RU2748393C1 - Method for assembling hybrid multi-chip modules - Google Patents
Method for assembling hybrid multi-chip modules Download PDFInfo
- Publication number
- RU2748393C1 RU2748393C1 RU2020127374A RU2020127374A RU2748393C1 RU 2748393 C1 RU2748393 C1 RU 2748393C1 RU 2020127374 A RU2020127374 A RU 2020127374A RU 2020127374 A RU2020127374 A RU 2020127374A RU 2748393 C1 RU2748393 C1 RU 2748393C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystals
- crystal
- board
- installation
- degrees
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
Заявленное изобретение относится к способу сборки типовых стековых гибридных модулей, где акцент сделан на одновременной сборке компонентов поверхностного монтажа и стековых сборок из кристаллов без взаимного сдвига, а именно прецизионного монтажа чип компонентов и компактно смонтированных в стеки кристаллов интегральных схем (ИС), с установкой кристалла на кристалл через кремниевую прокладку и пленочного адгезива, и может быть использовано в ракетно-космическом приборостроении.The claimed invention relates to a method for assembling typical stacked hybrid modules, where the emphasis is on the simultaneous assembly of surface mount components and stack assemblies from crystals without mutual shift, namely, precision mounting of chip components and compactly mounted integrated circuits (ICs) in stacks, with the installation of a crystal on a crystal through a silicon spacer and a film adhesive, and can be used in rocket and space instrumentation.
Из уровня техники известна конструкция многокристальных модулей (см. RU2378807C1, опубл. 10.01.2010) (1), который содержит подложку, выполненную из полупроводникового материала, например кремния, на поверхности которой установлены внутренние и внешние контактные площадки, соединенные между собой посредством металлизированных проводников, расположенных на соответствующих слоях металлизации, установлены кристаллы микросхем, выводы которых соединены с соответствующими внутренними контактными площадками, основание, крышку и внешние выводы.From the prior art, the design of multichip modules is known (see RU2378807C1, publ. 10.01.2010) (1), which contains a substrate made of a semiconductor material, such as silicon, on the surface of which there are internal and external contact pads connected by means of metallized conductors located on the corresponding metallization layers, there are chips of microcircuits, the leads of which are connected to the corresponding internal contact pads, the base, the cover and the external leads.
Изобретение обеспечивает монтаж кристаллов только в одной плоскости, что привод к значительному увеличению размеров корпуса, что является недостатком способа (1).The invention provides mounting of crystals in only one plane, which leads to a significant increase in the size of the case, which is a disadvantage of method (1).
Из уровня техники также известен, выбранный в качестве наиболее близкого аналога, способ совмещения элементов многокристальных модулей для капиллярной сборки и установка для его реализации (см. RU2660121, опубл. 10.01.2010) (2). Способ совмещения элементов многокристальных модулей для капиллярной сборки, в процессе которой обеспечивается совмещение трех систем контактов, размещенных на трех носителях: чип + коммутационная подложка + носитель капилляров между чипом и подложкой. Кроме того, для реализации преимуществ технологии капиллярной сборки МКМ, используется вакуумная пайка с регулируемым прижатием чипов к подложке по заданной циклограмме. Установка для реализации способа совмещения элементов многокристальных модулей для капиллярной сборки включает основание, с размещенной на нем оптико-механической системой совмещения встречных контактов чипов и коммутационной подложки.It is also known from the prior art, selected as the closest analogue, a method for combining elements of multichip modules for a capillary assembly and an installation for its implementation (see RU2660121, publ. 10.01.2010) (2). A method for combining elements of multichip modules for a capillary assembly, during which the combination of three contact systems located on three carriers is provided: a chip + a switching substrate + a capillary carrier between the chip and the substrate. In addition, to realize the advantages of the MKM capillary assembly technology, vacuum brazing is used with adjustable pressing of the chips to the substrate according to a given cyclogram. The installation for realizing the method of aligning the elements of multichip modules for a capillary assembly includes a base with an optical-mechanical system for aligning opposite contacts of chips and a switching substrate placed on it.
