RU2524509C1 - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ - Google Patents
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2524509C1 RU2524509C1 RU2013119252/02A RU2013119252A RU2524509C1 RU 2524509 C1 RU2524509 C1 RU 2524509C1 RU 2013119252/02 A RU2013119252/02 A RU 2013119252/02A RU 2013119252 A RU2013119252 A RU 2013119252A RU 2524509 C1 RU2524509 C1 RU 2524509C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- laser
- target
- epitaxial layers
- substrate
- Prior art date
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 43
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 6
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж при остаточном давлении в ростовой камере 10-4-10-6 Па и при температуре подложки 950÷1000°C. Обеспечивается получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации (β-SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100). 4 ил.
Description
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3C-SiC, ИК-микроизлучателей.
В настоящее время наиболее распространенным методом получения тонких эпитаксиальных слоев карбида кремния является метод CVD из газовых смесей силана и углеводородов, а также из различных кремнийорганических соединений, например метилтрихлорсилана (KR 20050019572), гексаметилдисилазана (JP 2006176811, JP 2006147866) в потоке водорода или аргона. Недостатком метода является использование токсичных летучих кремнийорганических соединений, высокие температуры. Рост производства приборов на основе карбида кремния стимулирует поиск более экономичных и экологически чистых технологий формирования слоев SiC. Одним из таких методов может стать получение пленок путем импульсного лазерного осаждения.
Известен способ получения тонких пленок 2Н α-SiC методом импульсной лазерной абляции (US 5529949 (A), US 5723880 (А)). В данном случае набор подложек, представляющих собой пластины монокристаллического кремния или карбида кремния политипа 6Н (0001), обрабатывался в ацетоне и метаноле с целью удаления органических загрязнений, затем в растворе плавиковой кислоты с целью удаления естественного окисла перед осуществлением процесса эпитаксии. Обработанные таким образом подложки помещались в молибденовый держатель подложек вакуумной камеры, который располагался параллельно мишени в 5-6 сантиметрах от нее. Мишень представляла собой поликристаллическую пластину SiC, изготовленную методом CVD. Мишень подвергалась воздействию излучения эксимерного лазера с длиной волны 248 нм с плотностью энергии около 2,5 Дж/см2 и частотой 2 импульса в секунду. Скорость осаждения при этом составляла около 0,5 А/импульс. Температура подложки поддерживалась на уровне от 960 до 1270°С. Отличие данного способа от предлагаемого заключается в том, что он направлен на получение гексагонального карбида кремния α-SiC. Кроме того, авторы (US 5529949 (A), US 5723880 (А)) используют эксимерный лазер и поликристаллическую мишень.
В работе JP 10081598 (А) описан метод синтеза нанокристаллического карбида кремния политипа 6Н на кремниевой подложке, погруженной в органический растворитель (бензол) под действием сфокусированного излучения лазера с плотностью энергии 20-40 Дж/см2. Длительность импульса лазера 30 нс, энергия порядка 1 Дж2. Отличие предлагаемого способа от JP 10081598 (А) заключается в сущности метода вакуумного лазерного испарения (процесс протекает в вакууме за счет испарения керамической мишени) и возможности синтеза монокристаллических эпитаксиальных пленок карбида кремния политипа 3C.
В работе JP 200528596 4(А) описан метод получения кристаллических и эпитаксиальных тонких пленок SiC n- и р-типа проводимости методом импульсного лазерного осаждения из паровой фазы. Сущность предложенного метода заключается в одновременном лазерном испарении из двух мишеней, содержащих SiC и легирующую примесь III или V группы для получения n- и р-типа проводимости (Si3N4 и Al4C3 соответственно). Предлагаемый метод направлен на получение чистого карбида кремния политипа 3C.
Также известен способ получения кристаллических пленок карбида кремния методом лазерного напыления углерода на кремний (US 5406906). Пленки кристаллического карбида кремния выращивают на нагретой подложке из кристаллического кремния методом лазерной абляции чистого углерода. Температура подложки во время осаждения превышает 1000°С. В результате пленка SiC является эпитаксиально ориентированной по отношению к подложке. Толщина пленки составляет величину около 4000 ангстрем. Основное отличие данного способа от предлагаемого заключается в том, что мишенью для вакуумной лазерной абляции в US 5406906 является углерод. Это ограничивает толщину получаемого слоя карбида кремния.
