RU2534437C1 - Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор - Google Patents
Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор Download PDFInfo
- Publication number
- RU2534437C1 RU2534437C1 RU2013130414/28A RU2013130414A RU2534437C1 RU 2534437 C1 RU2534437 C1 RU 2534437C1 RU 2013130414/28 A RU2013130414/28 A RU 2013130414/28A RU 2013130414 A RU2013130414 A RU 2013130414A RU 2534437 C1 RU2534437 C1 RU 2534437C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- gate
- pedestal
- layers
- polycrystalline diamond
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 102
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 22
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал имеет толщину 30-200 мкм и выполнен из теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза с имплантированным Ni и с отожженными приповерхностными слоями с двух сторон. Поверх пьедестала расположена подложка из монокристаллического кремния толщиной 10-20 мкм, буферный слой. На поверхности гетероэпитаксиальной структуры, между истоком, затвором и стоком, последовательно размещены дополнительные слои теплопроводящего поликристаллического алмаза, барьерный слой из двуокиси гафния и барьерный слой из оксида алюминия. При этом барьерные слои выполнены с суммарной толщиной 1,0-4,0 нм. Кроме того, в области затвора барьерные слои размещены под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN. Технический результат заключается в повышении теплоотвода от пьедестала и активной области транзистора, обеспечении минимальных утечек тока затвора и достижении наименьшего коэффициента шума в ГГц-диапазоне частот. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний.
Гетероструктурные полевые транзисторы с модулированным легированием (ПТМЛ, MODFET) на основе соединений полупроводниковых материалов групп AIIIBV в настоящее время являются самыми быстродействующими полевыми транзисторами, позволяя одновременно достигать наименьшие коэффициенты шума в ГГц-диапазоне частот. Высокое быстродействие достигается за счет эффекта увеличения дрейфовой скорости электронов, образующих двумерный электронный газ у интерфейса модулировано-легированной гетероструктуры (МЛГС).
Из "Уровня техники" известен полевой СВЧ-транзистор, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора. Кроме того, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным. При этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока - электрод стока монотонно возрастает от значения, соответствующего концентрации остаточных примесей, до значения, соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4-5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое (см. А.С. СССР №1118245, опубл. 19.06.1995).
Недостатками известного устройства являются низкое значение СВЧ-мощности, низкое значение теплоотвода от активной части транзистора и наличие низкочастотных шумов.
Кроме того, известен полевой транзистор на основе нитридов галлия и алюминия, структура которого последовательно включает: подложку, слой GaN, барьерный слой, выполненный из двух подслоев: Al0,2Ga0,8N, на нем GaN. На структуре выполнены контакты: сток, исток и затвор с соответствующими промежутками между ними; далее выполнено диэлектрическое покрытие из MgO, Sc2O3 или SiNx. Между контактами диэлектрическое покрытие находится на барьерном слое и служит для защиты открытых поверхностей барьерного слоя от внешних воздействий, см. В. Luo et al. The role of cleaning conditions and epitaxial layer structure on reliability of Sc2O3 and MgO passivation on AlGaN/GaN HEMTS, Solid-State Electronics, 46, pp.2185-2190, 2002.
Недостатками известного устройства являются высокий уровень деградации, обусловленный низким значением теплоотвода от активной части транзистора.
Задачей настоящего изобретения является устранение всех вышеуказанных недостатков.
Технический результат заключается в повышении теплоотвода от пьедестала и активной области транзистора, обеспечении минимальных утечек тока затвора и достижении наименьшего коэффициента шума в ГГц-диапазоне частот.
Технический результат обеспечивается тем, что гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал имеет толщину 30-200 мкм и выполнен из теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза с имплантированным Ni и с отожженными приповерхностными слоями с двух сторон. Поверх пьедестала расположена подложка из монокристаллического кремния толщиной 10-20 мкм, буферный слой. На поверхности гетероэпитаксиальной структуры, между истоком, затвором и стоком, последовательно размещены дополнительные слои теплопроводящего поликристаллического алмаза, барьерный слой из двуокиси гафния и барьерный слой из оксида алюминия. При этом барьерные слои выполнены с суммарной толщиной 1,0-4,0 нм. Кроме того, в области затвора барьерные слои размещены под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN.
В соответствии с частными случаями выполнения устройство имеет следующие особенности.
Буферный слой может быть выполнен из AlN или из HfN.
Транзистор содержит дополнительный нелегированный слой, выполненный из твердого раствора AlGaN.
Сущность настоящего изобретения поясняется следующими иллюстрациями:
фиг.1 - отображает настоящее устройство;
фиг.2 - отображает зависимость доли DX-центров в общем числе введенных доноров от уровня легирования слоя AlXGal-XN:Si в МЛГС AlGaN/GaN;
фиг.3 - отображает схематическое изображение энергетических зон у модулировано-легированного гетероперехода n-AlGaN/GaN;
фиг.4 - приведены экспериментально измеренные зависимости температуры разогрева активной области СВЧ транзистора от времени;
фиг.5 - приведены вольт-амперные характеристики мощного транзистора СВЧ без дополнительных слоев на поверхности кристалла транзистора;
фиг.6 - приведены вольт-амперные характеристики мощного транзистора СВЧ с дополнительными слоями.
На иллюстрации отображены следующие конструктивные элементы:
1 - фланец марки МД-40;
2 - слой припоя из AuSn;
3 - пьедестал из теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза с имплантированными Ni и отожженными приповерхностными слоями с двух сторон;
4 - подслой из AuGe;
5. - монокристаллический слой кремния;
6. - теплопроводящий слой CVD поликристаллического алмаза;
7 - слой монокристаллического кремния;
8 - буферный слой AlN или HfN;
9 - нелегированный слой из GaN;
10 - слой твердого раствора из AlGaN (спейс);
11 - слой твердого раствора из AlGaN n+-типа проводимости;
12 - слой твердого раствора из AlGaN (крыша);
13 - низкоомные контактные слои из твердого раствора AlGaN n+-типа проводимости, под истоком и стоком;
14 - исток;
15 - затвор;
16 - сток;
17 - омические контакты;
18 - дополнительный теплопроводящий слой поликристаллического алмаза;
19 - дополнительный барьерный слой из двуокиси гафния;
20 - дополнительный барьерный слой из оксида алюминия.
Настоящее устройство производят следующим образом.
На фланце марки МД-40 1 толщиной 1600 мкм размещен слой припоя состава AuSn 2 толщиной 25 мкм, затем в заготовленный в качестве пьедестала слой теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза 3 толщиной ~150 мкм, в обе приповерхностные области которого, предварительно, способом имплантации введен никель и проведен отжиг. Затем после размещения на поверхности теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза размещают подслой из AuGe 4 с содержанием Ge до 12%, толщиной ~25 мкм. Затем на поверхности подслоя AuGe 4 последовательно размещают: базовую подложку 5, состоящую из монокристаллического кремния p-типа проводимости, ориентированного по плоскости (III), толщиной менее 10 мкм, и теплопроводящий CVD поликристаллический слой алмаза 6 толщиной 150 мкм, слой монокристаллического кремния 7 толщиной 0,5-20 мкм, буферный слой из AlN 8 (по другому частному случаю выполнения из HfN) толщиной 0,1 мкм.
После размещения слоя CVD поликристаллического алмаза 6 базовая подложка 5 утоняется методами мокрого и сухого травления до толщины 10 мкм.
Поверх буферного слоя 8 размещена эпитаксиальная структура на основе широкозонных III-нитридов в виде слоев 9-12, состоящих из нелегированного буферного слоя GaN 9, слоя твердого раствора AlGaN (спейс) 10, слоя твердого раствора AlGaN n+-типа проводимости 11, слоя твердого раствора AlGaN (крыша) 12.
Между слоем CVD поликристаллического алмаза 6 и слоем GaN 9 располагается переходная область, которая служит для уменьшения рассогласования параметров решетки инородной подложки и растущих на ней эпитаксиальных слоев нитрида галлия (и далее - всей гетероструктуры). Слой из GaN 9 предназначен для образования в его приповерхностном слое проводящего канала (двумерного электронного газа (ДЭГ) с высокой подвижностью носителей заряда), возникающего за счет разрыва зон и поляризационных эффектов при образовании гетероперехода AlGaN/GaN. Основным требованием к этому слою является структурное совершенство, достаточное для обеспечения высокой подвижности электронов и высокого сопротивления. Поэтому канальный слой не легируется, а в ряде случаев используются специальные приемы для обеспечения необходимого высокого удельного сопротивления. Толщина GaN слоя 9 для структур, получаемых методом МПЭ, составляет обычно 1-3 мкм. Система AlGaN слоев 10-12 образует с нижележащим слоем GaN 9 гетеропереход, служащий для создания на границе двумерного электронного газа (ДЭГ) с высокой подвижностью. Более широкозонный по сравнению с нитридом галлия и имеющий меньший параметр решетки слой AlGaN создает необходимый разрыв зон и упругие напряжения на границе раздела, необходимые для создания высокой плотности носителей заряда в ДЭГ.
После размещения низкоомных подконтактных слоев твердого раствора AlGaN n+-типа проводимости формируют исток 14, затвор 15, сток 16 и омические контакты 17. Кроме того, устройство снабжают дополнительными слоями, размещенными между истоком 14, затвором 15 и стоком 16. Дополнительные слои выполняют в виде теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза 18, барьерного слоя из двуокиси гафния 19 и дополнительного барьерного слоя из оксида алюминия 20. При этом слои из двуокиси гафния 19 и оксида алюминия 20 имеют общую толщину 1,0-4,0 нм. В области затвора дополнительные барьерные слои размещены под затвором 15, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя 12 из твердого раствора AlGaN n-типа проводимости.
В настоящем устройстве обеспечивается оптимизация отвода тепла из активной области кристалла и в целом из транзистора и минимизация утечек тока затвора. Это обеспечивается с помощью использования теплопроводящего поликристаллического слоя алмаза (3, 6, 18) и дополнительных барьерных слоев из двуокиси гафния 19 и оксида алюминия 20, которые позволяют минимизировать утечки тока и увеличить значение напряжения пробоя.
Исходя из вышеизложенного наиболее приемлемой для создания малошумящего НЕМТ на основе AlGaN/GaN авторами была выбрана следующие конструкции гетероструктур:
| AlGaN - S.I | AlGaN - S.I |
| AlGaN - n+ | AlGaN - n+ |
| AlGaN - S.I | AlGaN - S.I |
| GaN - S.I | GaN - S.I |
| AlGaNзap.слой | (AlGaN-AlN)зар.слой |
| Si - p | Si - p |
| CVD поликристалл. алмаза | CVD поликристалл. алмаза |
На фигурах 5, 6 приведены вольт-амперные характеристики: фиг.5 - без слоя изолирующего поликристаллического алмаза, на поверхности кристалла СВЧ транзистора, между истоком, затвором и стоком и дополнительных барьерных слоев под затвором; фиг.6 - со слоями изолирующего поликристаллического алмаза на поверхности кристалла транзистора, между истоком, затвором и стоком, а также дополнительными слоями (масками) из двуокиси гафния и оксида алюминия под затвором транзистора и поверх изолирующего поликристаллического алмаза.
Размещение слоя изолирующего поликристаллического алмаза на поверхности кристалла СВЧ транзистора, между истоком, затвором и стоком, уменьшает тепловое сопротивление транзисторной структуры более чем в 1,5 раза, и благодаря наличию на поверхности кристалла транзистора слоя теплопроводящего поликристаллического алмаза одновременно с барьерными слоями двуокиси гафния и оксида алюминия, размещенными под затвором, повышает величину пробивного напряжения более 20%, что обеспечивает повышение эффективности предложенного изобретения.
Claims (4)
1. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор, содержащий фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты, отличающийся тем, что пьедестал имеет толщину 30-200 мкм и выполнен из теплопроводящего слоя CVD поликристаллического алмаза с имплантированным Ni и с отожженными приповерхностными слоями с двух сторон, поверх пьедестала расположена подложка из монокристаллического кремния толщиной 10-20 мкм, буферный слой, а на поверхности гетероэпитаксиальной структуры, между истоком, затвором и стоком, последовательно размещены дополнительные слои теплопроводящего поликристаллического алмаза, барьерный слой из двуокиси гафния и барьерный слой из оксида алюминия, при этом барьерные слои выполнены с суммарной толщиной 1,0-4,0 нм, кроме того, в области затвора барьерные слои размещены под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN.
2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен из AlN.
3. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен из HfN.
4. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что содержит дополнительный нелегированный слой, выполненный из твердого раствора AlGaN.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013130414/28A RU2534437C1 (ru) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013130414/28A RU2534437C1 (ru) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2534437C1 true RU2534437C1 (ru) | 2014-11-27 |
Family
ID=53383053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013130414/28A RU2534437C1 (ru) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2534437C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2787552C1 (ru) * | 2022-04-29 | 2023-01-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Мощный полевой транзистор свч |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646293B2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
| US7030428B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Strain balanced nitride heterojunction transistors |
| RU80069U1 (ru) * | 2008-08-19 | 2009-01-20 | Государственное учреждение "Научно-исследовательский институт микроэлектроники и информационно-измерительной техники Московского государственного института электроники и математики (технического университета)" | Гетероэпитаксиальная структура для полевых транзисторов |
| US7972915B2 (en) * | 2005-11-29 | 2011-07-05 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Monolithic integration of enhancement- and depletion-mode AlGaN/GaN HFETs |
| RU2474923C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2013-02-10 | Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МЕТАМОРФНАЯ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА InAlAs/InGaAs |
-
2013
- 2013-07-04 RU RU2013130414/28A patent/RU2534437C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646293B2 (en) * | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
| US7030428B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Strain balanced nitride heterojunction transistors |
| US8153515B2 (en) * | 2001-12-03 | 2012-04-10 | Cree, Inc. | Methods of fabricating strain balanced nitride heterojunction transistors |
| US7972915B2 (en) * | 2005-11-29 | 2011-07-05 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Monolithic integration of enhancement- and depletion-mode AlGaN/GaN HFETs |
| RU80069U1 (ru) * | 2008-08-19 | 2009-01-20 | Государственное учреждение "Научно-исследовательский институт микроэлектроники и информационно-измерительной техники Московского государственного института электроники и математики (технического университета)" | Гетероэпитаксиальная структура для полевых транзисторов |
| RU2474923C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2013-02-10 | Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МЕТАМОРФНАЯ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА InAlAs/InGaAs |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| В. Luo et al. The role of cleaning conditions and epitaxial layer structure on reliability of Sc2O3 and MgO passivation on AlGaN/GaN HEMTS, Solid-State Electronics, 46, pp.2185-2190, 2002. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2787552C1 (ru) * | 2022-04-29 | 2023-01-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Мощный полевой транзистор свч |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nanjo et al. | AlGaN channel HEMT with extremely high breakdown voltage | |
| US9633920B2 (en) | Low damage passivation layer for III-V based devices | |
| TWI485785B (zh) | 具源極連接場板之寬能帶隙高電子移動性電晶體 | |
| US8772786B2 (en) | Gallium nitride devices having low ohmic contact resistance | |
| US8815665B2 (en) | Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices | |
| US10388736B2 (en) | Methods of forming substrate structures and semiconductor components | |
| US8513703B2 (en) | Group III-nitride HEMT with multi-layered substrate having a second layer of one conductivity type touching a top surface of a first layers of different conductivity type and a method for forming the same | |
| EP2955757B1 (en) | Nitride power component and manufacturing method therefor | |
| CN103155124A (zh) | 氮化物半导体装置 | |
| CN115472686A (zh) | 一种低动态电阻增强型GaN器件 | |
| Hult et al. | High voltage and low leakage GaN-on-Sic MISHEMTs on a “buffer-free” heterostructure | |
| US20240274710A1 (en) | Sic mosfet, sic mosfet preparation method, and integrated circuit | |
| CN107958939A (zh) | 一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构 | |
| US20150021666A1 (en) | Transistor having partially or wholly replaced substrate and method of making the same | |
| US20180358359A1 (en) | Transistor, semiconductor device, electronic apparatus, and method for producing transistor | |
| CN111446287A (zh) | 一种mosfet器件及其制备方法 | |
| CN108807500B (zh) | 一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管 | |
| RU136238U1 (ru) | Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
| RU135182U1 (ru) | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
| EP4210113A1 (en) | Method for fabricating a high electron mobility transistor | |
| RU2534437C1 (ru) | Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
| US12136675B2 (en) | Enhancement-mode device and preparation method therefor | |
| RU140462U1 (ru) | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
| CN107958931A (zh) | 一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构 | |
| CN107958930A (zh) | 一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构 |