RU2638396C2 - Method of producing vanadium diboride - Google Patents
Method of producing vanadium diboride Download PDFInfo
- Publication number
- RU2638396C2 RU2638396C2 RU2016118930A RU2016118930A RU2638396C2 RU 2638396 C2 RU2638396 C2 RU 2638396C2 RU 2016118930 A RU2016118930 A RU 2016118930A RU 2016118930 A RU2016118930 A RU 2016118930A RU 2638396 C2 RU2638396 C2 RU 2638396C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- crucible
- vanadium
- vanadium diboride
- diboride
- Prior art date
Links
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 229910021541 Vanadium(III) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound [V]#B AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/02—Boron; Borides
- C01B35/04—Metal borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G31/00—Compounds of vanadium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к синтезу диборида ванадия, и может быть использовано для изготовления диффузионных износостойких покрытий на сталях, электролита воздушно-расплавных аккумуляторов.The present invention relates to powder metallurgy, in particular to the synthesis of vanadium diboride, and can be used for the manufacture of diffusion wear-resistant coatings on steels, electrolyte air-melt batteries.
Известен способ получения диборида ванадия VB2 взаимодействием металлических ванадия и бора в присутствии алюминия при температуре 1550°C в среде инертного газа в течение 24 часов с последующим охлаждением и дальнейшей обработкой продуктов реакции кислотой, например соляной (заявка JP 55051797 А, кл. С01В 35/04, 1980).A known method of producing vanadium diboride VB 2 by the interaction of metallic vanadium and boron in the presence of aluminum at a temperature of 1550 ° C in an inert gas environment for 24 hours, followed by cooling and further processing of the reaction products with an acid, such as hydrochloric (application JP 55051797 A, class C01B 35 / 04, 1980).
Однако указанный способ имеет следующие недостатки. Это применение при синтезе диборида ванадия дорогого металлического ванадия, длительность процесса синтеза и необходимость обработки продуктов реакции кислотой, например соляной.However, this method has the following disadvantages. This is the use in the synthesis of vanadium diboride of expensive metallic vanadium, the duration of the synthesis process and the need to treat the reaction products with an acid, such as hydrochloric.
Кроме того, известен способ получения диборида ванадия (Крутский Ю.Л. и др. Синтез тонкодисперсных порошков карбида и борида ванадия и исследование их характеристик. Молодежный научный форум: технические и математические науки, Электронный сборник статей по материалам IV студенческой международной заочной научно-практической конференции, октябрь 2013 г., №4, с. 45-50), являющийся прототипом предлагаемого изобретения и заключающийся в проведении процесса синтеза диборида ванадия путем нагрева в газовой среде из аргона в углеродном тигле смеси оксида ванадия V2O3, карбида бора и нановолокнистого углерода, приготовленной по стехиометрии на получение диборида ванадия в соответствии с реакцией V2O3+В4С+2С=2VB2+3СО, при температуре 1500°C в течение 30 минут.In addition, there is a method for producing vanadium diboride (Yu. L. Krutsky et al. Synthesis of finely dispersed vanadium carbide and vanadium boride powders and study of their characteristics. Youth Scientific Forum: Technical and Mathematical Sciences, Electronic collection of articles based on materials from the IV student international correspondence scientific and practical Conference, October 2013, No. 4, pp. 45-50), which is the prototype of the invention and consists in carrying out the process of synthesis of vanadium diboride by heating the mixture in a gas medium from argon in a carbon crucible vanadium oxide V 2 O 3, boron carbide and carbon nanofibrous prepared by stoichiometry for a diboride of vanadium in accordance with reaction V 2 O 3 + B 4 C + 2C = 2VB 2 + 3SO, at 1500 ° C for 30 minutes.
Однако указанный способ имеет недостаток. Это необходимость подачи в реакционное пространство печи дорогостоящего инертного газа (аргона), что усложняет процесс и приводит к увеличению стоимости диборида ванадия.However, this method has a drawback. This is the need to supply expensive inert gas (argon) to the reaction space of the furnace, which complicates the process and leads to an increase in the cost of vanadium diboride.
Задачей (техническим результатом) предлагаемого изобретения является упрощение процесса и снижение стоимости диборида ванадия.The objective (technical result) of the present invention is to simplify the process and reduce the cost of vanadium diboride.
