SE501888C2 - En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden - Google Patents
En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektrodenInfo
- Publication number
- SE501888C2 SE501888C2 SE9303426A SE9303426A SE501888C2 SE 501888 C2 SE501888 C2 SE 501888C2 SE 9303426 A SE9303426 A SE 9303426A SE 9303426 A SE9303426 A SE 9303426A SE 501888 C2 SE501888 C2 SE 501888C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- radio frequency
- hollow
- electrode
- discharge
- sputtering
- Prior art date
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32596—Hollow cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
Description
A501 sas 2 magnetroner, i vilka sputtringsnivåerna är relativt höga på grund av den magnetiska inneslutningen av urladdningen vid targetelekt- rodens (katodens) yta och ett lågt arbetstryck för gasen jämfört med vanliga sputtringssystem. Detta lägre arbetstryck är viktigt för att upprätthålla urladdningen i metallångor eftersom tar- getens nödvändiga förångningstemperatur är lägre vid lägre tryck och ångornas relativa täthet i arbetsgasen kan därför vara högre.
Trots denna fördel hos magnetroner genomfördes den kontinuerliga sj älvsputtringen endast med koppartarget. Den nu aktuella uppfin- ningen använder sig av en sputtringsprincip som nyligen utveck- lats av en av uppfinnarna (L. Bárdoš, tjeckisk patentansökan 1990) för filmsputtring i ihåliga material och rör. Sputtringen sker i en radiofrekvensgenererade (RF) plasmastråle i en arbets- gas som strömmar genom den ihåliga RF-elektroden, vilken fungerar som en hålkatod medan anoden är själva RF-plasmat. Den ihåliga RF-elektroden kan fungera som en target sputtrad av joner gene- rerade i plasmastrålen. Elektrodmaterialet kan reagera med en aktiv gas i plasmastrålen och reaktionsprodukten kan fällas ut som en tunn film på substratets ytor.
SAMMANFATTNING AV UPPFINNINGEN Ett syfte med den föreliggande uppfinningen är därför att övervinna de ovan nämnda upptäckternas begränsningar och nackdelar enligt teknikens ståndpunkt och att erbjuda en förbättrad metod och en apparat för att skapa en urladdning i de egna ångorna från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig sj älvsputtring av elektroden.
Enligt första syfte med uppfinningen omfattar en metod för gene- rerandet av en urladdning i de egna ångorna från en radiofre- kvenselektrod för kontinuerlig självsputtring av elektroden i följande steg: (a) skapandet av en radiofrekvensurladdning för en radiofre- kvenselektrod med ihålig geometri i en hjälpgas som införs i urladdningsområdet och regleras till det tryck som är nödvändigt för att en hålkatodurladdning skall påbörjas inuti den ihåliga 501 888 i 3 radiofrekvenselektroden, vilket skapar sputtring och/eller för- ångning av elektrodens yta, (b) en ökning av radiofrekvenseffekten till den ihåliga elektroden för att öka densiteten hos de ångor som innehåller partiklar som frigjorts från den ihåliga elektroden genom sputt- ringen och/eller förångningen av den radiofrekvensgenererade hålkatodurladdningen upp till den densitet vid vilken en konti- nuerlig urladdning kvarstår efter det att tillförseln av hj ölpgas stängts och pumpningen av gas från urladdningsområdet justeras till ett värde som är nödvändigt för att upprätthålla den själv- kontinuerliga urladdningen.
Enligt ett andra syfte med den föreliggande uppfinningen tjänar den ihåliga radiofrekvenselektroden som inlopp för hj älpgasen.
Enligt ett tredje syfte med den föreliggande uppfinningen visas en apparat för generering av den aktuella typen av urladdning enligt de tidigare två syftena, bestående av en reaktor pumpad av en vakuum, en radiofrekvensgenerator med en enhet för impedansanpassning, en gasbehållare och vidare omfattande: åtminstone en ihålig radiofrekvenselektrod vakuumtått installerad i reaktorn genom ett isolerat vakuuminlopp och avslutad med en ihålig target, en hjålpgas som införs från gasbehållaren in i den ihåliga targeten i reaktorn genom en gasventil, en kontrollventil mellan reaktorn och vakuumpumpen för att reglera trycket i reak- torn, en radiofrekvenseffekt från radiofrekvensgeneratorn kopplad genom impedansanpassningsenheten till radiofrekvenselektroden, en motelektrod kopplad till radiofrekvensgeneratorn för genere- ring av ett radiofrekvent plasma mellan radiofrekvenselektroden och motelektroden, en hålkatodurladdning genererad av radiofre- kvenseffekten och det radiofrekventa plasmat inuti den ihåliga radiofrekvenselektrodens target i en blandning av hjålpgas och ångor som skapats genom sputtring och/eller förångning av en inre del av det ihåliga targeten.
