RU2717254C1 - Волоконный лазер для накачки активных элементов - Google Patents
Волоконный лазер для накачки активных элементов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2717254C1 RU2717254C1 RU2019110327A RU2019110327A RU2717254C1 RU 2717254 C1 RU2717254 C1 RU 2717254C1 RU 2019110327 A RU2019110327 A RU 2019110327A RU 2019110327 A RU2019110327 A RU 2019110327A RU 2717254 C1 RU2717254 C1 RU 2717254C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- fiber
- laser
- power supply
- pumping
- output
- Prior art date
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 3
- -1 thulium ion Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06704—Housings; Packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к лазерной технике. Волоконный лазер для накачки активных элементов содержит блок питания и излучатель, включающий оптически связанные активный элемент в виде активного волоконного световода и источник диодной накачки. Первый выход блока питания электрически связан с входом излучателя, содержащего термодатчик, выход которого электрически связан с входом блока питания, не менее одного нагревательных элементов, силовые выводы которых электрически связаны со вторым выходом блока питания. Лазер снабжен оптоволоконными объединителями накачки, резонатором, образованным селективными зеркалами, выполненными в виде волоконных брегговских решеток с резонансной длиной волны в диапазоне 1907,6-1908,2, не менее чем одним источником диодной накачки, оборудованным эмиттерами, расположенными с противоположных сторон теплоотводящей пластины, образованной частью корпуса лазера, и волоконным выводом излучения, оснащенным кристаллическим наконечником. В качестве источников диодной накачки использованы лазерные диоды с длиной волны 786 нм и температурным дрейфом длины волны 0,3 нм/К. Технический результат заключается в обеспечении возможности улучшения эксплуатационных возможностей с уменьшением массогабаритных характеристик. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Изобретение относится к устройствам для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных волн с длиной волны большей, чем длина волны в ультрафиолетовом диапазоне, а именно к волоконным лазерам для накачки, например, гольмиевых активных элементов.
Накачка активных элементов, например гольмиевых, с помощью волоконного лазера, например тулиевого, уменьшает квантовый дефект ввиду минимальной разницы длин волн накачки и генерации, что значительно снижает тепловые нагрузки, являющиеся критическими для кристаллов. Волоконный лазер, например тулиевый, в таких системах должен обеспечивать оптимальные спектральные характеристики в широком диапазоне рабочих температур от -60°С до +60°С для эффективной накачки активного элемента в различных условиях эксплуатации, должен обеспечивать формирование необходимого лазерного пучка и иметь защиту от обратного излучения. Также конструкция лазера должна быть компактной и не требовать дополнительных устройств питания, охлаждения и др. для работы.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению и выбранным в качестве прототипа устройства является техническое решение, описанное в патенте на полезную модель №112520, опубл. 10.01.2012 г., МПК H01S 3/067, под названием «Волоконный лазер», содержащий блок питания и излучатель, включающий оптически связанные активный элемент в виде активного волоконного световода и источник диодной накачки, при этом первый выход блока питания электрически связан с входом излучателя, содержащего термодатчик, выход которого электрически связан с входом блока питания, не менее одного электрических нагревательных элементов, силовые выводы которых электрически связаны со вторым выходом блока питания. К недостаткам этого устройства следует отнести:
- отсутствие описания схемы лазера и его эффективности;
- наличие пластины с несколькими нагревательными элементами для нагрева активного элемента, что усложняет конструкцию и увеличивает массогабаритные характеристики.
Задачей настоящего изобретения является улучшение эксплуатационных возможностей с уменьшением массогабаритных характеристик, а именно возможность работы волоконного лазера в широком температурном диапазоне с выходной мощностью излучения не менее 30 Вт. и повышение эффективности накачки гольмиевых активных элементов в различных условиях эксплуатации.
Технический результат, заключается в обеспечении
- длины волны, оптимальной для накачки гольмиевых активных элементов;
- защиты лазера от обратного излучения;
- работоспособности волоконного лазера в широком диапазоне температур от -60°С до +60°С без применения дополнительных устройств терморегулирования, что позволило снизить массогабаритные характеристики и улучшить эксплуатационные возможности.
