[go: up one dir, main page]

RU98120361A - Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора - Google Patents

Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора

Info

Publication number
RU98120361A
RU98120361A RU98120361/02A RU98120361A RU98120361A RU 98120361 A RU98120361 A RU 98120361A RU 98120361/02 A RU98120361/02 A RU 98120361/02A RU 98120361 A RU98120361 A RU 98120361A RU 98120361 A RU98120361 A RU 98120361A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
boron
source
coating
ammonia
Prior art date
Application number
RU98120361/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2168557C2 (ru
Inventor
Артур Уильям Мур
Original Assignee
Адванст Керамикс Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/630,041 external-priority patent/US5972511A/en
Application filed by Адванст Керамикс Корпорейшн filed Critical Адванст Керамикс Корпорейшн
Publication of RU98120361A publication Critical patent/RU98120361A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2168557C2 publication Critical patent/RU2168557C2/ru

Links

Claims (10)

1. Способ получения прочно связанного покрытия без трещин из BSixN1+1,33x на углеродном, графитовом или керамическом материале с низким тепловым расширением, отличающийся тем, что покрываемый материал помещают в печную камеру реакционного сосуда, атмосферу в печной камере нагревают до однородной температуры, находящейся в пределах между 1350 и 1550°С, снижают давление в камере до менее чем 1,5 Торр, в эту печную камеру подают пары реагентов, состоящих по существу из аммиака, газообразных источников бора и кремния, а также разбавителя, выбранного из группы, включающей азот, водород и стехиометрический избыток аммиака, регулируют скорость потока аммиака по отношению к скоростям потока источников бора и кремния так, что суммарная скорость потока бора и кремния меньше скорости потока аммиака, посредством чего формируют покрытие из BSixN1+1,33x на материале с низким тепловым расширением, при этом покрытие имеет расхождение теплового расширения по отношению к подложке менее 0,1% при нагревании до 1500°С.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание кремния в композиции покрытия составляет 2,0 - 42,0 мас.%, а свободный кремний по существу отсутствует.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что газообразные реагенты направляют в указанную камеру при скоростях газовых потоков, соответствующих следующему соотношению: N/(B+Si)≥2, где N - источник азота, В - источник бора, a Si - источник кремния.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что источником бора является трихлорид бора, источником кремния является трихлорсилан, а источником азота является аммиак.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что температура в печи составляет 1450 - 1550°С.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что содержание кремния в покрытии из PB(Si)N составляет 7 - 35 мас.%.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что покрытым материалом является высокомодульный углерод-углеродный материал.
8. Изделие с покрытием, включающее подложку из углеродного, графитового или керамического материала, на которой формируют покрытие, находящееся в непосредственном тесном контакте с этой подложкой, при этом покрытие содержит аморфную композицию, состоящую по существу из пиролитического (B+Si)N, имеющего состав BSixN1+1,33x, содержащую 7 - 35 мас.% кремния и по существу не содержащую свободного кремния, имеющую по существу постоянную плотность в указанном интервале содержания кремния, и расхождение в тепловом расширении до 1500°С менее чем примерно 0,1% по отношению к тепловому расширению данной подложки, так что покрытие остается нерастрескавшимся при повышенной температуре, причем покрытие получают способом, в котором пары реагентов подают в нагретую камеру печи при однородной температуре осаждения, находящейся в пределах между 1350 и 1550°С, давлении менее 1,5 Торр, пары реагентов состоят по существу из аммиака, газообразных источников бора и кремния, а также разбавителя, выбранного из азота и/или водорода, а скорости потоков газов регулируют так, что суммарная скорость потоков бора и кремния меньше скорости потока аммиака.
9. Изделие по п.8, отличающееся тем, что соотношение потоков газов составляет N/(B+Si)≥2, где N - источник азота, В - источник бора, a Si - источник кремния.
10. Изделие по п.9, отличающееся тем, что источником бора является трихлорид бора, источником кремния является трихлорсилан, а источником азота является аммиак.
RU98120361/02A 1996-04-02 1996-09-11 Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора RU2168557C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/630,041 US5972511A (en) 1994-11-01 1996-04-02 Process for forming low thermal expansion pyrolytic nitride coatings on low thermal expansion materials and coated article
US630041 1996-04-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98120361A true RU98120361A (ru) 2000-08-27
RU2168557C2 RU2168557C2 (ru) 2001-06-10