Enligt ett fjärde syfte med den föreliggande uppfinningen gene- reras hålkatodurladdningen vid värden på radiofrekvenseffekten I 501 888 4 som är tillräckliga för' att orsaka. ett kraftigt sputtrande och/eller förångande av det ihåliga targeten, hålkatodurladd- ningen upprätthålls utan hjälpgas, varför gasventilen är stängd och pumpningshastigheten minskas med kontrollventilen.
Enligt ett femte syfte med den föreliggande uppfinningen är den ihåliga radiofrekvenselektroden rörformad och hjälpgasen förs in i den ihåliga targeten genom den ihåliga radiofrekvenselektroden.
Enligt ett sjätte syfte med den föreliggande uppfinningen repre- senteras motelektroden antingen av en del av reaktorvåggen eller av en substrathållare med tillhörande substrat.
Enligt ett sjunde syfte med den föreliggande uppfinningen gene- reras hålkatodurladdningen i det ihåliga targeten i det magnetis- ka fält som skapas genom magneter eller elektromagnetiska lind- ningar.
KORT BESKRIVNING AV RITNINGARNA Ändamålen, funktionerna och fördelarna med den föreliggande uppfinningen som den beskrivits ovan klargörs genom den be- skrivning av uppfinningen som ges i samband med de följande figurerna, i vilka: FIG. l(a) är en schematisk bild av steg (a) i uppfinningens metodik genom vilken en radiofrekvensurladdning gene- reras av en radiofrekvenselektrod med ihålig form i en hjälpgas som förs in i urladdningsområdet och regleras till det tryck som är nödvändigt för att skapa en hål- katodurladdning inuti den ihåliga radiofrekvenselek- troden, vilket orsakar sputtring och/eller förångning av elektrodens yta, FIG. l(b) är en schematisk bild av steg (b) i uppfinningens metodik genom vilken en ökning av radiofrekvenseffek- ten till den ihåliga radiofrekvenselektroden orsakar 501 8828 _ 5 en kontinuerlig urladdning i ångor med partiklar som frigjorts från elektroden genom sputtring och/eller förångning i den ihåliga katodurladdningen utan något inflöde av hjälpgasen och.med pumpningen justerad till det värde som är nödvändigt för att underhålla denna själv bibehållna urladdning.
FIG. 2 är en schematisk planvy av en belysande utförandeform av den föreliggande uppfinningen, vilket visar ett exempel på en apparat för att generera en urladdning i de egna ångorna från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självsputtring av elektroden enligt upp- finningens metodik.
DETALJERAD BESKRIVNING Med hänvisning till fig. l(a) och fig. l(b) kan den föreliggande uppfinningens metodik beskrivas i två steg, (a) och (b): I fig. 1 (a), som motsvarar steg (a) i den föreliggande upp- finningens metodik, matas en radiofrekvenselektrod 1 med ihålig form, avslutad med en ihåligt target 2, med en radiofrekvensef- fekt 3. Elektroden 1 genererar en radiofrekvent urladdning 4 i en hjälpgas 5, och pumpningshastigheten 6 justeras till ett tryck som är nödvändigt för att initiera en hålkatodurladdning 7 inuti den ihåliga targeten 2 i den ihåliga radiofrekvenselektroden 1.