Указанный технический результат достигается тем, что волоконный лазер для накачки активных элементов, содержащий блок питания и излучатель, включающий оптически связанные активный элемент в виде активного волоконного световода и источник диодной накачки, при этом первый выход блока питания электрически связан с входом излучателя, содержащего термодатчик, выход которого электрически связан с входом блока питания, не менее одного нагревательных элементов, силовые выводы которых электрически связаны со вторым выходом блока питания, согласно изобретению снабжен оптоволоконными объединителями накачки, резонатором, образованным селективными зеркалами, выполненными в виде волоконных брегговских решеток с резонансной длиной волны в диапазоне 1907,6-1908,2, не менее чем одним источником диодной накачки, оборудованным эмиттерами, расположенными с противоположных сторон теплоотводящей пластины, образованной частью корпуса лазера, и волоконным выводом излучения, оснащенным кристаллическим наконечником, при этом в качестве источников диодной накачки использованы лазерные диоды с длиной волны 786 нм и температурным дрейфом длины волны 0,3 нм/К.
Кроме того, в волоконном лазере для накачки активных элементов использованы одиночные эмиттеры.
Кроме того, в волоконном лазере для накачки активных элементов использованы гольмиевые активные элементы.
Кроме того, в волоконном лазере для накачки активных элементов наконечник выполнен кварцевым.
Кроме того, в волоконном лазере для накачки активных элементов использованы брегговские решетки с шириной спектра не более 0,5 нм.
Кроме того, в волоконном лазере для накачки активных элементов электрические нагревательные элементы выполнены патронными.
Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволил установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными всем существенным признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результатуотличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.
Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию «новизна» по действующему законодательству.
Для проверки соответствия заявленного изобретения условию изобретательского уровня заявитель провел дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного технического уровня техники.
Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию «изобретательский уровень».
Предложенное техническое решение проиллюстрировано на следующих чертежах:
на фиг. 1 представлена функциональная схема волоконного лазера;
на фиг. 2 представлен источник диодной накачки;
на фиг. 3 схематично представлена конструкция лазера;
на фиг. 4 представлен спектр поглощения тулиевого волокна в области 785-795 нм;
на фиг. 5 представлен волоконный вывод излучения с кварцевым наконечником.
На чертежах введены следующие обозначения:
1 - блок питания;
2 - излучатель
3 - активный элемент (активный волоконный световод);
4 - источник диодной накачки (лазерный диод накачки);
5 - термодатчик;
6 - нагревательный элемент;
7 и 8 - оптоволоконные объединители накачки;
9 - глухое селективное зеркало;
10 - выходное селективное зеркало;
11 - эмиттеры;
12 - теплоотводящая пластина;
13 - волоконный вывод излучения;
14 - кристаллический наконечник.
Функциональная схема волоконного лазера для накачки активных элементов содержит в корпусе А (фиг. 1) блок питания 1, излучатель 2, вход которого электрически связан с первым выходом блока питания 1, включающий оптически связанные активный элемент 3, выполненный в виде активного волоконного световода, и источник диодной накачки 4 (лазерный диод накачки), а также термодатчик 5, выход которого электрически связан с входом блока питания 1. Кроме того, функциональная схема содержит один или несколько нагревательных элементов 6, выполненных патронными, силовые выводы которых электрически связаны со вторым выходом блока питания 1. Волоконный лазер для накачки активных элементов, снабжен оптоволоконными объединителями накачки 7 и 8, резонатором, образованным селективными зеркалами 9 и 10, выполненными в виде волоконных брегговских решеток. Источник диодной накачки 4 (лазерный диод накачки) оборудован эмиттерами 11 (фиг. 2), расположенными с противоположных сторон теплоотводящей пластины 12 (фиг. 3), образованной частью корпуса устройства (фиг. 3) и волоконным выводом излучения 13, оснащенным кристаллическим наконечником 14 (фиг. 5).
Устройство работает следующим образом.
Объединители накачки 7 и 8 объединяют излучение источника диодной накачки 4 (лазерного диода накачки) для достижения мощности излучения, необходимой для накачки активного элемента 3 (активного волоконного световода). Излучение источника диодной накачки 4 (лазерного диода накачки) возбуждает ионы активного элемента 3 (активного волоконного световода), находящиеся в основном состоянии, и инициирует их переход на верхние энергетические уровни, таким образом создавая инверсию населенностей. Резонатор, образованный зеркалами 9 и 10, обеспечивает лазерную генерацию на длине волны, соответствующей накачке активного элемента 3 (активного волоконного световода). Волоконный вывод излучения 13 доставляет излучение генерации до активного элемента 3 (активного волоконного световода), а кварцевый наконечник 14 защищает лазер от обратного излучения.
На предприятии был проэкспериментирован волоконный лазер для накачки гольмиевых активных элементов, состоящий из блока питания 1, излучателя 2, электрически связанным с блоком питания 1, гольмиевых активных элементов 3 с концентрацией ионов тулия (Tm3+) более 3%, источника диодной накачки 4 (лазерного диода накачки), оборудованного одиночными эмиттерами, оптоволоконных объединителей накачки 7 и 8, резонатора, образованного селективными зеркалами глухим 9 и выходным 10, выполненными в виде волоконных брегговских решеток с резонансной длиной волны в диапазоне 1907,6-1908,2 и с шириной спектра не более 0,5 нм, волоконного вывода излучения 13 с кварцевым наконечником 14, термодатчика 5 и электрических нагревательных элементов 6, выполненных патронными.
Экспериментальные исследования спектра поглощения ионов тулия в диапазоне 785-795 нм (фиг. 4) показали, что максимум поглощения соответствует длине волны 788 нм. Поэтому использование источников диодной накачки 4 (лазерных диодов накачки) с длиной волны 786 нм при температуре 25°С позволяет использовать пассивное охлаждение, т.к. дрейф длины волны источников диодной накачки 4 (лазерных диодов накачки) составляет 0,3 нм/К. Конструкция волоконного лазера для накачки активных элементов, например гольмиевых (фиг. 3) обеспечивает тепловой режим работы, при котором спектр излучения источников диодной накачки 4 (лазерных диодов накачки) соответствует спектру поглощения ионов тулия в активном элементе 3 (активном волоконном световоде) в широком температурном диапазоне от -60°С до +60°С. В предлагаемом волоконном лазере для накачки активных элементов, образованном селективными зеркалами 9, 10, обеспечивает длину волны генерации 1907,6-1908,2 и ширину спектра не более 0,5 нм, что является оптимальным для накачки гольмиевых активных элементов. Волоконный вывод излучения 13 с кварцевым наконечником 14 предотвращает попадание в сердцевину излучения, отразившегося от внешней оптической схемы, в которой может использоваться заявляемое техническое решение.
Заявляемый техническое решение позволило существенно снизить массогабаритные характеристики волоконного лазера для накачки активных элементов, а также обеспечить его работу в широком температурном диапазоне от -60°С до +60°С и при высоком уровне обратного излучения (до 15%), что идеально подходит для использования в портативных лазерных устройствах, например гольмиевых.
Для заявленного изобретения в том виде, как оно охарактеризовано в формуле изобретения, экспериментально подтверждена работоспособность волоконного лазера для накачки активных элементов и способность достижения указанного технического результата. Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию «промышленная применимость».
Claims (6)
1. Волоконный лазер для накачки активных элементов, содержащий блок питания и излучатель, включающий оптически связанные активный элемент в виде активного волоконного световода и источник диодной накачки, при этом первый выход блока питания электрически связан с входом излучателя, содержащего термодатчик, выход которого электрически связан с входом блока питания, не менее одного нагревательных элементов, силовые выводы которых электрически связаны со вторым выходом блока питания, отличающийся тем, что он снабжен оптоволоконными объединителями накачки, резонатором, образованным селективными зеркалами, выполненными в виде волоконных брегговских решеток с резонансной длиной волны в диапазоне 1907,6-1908,2, не менее чем одним источником диодной накачки, оборудованным эмиттерами, расположенными с противоположных сторон теплоотводящей пластины, образованной частью корпуса лазера, и волоконным выводом излучения, оснащенным кристаллическим наконечником, при этом в качестве источников диодной накачки использованы лазерные диоды с длиной волны 786 нм и температурным дрейфом длины волны 0,3 нм/К.
2. Волоконный лазер для накачки активных элементов по п. 1, отличающийся тем, что использованы одиночные эмиттеры.
3. Волоконный лазер для накачки активных элементов по п. 1, отличающийся тем, что использованы гольмиевые активные элементы.
4. Волоконный лазер для накачки активных элементов по п. 1, отличающийся тем, что наконечник выполнен кварцевым.
5. Волоконный лазер для накачки активных элементов по п. 1, отличающийся тем, что использованы брегговские решетки с шириной спектра не более 0,5 нм.
6. Волоконный лазер для накачки активных элементов по п. 1, отличающийся тем, что нагревательные элементы выполнены патронными.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019110327A RU2717254C1 (ru) | 2019-04-08 | 2019-04-08 | Волоконный лазер для накачки активных элементов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019110327A RU2717254C1 (ru) | 2019-04-08 | 2019-04-08 | Волоконный лазер для накачки активных элементов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2717254C1 true RU2717254C1 (ru) | 2020-03-19 |
Family
ID=69898398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019110327A RU2717254C1 (ru) | 2019-04-08 | 2019-04-08 | Волоконный лазер для накачки активных элементов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2717254C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2748867C1 (ru) * | 2020-08-13 | 2021-06-01 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" | Волоконный лазер для аддитивных технологий |
| RU2758665C1 (ru) * | 2021-02-15 | 2021-11-01 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" | Цельно-волоконный импульсно-периодический лазер |
| RU214903U1 (ru) * | 2022-08-04 | 2022-11-21 | Общество с ограниченной ответственностью Нордлэйз | Импульсный волоконный лазер |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005067110A2 (en) * | 2003-09-02 | 2005-07-21 | Thornton Robert L | A semiconductor laser-pumped, small-cavity fiber laser and an optical spectroscopy apparatus and method for measurement of analyte concentrations or other such species in a specimen employing such a laser |
| KR101038264B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-06-01 | (주)엠이엘 | 외부공진형 파장가변 레이저 모듈 |
| RU112520U1 (ru) * | 2010-10-05 | 2012-01-10 | Открытое Акционерное Общество "Пеленг" | Волоконный лазер |
| RU2664758C1 (ru) * | 2017-08-14 | 2018-08-22 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ стабилизации длины волны узкополосного волоконного лазера и устройство для его осуществления |
-
2019
- 2019-04-08 RU RU2019110327A patent/RU2717254C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005067110A2 (en) * | 2003-09-02 | 2005-07-21 | Thornton Robert L | A semiconductor laser-pumped, small-cavity fiber laser and an optical spectroscopy apparatus and method for measurement of analyte concentrations or other such species in a specimen employing such a laser |
| KR101038264B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-06-01 | (주)엠이엘 | 외부공진형 파장가변 레이저 모듈 |
| RU112520U1 (ru) * | 2010-10-05 | 2012-01-10 | Открытое Акционерное Общество "Пеленг" | Волоконный лазер |
| RU2664758C1 (ru) * | 2017-08-14 | 2018-08-22 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ стабилизации длины волны узкополосного волоконного лазера и устройство для его осуществления |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2748867C1 (ru) * | 2020-08-13 | 2021-06-01 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" | Волоконный лазер для аддитивных технологий |
| RU2758665C1 (ru) * | 2021-02-15 | 2021-11-01 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" | Цельно-волоконный импульсно-периодический лазер |
| RU2837756C2 (ru) * | 2021-12-19 | 2025-04-04 | Гв (Шанхай) Лазер Технолоджи Ко., Лтд | Волоконный лазер с компрессионным охлаждением |
| RU214903U1 (ru) * | 2022-08-04 | 2022-11-21 | Общество с ограниченной ответственностью Нордлэйз | Импульсный волоконный лазер |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5243615A (en) | High-powered intracavity non-linear optic laser | |
| RU2717254C1 (ru) | Волоконный лазер для накачки активных элементов | |
| EP0422834B1 (en) | Simultaneous generation of laser radiation at two different frequencies | |
| US6256327B1 (en) | Red light source | |
| Matthews et al. | A 15-kW fiber-coupled diode laser for pumping applications | |
| KR20180023132A (ko) | 슬랩 고체 레이저 증폭장치 | |
| US20060187973A1 (en) | Eye safe high power fibre laser | |
| US6512630B1 (en) | Miniature laser/amplifier system | |
| US9407058B2 (en) | Pump energy wavelength stabilization | |
| WO2023146431A1 (ru) | Волоконный лазер для медицины | |
| US5022041A (en) | Near resonant Nd3+, solid state laser system | |
| Podvyaznyy et al. | 250W diode laser for low pressure Rb vapor pumping | |
| US20130250984A1 (en) | Laser element having a thermally conductive jacket | |
| JP2002141599A (ja) | 半導体レーザモジュール、レーザユニット、及びラマン増幅器 | |
| RU2748867C1 (ru) | Волоконный лазер для аддитивных технологий | |
| US5381433A (en) | 1.94 μm laser apparatus, system and method using a thulium-doped yttrium-lithium-fluoride laser crystal pumped with a diode laser | |
| RU2682628C1 (ru) | Волоконный лазер для медицины | |
| Scheps | Near-IR dye laser for diode-pumped operation | |
| Osowski et al. | Advances in high-brightness semiconductor lasers | |
| RU2834670C1 (ru) | Оптоволоконная структура для лазера накачки | |
| RU2758665C1 (ru) | Цельно-волоконный импульсно-периодический лазер | |
| RU2780714C1 (ru) | Волоконный лазер для медицины | |
| RU2791162C1 (ru) | Система спектрального сложения излучения оптоволоконных лазеров | |
| Imai et al. | A 20 W Cr3+, Tm3+, Ho3+: YAG laser | |
| RU2758640C1 (ru) | Цельно-волоконный узкополосный лазер |