[go: up one dir, main page]

RU93046763A - Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент - Google Patents

Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент

Info

Publication number
RU93046763A
RU93046763A RU93046763/25A RU93046763A RU93046763A RU 93046763 A RU93046763 A RU 93046763A RU 93046763/25 A RU93046763/25 A RU 93046763/25A RU 93046763 A RU93046763 A RU 93046763A RU 93046763 A RU93046763 A RU 93046763A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plateau
semiconductor substrate
bevels
tops
contacts
Prior art date
Application number
RU93046763/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2122259C1 (ru
Inventor
Р. Хецель
Original Assignee
Р. Хецель
Filing date
Publication date
Application filed by Р. Хецель filed Critical Р. Хецель
Priority to RU93046763A priority Critical patent/RU2122259C1/ru
Priority claimed from RU93046763A external-priority patent/RU2122259C1/ru
Publication of RU93046763A publication Critical patent/RU93046763A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2122259C1 publication Critical patent/RU2122259C1/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ изготовления солнечного элемента состоит в том, что по меньшей мере на одной поверхности полупроводниковой подложки образуют путем механического удаления или травления полупроводникового материала структуру параллельно расположенных канавок, отделенных одна от другой возвышенностями, сужающимися к вершинам. На всю структурированную поверхность наносят пассивирующий слой, после чего вершины возвышенностей срезают на глубину пассивирующего слоя, в результате чего образуются параллельно расположенные платообразные области, от которых отходят скобы. На платообразные области, а также на один из скосов каждой области наносят материал, образующий электропроводящие контакты. Солнечный элемент содержит полупроводниковую подложку, на одной поверхности которой сформирована структура возвышенностей с платообразными вершинами и с боковыми скосами. На платообразных вершинах и частично на скосах расположены электропроводящие контакты. Поверхность полупроводниковой подложки в области между контактами покрыта пассивирующим материалом.
RU93046763A 1993-06-07 1993-06-07 Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент RU2122259C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93046763A RU2122259C1 (ru) 1993-06-07 1993-06-07 Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93046763A RU2122259C1 (ru) 1993-06-07 1993-06-07 Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93046763A true RU93046763A (ru) 1995-09-20
RU2122259C1 RU2122259C1 (ru) 1998-11-20

Family

ID=20147983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93046763A RU2122259C1 (ru) 1993-06-07 1993-06-07 Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2122259C1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE50309785D1 (de) * 2003-07-21 2008-06-19 Abb Research Ltd Laserbestrahlte metallisierte Elektrokeramik
RU2340979C1 (ru) * 2004-10-28 2008-12-10 Мимасу Семикондактор Индастри Ко., Лтд Способ производства полупроводниковой подложки, полупроводниковая подложка для солнечных установок и раствор для травления
US8003425B2 (en) * 2008-05-14 2011-08-23 International Business Machines Corporation Methods for forming anti-reflection structures for CMOS image sensors
RU2569086C2 (ru) * 2011-07-26 2015-11-20 Эл Джи Кем, Лтд. Нанокристаллические слои на основе диоксида титана с низкой температурой отжига для применения в сенсибилизированных красителем солнечных элементах и способы их получения
JP2013165160A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池
RU2568421C1 (ru) * 2014-07-25 2015-11-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ") СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СМЕШАННЫЙ АМОРФНЫЙ И НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ НИТРИД КРЕМНИЯ - КРЕМНИЙ p-ТИПА

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1285545A1 (ru) * 1985-03-25 1987-01-23 Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Способ изготовлени мультискана

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4623751A (en) Photovoltaic device and its manufacturing method
US5131933A (en) Solar cell
US3932226A (en) Method of electrically interconnecting semiconductor elements
KR950034867A (ko) 반도체 상호접속재를 구비한 고집적의 발광 다이오드 배열 및 그 제조방법
KR840003924A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
EP0272453A3 (en) Merged bipolar/cmos technology using electrically active trench
KR890011073A (ko) 공통 기판상에 솔라 셀을 직렬접속하는 방법
DE19546418A1 (de) Photospannungsgenerator
EP0749161A3 (en) Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
US6013870A (en) Thin-film solar module
KR870008395A (ko) 절연게이트 전계효과 트랜지스터
KR940006395A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
RU93046763A (ru) Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент
KR900003967A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
DE69132358D1 (de) Solarzelle
UST100501I4 (en) Integrated circuit layout utilizing separated active circuit and wiring regions
US5633526A (en) Photodiode array and method for manufacturing the same
KR830006825A (ko) 광전변환장치(光電變換裝置)
EP1148559A3 (en) High speed semiconductor photodetector and method of fabricating the same
KR940001358A (ko) 반도체장치 제조방법
EP0173074A3 (en) Configuration of a metal insulator semiconductor with a processor based gate
KR900008911A (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
SU1285545A1 (ru) Способ изготовлени мультискана
JP2798772B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
KR970060538A (ko) 후면 함몰전극형 태양전지