Denna hålkatodurladdning 7 genereras genom att den ihåliga radio- frekvenselektroden 1 ges en negativ elektriskt potential (även kallad “self-bias" ), automatiskt skapat av det radiofrekventa plasmat 4, vilken har rollen av en virtuell anod. Hålkatodurladd- ningen 7 orsakar sputtring och/eller förångning av den inre elektrodytan som år i kontakt med urladdningen, dvs av en inre del av den ihåliga targeten 2 som avslutar elektroden l. På så sätt exciteras hålkatodurladdningen 7 i en blandning av hjälp- gasen 5 och det sputtrade och/eller förångade materialet från den ihåliga targeten 2. Densiteten av ångorna som frigörs från den ihåliga targeten 2 beror på intensiteten av bombardemanget av de 801 888 6 joner som produceras i hålkatodurladdningen och påverkas av radiofrekvenseffekten 3. På grund av den ihåliga formen på targeten 2 kan jondensiteten i den ihåliga katodurladdningen 7 vara hög vid relativt låg effekt 3, jämfört med normala sput- tringssystem. Vid sanuna radiofrekvenseffekt 3 fås större utbyte för en mindre storlek på elektroden 1 och/eller targeten 2. Ett inflöde av hjälpgasen 5 till området runt det radiofrekventa plasmat 4 och in i den ihåliga targeten 2 i den ihåliga elektro- den 1 kan utföras på flera sätt. Genereringen av hålkatodurladd- ningen 7 kan dock vara enklare när elektroden l är rörformad och används för införsel av hjälpgasen 5 i radiofrekvensurladdningen 4.
I fig. l(b) vilken motsvarar steg (b) i uppfinningens metodik beskrivs en procedur som följer efter steg (a) i den beskrivna metoden. En ökning av radiofrekvenseffekten 3 som förser radio- frekvenselektroden orsakar en ökad sputtring och/eller förångning av det ihåliga targeten 2 och en erosionszon 8 i den ihåliga targeten 2 kan överhettas genom ett jonbombardemang. Detta orsakar en större emission av elektroner från erosionszonen 8, följd av en ytterligare jonisering och av ett större jonbom- bardemang av den här delen. En sådan lavinartad process leder till en extrem ökning av produktionen av ångor från targetmate- rialet upp till en kvalitativt ny process, där en kontinuerlig hålkatodurladdning 9 kan ske i de ångor som frigjorts från den ihåliga targeten och inflödet av hjälpgasen 5 (se fig. 1(a)) kan stängas. Under sådana förhållanden justeras pumpningshastigheten 6 för att upprätthålla den själv-kontinuerliga hålkatodurladd- ningen 9. I de flesta fall måste pumpningshastigheten 6 reduceras eller pumpningen till och med stoppas efter att inflödet av hj älpgas har stoppats, på grund av ångproduktionen från targeten.
Radiofrekvensströmmen 3 kan ökas för att öka ångproduktionen, men dess maxvärde är begränsat av temperaturstabiliteten för den överhettade eroderade delen 8 av den ihåliga targeten 2.
Med hänvisning till fig. 2 kommer att beskrivas en belysande utföringsform i enlighet med den föreliggande uppfinningen som 501 888 n _ 7 en exemplifierande apparat för generering av en urladdning i ångorna från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig sj älvsput- tring av elektroden enligt den metod som beskrivs ovan. En ihålig radiofrekvenselektrod 1 avslutad med en ihålig target 2 instal- leras vakuumtätt i reaktorn 16 genom en isolerande vakuumgenom- föring 14. Hjälpgas 5 förs in i den ihåliga targeten i reaktorn genom en gasventil ll från gasbehållaren 10 och gastrycket i reaktorn kontrolleras genom en kontrollventil 18 mellan reaktorn och vakuumpumpen 17. Radiofrekvenseffekt 3 matas till radiofre- kvenselektroden 1 från ena polen på en radiofrekvensgenerator 12 genom en impedansanpassningsenhet med en seriell kapacitans 13.
Radiofrekvenskretsen avslutas med en motelektrod 15 kopplad till den andra polen på radiofrekvensgeneratorn 12 och ett radiofre- kvent plasma 4 genereras mellan radiofrekvenselektroden 1 och motelektroden 15. Vid tillräcklig effekt 3 genereras en hålkato- durladdning 9 inuti den ihåliga targeten 2 i en blandning av hjälpgasen 5 och de ångor som bildats genom sputtring och/eller förångning av en inre del av den ihåliga targeten 2 genom nämnda hålkatodurladdning 9. Denna hålkatodurladdning 9 kan genereras vid en radiofrekvenseffekt som är tillräckligt hög för att orsaka stark sputtring och/eller förångning av den ihåliga targeten 2, så att hålkatodurladdningen 9 endast upprätthålls genom ångor som frigjorts- från den ihåliga targeten 2. Vid dessa förhållanden stängs gasventilen ll och pumphastigheten reduceras med kontroll- ventilen 18. Både den ihåliga radiofrekvenselektroden 1 och den ihåliga targeten kan vara rörformade och kan användas för till- försel av hjälpgas S in i reaktorn 16. I många fall kan motelekt- roden 15 ersättas med en del av reaktorväggen. När apparaten skall användas för beläggning av film på ett substrat, uppfylls motelektrodens roll av en substrathållare och substratet 19.