Известен способ изготовления гетероэпитаксиальных тонких пленок α-SiC (JP2003095795). Данный способ предусматривает получение гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния α-SiC методом вакуумного лазерного напыления. Пленки получают при высоких температурах подложки (800-1300°С). В качестве подложечного материала используют пластины монокристаллического Si, сапфира и MgO. Отличие данного способа от предлагаемого заключается в том, что метод (JP 2003095795) направлен на получение гексагонального карбида кремния α-SiC. Кроме того, недостатком метода (JP 2003095795) является и сложность системы крепления мишеней, которая должна обеспечивать вращение мишеней вокруг своей оси во избежание образования глубокого кратера на распыляемой поверхности.
Известен способ получения аморфных и эпитаксиальных пленок карбида кремния политипов 3C-SiC, 2H-SiC, 4H-S1C и 15R-S1C (CN 102051589 (А)). Рост пленки карбида кремния осуществляется методом магнетронного распыления или вакуумного лазерного испарения материала мишени. Частота следования импульсов лазерного излучения 1-10 Гц, длина волны лазера 265 нм. Метод состоит из следующих операций: выбор подложки и материала мишени, очистка поверхности мишени и подложки, получение пленки карбида кремния методом магнетронного распыления или импульсного лазерного испарения материала мишени, отжига полученной тонкопленочной структуры в атмосфере защитного газа. Основное отличие данного способа состоит в использовании фотокатализа для активации поверхности подложки в процессе роста. Недостатком метода (CN 102051589 (А)) является отсутствие системы сканирования лазерного луча по поверхности мишени.
Ближайшим техническим решением к заявленному является способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции (RU 2350686). Способ включает распыление керамической мишени лазерным лучом в условиях высокого вакуума на нагретую подложку без добавок газообразных реагентов. Мишень располагают на расстоянии 100 мм от подложки. Подложку нагревают до температуры 350°С. Распыление осуществляют в течение 20 мин с помощью YAG:Nb (λ=532 нм) лазера с энергией накачки 15-20 Дж и при сканировании лазерного луча по поверхности керамической мишени. Недостатком прототипа являются низкие температуры роста пленок (температура подложки), ограничивающие возможности применения данного метода для получения эпитаксиальных слоев, то есть ориентационно-упорядоченной структуры.
Основной задачей, на решение которой направлен заявленный способ, является получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации (β-SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100) путем импульсного лазерного испарения материала керамической мишени состава, близкого к стехиометрическому, и осаждения испаряемого вещества на подложку, нагретую до температур 950-1000°С в условиях высокого вакуума.
Указанный технический результат достигается тем, что процесс распыления карбида кремния проводят с применением твердотельного лазера на основе алюмоиттриевого граната, активированного неодимом (YAG:Nd), с длиной волны излучения 1064 нм и системы сканирования лазерного луча по поверхности мишени в условиях высокого вакуума (до ~10-6 Па). Таким образом, процесс напыления проводят в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов. Температура подложки 950-1000°C.
Блок-схема технологической установки для осуществления процесса осаждения тонких эпитаксиальных слоев карбида кремния по заявленному способу представлена на фиг.1. Здесь: 1 - сверхвысоковакуумная камера; 2 - карусель с держателями образцов, мишеней; 3 - держатель мишеней; 4 - нагреватель с подложкой; 5 - сменное защитное стекло; 6 - шлюзовая камера для ввода/вывода образцов, мишеней; 7 - ионизационный датчик вакуума; 8 - ввод вращения карусели; 9 - смотровое окно; 10 - окно ввода лазерного излучения; 11 - YAG:Nd лазер; 12 - оптическая система сканирования луча; 13 - система фокусировки. На фиг.2 приведена схема сканирования лазерного луча по поверхности мишени (1 - керамическая мишень SiC, 2 - лазерное излучение).
