用钛白粉的制备方法 | |
| JP5231553B2 (ja) | 透明で安定な二酸化チタンゾル | |
| JP3696993B2 (ja) | 二酸化チタン顔料の製造方法 | |
| JP5363459B2 (ja) | 共沈された混合酸化物で処理された二酸化チタン顔料の製法 | |
| Wilhelm et al. | On-line tracking of the coating of nanoscaled silica with titania nanoparticles via zeta-potential measurements | |
| FI66417B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av titandioxidpigment innehaollande zirkonium och anvaendning av dylika pigment vid faergning av lack plaster och spinnfibrer | |
| US3515566A (en) | Process for producing coated titanium dioxide pigment | |
| US20020005145A1 (en) | Nanoparticulate titanium dioxide coatings, and processes for the production and use thereof | |
| AU2007322294B2 (en) | Improved process for manufacturing zirconia-treated titanium dioxide pigments | |
| CN1263807C (zh) | 低温生产光泽度改善的二氧化钛的方法 | |
| JPH04214030A (ja) | 二酸化チタンの製法 | |
| CN104718256A (zh) | 耐候性珠光颜料、其制备方法和用途 | |
| US3146119A (en) | Pigment treatment | |
| JP2010512437A (ja) | 固形粒子、特に二酸化チタン顔料粒子の表面処理方法 | |
| Sun et al. | Preparation of a microsphere SiO2/TiO2 composite pigment: The mechanism of improving pigment properties by SiO2 | |
| CN101298339A (zh) | 纳米二氧化钛前驱体的表面改性方法 | |
| Dong et al. | Investigation on the film-coating mechanism of alumina-coated rutile TiO2 and its dispersion stability | |
| KR20070039111A (ko) | 이산화티탄 안료의 후처리방법 | |
| Cao et al. | Preparation of TiO2@ ZrO2@ SiO2@ MAA nanocomposites and impact of layer structure on pigmentary performance | |
| CN103450712B (zh) | 一种伊利石基复合钛白粉及其制备方法 | |
| JPS5930749B2 (ja) | 二酸化チタン顔料組成物及びその製法 | |
| CN102089246B (zh) | 微晶二氧化钛的制备方法 | |
| JPS6345123A (ja) | 微粉末二酸化チタン組成物 | |
| KR20160099689A (ko) | 무기 입자, 특히 이산화티탄 안료 입자의 표면의 코팅 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OO00 | Grant of patent |
Effective date: 20120613 |
|
| KO00 | Lapse of patent |
Effective date: 20201124 |