[go: up one dir, main page]

SE501888C2 - En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden - Google Patents

En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden

Info

Publication number
SE501888C2
SE501888C2 SE9303426A SE9303426A SE501888C2 SE 501888 C2 SE501888 C2 SE 501888C2 SE 9303426 A SE9303426 A SE 9303426A SE 9303426 A SE9303426 A SE 9303426A SE 501888 C2 SE501888 C2 SE 501888C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
radio frequency
hollow
electrode
discharge
sputtering
Prior art date
Application number
SE9303426A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9303426L (sv
SE9303426D0 (sv
Inventor
Ladislav Bardos
Hana Barankova
Soeren Berg
Original Assignee
Ladislav Bardos
Hana Barankova
Soeren Berg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ladislav Bardos, Hana Barankova, Soeren Berg filed Critical Ladislav Bardos
Priority to SE9303426A priority Critical patent/SE501888C2/sv
Publication of SE9303426D0 publication Critical patent/SE9303426D0/sv
Priority to DE69431405T priority patent/DE69431405T2/de
Priority to US08/628,694 priority patent/US5716500A/en
Priority to BR9407844A priority patent/BR9407844A/pt
Priority to KR1019960701999A priority patent/KR100270892B1/ko
Priority to AT94931243T priority patent/ATE224465T1/de
Priority to ES94931243T priority patent/ES2185670T3/es
Priority to CA002174507A priority patent/CA2174507C/en
Priority to EP94931243A priority patent/EP0726967B1/en
Priority to JP51168395A priority patent/JP3778294B2/ja
Priority to AU80077/94A priority patent/AU680958B2/en
Priority to PCT/SE1994/000959 priority patent/WO1995011322A1/en
Publication of SE9303426L publication Critical patent/SE9303426L/sv
Publication of SE501888C2 publication Critical patent/SE501888C2/sv
Priority to NO19961534A priority patent/NO313918B1/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32596Hollow cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Description