Способ получения тонких пленок SiC методом вакуумной лазерной абляции заключается в следующем. Для распыления материала мишени использовалось сфокусированное излучение AYG:Nd-лазера (длина волны излучения 1064 нм), работающего в режиме модуляции добротности. Излучение мощного лазерного импульса проходит через оптическое окно вакуумной камеры и фокусируется на поверхности мишени. Мишенью для лазерного осаждения служит керамический SiC стехиометрического состава. Мишень поглощает энергию падающих импульсов. При определенной плотности мощности лазерного излучения материал с поверхности мишени начинает испаряться. На траектории разлета плазменного факела устанавливается подложка, на поверхности которой происходит конденсация и рост пленки. В качестве подложек для формирования структур используются монокристаллические подложки кремния с ориентацией (001) и (111), нагретые до температуры 950÷1000°C. Очистка поверхности кремневых подложек от загрязнений производится непосредственно перед их загрузкой в шлюзовую вакуумную камеру смесью пропанола-1 и ацетона в ультразвуковой ванне. После этого подложки травятся в 5%-ном растворе плавиковой кислоты для удаления слоя естественного оксида, отмываются деионизованной водой и сушатся.
Температурный диапазон осаждения выбран на основании экспериментальных данных по зависимости структуры растущего слоя от температуры подложки. Экспериментально установлено, что пленки карбида кремния, выращенные предлагаемым способом на подложках Si(001) и Si(111), при температуре t<500°C имеют аморфную структуру. Пленки SiC, выращенные в температурном диапазоне 500°C÷700°C, имеют нанокристаллическую структуру, для эпитаксиального роста пленок β-SiC на подложках кремния температура подложки должна быть в диапазоне 950÷1000°C.
Значение остаточного давления в ростовой камере на уровне ~10-6 Па выбран на основании возможностей установки для обеспечения роста качественных эпитаксиальных слоев. Высокий уровень вакуума в рабочем объеме камеры достигается благодаря использованию двухступенчатой системы откачки с применением турбомолекулярного и ионного насосов, а также благодаря наличию предварительной камеры, смежной с основной камерой роста и имеющей возможность герметично отсекаться от нее, что позволяет непрерывно поддерживать уровень вакуума в рабочей камере не ниже Р~10-4 Па.
Используемый в установке YAG:Nd лазер с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1-0,3 Дж позволяет испарять карбид кремния. Использованная оптическая схема резонатора, вращающая пятно генерации на 90° при каждом проходе резонатора, обеспечивает отсутствие «горячих точек» в лазерном пятне и, благодаря этому, однородность параметров испарения на мишени. Однородное распределение плотности энергии по пятну позволяет также снизить образование капель в испаренном потоке.
Включение системы перемещения лазерного луча в технологическую установку позволяет предотвратить образование глубокого кратера на поверхности мишени, обеспечивает постоянную скорость напыления, более экономичный расход материала мишени и высокую воспроизводимость результатов. Система управляется с помощью ЭВМ, что дает возможность точного контроля параметров технологического процесса. Тем самым повышается качество эпитаксиальных слоев.
Подбор оптимальной для каждого материала плотности мощности лазерного излучения на мишени осуществляется путем варьирования фокусного расстояния линзы, закрепленной в автоматической системе фокусировки (пределы изменения плотности мощности составляют 4·108 Вт·см-2<Р<2·109 Вт·см-2).
Операция очистки подложек выполняется с целью удаления с их поверхности органических загрязнений (смесью пропанола-1 и ацетона) и естественного окисла (путем травления в 5%-ном растворе плавиковой кислоты). В последнем случае также протекает пассивация поверхности кремния атомами водорода.
В результате методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены тонкие субмикронные эпитаксиальные пленки (β-SiC) на монокристаллическом кремнии с ориентацией (100) и (111).
На фиг.3а представлено РЭМ изображение поверхности образца, полученного при температуре 950°C на подложке (100) Si (увеличение 300000 раз), на фиг.3б - светлопольное ПЭМ изображение его поперечного среза. На поверхности образца хорошо видны образования, имеющие ростовой характер и свидетельствующие об ориентированном росте пленки SiC относительно структуры подложки. Это предположение подтверждается данными просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. На фиг.4 приведено изображение области гетерограницы Si/SiC и данные микродифракции электронов, указывающие на формирование эпитаксиального слоя β-SiC. Качество гетерограницы, а также наблюдаемая точечная микродифрактограмма наглядно свидетельствуют о наследовании материалом пленки кристаллической структуры кремния.