Family

ID=24525519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98120361/02A RU2168557C2 (ru) 1996-04-02 1996-09-11 Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5972511A (ru)
JP (1) JP2000507647A (ru)
RU (1) RU2168557C2 (ru)
WO (1) WO1997037058A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19635848C1 (de) * 1996-09-04 1997-04-24 Daimler Benz Ag Verfahren zur Beschichtung von Substraten
RU2477338C1 (ru) * 2011-12-28 2013-03-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) Устройство для получения борных волокон
KR101397340B1 (ko) 2013-03-13 2014-05-20 이승윤 금속 표면처리 방법 및 이에 따른 금속 처리물
CN109608208B (zh) * 2018-12-17 2021-12-31 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种多层界面涂层及其制备方法和应用
CN116332676B (zh) * 2023-03-10 2023-12-29 陕西科技大学 碳/碳复合材料SiC/SiB6@Al2O3/Glass复合抗氧化涂层及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU596659A1 (ru) * 1976-06-30 1978-02-08 Предприятие П/Я М-5409 Способ защиты графитовых изделий от разрушени
JPS6283306A (ja) * 1985-10-04 1987-04-16 Res Dev Corp Of Japan 透明なbn系セラミックス材料
JPH0297417A (ja) * 1988-09-30 1990-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd けい素原子含有結晶性窒化ほう素複合膜の製造方法
US5128286A (en) * 1989-06-20 1992-07-07 Tonen Corporation Boron-containing, silicon nitride-based ceramic shaped body
DE69116847T2 (de) * 1990-08-08 1996-07-04 Advanced Ceramics Corp., Lakewood, Ohio Verfahren zum herstellen von rissfreiem pyrolytischem bornitrid auf einer kohlenstoffstruktur sowie formkörper

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Loumagne et al. Reactional mechanisms of the chemical vapour deposition of SiC-based ceramics from CH3SiCl3H2 gas precursor
Riedel et al. A silicoboron carbonitride ceramic stable to 2,000 C
US4312921A (en) Super hard-highly pure silicon nitrides
US5368938A (en) Oxidation resistant carbon and method for making same
CA1334569C (en) Oxidation resistant carbon and method for making same
US4717693A (en) Process for producing beta silicon nitride fibers
RU98120361A (ru) Способ формирования покрытий на основе пиролитического нитрида кремния-бора
EP0495095A1 (en) METHOD FOR FORMING CRYSTAL FREE PYROLYTIC BORON NITRIDE ON A CARBON STRUCTURE, AND ARTICLE.
JP2684106B2 (ja) セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品
Corriu et al. Poly [(silylene) diacetylene]–metal oxide composites: A new approach to SiC–metal nitride ceramics
Roucka et al. Low-temperature growth of SiCAlN films of high hardness on Si (111) substrates
US5972511A (en) Process for forming low thermal expansion pyrolytic nitride coatings on low thermal expansion materials and coated article
Choi et al. Chemical vapour deposition of silicon carbide by pyrolysis of methylchlorosilanes
US20050255245A1 (en) Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials
US6117233A (en) Formation of single-crystal thin SiC films
Pawlas-Foryst et al. Deposition of boron nitride on graphite at 1300 K
Pochet et al. Practical aspects of deposition of CVD SiC and boron silicon carbide onto high temperature composites
Chiu et al. Local equilibrium phase diagrams: SiC deposition in a hot wall LPCVD reactor
US20250154069A1 (en) Method and device for producing a silicon carbide containing workpiece
JP2001262346A (ja) ピンホ−ルを低減したSiC被覆黒鉛部材の製法
Yoon et al. Carbon-excess silicon carbide deposition from pyrolysis of tetramethylsilane
AU664824B1 (en) Oxidation resistant carbon and method for making same
JP2528928B2 (ja) 炭化けい素−窒化けい素複合膜の製造方法
JPH0425347B2 (ru)
Chiu et al. Low‐Pressure Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Thin Films from Organopolysilanes