RU2732334C1 - Axial unloaded compensator - Google Patents
Axial unloaded compensator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2732334C1 RU2732334C1 RU2020108500A RU2020108500A RU2732334C1 RU 2732334 C1 RU2732334 C1 RU 2732334C1 RU 2020108500 A RU2020108500 A RU 2020108500A RU 2020108500 A RU2020108500 A RU 2020108500A RU 2732334 C1 RU2732334 C1 RU 2732334C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- spring
- cylindrical
- compensator
- pistons
- crystals
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000005486 microgravity Effects 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 10
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 cadmium chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/14—Crucibles or vessels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
- C30B30/08—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions in conditions of zero-gravity or low gravity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Выращивание кристаллов в условиях микрогравитации - важное направление в быстро развивающемся космическом материаловедении.Growing crystals under microgravity conditions is an important area in the rapidly developing space materials science.
Предлагаемое изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов металлов в условиях микрогравитации.The proposed invention relates to technological equipment for growing crystals of metal chalcogenides in microgravity.
Выращивание кристаллов халькогенидов металлов на борту космических аппаратов производится в герметичных ампулах, так как многие соединения этой группы имеют высокие давления собственных паров в точках плавления или при близких к ним температурах. Многие халькогениды металлов частично разлагаются при испарении; образующиеся пары компонентов химически агрессивны. Поэтому в конструкциях ампул применяются материалы, инертные к расплавам и парам халькогенидов металлов и их компонентов. В основном это кварцевое стекло и углеграфитовые материалы.Crystals of metal chalcogenides are grown on board spacecraft in sealed ampoules, since many compounds of this group have high vapor pressures at their melting points or at temperatures close to them. Many metal chalcogenides are partially decomposed by evaporation; the resulting vapors of the components are chemically aggressive. Therefore, ampoule designs use materials inert to melts and vapors of metal chalcogenides and their components. These are mainly quartz glass and carbon-graphite materials.
При выращивании кристаллов халькогенидов металлов в космосе загрузка ампул и выращенные кристаллы подвергаются существенным нагрузкам при взлете ракеты-носителя и при посадке спускаемого аппарата. Для сохранения загрузок и выращенных кристаллов необходимо компенсировать такие нагрузки. Кроме того, многие халькогениды металлов, например, халькогениды цинка и кадмия, имеют отрицательные объемные эффекты кристаллизации (от - 0,6% для CdTe до - 13,0% для ZnSe), что необходимо учитывать при конструировании ампул, предназначенных для выращивания кристаллов из расплава или раствора в расплаве, предусматривая в таких устройствах компенсацию изменения объема при плавлении или растворении в расплаве.When crystals of metal chalcogenides are grown in space, the loading of ampoules and the grown crystals are subjected to significant loads during takeoff of the launch vehicle and during landing of the descent vehicle. To preserve the loads and grown crystals, it is necessary to compensate for such loads. In addition, many metal chalcogenides, for example, zinc and cadmium chalcogenides, have negative volumetric crystallization effects (from - 0.6% for CdTe to - 13.0% for ZnSe), which must be taken into account when designing ampoules intended for growing crystals from melt or solution in the melt, providing in such devices compensation for the volume change during melting or dissolution in the melt.
Известен демпфирующий элемент [Левченко А.А., Колесников Н.Н., Борисенко Д.Н. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Патент РФ на изобретение №2547758, опубл. 10.04.2015, Бюл. №10] - аналог, размещаемый в ампулах для выращивания кристаллов селенида галлия (GaSe) в условиях микрогравитации и представляющий собой шайбу из углеграфитового войлока. Основной недостаток такого устройства состоит в том, что оно, по существу, представляет собой стартовый компенсатор, то есть компенсатор, срабатывающий однократно при приложении нагрузки. Упругости углеграфитового войлока недостаточно для восстановления исходной формы компенсатора после приложения значительной нагрузки.Known damping element [AA Levchenko, NN Kolesnikov, DN Borisenko. Ampoule for growing crystals in microgravity. RF patent for invention No. 2547758, publ. 10.04.2015, Bul. No. 10] - an analogue placed in ampoules for growing gallium selenide (GaSe) crystals under microgravity conditions and representing a washer made of carbon-graphite felt. The main disadvantage of such a device is that it is essentially a starting compensator, that is, a compensator that is triggered once when a load is applied. The elasticity of the carbon-graphite felt is not enough to restore the original shape of the expansion joint after the application of a significant load.
Наиболее близким к заявляемому устройству по своей технической сущности является осевой компенсатор для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации с компенсирующим элементом, выполненным в виде винтовой цилиндрической пружины и цилиндрического поршня с цилиндрическим штоком [G.W. Knowles. Ampoule for crystal growth. Pat. US 5205997 A, 1993] - прототип. Основной недостаток такого устройства состоит в том, что одна сторона пружины свободно опирается на неподвижный металлический упор. В процессе выращивания кристалла в такой конструкции возможен перекос пружины, так как все детали устройства выполнены из материалов с разным коэффициентом термического расширения, а компенсатор в целом работает под нагрузкой. При возникновении перекоса пружины компенсатор не будет выполнять свои функции, повторное срабатывание компенсатора будет невозможно.The closest to the claimed device in its technical essence is an axial compensator for growing crystals in microgravity with a compensating element made in the form of a helical cylindrical spring and a cylindrical piston with a cylindrical rod [G.W. Knowles. Ampoule for crystal growth. Pat. US 5205997 A, 1993] - prototype. The main disadvantage of such a device is that one side of the spring rests freely on a fixed metal stop. In the process of growing a crystal in such a structure, the spring can be skewed, since all parts of the device are made of materials with different coefficients of thermal expansion, and the compensator as a whole operates under load. If the spring is skewed, the compensator will not perform its functions, it will be impossible to re-operate the compensator.
Задачей предлагаемого устройства является создание компенсатора, размещаемого в ампулах для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации, и позволяющего неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы.The task of the proposed device is to create a compensator placed in ampoules for growing crystals in microgravity, and allowing repeated operation to compensate for the loads arising at the launch of the launch vehicle, with an increase in the volume of loading in the ampoules when it melts or dissolves in the melt, when the landing vehicle with ampoules containing the grown crystals.
Поставленная задача решается применением осевого компенсатора с графитовым компенсирующим элементом, причем компенсатор выполнен в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины сжатия, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки поршней являются центрирующими элементами для пружины.The problem is solved by using an axial compensator with a graphite compensating element, and the compensator is made in the form of a helical cylindrical graphite compression spring placed between two cylindrical quartz glass pistons so that the cylindrical piston rods are centering elements for the spring.
Технический результат достигается тем, что винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия позволяет неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок.The technical result is achieved by the fact that the helical cylindrical graphite compression spring allows repeated operation to compensate for the loads.
Конструкция компенсатора представлена на чертеже Фиг. 1, где 1 - винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия, 2 - цилиндрические поршни из кварцевого стекла, 3 - цилиндрические штоки поршней.The structure of the compensator is shown in the drawing FIG. 1, where 1 - helical cylindrical graphite compression spring, 2 - cylindrical quartz glass pistons, 3 - cylindrical piston rods.
Сборка компенсатора производится следующим образом. Штоки поршней вставляются в отверстие винтовой цилиндрической пружины сжатия с двух сторон, как показано на Фиг. 1. После сборки устройство размещается в цилиндрической ампуле для выращивания кристаллов. Размещение компенсатора в ампуле показано на чертеже Фиг. 2 на примере ампулы для выращивания кристалла методом движущейся зоны растворителя. На Фиг. 2 цифрами обозначены следующие позиции: 1 - винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия, 2 - цилиндрические поршни из кварцевого стекла, 3 - цилиндрические штоки поршней, 4 - часть загрузки, являющаяся питающим слитком, 5 - часть загрузки, являющаяся зоной растворителя (исходно находящейся в твердом состоянии), 6 - часть загрузки, являющаяся затравкой для роста кристалла, 7 - ампула из кварцевого стекла, герметично закрытая пробкой 8.The expansion joint is assembled as follows. The piston rods are inserted into the bore of the helical compression coil spring from both sides, as shown in FIG. 1. After assembly, the device is placed in a cylindrical crystal growth ampoule. The placement of the compensator in the ampoule is shown in FIG. 2 by the example of an ampoule for growing a crystal by the method of a moving solvent zone. FIG. 2, the following positions are indicated by numbers: 1 - helical cylindrical graphite compression spring, 2 - cylindrical pistons made of quartz glass, 3 - cylindrical piston rods, 4 - part of the charge, which is a feed ingot, 5 - part of the charge, which is a solvent zone (initially located in a solid state), 6 - part of the load, which is a seed for crystal growth, 7 - quartz glass ampoule, hermetically sealed with a
Назначение элементов осевого компенсатора: винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия (1) является компенсирующим элементом; цилиндрические поршни (2) обеспечивают скольжение по внутренней поверхности ампулы при сжатии или растяжении пружины; цилиндрические штоки поршней (3) обеспечивают центровку пружины и фиксируют ее на поршнях.Purpose of the axial expansion joint elements: helical cylindrical graphite compression spring (1) is a compensating element; cylindrical pistons (2) provide sliding along the inner surface of the ampoule when the spring is compressed or stretched; cylindrical piston rods (3) center the spring and fix it on the pistons.
Предлагаемый осевой компенсатор работает следующим образом. Ампула (7), в сборе с загрузкой и герметично закрытая пробкой (8), размещается в технологической установке, отправляемой на околоземную орбиту, так, чтобы нагрузки, возникающие при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы, носили преимущественно осевой характер, то есть были направлены перпендикулярно плоскостям цилиндрических поршней компенсатора (2). При возникновении нагрузки винтовая цилиндрическая графитовая пружина (1) сжимается, при этом поршни из кварцевого стекла (2) обеспечивают эквивалентное сжатию пружины перемещение компенсатора за счет скольжения по внутренней поверхности ампулы (7). При снятии нагрузки пружина (1) возвращается в исходное состояние.The proposed axial expansion joint works as follows. The ampoule (7), assembled with the loading and hermetically sealed with the stopper (8), is placed in the technological unit sent to the near-earth orbit, so that the loads arising during the launch of the launch vehicle, with an increase in the volume of the loading in ampoules during its melting or dissolution in the melt, when landing the descent vehicle with ampoules containing the grown crystals, were predominantly axial, that is, they were directed perpendicular to the planes of the cylindrical pistons of the compensator (2). When a load occurs, the helical cylindrical graphite spring (1) is compressed, while the quartz glass pistons (2) provide the compensator movement equivalent to the compression of the spring by sliding along the inner surface of the ampoule (7). When the load is removed, the spring (1) returns to its original state.
Осевой компенсатор успешно прошел наземную отработку космических экспериментов по выращиванию кристаллов теллурида цинка-кадмия методом движущейся зоны растворителя, в качестве которого использовали теллур.The axial expansion joint has successfully passed ground-based testing of space experiments on growing crystals of zinc-cadmium telluride by the method of a moving zone of a solvent, which was used as tellurium.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020108500A RU2732334C1 (en) | 2020-02-26 | 2020-02-26 | Axial unloaded compensator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020108500A RU2732334C1 (en) | 2020-02-26 | 2020-02-26 | Axial unloaded compensator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2732334C1 true RU2732334C1 (en) | 2020-09-15 |
Family
ID=72516533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020108500A RU2732334C1 (en) | 2020-02-26 | 2020-02-26 | Axial unloaded compensator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2732334C1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4740264A (en) * | 1986-10-29 | 1988-04-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Liquid encapsulated float zone process and apparatus |
| US5205997A (en) * | 1989-07-31 | 1993-04-27 | Grumman Aerospace Corporation | Ampoule for crystal growth |
| RU2547758C1 (en) * | 2014-02-13 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Ampoule for crystal growing under micro gravitation |
-
2020
- 2020-02-26 RU RU2020108500A patent/RU2732334C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4740264A (en) * | 1986-10-29 | 1988-04-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Liquid encapsulated float zone process and apparatus |
| US5205997A (en) * | 1989-07-31 | 1993-04-27 | Grumman Aerospace Corporation | Ampoule for crystal growth |
| RU2547758C1 (en) * | 2014-02-13 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Ampoule for crystal growing under micro gravitation |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ARNOLD W. A. et al., Three-Dimensional Flow Transport Modes in Directional Solidification During Space Processing, "J. SPACECRAFT", 1991, Vol. 28, No. 2, pp 238-243. * |
| ARNOLD W. A. et al., Three-Dimensional Flow Transport Modes in Directional Solidification During Space Processing, "J. SPACECRAFT", 1991, Vol. 28, No. 2, pp 238-243. OSTROGORSKYA A.G. et al., Reproducible Te-doped InSb experiments in Microgravity Science Glovebox at the International Space Station, "Journal of Crystal Growth", 2008, 310, 364-371. * |
| OSTROGORSKYA A.G. et al., Reproducible Te-doped InSb experiments in Microgravity Science Glovebox at the International Space Station, "Journal of Crystal Growth", 2008, 310, 364-371. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2732334C1 (en) | Axial unloaded compensator | |
| Triboulet | CdTe And CdTe: Hg alloys crystal growth using stoichiometric and off-stoichiometric zone passing techniques | |
| McCarter et al. | Isotropic behavior of an anisotropic material: single crystal silicon | |
| Gille et al. | A new approach to crystal growth of Hg1− xCdxTe by the travelling heater method (THM) | |
| RU2547758C1 (en) | Ampoule for crystal growing under micro gravitation | |
| US6673647B2 (en) | Method for growing a solid type II-VI semiconductor material | |
| US5023058A (en) | Ampoule for crystal-growing furnace | |
| US4740264A (en) | Liquid encapsulated float zone process and apparatus | |
| Cröll et al. | Floating‐zone growth of GaAs under microgravity during the D2‐mission | |
| US4869776A (en) | Method for the growth of a compound semiconductor crystal | |
| Torres et al. | Experimental and analytical techniques for studying ZBLAN crystallization in microgravity | |
| Omaly et al. | Mass transport, nucleation and monocrystal growth of HgI2 with the forced flux method | |
| US3460998A (en) | Process of growing a single crystal utilizing differences in chemical potential | |
| Ostrogorsk et al. | Crystal Growth in the SUBSA furnace at the International Space Station (ISS) | |
| Weaver et al. | Developments in ultra-stable quartz oscillators for deep space reliability | |
| Debe | Industrial materials processing experiments on board the Space Shuttle Orbiter | |
| Su et al. | Growth of Ternary Compound Semiconductors (GTCS) | |
| Benz et al. | Growth of semiconductor crystals on sounding rockets-an efficient alternative to manned mission | |
| Kodama et al. | Compositional variation in AlGaAs crystals grown by LPE under microgravity and terrestrial conditions | |
| Vengatesan et al. | Microhardness studies of antimony trisulphide single crystals grown by the chemical vapour transport technique | |
| RU2155830C2 (en) | Process of preparation of charge to produce solid solutions of chalcogenides of lead and tin by para-phase methods | |
| met Neptune | Quantum gases trapped in 3D | |
| Wood | Rosetta: A mission to sample the nucleus of a comet | |
| Pool | Turning Down the Heat on Thin Films: Superconducting thin films will be essential to any practical application of superconductivity to microelectronics. Scientists have now succeeded in putting these thin films onto silicon, which is the base element in most integrated circuits. | |
| Mar | The centre cannot hold |