В отличие от образца, полученного на кремниевой подложке с ориентацией (100), пленка, выращенная на кремнии (111), при той же температуре имеет выраженную зернистую структуру с размером кристаллитов 50-100 нм (фиг.4а). На фиг.4б также приведено светлопольное изображение поперечного среза тонкопленочной структуры, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
Таким образом, при температурах выше 500°C на Si (111) и (100) начинает формироваться кристаллическая фаза β-SiC. Данные просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения и микроэлектронограммы от образцов указывают на формирование текстурированных гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC при температурах подложки 950-1000°C.
Claims (1)
- Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на монокристаллическом кремнии, включающий распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку, отличающийся тем, что распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж, при остаточном давлении в ростовой камере 10-4-10-6 Па и при температуре подложки 950÷1000°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119252/02A RU2524509C1 (ru) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119252/02A RU2524509C1 (ru) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2524509C1 true RU2524509C1 (ru) | 2014-07-27 |
Family
ID=51265378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013119252/02A RU2524509C1 (ru) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2524509C1 (ru) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3306663A1 (en) | 2016-10-05 | 2018-04-11 | ABB Schweiz AG | Sic-on-si-based semiconductor module with short circuit failure mode |
| US10322936B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | High purity polysilocarb materials, applications and processes |
| US10322974B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices |
| RU2707772C2 (ru) * | 2014-09-25 | 2019-11-29 | Мелиор Инновейшнз, Инк. | Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства |
| RU2715080C1 (ru) * | 2018-12-18 | 2020-02-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Способ наращивания монокристаллических слоёв полупроводниковых структур |
| US10597794B2 (en) | 2013-05-02 | 2020-03-24 | Pallidus, Inc. | High purity polymer derived 3C SiC, methods compositions and applications |
| RU2742751C1 (ru) * | 2020-07-14 | 2021-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ") | Способ получения износостойкого наноструктурированного покрытия |
| US11091370B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-08-17 | Pallidus, Inc. | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
| RU2825815C1 (ru) * | 2024-02-05 | 2024-08-30 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Чеченский Государственный Университет Имени Ахмата Абдулхамидовича Кадырова" | Способ отжига полупроводниковых структур |
| US12330948B2 (en) | 2017-03-29 | 2025-06-17 | Pallidus, Inc. | SiC volumetric shapes and methods of forming boules |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406906A (en) * | 1994-01-18 | 1995-04-18 | Ford Motor Company | Preparation of crystallographically aligned films of silicon carbide by laser deposition of carbon onto silicon |
| US5529949A (en) * | 1994-03-17 | 1996-06-25 | Kent State University | Process of making thin film 2H α-sic by laser ablation |
| RU2327248C2 (ru) * | 2002-07-11 | 2008-06-20 | Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко. Лтд. | ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |
| RU2350686C2 (ru) * | 2007-04-06 | 2009-03-27 | Общество с ограниченной ответственностью "УФ-техника" | Способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции |
| US20120154779A1 (en) * | 2009-08-27 | 2012-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter |
-
2013
- 2013-04-25 RU RU2013119252/02A patent/RU2524509C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406906A (en) * | 1994-01-18 | 1995-04-18 | Ford Motor Company | Preparation of crystallographically aligned films of silicon carbide by laser deposition of carbon onto silicon |
| US5529949A (en) * | 1994-03-17 | 1996-06-25 | Kent State University | Process of making thin film 2H α-sic by laser ablation |
