[go: up one dir, main page]

RU99105886A - Полупроводниковый датчик влажности газов - Google Patents

Полупроводниковый датчик влажности газов

Info

Publication number
RU99105886A
RU99105886A RU99105886/28A RU99105886A RU99105886A RU 99105886 A RU99105886 A RU 99105886A RU 99105886/28 A RU99105886/28 A RU 99105886/28A RU 99105886 A RU99105886 A RU 99105886A RU 99105886 A RU99105886 A RU 99105886A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
moisture sensor
semiconductor gas
gas moisture
base
semiconductor
Prior art date
Application number
RU99105886/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2161794C2 (ru
Inventor
Ираида Алексеевна Кировская
Original Assignee
Омский государственный технический университет
Filing date
Publication date
Application filed by Омский государственный технический университет filed Critical Омский государственный технический университет
Priority to RU99105886A priority Critical patent/RU2161794C2/ru
Priority claimed from RU99105886A external-priority patent/RU2161794C2/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2161794C2 publication Critical patent/RU2161794C2/ru
Publication of RU99105886A publication Critical patent/RU99105886A/ru

Links

Claims (1)

  1. Датчик влажности газов, содержащий полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, отличающийся тем, что основание выполнено в виде поликристаллической пленки селенида цинка, легированного арсенидом галлия.
RU99105886A 1999-03-24 1999-03-24 Полупроводниковый датчик влажности газов RU2161794C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99105886A RU2161794C2 (ru) 1999-03-24 1999-03-24 Полупроводниковый датчик влажности газов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99105886A RU2161794C2 (ru) 1999-03-24 1999-03-24 Полупроводниковый датчик влажности газов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2161794C2 RU2161794C2 (ru) 2001-01-10
RU99105886A true RU99105886A (ru) 2001-01-27

Family

ID=20217517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99105886A RU2161794C2 (ru) 1999-03-24 1999-03-24 Полупроводниковый датчик влажности газов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2161794C2 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2212656C1 (ru) * 2002-03-04 2003-09-20 Омский государственный технический университет Датчик влажности газов
RU2423688C1 (ru) * 2010-02-08 2011-07-10 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Омский Государственный Технический Университет" Нанополупроводниковый газоанализатор
RU2530455C1 (ru) * 2013-02-08 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Нанополупроводниковый газовый датчик
RU2561019C1 (ru) * 2014-04-16 2015-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый анализатор диоксида азота
RU2631009C2 (ru) * 2016-02-25 2017-09-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" Полупроводниковый анализатор аммиака

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3024297C2 (de) * 1980-06-27 1985-08-14 Endress U. Hauser Gmbh U. Co, 7867 Maulburg Kapazitiver Feuchtigkeitsfühler und Verfahren zum Herstellen seiner feuchtigkeitsempfindlichen Schicht
RU2125260C1 (ru) * 1997-03-25 1999-01-20 Омский государственный технический университет Датчик влажности газов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2599136A1 (en) Gas sensor
EP1030378A3 (en) Semiconductor luminescent element and method of manufacturing the same
IL173281A (en) Back illuminated photodetector
DE69836654D1 (de) Halbleiterstruktur mit abruptem Dotierungsprofil
FI20012000L (fi) Pakkauksen kansi, sen valmistusmenetelmä sekä kannella suljettu pakkaus
JPH11204793A5 (ru)
DE68910032D1 (de) Organische dünne Schicht durch regulierbare Molekularepitaxie.
DE69101818D1 (de) Halbleitersubstrat-Ätzgerät.
WO2003008095A3 (en) Perovskites comprising noble metals, applicable as catalysts
DE60014694D1 (de) Poröser silikatischer film mit niedriger durchlässigkeit, halbleiterelement mit solchem film, und beschichtungszusammensetzung den film bildend
DE69905973T2 (de) Entpalettiervorrichtung mit Kollektorband.
EP1335044A4 (en) Zinc oxide semiconductor material
DE68919485D1 (de) Halbleitersubstrat mit Substratscheibe und Verbindungshalbleiterschicht.
JP2000082671A5 (ru)
CA2381404A1 (en) Ointment applicator and ointment patch using the same
EP1223234A3 (en) Epitaxial base substrate and epitaxial substrate
RU99105886A (ru) Полупроводниковый датчик влажности газов
KR880701692A (ko) 질화 알루미늄 소결체 및 그 반도체 기판
DE69907257D1 (de) Halbleitergassensor
RU99125143A (ru) Полупроводниковый газовый датчик
ATE327574T1 (de) Halleffekt-sensor
USD488550S1 (en) Chimney rain cap
USD477651S1 (en) Decoy
RU97104680A (ru) Датчик влажности газов
RU2000121327A (ru) Датчик угарного газа