Поставленная задача достигается тем, что в известном способе получения диборида ванадия, заключающемся в нагреве в газовой среде в углеродном тигле смеси оксида ванадия V2O3, карбида бора и нановолокнистого углерода, приготовленной по стехиометрии на получение диборида ванадия в соответствии с реакцией V2O3+В4С+2С=2VB2+3СО, процесс ведут при температуре 1300-1500°C в течение 20-30 минут в газовой среде из оксида углерода (II) и азота, образующейся при окислении углерода тигля кислородом воздуха, в объемном отношении СО:N2=99,96:0,04.The problem is achieved in that in the known method for producing vanadium diboride, which consists in heating in a gas medium in a carbon crucible a mixture of vanadium oxide V 2 O 3 , boron carbide and nanofiber carbon, prepared by stoichiometry to obtain vanadium diboride in accordance with the reaction V 2 O 3 + B 4 C + 2C = 2VB 2 + 3CO, the process is carried out at a temperature of 1300-1500 ° C for 20-30 minutes in a gaseous environment of carbon monoxide (II) and nitrogen formed during the oxidation of carbon of the crucible by atmospheric oxygen, in volumetric the ratio of CO: N 2 = 99.96: 0.04.
Способ осуществляется следующим образом. Навески порошков оксида ванадия V2O3, карбида бора и нановолокнистого углерода берутся в мольном отношении V2O3:В4С:С=1:1:2, то есть по стехиометрии на получение диборида ванадия в соответствии с реакцией:The method is as follows. Samples of powders of vanadium oxide V 2 O 3 , boron carbide and nanofiber carbon are taken in a molar ratio of V 2 O 3 : B 4 C: C = 1: 1: 2, that is, by stoichiometry to obtain vanadium diboride in accordance with the reaction:
V2O3+B4C+2C=2VB2+3СОV 2 O 3 + B 4 C + 2C = 2VB 2 + 3CO
Далее смесь просеивается через сито с размером ячейки 100 мкм. При просеивании происходит перемешивание компонентов смеси. Затем смесь загружается в тигель из углерода внутренним диаметром 25 мм и высотой внутреннего пространства 60 мм. Тогда внутренний объем тигля из углерода 29,452 см3. При плотности смеси 2,8 г/см3 масса ее примерно равна 82 граммам. Тигель из углерода закрывается графитовой крышкой и помещается в кварцевый реактор, который в свою очередь вставляется в индуктор индукционной печи. Нагрев смеси производят при температуре 1300-1500°C в течение 20-30 минут в газовой среде из оксида углерода (II) и азота, образующейся при окислении углерода тигля кислородом воздуха, в объемном отношении СО:N2=99,96:0,04.Next, the mixture is sieved through a sieve with a mesh size of 100 μm. When sifting, the components of the mixture are mixed. The mixture is then loaded into a carbon crucible with an inner diameter of 25 mm and a height of internal space of 60 mm. Then the internal volume of the crucible from carbon is 29.452 cm 3 . When the density of the mixture is 2.8 g / cm 3, its mass is approximately equal to 82 grams. The carbon crucible is closed with a graphite lid and placed in a quartz reactor, which in turn is inserted into the inductor of the induction furnace. The mixture is heated at a temperature of 1300-1500 ° C for 20-30 minutes in a gaseous environment from carbon monoxide (II) and nitrogen formed during the oxidation of carbon of a crucible with atmospheric oxygen, in a volumetric ratio СО: N 2 = 99.96: 0, 04.
При подаче электроэнергии на индуктор печи во внутреннем пространстве тигля из углерода происходит следующее. Поскольку в кварцевый реактор не подается защитный инертный газ (аргон), в нем первоначально находится воздух при атмосферном давлении. От индуктора энергия передается тиглю из углерода, а от него - шихте. Естественно, кислородом воздуха первоначально окисляется углерод нагревающегося тигля. Поэтому в кварцевом реакторе и во внутреннем пространстве тигля из углерода при температурах процесса (1300-1500°C) образуется газовая смесь из оставшегося азота и получившегося оксида углерода (II). Дополнительно при протекании реакции образования диборида ванадия из 82 граммов шихты выделяется примерно 30 граммов (или примерно 24000 см3) оксида углерода (II), что многократно (в предположении того, что свободный объем тигля из углерода составляет 40%) превышает объем тигля из углерода (примерно в 2000 раз). Таким образом, образующийся оксид углерода (II) довольно быстро вытесняет азот воздуха из внутреннего пространства тигля через неплотности между углеродным тиглем и крышкой. В результате содержание азота в газовой смеси уменьшается примерно в 2000 раз (с 80% об. до приблизительно 0,04% об.). Следовательно, газовая среда в углеродном тигле в ходе реакции образования диборида ванадия содержит азот в очень незначительных количествах, что предотвращает нежелательный процесс образования нитридов ванадия V3N и VN. Температура в реакторе контролируется оптическим пирометром. После остывания реактора из него извлекается тигель из углерода, из тигля высыпается продукт реакции (порошок диборида ванадия).When power is supplied to the furnace inductor in the interior of the carbon crucible, the following occurs. Since a protective inert gas (argon) is not supplied to the quartz reactor, it initially contains air at atmospheric pressure. Energy is transferred from the inductor to the crucible from carbon, and from it to the charge. Naturally, the carbon of a heated crucible is initially oxidized by atmospheric oxygen. Therefore, in a quartz reactor and in the inner space of a crucible, a gas mixture is formed from the remaining nitrogen and the resulting carbon monoxide (II) from carbon at process temperatures (1300-1500 ° C). In addition, during the reaction of formation of vanadium diboride from about 82 grams of the charge, approximately 30 grams (or about 24,000 cm 3 ) of carbon monoxide are released, which is many times (assuming that the free volume of the crucible from carbon is 40%) exceeds the volume of the crucible from carbon (about 2000 times). Thus, the formed carbon monoxide (II) quite quickly displaces air nitrogen from the inner space of the crucible through leaks between the carbon crucible and the lid. As a result, the nitrogen content in the gas mixture decreases by about 2000 times (from 80% vol. To approximately 0.04% vol.). Therefore, the gas medium in the carbon crucible during the formation of vanadium diboride contains nitrogen in very small quantities, which prevents the undesirable process of the formation of vanadium nitrides V 3 N and VN. The temperature in the reactor is controlled by an optical pyrometer. After cooling of the reactor, a crucible is removed from it from carbon, and a reaction product (vanadium diboride powder) is precipitated from the crucible.