Недостатком выбранного в качестве наиболее близкого аналога (2) является то, что при повышении выхода годных изделий, одновременно снижается производительность процесса монтажа. Изготавливаемые данным методом изделия относятся к более низкому уровню техники.The disadvantage of the selected as the closest analogue (2) is that with an increase in the yield of suitable products, the productivity of the installation process simultaneously decreases. Products made by this method are of a lower level of technology.
Техническим результатом заявленного изобретения является повышение плотности сборки, за счет выбора оптимального размещения кристаллов без взаимного сдвига и чип-компонентов друг относительно друга и подбора металлокерамического корпуса, повышения точности и качества монтажа многокристальных сборок, микросварки.The technical result of the claimed invention is to increase the assembly density by choosing the optimal placement of crystals without mutual displacement and chip components relative to each other and selecting a cermet body, improving the accuracy and quality of mounting multichip assemblies, microwelding.
Технический результат достигается за счет комбинирования монтажа чип-компонентов и стеков из кристаллов. Корпус LTCC, в котором размещены различные чип-компоненты и несколько стеков из кристаллов, начиная от двух кристаллов, установленных друг над другом, заканчивая пятью кристаллами, установленными друг над другом. Контактные площадки траверс корпуса соединены проволочными выводами с контактными площадками кристаллов, при этом все стороны кристаллов параллельны траверсам ниш (под стеки) в основании корпуса.The technical result is achieved by combining the installation of chip components and stacks of crystals. An LTCC package that houses various chip components and multiple stacks of dice, ranging from two dice stacked on top of each other to five dice stacked on top of each other. Contact pads of the body traverses are connected with wire leads to the contact pads of the crystals, while all sides of the crystals are parallel to the crossheads of the niches (under the stacks) at the base of the body.
Заявленный способ проиллюстрирован следующими изображениями:The claimed method is illustrated by the following images:
Фиг.1 - схема расположения кристаллов в пятиуровневом стеке.Fig. 1 is a diagram of the arrangement of crystals in a five-level stack.
Фиг.2 - общий вид гибридной многокристальной сборки в металлокерамическом корпусе.Fig. 2 is a general view of a hybrid multichip assembly in a sintered body.
Фиг.3 - стек с разваренными выводами.Fig. 3 is a stack with welded leads.
Фиг.4 - схема пятиуровневого стека, на которой показано расстояние (L) между монтажными площадками компонента и контактными площадками межсоединений на плате или корпусе для разных уровней.4 is a five-layer stack diagram showing the distance (L) between component mounting pads and interconnect pads on a board or package for different layers.
Способ типовой гибридной многокристальной сборки в металлокерамическом корпусе с установкой кристалла на кристалл осуществляется следующим образом.The method of a typical hybrid multichip assembly in a cermet package with the installation of a crystal on a crystal is carried out as follows.
Проводится анализ термического профиля для сборки типового гибридного многокристального модуля, для корректного выбора порядка монтажа элементов на LTCC плату. Данный расчет позволяет установить оптимальную очередность установки элементов и разварку выводов.The analysis of the thermal profile is carried out for the assembly of a typical hybrid multichip module, for the correct choice of the order of mounting elements on the LTCC board. This calculation allows you to establish the optimal sequence of installation of elements and splicing of leads.
Первоначально перед сборкой производят химическую очистку плат. Кипятят платы в изопропиловом спирте при температуре 70-80 градусов 10 минут, а затем размещают платы над изопропиловым спиртом и 4 минуты сушат в его парах, соблюдая условие, что спирт не должен конденсироваться ни на оснастке, ни на платах.Initially, before assembly, the boards are chemically cleaned. Boil the boards in isopropyl alcohol at a temperature of 70-80 degrees for 10 minutes, and then place the boards over isopropyl alcohol and dry it in vapors for 4 minutes, observing the condition that alcohol should not condense either on the equipment or on the boards.
Далее на плату наносится паяльная паста, на контактные площадки, предназначенные для установки чип-компонентов. Затем устанавливают чип-компоненты на места, где была нанесена паяльная паста. Установка чип-компонентов производится либо с помощью ручного вакуумного пинцета, либо при помощи полуавтоматической монтажной установки. Далее изделие помещается в вакуумную печь, где происходит оплавление паяльной пасты при групповом нагреве. По окончании оплавления паяльной пасты, плата отмывается от оставшегося флюса в отмывочной жидкости Zestron FA+ или другом. На плате не должно оставаться следов флюса, т.к. он может вызвать дальнейшую коррозию металлизаций, ухудшить привариваемость проводников к поверхности контактных площадок платы.Next, solder paste is applied to the board, to the contact pads intended for installing chip components. Then the chip components are installed on the places where the solder paste was applied. Installation of chip components is carried out either using manual vacuum tweezers or using a semi-automatic assembly unit. Then the product is placed in a vacuum oven, where the solder paste is reflowed during group heating. At the end of the solder paste reflow, the board is washed from the remaining flux in Zestron FA + cleaning fluid or another. There should be no flux traces on the board, because it can cause further corrosion of metallization, worsen the weldability of conductors to the surface of the contact pads of the board.
Далее подготавливаются прокладки из кремния, величина которых по площади на 20-30% меньше площади кристаллов, чтобы при монтаже не было перекрытия кремниевыми прокладками контактных площадок кристаллов, что располагаются по периметру. Так же вырезаются прокладки из пленочного адгезива для соединения кристаллов с подложкой и соединения, в дальнейшем, кристаллов с прокладками кремния, а прокладок кремния с кристаллами соответственно, которые по площади на 30% меньше, чем площадь кристаллов. Пленочный адгезив можно использовать как импортный, так и отечественный.Next, silicon gaskets are prepared, the size of which is 20-30% less in area than the crystal area, so that during installation there is no overlap of the silicon gaskets of the contact pads of the crystals, which are located along the perimeter. Also, gaskets are cut out of the film adhesive for connecting crystals to a substrate and connecting, in the future, crystals with silicon gaskets, and silicon gaskets with crystals, respectively, which are 30% smaller in area than the area of the crystals. Film adhesive can be used both imported and domestic.
Далее устанавливают на рабочий столик полуавтоматической установки монтажа кристаллов металлокерамическую плату. Монтируют пленочный клей на основание металлокерамической платы (или в ниши под стеки) и устанавливают WafflePack с кристаллами на столик, в котором находятся все кристаллы, необходимые для сборки и размещенные в одной плоскости. Осуществляют подъем кристаллов с помощью пластикового или резинового инструмента за лицевую часть кристалла, в ручном режиме производят подъем первого кристалла, подводят блок камеры под кристалл. На экране будет виден угол кристалла с обратной стороны. С помощью двух камер установки необходимо совместить углы монтажной площадки с углами кристалла, используя соответственно первую пару графических цифровых линеек. Выравнивают стороны кристалла относительно сторон монтажной площадки платы, выполняют монтаж кристалла на адгезив, а на адгезив устанавливается кремниевая прокладка с последующим подогревом рабочего столика с изделием в 140 градусов. Сменив инструмент для монтажа кристаллов на специализированный температуростойкий, производят прижатие кристалла к основанию платы через прокладку. Затем прижимают с постоянным усилием инструментом в 200 грамм в течение 5 минут при температуре 140 градусов через полированную поликоровую прокладку. Затем остужают рабочий столик до 70 градусов и устанавливают пленочный клей на место второй стековой сборки на той же плате и т.д. На всех стековых сборках таким образом собирается первый уровень. Затем изделие ставят в печь для полимеризации пленочного клея.Next, a cermet board is installed on the working table of a semi-automatic installation for mounting crystals. Mount the film glue on the base of the cermet board (or in the niches for the stacks) and install the WafflePack with crystals on the table, which contains all the crystals required for assembly and placed in one plane. Crystals are lifted using a plastic or rubber tool for the face of the crystal, the first crystal is lifted manually, the chamber block is brought under the crystal. The screen will show the corner of the crystal from the back side. With the help of two cameras of the installation, it is necessary to align the corners of the mounting platform with the corners of the crystal, using the first pair of graphic digital rulers, respectively. The sides of the crystal are aligned relative to the sides of the mounting platform of the board, the crystal is mounted on the adhesive, and a silicon gasket is installed on the adhesive, followed by heating the desktop with the product at 140 degrees. Having changed the tool for mounting crystals to a specialized temperature-resistant one, the crystal is pressed against the base of the board through the gasket. Then it is pressed with a constant force with a tool of 200 grams for 5 minutes at a temperature of 140 degrees through a polished polycore gasket. Then the work table is cooled to 70 degrees and film glue is installed in place of the second stack assembly on the same board, etc. On all stack assemblies, the first level is assembled in this way. Then the product is placed in an oven to polymerize the adhesive film.
Далее, при необходимости, проводят плазмохимическую очистку корпусов и контактных площадок в среде газовой смеси (N 95% / H 5%) с установленными параметрами P=400 Вт; рбаз=50 m торр; рпроцесса=180m торр; t=300 сек. Любая другая очистка не подходит для данных сборок из-за наличия на LTCC платах контактных площадок, покрытых серебряной пастой, что предназначены для пайки чип-компонентов. После плазмохимической очистки в течение четырех часов должна быть произведена ультразвуковая сварка выводов. Плату помещают на столик на установке ультразвуковой сварки и нагревают ее до температуры 150 градусов (при разварке золотой проволокой). Далее производится микросварка выводов золотой проволокой (или алюминиевой) при помощи ультразвука по периметру кристалла.Further, if necessary, carry out plasma-chemical cleaning of the housings and contact pads in a gas mixture (N 95% / H 5%) with the set parameters P = 400 W; p bases = 50 m torr; p process = 180m torr; t = 300 sec. Any other cleaning is not suitable for these assemblies due to the presence of contact pads covered with silver paste on the LTCC boards, which are intended for soldering chip components. After plasma-chemical cleaning, the leads must be ultrasonically welded within four hours. The board is placed on a table on an ultrasonic welding unit and heated to a temperature of 150 degrees (when welding with gold wire). Next, the leads are microwelded with gold wire (or aluminum) using ultrasound along the perimeter of the crystal.
Сборку остужают до 70 градусов и приступают к монтажу кристаллов второго уровня во всех имеющихся стеках. Устанавливают пленочный адгезив непосредственно на кристалл на место первого стека, затем устанавливают кремневую прокладку на пленочный адгезив, затем на кремниевую прокладку снова пленочный адгезив и сверху устанавливают кристалл, потом все прижимается через поликоровую прокладку, инструментом, с усилием 200 грамм в течение 5 минут при 140 градусах, остужают до 70 градусов. Те же операции необходимо повторить для всех стеков с кристаллами на плате. Когда сборка следующего уровня стековой сборки завершена, то плату помещают в печь для ее дальнейшей полимеризации. После полимеризацию сборку остужают и производят плазмохимическую очистку и далее разварку. Аналогично выполняют монтаж остальных кристаллов, до необходимого количества уровней в стеках.The assembly is cooled to 70 degrees and the installation of the second-level crystals in all available stacks is started. The film adhesive is installed directly on the crystal in place of the first stack, then the silicon gasket is placed on the film adhesive, then the film adhesive is placed on the silicon gasket again and the crystal is placed on top, then everything is pressed through the polycor gasket, with a tool, with a force of 200 grams for 5 minutes at 140 degrees, cooled to 70 degrees. The same operations must be repeated for all stacks with crystals on the board. When the assembly of the next level of the stack is complete, the board is placed in an oven for further polymerization. After polymerization, the assembly is cooled down and plasma-chemical cleaning and then uncoiling are performed. The installation of the remaining crystals is carried out in a similar way, up to the required number of levels in the stacks.
Сложность сборки заключается в том что, с каждым уровнем высота проволочных выводов увеличивается и соответственно увеличивается и длина перемычки, что влияет на поведение проволочных выводов, которые под собственным весом начинают прогибаться. Для исключения короткого замыкания, отрыва выводов и других неблагоприятных эффектов производятся предварительные расчеты и эксперименты подбора оптимальной длины проволочных выводов.The complexity of the assembly lies in the fact that, with each level, the height of the wire leads increases and, accordingly, the length of the jumper increases, which affects the behavior of the wire leads, which begin to bend under their own weight. To exclude a short circuit, separation of leads and other unfavorable effects, preliminary calculations and experiments are performed to select the optimal length of wire leads.
Оптимальное расстояние (L) между монтажной площадкой компонента и сварного отпечатка на контактной площадке на плате для монтажа проволочного межсоединения ∅ 18 мкм или ∅ 25 мкм должно быть не менее:The optimal distance (L) between the component mounting pad and the welded print on the contact pad on the wire interconnect board ∅ 18 μm or ∅ 25 μm must be at least:
1 уровень – 1000 мкм;
2 уровень – 1900 мкм;
3 уровень – 2800 мкм;
4 уровень – 3700 мкм;
5 уровень – 4600 мкм.Aluminum interconnection (wedge-wedge welding method)
1st level - 1000 microns;
Level 2 - 1900 microns;
Level 3 - 2800 microns;
4th level - 3700 microns;
Level 5 - 4600 microns.
1 уровень – 700 мкм;
2 уровень – 1200 мкм;
3 уровень – 1700 мкм;
4 уровень – 2200 мкм;
5 уровень – 2700 мкм.Gold interconnection (bonding method - ball-wedge)
1st level - 700 microns;
2nd level - 1200 microns;
Level 3 - 1700 microns;
4th level - 2200 microns;
5th level - 2700 microns.
В результате был собран гибридный многокристальный модуль, в котором было выполнено более 300 микросоединений золотой проволокой.As a result, a hybrid multichip module was assembled, in which more than 300 microconnections with gold wire were made.
Таким образом, данный способ является универсальным решением по сборке многокристальных модулей и позволяет с высокой точностью и надежностью производить монтаж чип-компонентов и кристаллов разных размеров друг на друга, и точно позиционировать отдельные кристаллы относительно выбранной монтажной площадки платы в полуавтоматизированном режиме.Thus, this method is a universal solution for assembling multi-chip modules and allows mounting chip components and crystals of different sizes on top of each other with high accuracy and reliability, and accurately positioning individual crystals relative to the selected mounting area of the board in a semi-automated mode.
Результаты сборки многокристального модуля данным способом подтвердили качество и точность посадки кристаллов в подобранной металлокерамической плате, тем самым положительно оценив эффективность и целесообразность применения заявленного изобретения для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники, а также в тех областях техники, где предъявляются высокие требования к качеству и плотности монтажа сборки, не ограничиваясь данной областью применения.The results of the assembly of the multichip module using this method confirmed the quality and accuracy of the crystal seating in the selected cermet board, thereby positively assessing the effectiveness and feasibility of using the claimed invention for creating radio electronic equipment for rocket and space technology, as well as in those areas of technology where high requirements are imposed on quality and assembly density, not limited to this area of application.