| RU2327248C2 (ru) * | 2002-07-11 | 2008-06-20 | Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко. Лтд. | ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |
| RU2350686C2 (ru) * | 2007-04-06 | 2009-03-27 | Общество с ограниченной ответственностью "УФ-техника" | Способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции |
| US20120154779A1 (en) * | 2009-08-27 | 2012-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10597794B2 (en) | 2013-05-02 | 2020-03-24 | Pallidus, Inc. | High purity polymer derived 3C SiC, methods compositions and applications |
| US10322936B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | High purity polysilocarb materials, applications and processes |
| US10322974B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices |
| US11091370B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-08-17 | Pallidus, Inc. | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
| US12030819B2 (en) | 2013-05-02 | 2024-07-09 | Pallidus, Inc. | Doped SiC and SiOC compositions and Methods |
| RU2707772C2 (ru) * | 2014-09-25 | 2019-11-29 | Мелиор Инновейшнз, Инк. | Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства |
| WO2018065317A1 (en) | 2016-10-05 | 2018-04-12 | Abb Schweiz Ag | Sic-on-si-based semiconductor module with short circuit failure mode |
| EP3306663A1 (en) | 2016-10-05 | 2018-04-11 | ABB Schweiz AG | Sic-on-si-based semiconductor module with short circuit failure mode |
| US12330948B2 (en) | 2017-03-29 | 2025-06-17 | Pallidus, Inc. | SiC volumetric shapes and methods of forming boules |
| RU2715080C1 (ru) * | 2018-12-18 | 2020-02-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Способ наращивания монокристаллических слоёв полупроводниковых структур |
| RU2742751C1 (ru) * | 2020-07-14 | 2021-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ") | Способ получения износостойкого наноструктурированного покрытия |
| RU2833505C2 (ru) * | 2022-11-18 | 2025-01-22 | Сергей Николаевич Максимовский | Способ выращивания слоев карбида кремния на гибких или твердых подложках |
| RU2825815C1 (ru) * | 2024-02-05 | 2024-08-30 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Чеченский Государственный Университет Имени Ахмата Абдулхамидовича Кадырова" | Способ отжига полупроводниковых структур |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2524509C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ | |
| CN101058867B (zh) | P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法 | |
| KR101493893B1 (ko) | 펄스 레이저 증착을 이용한 그래핀의 제조방법 | |
| US7842588B2 (en) | Group-III metal nitride and preparation thereof | |
| WO2002044443A1 (en) | Methods and apparatus for producing m'n based materials | |
| KR20100107403A (ko) | 그래핀의 생산방법 | |
| Jiang et al. | Diamond film orientation by ion bombardment during deposition | |
| JP6947232B2 (ja) | 窒化ガリウム系膜ならびにその製造方法 | |
| Murayama et al. | Structure of a silicon carbide film synthesized by rf reactive ion plating | |
| WO1996035640A1 (en) | Carbon nitride cold cathode | |
| Castillo et al. | Optimized growth of gallium oxide thin films using different synthesis processes | |
| Sajjad et al. | Design and installation of a CO2-pulsed laser plasma deposition system for the growth of mass product nanostructures | |
| RU2762756C1 (ru) | Способ получения на подложке тонких пленок ниобата лития | |
| Gyorgy et al. | Role of laser pulse duration and gas pressure in deposition of AlN thin films | |
| KR102675622B1 (ko) | 입실론 갈륨 옥사이드 에피택셜 기판 제조 방법 및 그에 의해 제조된 입실론 갈륨 옥사이드 에피택셜 기판 | |
| JP2011099137A (ja) | ダイヤモンド膜の形成方法 | |
| Tse et al. | ZnO thin films produced by filtered cathodic vacuum arc technique | |
| RU2350686C2 (ru) | Способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции | |
| JP3882030B2 (ja) | α−ＳｉＣエピタキシャル薄膜の作製方法及びα−ＳｉＣヘテロエピタキシャル薄膜 | |
| JP3938345B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜の形成方法 | |
| Tahan et al. | Growth of Aluminium Nitride Thin Film using Pulse-Modulated Rf Magnetron Sputtering Plasma | |
| HUANG et al. | Structural and optical properties of ZnO films with different thicknesses grown on sapphire by MOCVD | |
| WO2021060366A1 (ja) | ＳｉＣ半導体装置の製造方法及びＳｉＣ半導体装置 | |
| RU2333300C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x | |
| RU2789692C1 (ru) | Способ синтеза пленок нанокристаллического карбида кремния на кремниевой подложке |