При температурах ниже 1300°C диборид ванадия не образуется, о чем свидетельствует отсутствие его рефлексов на дифрактограммах. При температурах, превышающих 1500°C, имеют место ненужные энергозатраты. При времени процесса менее 20 минут диборид ванадия не образуется, о чем свидетельствует отсутствие его рефлексов на дифрактограммах. При времени процесса более 30 минут имеют место ненужные энергозатраты.At temperatures below 1300 ° C, vanadium diboride does not form, as evidenced by the absence of its reflections in the diffraction patterns. At temperatures exceeding 1500 ° C, unnecessary energy is used. When the process time is less than 20 minutes, vanadium diboride is not formed, as evidenced by the absence of its reflections in the diffraction patterns. When the process time is more than 30 minutes, unnecessary energy consumption takes place.
Пример реализации изобретенияAn example implementation of the invention
Порошки оксида ванадия V2O3, карбида бора и нановолокнистого углерода, взятые в мольном отношении V2O3:В4С:С=1:1:2, совместно просеиваются через сито с размером ячейки 100 мкм. Таким образом, размер частиц всех реагентов не превышает 100 мкм. Далее готовая смесь засыпается в тигель из углерода. Тигель из углерода закрывается графитовой крышкой и помещается в кварцевый реактор, который в свою очередь вставляется в индуктор индукционной печи. Температура процесса 1400°C, время выдержки при этой температуре 22 минуты. Рентгенофазовым анализом установлено наличие в продуктах реакции (термообработанной смеси) только одной фазы - диборида ванадия.Powders of vanadium oxide V 2 O 3 , boron carbide and nanofiber carbon taken in a molar ratio of V 2 O 3 : B 4 C: C = 1: 1: 2 are sieved together through a sieve with a mesh size of 100 μm. Thus, the particle size of all reagents does not exceed 100 microns. Next, the finished mixture is poured into a carbon crucible. The carbon crucible is closed with a graphite lid and placed in a quartz reactor, which in turn is inserted into the inductor of the induction furnace. The process temperature is 1400 ° C, the exposure time at this temperature is 22 minutes. X-ray phase analysis revealed the presence in the reaction products (heat-treated mixture) of only one phase - vanadium diboride.