A501 sas 2 magnetroner, i vilka sputtringsnivåerna är relativt höga på grund av den magnetiska inneslutningen av urladdningen vid targetelekt- rodens (katodens) yta och ett lågt arbetstryck för gasen jämfört med vanliga sputtringssystem. Detta lägre arbetstryck är viktigt för att upprätthålla urladdningen i metallångor eftersom tar- getens nödvändiga förångningstemperatur är lägre vid lägre tryck och ångornas relativa täthet i arbetsgasen kan därför vara högre.
Trots denna fördel hos magnetroner genomfördes den kontinuerliga sj älvsputtringen endast med koppartarget. Den nu aktuella uppfin- ningen använder sig av en sputtringsprincip som nyligen utveck- lats av en av uppfinnarna (L. Bárdoš, tjeckisk patentansökan 1990) för filmsputtring i ihåliga material och rör. Sputtringen sker i en radiofrekvensgenererade (RF) plasmastråle i en arbets- gas som strömmar genom den ihåliga RF-elektroden, vilken fungerar som en hålkatod medan anoden är själva RF-plasmat. Den ihåliga RF-elektroden kan fungera som en target sputtrad av joner gene- rerade i plasmastrålen. Elektrodmaterialet kan reagera med en aktiv gas i plasmastrålen och reaktionsprodukten kan fällas ut som en tunn film på substratets ytor.
SAMMANFATTNING AV UPPFINNINGEN Ett syfte med den föreliggande uppfinningen är därför att övervinna de ovan nämnda upptäckternas begränsningar och nackdelar enligt teknikens ståndpunkt och att erbjuda en förbättrad metod och en apparat för att skapa en urladdning i de egna ångorna från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig sj älvsputtring av elektroden.
Enligt första syfte med uppfinningen omfattar en metod för gene- rerandet av en urladdning i de egna ångorna från en radiofre- kvenselektrod för kontinuerlig självsputtring av elektroden i följande steg: (a) skapandet av en radiofrekvensurladdning för en radiofre- kvenselektrod med ihålig geometri i en hjälpgas som införs i urladdningsområdet och regleras till det tryck som är nödvändigt för att en hålkatodurladdning skall påbörjas inuti den ihåliga 501 888 i 3 radiofrekvenselektroden, vilket skapar sputtring och/eller för- ångning av elektrodens yta, (b) en ökning av radiofrekvenseffekten till den ihåliga elektroden för att öka densiteten hos de ångor som innehåller partiklar som frigjorts från den ihåliga elektroden genom sputt- ringen och/eller förångningen av den radiofrekvensgenererade hålkatodurladdningen upp till den densitet vid vilken en konti- nuerlig urladdning kvarstår efter det att tillförseln av hj ölpgas stängts och pumpningen av gas från urladdningsområdet justeras till ett värde som är nödvändigt för att upprätthålla den själv- kontinuerliga urladdningen.
Enligt ett andra syfte med den föreliggande uppfinningen tjänar den ihåliga radiofrekvenselektroden som inlopp för hj älpgasen.
Enligt ett tredje syfte med den föreliggande uppfinningen visas en apparat för generering av den aktuella typen av urladdning enligt de tidigare två syftena, bestående av en reaktor pumpad av en vakuum, en radiofrekvensgenerator med en enhet för impedansanpassning, en gasbehållare och vidare omfattande: åtminstone en ihålig radiofrekvenselektrod vakuumtått installerad i reaktorn genom ett isolerat vakuuminlopp och avslutad med en ihålig target, en hjålpgas som införs från gasbehållaren in i den ihåliga targeten i reaktorn genom en gasventil, en kontrollventil mellan reaktorn och vakuumpumpen för att reglera trycket i reak- torn, en radiofrekvenseffekt från radiofrekvensgeneratorn kopplad genom impedansanpassningsenheten till radiofrekvenselektroden, en motelektrod kopplad till radiofrekvensgeneratorn för genere- ring av ett radiofrekvent plasma mellan radiofrekvenselektroden och motelektroden, en hålkatodurladdning genererad av radiofre- kvenseffekten och det radiofrekventa plasmat inuti den ihåliga radiofrekvenselektrodens target i en blandning av hjålpgas och ångor som skapats genom sputtring och/eller förångning av en inre del av det ihåliga targeten.
Enligt ett fjärde syfte med den föreliggande uppfinningen gene- reras hålkatodurladdningen vid värden på radiofrekvenseffekten I 501 888 4 som är tillräckliga för' att orsaka. ett kraftigt sputtrande och/eller förångande av det ihåliga targeten, hålkatodurladd- ningen upprätthålls utan hjälpgas, varför gasventilen är stängd och pumpningshastigheten minskas med kontrollventilen.
Enligt ett femte syfte med den föreliggande uppfinningen är den ihåliga radiofrekvenselektroden rörformad och hjälpgasen förs in i den ihåliga targeten genom den ihåliga radiofrekvenselektroden.
Enligt ett sjätte syfte med den föreliggande uppfinningen repre- senteras motelektroden antingen av en del av reaktorvåggen eller av en substrathållare med tillhörande substrat.
Enligt ett sjunde syfte med den föreliggande uppfinningen gene- reras hålkatodurladdningen i det ihåliga targeten i det magnetis- ka fält som skapas genom magneter eller elektromagnetiska lind- ningar.
KORT BESKRIVNING AV RITNINGARNA Ändamålen, funktionerna och fördelarna med den föreliggande uppfinningen som den beskrivits ovan klargörs genom den be- skrivning av uppfinningen som ges i samband med de följande figurerna, i vilka: FIG. l(a) är en schematisk bild av steg (a) i uppfinningens metodik genom vilken en radiofrekvensurladdning gene- reras av en radiofrekvenselektrod med ihålig form i en hjälpgas som förs in i urladdningsområdet och regleras till det tryck som är nödvändigt för att skapa en hål- katodurladdning inuti den ihåliga radiofrekvenselek- troden, vilket orsakar sputtring och/eller förångning av elektrodens yta, FIG. l(b) är en schematisk bild av steg (b) i uppfinningens metodik genom vilken en ökning av radiofrekvenseffek- ten till den ihåliga radiofrekvenselektroden orsakar 501 8828 _ 5 en kontinuerlig urladdning i ångor med partiklar som frigjorts från elektroden genom sputtring och/eller förångning i den ihåliga katodurladdningen utan något inflöde av hjälpgasen och.med pumpningen justerad till det värde som är nödvändigt för att underhålla denna själv bibehållna urladdning.
FIG. 2 är en schematisk planvy av en belysande utförandeform av den föreliggande uppfinningen, vilket visar ett exempel på en apparat för att generera en urladdning i de egna ångorna från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självsputtring av elektroden enligt upp- finningens metodik.
DETALJERAD BESKRIVNING Med hänvisning till fig. l(a) och fig. l(b) kan den föreliggande uppfinningens metodik beskrivas i två steg, (a) och (b): I fig. 1 (a), som motsvarar steg (a) i den föreliggande upp- finningens metodik, matas en radiofrekvenselektrod 1 med ihålig form, avslutad med en ihåligt target 2, med en radiofrekvensef- fekt 3. Elektroden 1 genererar en radiofrekvent urladdning 4 i en hjälpgas 5, och pumpningshastigheten 6 justeras till ett tryck som är nödvändigt för att initiera en hålkatodurladdning 7 inuti den ihåliga targeten 2 i den ihåliga radiofrekvenselektroden 1.
Denna hålkatodurladdning 7 genereras genom att den ihåliga radio- frekvenselektroden 1 ges en negativ elektriskt potential (även kallad “self-bias" ), automatiskt skapat av det radiofrekventa plasmat 4, vilken har rollen av en virtuell anod. Hålkatodurladd- ningen 7 orsakar sputtring och/eller förångning av den inre elektrodytan som år i kontakt med urladdningen, dvs av en inre del av den ihåliga targeten 2 som avslutar elektroden l. På så sätt exciteras hålkatodurladdningen 7 i en blandning av hjälp- gasen 5 och det sputtrade och/eller förångade materialet från den ihåliga targeten 2. Densiteten av ångorna som frigörs från den ihåliga targeten 2 beror på intensiteten av bombardemanget av de 801 888 6 joner som produceras i hålkatodurladdningen och påverkas av radiofrekvenseffekten 3. På grund av den ihåliga formen på targeten 2 kan jondensiteten i den ihåliga katodurladdningen 7 vara hög vid relativt låg effekt 3, jämfört med normala sput- tringssystem. Vid sanuna radiofrekvenseffekt 3 fås större utbyte för en mindre storlek på elektroden 1 och/eller targeten 2. Ett inflöde av hjälpgasen 5 till området runt det radiofrekventa plasmat 4 och in i den ihåliga targeten 2 i den ihåliga elektro- den 1 kan utföras på flera sätt. Genereringen av hålkatodurladd- ningen 7 kan dock vara enklare när elektroden l är rörformad och används för införsel av hjälpgasen 5 i radiofrekvensurladdningen 4.
I fig. l(b) vilken motsvarar steg (b) i uppfinningens metodik beskrivs en procedur som följer efter steg (a) i den beskrivna metoden. En ökning av radiofrekvenseffekten 3 som förser radio- frekvenselektroden orsakar en ökad sputtring och/eller förångning av det ihåliga targeten 2 och en erosionszon 8 i den ihåliga targeten 2 kan överhettas genom ett jonbombardemang. Detta orsakar en större emission av elektroner från erosionszonen 8, följd av en ytterligare jonisering och av ett större jonbom- bardemang av den här delen. En sådan lavinartad process leder till en extrem ökning av produktionen av ångor från targetmate- rialet upp till en kvalitativt ny process, där en kontinuerlig hålkatodurladdning 9 kan ske i de ångor som frigjorts från den ihåliga targeten och inflödet av hjälpgasen 5 (se fig. 1(a)) kan stängas. Under sådana förhållanden justeras pumpningshastigheten 6 för att upprätthålla den själv-kontinuerliga hålkatodurladd- ningen 9. I de flesta fall måste pumpningshastigheten 6 reduceras eller pumpningen till och med stoppas efter att inflödet av hj älpgas har stoppats, på grund av ångproduktionen från targeten.
Radiofrekvensströmmen 3 kan ökas för att öka ångproduktionen, men dess maxvärde är begränsat av temperaturstabiliteten för den överhettade eroderade delen 8 av den ihåliga targeten 2.
Med hänvisning till fig. 2 kommer att beskrivas en belysande utföringsform i enlighet med den föreliggande uppfinningen som 501 888 n _ 7 en exemplifierande apparat för generering av en urladdning i ångorna från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig sj älvsput- tring av elektroden enligt den metod som beskrivs ovan. En ihålig radiofrekvenselektrod 1 avslutad med en ihålig target 2 instal- leras vakuumtätt i reaktorn 16 genom en isolerande vakuumgenom- föring 14. Hjälpgas 5 förs in i den ihåliga targeten i reaktorn genom en gasventil ll från gasbehållaren 10 och gastrycket i reaktorn kontrolleras genom en kontrollventil 18 mellan reaktorn och vakuumpumpen 17. Radiofrekvenseffekt 3 matas till radiofre- kvenselektroden 1 från ena polen på en radiofrekvensgenerator 12 genom en impedansanpassningsenhet med en seriell kapacitans 13.
Radiofrekvenskretsen avslutas med en motelektrod 15 kopplad till den andra polen på radiofrekvensgeneratorn 12 och ett radiofre- kvent plasma 4 genereras mellan radiofrekvenselektroden 1 och motelektroden 15. Vid tillräcklig effekt 3 genereras en hålkato- durladdning 9 inuti den ihåliga targeten 2 i en blandning av hjälpgasen 5 och de ångor som bildats genom sputtring och/eller förångning av en inre del av den ihåliga targeten 2 genom nämnda hålkatodurladdning 9. Denna hålkatodurladdning 9 kan genereras vid en radiofrekvenseffekt som är tillräckligt hög för att orsaka stark sputtring och/eller förångning av den ihåliga targeten 2, så att hålkatodurladdningen 9 endast upprätthålls genom ångor som frigjorts- från den ihåliga targeten 2. Vid dessa förhållanden stängs gasventilen ll och pumphastigheten reduceras med kontroll- ventilen 18. Både den ihåliga radiofrekvenselektroden 1 och den ihåliga targeten kan vara rörformade och kan användas för till- försel av hjälpgas S in i reaktorn 16. I många fall kan motelekt- roden 15 ersättas med en del av reaktorväggen. När apparaten skall användas för beläggning av film på ett substrat, uppfylls motelektrodens roll av en substrathållare och substratet 19.
Hålkatodurladdningen 9 i den ihåliga targeten kan genereras i det magnetiska fält som skapas av magneter eller elektromagnetiska spolar 20. I detta arrangemang kan hålkatodurladdningens densitet inuti den ihåliga targeten förbättras genom en magnetisk inne- slutning. Detta arrangemang kommer också till användning för Stabilisering av hålkatodurladdningen 9 vid lägre ångtryck än i fallet utan magnetiskt fält.
A501 ass EXEMPEL Metoden och apparaten i enlighet med den föreliggande upp- finningen kan användas för att skapa en urladdning i de egna àngorna för kontinuerlig självsputtring även för andra metaller än koppar. På grund av möjligheten med en generering av radiofre- kventa hálkatodurladdningar i elektroder av rörform med liten diameter (i storleken 0,1 - l mm), kan medelströmmen per ytenhet vara ganska hög, upp till storleksordningen kw/cmz, redan vid en radiofrekvenseffekt av omkring 100 W. Bidrag av sputtrat och/eller förángat material från targeten som resultat av ett intensivt jonbombardemang kan därför producera ett resulterande àngtryck som är högt nog för att upprätthålla den kontinuerliga urladdningen även för hårda metaller som Ti. Ett exempel på en typisk uppsättning processparametrar för urladdningær i egna àngor för Ti är följande: - en rörformad radiofrekvenselektrod installerad 1 den elekt- riskt jordade metalliska reaktorn avslutas med det rörformade targeten av Ti med en yttre diameter 5 mm och en inre diameter 2 mm, - en radiofrekvenseffekt på 150 w genererar det radiofrekventa plasmat i reaktorn och den sätter också igång en hàlkatodurladd- ning inuti targeten av Ti 1 argon som flyter i radiofrekvense- lektroden genom targeten in i reaktorn som hålls vid ett tryck av omkring 0,5 Torr genom kontinuerligt pumpning, - vid en radiofrekvenseffekt på över 250 W blir targeten av Ti ytterst varm och en kontinuerlig urladdning koncentrerad till mynningen på targeten av Ti förblir stabil också efter att in- flödet av argon stängts och följd av en ordentlig minskning av pumpningshastigheten, - vid dessa förhållanden bekräftar den optiska emissionen från urladdningen att endast rent titan är närvarande.
En urladdning i elektrodens egen ånga i enlighet med den före- liggande uppfinningen kan uppfyllas också med likström i stället 501 888. 9 för en radiofrekvensgenerering av hålkatodurladdningen. Lik- strömsurladdningen är dock av sämre stabilitet än den radiofre- kvensgenererade eftersom ett radiofrekvent plasma i det senare fallet orsakar en stadig egen förjonisering för hålkatodurladd- ningen. Vid likströmsgenerering måste dessutom motsvarande anod arrangeras i närhet av hålkatodelektroden. Vid radiofrekvens- generering spelas anodens roll av det radiofrekventa plasmat sjalv.
Metoden och apparaten i enlighet med den föreliggande uppfin- ningen har en fördel särskilt vid tillämpningar, då lokala ihåliga delar av substratets yta måste beläggas med mycket rena filmer. Apparaten enligt uppfinningen kan användas inte bara för deponeringen av filmer inuti ihåliga substrat och rör, utan också i ett arrangemang av multielektroder för tillämpningar omfattande beläggning av stora områden.

Claims (7)

501 888 10 PATENTKRAV
1. Metod för att generera en urladdning i egna àngor vid en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självsputtring av elek- troden innefattande stegen: (a) generering av en radiofrekvensurladdning (4) vidden radio- frekvenselektrod (1) med ihålig form i en hjälpgas (S) införd i urladdningsområdet och pumpad till ett tryck nödvändigt för ett startande av en hålkatodurladdning (7) inuti den ihåliga radio- frekvenselektroden, vilket orsakar sputtring och/eller förångning av elektrodens yta, (b) ökande av radiofrekvenseffekten (3) till hålkatoden för att öka densiteten hos ångorna av partiklar som frigörs från den ihåliga elektroden genom denna sputtring och/eller förángning i en radiofrekvensgenererad hålkatodurladdning (9) när en densitet vid vilken en själv-kontinuerlig urladdning kvarstår efter det att inflödet av hjälpgasen stängts av och pumpningen av gas från urladdningsområdet justerats till ett värde som är nödvändigt för underhållandet av den själv-kontinuerliga urladdningen. att den ihåliga radiofrekvenselektroden i steg (a), tjänar som ett inlopp
2. Metod enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av för hjälpgasen.
3. Apparat för att generera en urladdning i egna ångor för en radiofrekvenselektrod (1) för kontinuerlig självsputtring av en elektrod enligt metoden i krav 1 och 2, bestående av en reaktor som pumpas av en vakuum, en radiofrekvensgenerator med en impedansanpassningsenhet och en gasbehållare, k ä n n e t e c k - n a d av åtminstone en ihålig radiofrekvenselektrod (1) vakuumtätt in- stallerad i reaktorn genom en isolerad vakuumgenomföring (14) och avslutad med en ihåligt target (2), en hjälpgas (5) som införs i den ihåliga targeten i reaktorn (16) genom en gasventil (ll) från gasbehållaren (10), en kontrollventil (18) mellan reaktorn och vakuumpumpen (17) för att evakuera reaktorn, 501 888. ll en radiofrekvenseffekt (3) matad från en radiofrekvensgene- rator (12) genom impedansanpassningsenheten (13) till radiofre- kvenselektroden, en motelektrod (15) kopplad till radiofrekvensgeneratorn för generering av ett radiofrekvent plasma (4) mellan radiofrekvens- elektroden och motelektroden, en hålkatodurladdning (9) genererad av radiofrekvenseffekten och det radiofrekventa plasmat inuti den ihåliga targeten vid radiofrekvenselektroden i en blandning av hjålpgasen och ångor utvecklade genom sputtring eller förångning av en inre del av den ihåliga targeten.
4. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att hålkatodurladdningen genereras vid värden på radiofrekvenseffekten som är tillräckliga för att orsaka kraftig sputtring och/eller förångning av den ihåliga targeten, varjämte hålkatodurladdningen.bibehålls utan hjålpgasen, varvid gasventi- len stängs och pumphastigheten minskas med kontrollventilen.
5. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att den ihåliga radiofrekvenselektroden är rörformad och hjälpgasen införs i den ihåliga targeten genom den ihåliga radiofrekvenselektroden.
6. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att motelektroden utgörs antingen av delar av reaktor- väggen eller av en substrathållare och substrat (19).
7. Apparat enligt något av föregående krav k ä n n e t e c k - n a d av att hålkatodurladdningen i den ihåliga targeten genereras i det magnetiska fält som skapas av magneter eller elektromagnetiska spolar (20).
SE9303426A 1993-10-18 1993-10-18 En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden SE501888C2 (sv)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9303426A SE501888C2 (sv) 1993-10-18 1993-10-18 En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden
PCT/SE1994/000959 WO1995011322A1 (en) 1993-10-18 1994-10-12 A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode
ES94931243T ES2185670T3 (es) 1993-10-18 1994-10-12 Procedimiento de produccion de una descarga en los vapores de un electrodo de radiofrecuencia con el fin de obtener una auto-pulverizacion catodica y una evaporacion mantenidas del electrodo.
EP94931243A EP0726967B1 (en) 1993-10-18 1994-10-12 A method for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode
BR9407844A BR9407844A (pt) 1993-10-18 1994-10-12 Um método e um aparelho para gerar uma descarga em vapores próprios de um eletrodo de frequência de rádio para auto-sublimação catódica (sputtering) constante do catodo e evaporação do eletrodo
KR1019960701999A KR100270892B1 (ko) 1993-10-18 1994-10-12 전극의 지속적인 자기 스퍼터링 및 기화를 위한 고주파 전극의 자체 증기중에서의 방전발생 방법 및 장치
AT94931243T ATE224465T1 (de) 1993-10-18 1994-10-12 Verfahren zur entladungs-erzeugung in den dämpfen einer radiofrequenzelektrode zum anhaltenden selbstsputtern und verdampfung der elektrode
DE69431405T DE69431405T2 (de) 1993-10-18 1994-10-12 Verfahren zur entladungs-erzeugung in den dämpfen einer radiofrequenzelektrode zum anhaltenden selbstsputtern und verdampfung der elektrode
CA002174507A CA2174507C (en) 1993-10-18 1994-10-12 A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode
US08/628,694 US5716500A (en) 1993-10-18 1994-10-12 Method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode
JP51168395A JP3778294B2 (ja) 1993-10-18 1994-10-12 電極の持続的自己スパッタリング及び蒸発のために高周波電極自身の蒸気中で放電を発生させる方法及び装置
AU80077/94A AU680958B2 (en) 1993-10-18 1994-10-12 A method and an apparatus for generation of a discharge in own vapors of a radio frequency electrode for sustained self-sputtering and evaporation of the electrode
NO19961534A NO313918B1 (no) 1993-10-18 1996-04-18 FremgangsmÕte og apparat for generering av en utladning i damp i en radiofrekvenselektrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9303426A SE501888C2 (sv) 1993-10-18 1993-10-18 En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9303426D0 SE9303426D0 (sv) 1993-10-18
SE9303426L SE9303426L (sv) 1995-04-19
SE501888C2 true SE501888C2 (sv) 1995-06-12

Family

ID=20391460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9303426A SE501888C2 (sv) 1993-10-18 1993-10-18 En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden

Country Status (13)

Country Link
US (1) US5716500A (sv)
EP (1) EP0726967B1 (sv)
JP (1) JP3778294B2 (sv)
KR (1) KR100270892B1 (sv)
AT (1) ATE224465T1 (sv)
AU (1) AU680958B2 (sv)
BR (1) BR9407844A (sv)
CA (1) CA2174507C (sv)
DE (1) DE69431405T2 (sv)
ES (1) ES2185670T3 (sv)
NO (1) NO313918B1 (sv)
SE (1) SE501888C2 (sv)
WO (1) WO1995011322A1 (sv)

Families Citing this family (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE9403988L (sv) * 1994-11-18 1996-04-01 Ladislav Bardos Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning
US6406760B1 (en) 1996-06-10 2002-06-18 Celestech, Inc. Diamond film deposition on substrate arrays
US6173672B1 (en) * 1997-06-06 2001-01-16 Celestech, Inc. Diamond film deposition on substrate arrays
US6090457A (en) * 1997-10-21 2000-07-18 Sanyo Vaccum Industries Co. Ltd. Process of making a thin film
JP2001521989A (ja) * 1997-11-03 2001-11-13 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 被膜形成方法及びこの方法を実施するための装置
CZ147698A3 (cs) * 1998-05-12 2000-03-15 Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska
JP3973786B2 (ja) * 1998-12-28 2007-09-12 松下電器産業株式会社 スパッタリング方法及び装置
US6762136B1 (en) * 1999-11-01 2004-07-13 Jetek, Inc. Method for rapid thermal processing of substrates
US6352629B1 (en) * 2000-07-10 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Coaxial electromagnet in a magnetron sputtering reactor
US6632323B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-14 Plasmion Corporation Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma
US6444945B1 (en) 2001-03-28 2002-09-03 Cp Films, Inc. Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source
US20030203123A1 (en) * 2002-04-26 2003-10-30 Applied Materials, Inc. System and method for metal induced crystallization of polycrystalline thin film transistors
US6896773B2 (en) * 2002-11-14 2005-05-24 Zond, Inc. High deposition rate sputtering
US7780793B2 (en) * 2004-02-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth
US20060051966A1 (en) * 2004-02-26 2006-03-09 Applied Materials, Inc. In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7444955B2 (en) * 2004-05-19 2008-11-04 Sub-One Technology, Inc. Apparatus for directing plasma flow to coat internal passageways
US20060130971A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for generating plasma by RF power
US7622721B2 (en) * 2007-02-09 2009-11-24 Michael Gutkin Focused anode layer ion source with converging and charge compensated beam (falcon)
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
DE112010005668T5 (de) 2010-06-18 2013-05-02 Mahle International Gmbh Plasma-Verarbeitungsvorrichtung
WO2011156876A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Mahle Metal Leve S/A Plasma processing device
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
CN102869183A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 王殿儒 一种获得电离金属蒸气的方法
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
DE102012201956A1 (de) * 2012-02-09 2013-08-14 Krones Ag Hohlkathoden-Gaslanze für die Innenbeschichtung von Behältern
DE102012201955A1 (de) * 2012-02-09 2013-08-14 Krones Ag Powerlanze und plasmaunterstützte Beschichtung mit Hochfrequenzeinkopplung
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
CN105722295B (zh) * 2016-03-11 2018-07-31 沈阳工业大学 一种三阴极等离子喷枪
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10756334B2 (en) 2017-12-22 2020-08-25 Lyten, Inc. Structured composite materials
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3830721A (en) * 1973-08-22 1974-08-20 Atomic Energy Commission Hollow cathode sputtering device
US4116794A (en) * 1974-12-23 1978-09-26 Telic Corporation Glow discharge method and apparatus
JPS6115967A (ja) * 1984-06-29 1986-01-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面処理方法
US4588490A (en) * 1985-05-22 1986-05-13 International Business Machines Corporation Hollow cathode enhanced magnetron sputter device
US4637853A (en) * 1985-07-29 1987-01-20 International Business Machines Corporation Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition
US5073245A (en) * 1990-07-10 1991-12-17 Hedgcoth Virgle L Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device

Also Published As

Publication number Publication date
CA2174507C (en) 2005-06-21
AU680958B2 (en) 1997-08-14
BR9407844A (pt) 1997-05-13
SE9303426L (sv) 1995-04-19
JP3778294B2 (ja) 2006-05-24
DE69431405T2 (de) 2003-01-16
EP0726967B1 (en) 2002-09-18
WO1995011322A1 (en) 1995-04-27
AU8007794A (en) 1995-05-08
US5716500A (en) 1998-02-10
NO961534L (no) 1996-06-05
NO313918B1 (no) 2002-12-23
CA2174507A1 (en) 1995-04-27
ATE224465T1 (de) 2002-10-15
NO961534D0 (no) 1996-04-18
EP0726967A1 (en) 1996-08-21
DE69431405D1 (de) 2002-10-24
ES2185670T3 (es) 2003-05-01
KR100270892B1 (ko) 2000-12-01
JPH09505355A (ja) 1997-05-27
SE9303426D0 (sv) 1993-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE501888C2 (sv) En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden
JP3652702B2 (ja) プラズマ処理用線形アーク放電発生装置
CN101461032A (zh) 真空处理装置、偏置电源和操作真空处理装置的方法
Vetter et al. Advances in cathodic arc technology using electrons extracted from the vacuum arc
CN115354289B (zh) 一种离子源辅助沉积系统、沉积方法及真空镀膜设备
CN103469164A (zh) 一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法
JP5836027B2 (ja) イオンプレーティング装置および方法
JP2000336477A (ja) 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置
RU2063472C1 (ru) Способ плазменной обработки деталей и устройство для его осуществления
JPH04351838A (ja) イオンビーム装置の中性化器
JP4448004B2 (ja) 物品処理装置
JP5959409B2 (ja) 成膜装置及び成膜装置の動作方法
JPH08311645A (ja) Ito成膜装置
JP2620474B2 (ja) イオンプレーティング装置
JPS6298542A (ja) イオン源
JPH0740469B2 (ja) イオン源装置、及びその運転方法
JP2000017429A (ja) 真空成膜装置
JPH01294332A (ja) イオン源
JPS5957423A (ja) 金属導体層の形成方法
JPH04221064A (ja) 真空アーク発生装置並びに該装置を利用したイオンビーム発生装置
JPH06173002A (ja) イオンプレ−ティング装置
JPH10340794A (ja) プラズマ発生装置
JPH01176072A (ja) イオンプレーティング装置
JPH06248443A (ja) イオンプレ−ティング装置
JPH0250955A (ja) 高効率シートプラズマスパッタリング方法

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed