RU98120361A - Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора - Google Patents
Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бораInfo
- Publication number
- RU98120361A RU98120361A RU98120361/02A RU98120361A RU98120361A RU 98120361 A RU98120361 A RU 98120361A RU 98120361/02 A RU98120361/02 A RU 98120361/02A RU 98120361 A RU98120361 A RU 98120361A RU 98120361 A RU98120361 A RU 98120361A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- boron
- source
- coating
- ammonia
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 9
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
Claims (10)
1. Способ получения прочно связанного покрытия без трещин из BSixN1+1,33x на углеродном, графитовом или керамическом материале с низким тепловым расширением, отличающийся тем, что покрываемый материал помещают в печную камеру реакционного сосуда, атмосферу в печной камере нагревают до однородной температуры, находящейся в пределах между 1350 и 1550°С, снижают давление в камере до менее чем 1,5 Торр, в эту печную камеру подают пары реагентов, состоящих по существу из аммиака, газообразных источников бора и кремния, а также разбавителя, выбранного из группы, включающей азот, водород и стехиометрический избыток аммиака, регулируют скорость потока аммиака по отношению к скоростям потока источников бора и кремния так, что суммарная скорость потока бора и кремния меньше скорости потока аммиака, посредством чего формируют покрытие из BSixN1+1,33x на материале с низким тепловым расширением, при этом покрытие имеет расхождение теплового расширения по отношению к подложке менее 0,1% при нагревании до 1500°С.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание кремния в композиции покрытия составляет 2,0 - 42,0 мас.%, а свободный кремний по существу отсутствует.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что газообразные реагенты направляют в указанную камеру при скоростях газовых потоков, соответствующих следующему соотношению: N/(B+Si)≥2, где N - источник азота, В - источник бора, a Si - источник кремния.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что источником бора является трихлорид бора, источником кремния является трихлорсилан, а источником азота является аммиак.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что температура в печи составляет 1450 - 1550°С.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что содержание кремния в покрытии из PB(Si)N составляет 7 - 35 мас.%.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что покрытым материалом является высокомодульный углерод-углеродный материал.
8. Изделие с покрытием, включающее подложку из углеродного, графитового или керамического материала, на которой формируют покрытие, находящееся в непосредственном тесном контакте с этой подложкой, при этом покрытие содержит аморфную композицию, состоящую по существу из пиролитического (B+Si)N, имеющего состав BSixN1+1,33x, содержащую 7 - 35 мас.% кремния и по существу не содержащую свободного кремния, имеющую по существу постоянную плотность в указанном интервале содержания кремния, и расхождение в тепловом расширении до 1500°С менее чем примерно 0,1% по отношению к тепловому расширению данной подложки, так что покрытие остается нерастрескавшимся при повышенной температуре, причем покрытие получают способом, в котором пары реагентов подают в нагретую камеру печи при однородной температуре осаждения, находящейся в пределах между 1350 и 1550°С, давлении менее 1,5 Торр, пары реагентов состоят по существу из аммиака, газообразных источников бора и кремния, а также разбавителя, выбранного из азота и/или водорода, а скорости потоков газов регулируют так, что суммарная скорость потоков бора и кремния меньше скорости потока аммиака.
9. Изделие по п.8, отличающееся тем, что соотношение потоков газов составляет N/(B+Si)≥2, где N - источник азота, В - источник бора, a Si - источник кремния.
10. Изделие по п.9, отличающееся тем, что источником бора является трихлорид бора, источником кремния является трихлорсилан, а источником азота является аммиак.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/630,041 US5972511A (en) | 1994-11-01 | 1996-04-02 | Process for forming low thermal expansion pyrolytic nitride coatings on low thermal expansion materials and coated article |
| US630041 | 1996-04-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98120361A true RU98120361A (ru) | 2000-08-27 |
| RU2168557C2 RU2168557C2 (ru) | 2001-06-10 |
Family
ID=24525519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98120361/02A RU2168557C2 (ru) | 1996-04-02 | 1996-09-11 | Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5972511A (ru) |
| JP (1) | JP2000507647A (ru) |
| RU (1) | RU2168557C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997037058A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19635848C1 (de) * | 1996-09-04 | 1997-04-24 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur Beschichtung von Substraten |
| RU2477338C1 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-03-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) | Устройство для получения борных волокон |
| KR101397340B1 (ko) | 2013-03-13 | 2014-05-20 | 이승윤 | 금속 표면처리 방법 및 이에 따른 금속 처리물 |
| CN109608208B (zh) * | 2018-12-17 | 2021-12-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种多层界面涂层及其制备方法和应用 |
| CN116332676B (zh) * | 2023-03-10 | 2023-12-29 | 陕西科技大学 | 碳/碳复合材料SiC/SiB6@Al2O3/Glass复合抗氧化涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU596659A1 (ru) * | 1976-06-30 | 1978-02-08 | Предприятие П/Я М-5409 | Способ защиты графитовых изделий от разрушени |
| JPS6283306A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | Res Dev Corp Of Japan | 透明なbn系セラミックス材料 |
| JPH0297417A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | けい素原子含有結晶性窒化ほう素複合膜の製造方法 |
| US5128286A (en) * | 1989-06-20 | 1992-07-07 | Tonen Corporation | Boron-containing, silicon nitride-based ceramic shaped body |
| DE69116847T2 (de) * | 1990-08-08 | 1996-07-04 | Advanced Ceramics Corp., Lakewood, Ohio | Verfahren zum herstellen von rissfreiem pyrolytischem bornitrid auf einer kohlenstoffstruktur sowie formkörper |
-
1996
- 1996-04-02 US US08/630,041 patent/US5972511A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-11 WO PCT/US1996/014561 patent/WO1997037058A1/en not_active Ceased
- 1996-09-11 JP JP09535231A patent/JP2000507647A/ja not_active Ceased
- 1996-09-11 RU RU98120361/02A patent/RU2168557C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Loumagne et al. | Reactional mechanisms of the chemical vapour deposition of SiC-based ceramics from CH3SiCl3H2 gas precursor | |
| Riedel et al. | A silicoboron carbonitride ceramic stable to 2,000 C | |
| US4312921A (en) | Super hard-highly pure silicon nitrides | |
| US5368938A (en) | Oxidation resistant carbon and method for making same | |
| CA1334569C (en) | Oxidation resistant carbon and method for making same | |
| US4717693A (en) | Process for producing beta silicon nitride fibers | |
| RU98120361A (ru) | Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора | |
| EP0495095A1 (en) | METHOD FOR FORMING CRYSTAL FREE PYROLYTIC BORON NITRIDE ON A CARBON STRUCTURE, AND ARTICLE. | |
| JP2684106B2 (ja) | セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品 | |
| Corriu et al. | Poly [(silylene) diacetylene]–metal oxide composites: A new approach to SiC–metal nitride ceramics | |
| Roucka et al. | Low-temperature growth of SiCAlN films of high hardness on Si (111) substrates | |
| US5972511A (en) | Process for forming low thermal expansion pyrolytic nitride coatings on low thermal expansion materials and coated article | |
| Choi et al. | Chemical vapour deposition of silicon carbide by pyrolysis of methylchlorosilanes | |
| US20050255245A1 (en) | Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials | |
| US6117233A (en) | Formation of single-crystal thin SiC films | |
| Pawlas-Foryst et al. | Deposition of boron nitride on graphite at 1300 K | |
| Pochet et al. | Practical aspects of deposition of CVD SiC and boron silicon carbide onto high temperature composites | |
| Chiu et al. | Local equilibrium phase diagrams: SiC deposition in a hot wall LPCVD reactor | |
| US20250154069A1 (en) | Method and device for producing a silicon carbide containing workpiece | |
| JP2001262346A (ja) | ピンホ−ルを低減したSiC被覆黒鉛部材の製法 | |
| Yoon et al. | Carbon-excess silicon carbide deposition from pyrolysis of tetramethylsilane | |
| AU664824B1 (en) | Oxidation resistant carbon and method for making same | |
| JP2528928B2 (ja) | 炭化けい素−窒化けい素複合膜の製造方法 | |
| JPH0425347B2 (ru) | ||
| Chiu et al. | Low‐Pressure Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Thin Films from Organopolysilanes |