Упрощение процесса получения диборида ванадия и снижение его стоимости достигается за счет проведения процесса в газовой среде из оксида углерода (II) и азота, образующейся при окислении углерода тигля кислородом воздуха, в объемном отношении СО:N2=99,96:0,04 без использования аргона, который является дорогостоящим и который обеспечивает создание специальной защитной газовой среды.The simplification of the process of obtaining vanadium diboride and the reduction of its cost is achieved by carrying out the process in a gaseous environment from carbon monoxide (II) and nitrogen formed during the oxidation of crucible carbon by atmospheric oxygen, in the volume ratio СО: N 2 = 99.96: 0.04 without use of argon, which is expensive and which provides the creation of a special protective gas environment.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет упростить процесс и снизить стоимость диборида ванадия.Thus, the proposed method allows to simplify the process and reduce the cost of vanadium diboride.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016118930A RU2638396C2 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Method of producing vanadium diboride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016118930A RU2638396C2 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Method of producing vanadium diboride |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016118930A RU2016118930A (en) | 2017-11-20 |
| RU2638396C2 true RU2638396C2 (en) | 2017-12-13 |
Family
ID=60328397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016118930A RU2638396C2 (en) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | Method of producing vanadium diboride |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2638396C2 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3032399A (en) * | 1959-03-10 | 1962-05-01 | Callery Chemical Co | Preparation of metal borides |
| JPS5551797A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Production of vanadium diboride and tantalum diboride single crystal from aluminum bath |
| US7541013B2 (en) * | 2007-03-23 | 2009-06-02 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing transition metal boride power |
| CN103979566A (en) * | 2014-05-22 | 2014-08-13 | 安徽工业大学 | Preparation method of vanadium diboride powder |
| WO2014140700A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | University Of Calcutta | Methods of producing vanadium boride and uses thereof |
| RU2014125383A (en) * | 2014-06-23 | 2015-12-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | METHOD FOR PRODUCING VANADIUM DIBORIDE |
-
2016
- 2016-05-16 RU RU2016118930A patent/RU2638396C2/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3032399A (en) * | 1959-03-10 | 1962-05-01 | Callery Chemical Co | Preparation of metal borides |
| JPS5551797A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Production of vanadium diboride and tantalum diboride single crystal from aluminum bath |
| US7541013B2 (en) * | 2007-03-23 | 2009-06-02 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for manufacturing transition metal boride power |
| WO2014140700A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | University Of Calcutta | Methods of producing vanadium boride and uses thereof |
| CN103979566A (en) * | 2014-05-22 | 2014-08-13 | 安徽工业大学 | Preparation method of vanadium diboride powder |
| RU2014125383A (en) * | 2014-06-23 | 2015-12-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | METHOD FOR PRODUCING VANADIUM DIBORIDE |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| КРУТСКИЙ Ю.Л., ВЯЗЬМИНА Ю.А. и др. Синтез тонкодисперсных порошков карбида и борида ванадия и исследование их характеристик. Молодежный научный форум: технические и математические науки. Электронный сборник статей по материалам IV студенческой международной заочной научно-практической конференции, Москва, 2013, N 4, сс. 45-50. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016118930A (en) | 2017-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mukasyan et al. | Direct combustion synthesis of silicon carbide nanopowder from the elements | |
| Kwon et al. | Features of passivation, oxidation and combustion of tungsten nanopowders by air | |
| Shapkin et al. | Spark plasma sintering-reactive synthesis of SiC and SiC–HfB2 ceramics based on natural renewable raw materials | |
| Ryu et al. | Plasma synthesis of tungsten carbide nanopowder from ammonium paratungstate | |
| US10584076B1 (en) | Pyrophoric foam materials and methods of making the same | |
| Yang et al. | Study on rapid nitridation process of molten silicon by thermogravimetry and in situ Raman spectroscopy | |
| Patra et al. | Green synthesis of nanosized Tantalum carbide (TaC) via natural polymer/tantalum oxide hybrid composites: a sustainable approach towards enhanced processing and properties | |
| RU2638396C2 (en) | Method of producing vanadium diboride | |
| Ali et al. | Thermoanalytical studies on acid-treated rice husk and production of some silicon based ceramics from carbonised rice husk | |
| CN104495845B (en) | A Preparation Process of Pure Fe3C Bulk | |
| Sun et al. | High reactive MgO‐Y2O3 nanopowders via microwave combustion method and sintering behavior | |
| Shao et al. | Preparation of Ti3AlC2 matrix composites by selective laser melting combined with pressureless sintering | |
| Xing et al. | Synthesis of porous chromium carbides by carburization | |
| Gromov et al. | Interaction of tungsten nanopowders with air under different conditions | |
| Liu et al. | Vacuum pyrolysis of ammonium paratungstate: Study on reaction mechanism and morphology changes of product | |
| Alymov et al. | Thermal Stability of Passivated Compacts from Pyrophoric Iron Nanopowders | |
| Onishchenko et al. | Use of carbon compacts based on natural graphite for the mechanochemical synthesis of titanium carbide | |
| Akçamlı et al. | Synthesis of bulk nanocrystalline HfB2 from HfCl4–NaBH4–Mg ternary system | |
| RU2550848C2 (en) | Method of producing boron carbide | |
| Herzberg et al. | Nonthermal plasma synthesis of silicon carbonitride | |
| Tian et al. | Synthesis mechanism and characterization of tantalum boride powder prepared by boron/carbothermal reduction | |
| RU2845655C1 (en) | Method of producing precursor for making ceramic articles based on boron carbide | |
| Hu et al. | Synthesis of TiC–TiB2 composite powders via carbothermal reduction and its reaction mechanism | |
| JPS6183608A (en) | Production of aluminum nitride | |
| RU2559485C1 (en) | Zirconium diboride producing method |