Hålkatodurladdningen 9 i den ihåliga targeten kan genereras i det magnetiska fält som skapas av magneter eller elektromagnetiska spolar 20. I detta arrangemang kan hålkatodurladdningens densitet inuti den ihåliga targeten förbättras genom en magnetisk inne- slutning. Detta arrangemang kommer också till användning för Stabilisering av hålkatodurladdningen 9 vid lägre ångtryck än i fallet utan magnetiskt fält.
A501 ass EXEMPEL Metoden och apparaten i enlighet med den föreliggande upp- finningen kan användas för att skapa en urladdning i de egna àngorna för kontinuerlig självsputtring även för andra metaller än koppar. På grund av möjligheten med en generering av radiofre- kventa hálkatodurladdningar i elektroder av rörform med liten diameter (i storleken 0,1 - l mm), kan medelströmmen per ytenhet vara ganska hög, upp till storleksordningen kw/cmz, redan vid en radiofrekvenseffekt av omkring 100 W. Bidrag av sputtrat och/eller förángat material från targeten som resultat av ett intensivt jonbombardemang kan därför producera ett resulterande àngtryck som är högt nog för att upprätthålla den kontinuerliga urladdningen även för hårda metaller som Ti. Ett exempel på en typisk uppsättning processparametrar för urladdningær i egna àngor för Ti är följande: - en rörformad radiofrekvenselektrod installerad 1 den elekt- riskt jordade metalliska reaktorn avslutas med det rörformade targeten av Ti med en yttre diameter 5 mm och en inre diameter 2 mm, - en radiofrekvenseffekt på 150 w genererar det radiofrekventa plasmat i reaktorn och den sätter också igång en hàlkatodurladd- ning inuti targeten av Ti 1 argon som flyter i radiofrekvense- lektroden genom targeten in i reaktorn som hålls vid ett tryck av omkring 0,5 Torr genom kontinuerligt pumpning, - vid en radiofrekvenseffekt på över 250 W blir targeten av Ti ytterst varm och en kontinuerlig urladdning koncentrerad till mynningen på targeten av Ti förblir stabil också efter att in- flödet av argon stängts och följd av en ordentlig minskning av pumpningshastigheten, - vid dessa förhållanden bekräftar den optiska emissionen från urladdningen att endast rent titan är närvarande.
En urladdning i elektrodens egen ånga i enlighet med den före- liggande uppfinningen kan uppfyllas också med likström i stället 501 888. 9 för en radiofrekvensgenerering av hålkatodurladdningen. Lik- strömsurladdningen är dock av sämre stabilitet än den radiofre- kvensgenererade eftersom ett radiofrekvent plasma i det senare fallet orsakar en stadig egen förjonisering för hålkatodurladd- ningen. Vid likströmsgenerering måste dessutom motsvarande anod arrangeras i närhet av hålkatodelektroden. Vid radiofrekvens- generering spelas anodens roll av det radiofrekventa plasmat sjalv.
Metoden och apparaten i enlighet med den föreliggande uppfin- ningen har en fördel särskilt vid tillämpningar, då lokala ihåliga delar av substratets yta måste beläggas med mycket rena filmer. Apparaten enligt uppfinningen kan användas inte bara för deponeringen av filmer inuti ihåliga substrat och rör, utan också i ett arrangemang av multielektroder för tillämpningar omfattande beläggning av stora områden.