Claims (17)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020127374A RU2748393C1 (en) | 2020-08-17 | 2020-08-17 | Method for assembling hybrid multi-chip modules |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020127374A RU2748393C1 (en) | 2020-08-17 | 2020-08-17 | Method for assembling hybrid multi-chip modules |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2748393C1 true RU2748393C1 (en) | 2021-05-25 |
Family
ID=76033966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020127374A RU2748393C1 (en) | 2020-08-17 | 2020-08-17 | Method for assembling hybrid multi-chip modules |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2748393C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118417647A (en) * | 2024-07-05 | 2024-08-02 | 华通芯电(南昌)电子科技有限公司 | Gallium nitride microwave power amplifier chip eutectic welding method and gallium nitride microwave power amplifier device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7129567B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Substrate, semiconductor die, multichip module, and system including a via structure comprising a plurality of conductive elements |
| RU2364006C1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-08-10 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Method for production of three-dimensional hybrid integral module |
| RU2541436C1 (en) * | 2013-11-11 | 2015-02-10 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Method for plasma-chemical treatment of substrates made of polykor and glass-ceramic |
| RU2660121C1 (en) * | 2017-09-12 | 2018-07-05 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Integrated circuits multi-crystal assemblies precision mounting method |
| RU2713572C1 (en) * | 2019-08-01 | 2020-02-05 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Method for manufacturing microwave-hybrid integrated microcircuit for space purposes with multilevel commutation |
-
2020
- 2020-08-17 RU RU2020127374A patent/RU2748393C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7129567B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Substrate, semiconductor die, multichip module, and system including a via structure comprising a plurality of conductive elements |
| RU2364006C1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-08-10 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Method for production of three-dimensional hybrid integral module |
| RU2541436C1 (en) * | 2013-11-11 | 2015-02-10 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Method for plasma-chemical treatment of substrates made of polykor and glass-ceramic |
| RU2660121C1 (en) * | 2017-09-12 | 2018-07-05 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Integrated circuits multi-crystal assemblies precision mounting method |
| RU2713572C1 (en) * | 2019-08-01 | 2020-02-05 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Method for manufacturing microwave-hybrid integrated microcircuit for space purposes with multilevel commutation |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118417647A (en) * | 2024-07-05 | 2024-08-02 | 华通芯电(南昌)电子科技有限公司 | Gallium nitride microwave power amplifier chip eutectic welding method and gallium nitride microwave power amplifier device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4034468A (en) | Method for making conduction-cooled circuit package | |
| KR100662218B1 (en) | method for connecting the heatspreader | |
| JP2795788B2 (en) | Semiconductor chip mounting method | |
| US5528462A (en) | Direct chip connection using demountable flip chip package | |
| US5669545A (en) | Ultrasonic flip chip bonding process and apparatus | |
| US5519332A (en) | Carrier for testing an unpackaged semiconductor die | |
| CN103579137B (en) | Reliable surface mount integrated power module | |
| US9165864B2 (en) | Power overlay structure with leadframe connections | |
| KR100686315B1 (en) | Method of manufacturing an electronic circuit device | |
| JPH02133943A (en) | High integrated circuit and manufacture thereof | |
| US6459160B1 (en) | Package with low stress hermetic seal | |
| WO2004034434A2 (en) | Components, methods and assemblies for multi-chip packages | |
| US20020056922A1 (en) | Semiconductor device, production method thereof, and coil spring cutting jig and coil spring guiding jig applied thereto | |
| JPH07170098A (en) | Electronic component mounting structure and mounting method | |
| JP3213703B2 (en) | Reworkable microelectronic multichip module | |
| JP2573809B2 (en) | Multi-chip module with built-in electronic components | |
| RU2748393C1 (en) | Method for assembling hybrid multi-chip modules | |
| JP2019121794A (en) | Manufacturing method of insulation circuit board with heat sink and insulation circuit board with heat sink | |
| US5138429A (en) | Precisely aligned lead frame using registration traces and pads | |
| JPS63143A (en) | Leadless component | |
| US7851916B2 (en) | Strain silicon wafer with a crystal orientation (100) in flip chip BGA package | |
| CN114786358A (en) | Method and apparatus for flexible circuit cable connection | |
| JP7119689B2 (en) | Manufacturing method of insulated circuit board with heat sink and insulated circuit board with heat sink | |
| JPH0677361A (en) | Multi-chip module | |
| JPS60100443A (en) | Structure for mounting semiconductor device |