Claims (7)
1. Metod för att generera en urladdning i egna àngor vid en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självsputtring av elek- troden innefattande stegen: (a) generering av en radiofrekvensurladdning (4) vidden radio- frekvenselektrod (1) med ihålig form i en hjälpgas (S) införd i urladdningsområdet och pumpad till ett tryck nödvändigt för ett startande av en hålkatodurladdning (7) inuti den ihåliga radio- frekvenselektroden, vilket orsakar sputtring och/eller förångning av elektrodens yta, (b) ökande av radiofrekvenseffekten (3) till hålkatoden för att öka densiteten hos ångorna av partiklar som frigörs från den ihåliga elektroden genom denna sputtring och/eller förángning i en radiofrekvensgenererad hålkatodurladdning (9) när en densitet vid vilken en själv-kontinuerlig urladdning kvarstår efter det att inflödet av hjälpgasen stängts av och pumpningen av gas från urladdningsområdet justerats till ett värde som är nödvändigt för underhållandet av den själv-kontinuerliga urladdningen. att den ihåliga radiofrekvenselektroden i steg (a), tjänar som ett inlopp
2. Metod enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av för hjälpgasen.
3. Apparat för att generera en urladdning i egna ångor för en radiofrekvenselektrod (1) för kontinuerlig självsputtring av en elektrod enligt metoden i krav 1 och 2, bestående av en reaktor som pumpas av en vakuum, en radiofrekvensgenerator med en impedansanpassningsenhet och en gasbehållare, k ä n n e t e c k - n a d av åtminstone en ihålig radiofrekvenselektrod (1) vakuumtätt in- stallerad i reaktorn genom en isolerad vakuumgenomföring (14) och avslutad med en ihåligt target (2), en hjälpgas (5) som införs i den ihåliga targeten i reaktorn (16) genom en gasventil (ll) från gasbehållaren (10), en kontrollventil (18) mellan reaktorn och vakuumpumpen (17) för att evakuera reaktorn, 501 888. ll en radiofrekvenseffekt (3) matad från en radiofrekvensgene- rator (12) genom impedansanpassningsenheten (13) till radiofre- kvenselektroden, en motelektrod (15) kopplad till radiofrekvensgeneratorn för generering av ett radiofrekvent plasma (4) mellan radiofrekvens- elektroden och motelektroden, en hålkatodurladdning (9) genererad av radiofrekvenseffekten och det radiofrekventa plasmat inuti den ihåliga targeten vid radiofrekvenselektroden i en blandning av hjålpgasen och ångor utvecklade genom sputtring eller förångning av en inre del av den ihåliga targeten.
4. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att hålkatodurladdningen genereras vid värden på radiofrekvenseffekten som är tillräckliga för att orsaka kraftig sputtring och/eller förångning av den ihåliga targeten, varjämte hålkatodurladdningen.bibehålls utan hjålpgasen, varvid gasventi- len stängs och pumphastigheten minskas med kontrollventilen.
5. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att den ihåliga radiofrekvenselektroden är rörformad och hjälpgasen införs i den ihåliga targeten genom den ihåliga radiofrekvenselektroden.
6. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att motelektroden utgörs antingen av delar av reaktor- väggen eller av en substrathållare och substrat (19).
7. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att hålkatodurladdningen i den ihåliga targeten genereras i det magnetiska fält som skapas av magneter eller elektromagnetiska spolar (20).
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9303426A SE501888C2 (sv) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden |
| PCT/SE1994/000959 WO1995011322A1 (en) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode |
| ES94931243T ES2185670T3 (es) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | Procedimiento de produccion de una descarga en los vapores de un electrodo de radiofrecuencia con el fin de obtener una auto-pulverizacion catodica y una evaporacion mantenidas del electrodo. |
| EP94931243A EP0726967B1 (en) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | A method for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode |
| BR9407844A BR9407844A (pt) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | Um método e um aparelho para gerar uma descarga em vapores próprios de um eletrodo de frequência de rádio para auto-sublimação catódica (sputtering) constante do catodo e evaporação do eletrodo |
| KR1019960701999A KR100270892B1 (ko) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | 전극의 지속적인 자기 스퍼터링 및 기화를 위한 고주파 전극의 자체 증기중에서의 방전발생 방법 및 장치 |
| AT94931243T ATE224465T1 (de) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | Verfahren zur entladungs-erzeugung in den dämpfen einer radiofrequenzelektrode zum anhaltenden selbstsputtern und verdampfung der elektrode |
| DE69431405T DE69431405T2 (de) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | Verfahren zur entladungs-erzeugung in den dämpfen einer radiofrequenzelektrode zum anhaltenden selbstsputtern und verdampfung der elektrode |
| CA002174507A CA2174507C (en) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode |
| US08/628,694 US5716500A (en) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | Method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode |
| JP51168395A JP3778294B2 (ja) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | 電極の持続的自己スパッタリング及び蒸発のために高周波電極自身の蒸気中で放電を発生させる方法及び装置 |
| AU80077/94A AU680958B2 (en) | 1993-10-18 | 1994-10-12 | A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode |
| NO19961534A NO313918B1 (no) | 1993-10-18 | 1996-04-18 | FremgangsmÕte og apparat for generering av en utladning i damp i en radiofrekvenselektrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9303426A SE501888C2 (sv) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE9303426D0 SE9303426D0 (sv) | 1993-10-18 |
| SE9303426L SE9303426L (sv) | 1995-04-19 |
| SE501888C2 true SE501888C2 (sv) | 1995-06-12 |
Family
ID=20391460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE9303426A SE501888C2 (sv) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5716500A (sv) |
| EP (1) | EP0726967B1 (sv) |
| JP (1) | JP3778294B2 (sv) |
| KR (1) | KR100270892B1 (sv) |
| AT (1) | ATE224465T1 (sv) |
| AU (1) | AU680958B2 (sv) |
| BR (1) | BR9407844A (sv) |
| CA (1) | CA2174507C (sv) |
| DE (1) | DE69431405T2 (sv) |
| ES (1) | ES2185670T3 (sv) |
| NO (1) | NO313918B1 (sv) |
| SE (1) | SE501888C2 (sv) |
| WO (1) | WO1995011322A1 (sv) |
Families Citing this family (176)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE9403988L (sv) * | 1994-11-18 | 1996-04-01 | Ladislav Bardos | Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6173672B1 (en) * | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6090457A (en) * | 1997-10-21 | 2000-07-18 | Sanyo Vaccum Industries Co. Ltd. | Process of making a thin film |
| JP2001521989A (ja) * | 1997-11-03 | 2001-11-13 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 被膜形成方法及びこの方法を実施するための装置 |
| CZ147698A3 (cs) * | 1998-05-12 | 2000-03-15 | Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity | Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska |
| JP3973786B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2007-09-12 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング方法及び装置 |
| US6762136B1 (en) * | 1999-11-01 | 2004-07-13 | Jetek, Inc. | Method for rapid thermal processing of substrates |
| US6352629B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Coaxial electromagnet in a magnetron sputtering reactor |
| US6632323B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Plasmion Corporation | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma |
| US6444945B1 (en) | 2001-03-28 | 2002-09-03 | Cp Films, Inc. | Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source |
| US20030203123A1 (en) * | 2002-04-26 | 2003-10-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for metal induced crystallization of polycrystalline thin film transistors |
| US6896773B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
| US7780793B2 (en) * | 2004-02-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth |
| US20060051966A1 (en) * | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US7444955B2 (en) * | 2004-05-19 | 2008-11-04 | Sub-One Technology, Inc. | Apparatus for directing plasma flow to coat internal passageways |
| US20060130971A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for generating plasma by RF power |
| US7622721B2 (en) * | 2007-02-09 | 2009-11-24 | Michael Gutkin | Focused anode layer ion source with converging and charge compensated beam (falcon) |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| DE112010005668T5 (de) | 2010-06-18 | 2013-05-02 | Mahle International Gmbh | Plasma-Verarbeitungsvorrichtung |
| WO2011156876A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| CN102869183A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 王殿儒 | 一种获得电离金属蒸气的方法 |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| DE102012201956A1 (de) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | Krones Ag | Hohlkathoden-Gaslanze für die Innenbeschichtung von Behältern |
| DE102012201955A1 (de) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | Krones Ag | Powerlanze und plasmaunterstützte Beschichtung mit Hochfrequenzeinkopplung |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| CN105722295B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-07-31 | 沈阳工业大学 | 一种三阴极等离子喷枪 |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| JP7176860B6 (ja) | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10756334B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-08-25 | Lyten, Inc. | Structured composite materials |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3830721A (en) * | 1973-08-22 | 1974-08-20 | Atomic Energy Commission | Hollow cathode sputtering device |
| US4116794A (en) * | 1974-12-23 | 1978-09-26 | Telic Corporation | Glow discharge method and apparatus |
| JPS6115967A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
| US4588490A (en) * | 1985-05-22 | 1986-05-13 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced magnetron sputter device |
| US4637853A (en) * | 1985-07-29 | 1987-01-20 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition |
| US5073245A (en) * | 1990-07-10 | 1991-12-17 | Hedgcoth Virgle L | Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device |
-
1993
- 1993-10-18 SE SE9303426A patent/SE501888C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-12 DE DE69431405T patent/DE69431405T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 JP JP51168395A patent/JP3778294B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 BR BR9407844A patent/BR9407844A/pt not_active IP Right Cessation
- 1994-10-12 US US08/628,694 patent/US5716500A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 EP EP94931243A patent/EP0726967B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 KR KR1019960701999A patent/KR100270892B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-12 AU AU80077/94A patent/AU680958B2/en not_active Ceased
- 1994-10-12 ES ES94931243T patent/ES2185670T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-12 AT AT94931243T patent/ATE224465T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-10-12 WO PCT/SE1994/000959 patent/WO1995011322A1/en not_active Ceased
- 1994-10-12 CA CA002174507A patent/CA2174507C/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-18 NO NO19961534A patent/NO313918B1/no not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2174507C (en) | 2005-06-21 |
| AU680958B2 (en) | 1997-08-14 |
| BR9407844A (pt) | 1997-05-13 |
| SE9303426L (sv) | 1995-04-19 |
| JP3778294B2 (ja) | 2006-05-24 |
| DE69431405T2 (de) | 2003-01-16 |
| EP0726967B1 (en) | 2002-09-18 |
| WO1995011322A1 (en) | 1995-04-27 |
| AU8007794A (en) | 1995-05-08 |
| US5716500A (en) | 1998-02-10 |
| NO961534L (no) | 1996-06-05 |
| NO313918B1 (no) | 2002-12-23 |
| CA2174507A1 (en) | 1995-04-27 |
| ATE224465T1 (de) | 2002-10-15 |
| NO961534D0 (no) | 1996-04-18 |
| EP0726967A1 (en) | 1996-08-21 |
| DE69431405D1 (de) | 2002-10-24 |
| ES2185670T3 (es) | 2003-05-01 |
| KR100270892B1 (ko) | 2000-12-01 |
| JPH09505355A (ja) | 1997-05-27 |
| SE9303426D0 (sv) | 1993-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE501888C2 (sv) | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden | |
| JP3652702B2 (ja) | プラズマ処理用線形アーク放電発生装置 | |
| CN101461032A (zh) | 真空处理装置、偏置电源和操作真空处理装置的方法 | |
| Vetter et al. | Advances in cathodic arc technology using electrons extracted from the vacuum arc | |
| CN115354289B (zh) | 一种离子源辅助沉积系统、沉积方法及真空镀膜设备 | |
| CN103469164A (zh) | 一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法 | |
| JP5836027B2 (ja) | イオンプレーティング装置および方法 | |
| JP2000336477A (ja) | 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置 | |
| RU2063472C1 (ru) | Способ плазменной обработки деталей и устройство для его осуществления | |
| JPH04351838A (ja) | イオンビーム装置の中性化器 | |
| JP4448004B2 (ja) | 物品処理装置 | |
| JP5959409B2 (ja) | 成膜装置及び成膜装置の動作方法 | |
| JPH08311645A (ja) | Ito成膜装置 | |
| JP2620474B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPS6298542A (ja) | イオン源 | |
| JPH0740469B2 (ja) | イオン源装置、及びその運転方法 | |
| JP2000017429A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH01294332A (ja) | イオン源 | |
| JPS5957423A (ja) | 金属導体層の形成方法 | |
| JPH04221064A (ja) | 真空アーク発生装置並びに該装置を利用したイオンビーム発生装置 | |
| JPH06173002A (ja) | イオンプレ−ティング装置 | |
| JPH10340794A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH01176072A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPH06248443A (ja) | イオンプレ−ティング装置 | |
| JPH0250955A (ja) | 高効率シートプラズマスパッタリング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |