RU2579096C1 - Method production of high-purity chalco-iodide glass - Google Patents
Method production of high-purity chalco-iodide glass Download PDFInfo
- Publication number
- RU2579096C1 RU2579096C1 RU2014144582/03A RU2014144582A RU2579096C1 RU 2579096 C1 RU2579096 C1 RU 2579096C1 RU 2014144582/03 A RU2014144582/03 A RU 2014144582/03A RU 2014144582 A RU2014144582 A RU 2014144582A RU 2579096 C1 RU2579096 C1 RU 2579096C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- glass
- plasma
- purity
- reactor
- chalco
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- CUDGTZJYMWAJFV-UHFFFAOYSA-N tetraiodogermane Chemical compound I[Ge](I)(I)I CUDGTZJYMWAJFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к химии, а именно к производству высокочистых стекол, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводниковых устройств, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах ближнего и среднего ИК-диапазона.The invention relates to chemistry, namely to the production of high-purity glasses, which can be used for the manufacture of optical elements, optical fibers and wide-gap semiconductor devices used in optics and optoelectronic devices of the near and middle infrared range.
Высокочистые халькойодидные стекла являются перспективным материалом для создания оптических приборов нового поколения, таких как приборы ночного видения, новых источников излучения инфракрасного диапазона, электронных устройств, содержащих химические и биологические датчики обнаружения CO2, медицинского диагностического оборудования.High-purity chalcioiodide glasses are a promising material for the creation of a new generation of optical devices, such as night-vision devices, new infrared radiation sources, electronic devices containing chemical and biological sensors for CO 2 detection, and medical diagnostic equipment.
Высокая чистота является одной из важнейших характеристик этих материалов, т.к. именно содержание примесей определяет их функциональную пригодность и возможность коммерческой реализации.High purity is one of the most important characteristics of these materials, as it is the content of impurities that determines their functional suitability and commercial feasibility.
Известны способы получения халькойодидных стекол, в которых исходными веществами служат элементы - макрокомпоненты стекла, как компоненты шихты, плавлением которой образуется стеклообразующий расплав требуемого состава (Виноградова Г.З. «Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Изд-во «Наука». М., 1984, с. 86, 100, 106»).Known methods for producing chalcioiodide glasses in which the starting materials are elements - macrocomponents of glass, as components of a mixture, melting of which forms a glass-forming melt of the required composition (Vinogradova GZ "Glass formation and phase equilibria in chalcogenide systems. Publishing house" Science ". M ., 1984, S. 86, 100, 106 ").
Указанный способ включает в себя загрузку компонентов шихты в реактор в заданных количествах, его вакуумирование, синтез стеклообразующего расплава в запаянном реакторе, его гомогенизацию и отверждение в стекло.The specified method includes loading the charge components into the reactor in predetermined quantities, evacuating it, synthesizing a glass-forming melt in a sealed reactor, homogenizing it and curing it in glass.
Недостатками данного способа является невозможность полного исключения загрязнения исходных веществ при загрузке, а также условия синтеза (высокая температура (800-950°C) и длительность синтеза (10-40 часов)), при которых стекла загрязняются материалами аппаратуры. Кроме того, взвешивание исходных элементов даже в защитной атмосфере, последующее их измельчение и загрузка в реактор приводят к загрязнению оксидами элементов и водой.The disadvantages of this method is the impossibility of completely eliminating the contamination of the starting materials during loading, as well as the synthesis conditions (high temperature (800-950 ° C) and the duration of the synthesis (10-40 hours)), in which the glass is contaminated with equipment materials. In addition, the weighing of the starting elements even in a protective atmosphere, their subsequent grinding and loading into the reactor lead to pollution by element oxides and water.
Известен способ, в котором в качестве исходных веществ используют летучие гидриды элементов, а вместо термического нагрева - низкотемпературную неравновесную плазму (Е. Sleeckx, I. Nagels, R. Callaerts and M. Van Roy «Plasma-enhanced C.V.D. of amorphous GeS1-x, and GeSe1-x films», Journal de Physique 11, Volume 3, 1993»).There is a known method in which volatile hydrides of elements are used as starting materials, and low-temperature non-equilibrium plasma is used instead of thermal heating (E. Sleeckx, I. Nagels, R. Callaerts and M. Van Roy “Plasma-enhanced CVD of amorphous GeS 1-x , and GeSe 1-x films ", Journal de Physique 11, Volume 3, 1993").
Недостатком данного способа является сильное загрязнение конечных продуктов водородными группами, что является следствием неполного разложения исходных веществ - гидридов плазмой.The disadvantage of this method is the strong contamination of the final products with hydrogen groups, which is a consequence of the incomplete decomposition of the starting materials - plasma hydrides.
Ближайшим аналогом заявленного способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, взятого за прототип, является «Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол» (патент РФ №2467962, C1).The closest analogue of the claimed method for producing highly pure refractory chalcoyodide glasses, taken as a prototype, is the "Method for producing highly pure refractory chalcoyodide glasses" (RF patent No. 2467962, C1).
Данный способ включает загрузку компонентов шихты в реактор, при этом в качестве компонентов шихты используют халькогены и другие исходные вещества - макрокомпоненты стекла, синтез стеклообразующего состава, его гомогенезацию и охлаждение. При этом в качестве компонентов шихты, наряду с халькогенами используют летучие иодиды элементов. Инициирование реакции взаимодействия компонентов шихты осуществляется термическим нагревом при температуре 650°C на всех этапах процесса.This method involves loading the charge components into the reactor, wherein chalcogenes and other starting materials — glass macro-components, synthesis of the glass-forming composition, its homogenization and cooling are used as charge components. At the same time, volatile iodides of elements are used as components of the charge, along with chalcogenes. The reaction of the interaction of the components of the charge is initiated by thermal heating at a temperature of 650 ° C at all stages of the process.
В данном способе синтез стеклообразующих соединений ведут в реакторе, имеющем конструктивные отличия от известных.In this method, the synthesis of glass-forming compounds is carried out in a reactor having structural differences from the known ones.
Основным недостатком данного способа является температура синтеза, которая хотя и не превышает 650°C, остается достаточно высокой, а также то обстоятельство, что на протяжении всего синтеза имеет место контакт расплава со стенками реактора. Это приводит к заметному загрязнению получаемых стекол материалами аппаратуры.The main disadvantage of this method is the synthesis temperature, which, although it does not exceed 650 ° C, remains high enough, as well as the fact that throughout the synthesis, the melt comes into contact with the walls of the reactor. This leads to a noticeable contamination of the resulting glass materials of the equipment.
Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения высокочистых халькойодидных стекол, позволяющего уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры.The problem to which the invention is directed is the development of a method for producing high-purity chalcoiodide glasses, which allows to reduce the amount of impurities coming from equipment materials.
Поставленная задача решается тем, что предложен способ получения высокочистых халькойодидных стекол, включающий загрузку компонентов шихты, содержащих халькоген и летучие йодиды, в реактор, инициирование реакции взаимодействия халькогена и летучих йодидов, с образованием стеклообразующих соединений, плавление твердых продуктов реакции, гомогенизацию и охлаждение расплава, отличающийся тем, что компоненты шихты загружают в проточный плазмохимический реактор, инициирование реакции взаимодействия халькогена и летучих йодидов производят плазменным разрядом, синтез стеклообразующих соединений с заданным соотношением компонентов проводят в условиях неравновесной плазмы высокочастотного емкостного разряда при пониженном давлении.The problem is solved by the fact that the proposed method for producing high-purity chalcioiodide glasses, including loading the charge components containing chalcogen and volatile iodides into the reactor, initiating the reaction of the interaction of chalcogen and volatile iodides, with the formation of glass-forming compounds, melting of solid reaction products, homogenization and cooling of the melt, characterized in that the components of the charge are loaded into a flow plasma-chemical reactor, initiating the reaction of the interaction of chalcogen and volatile iodides DYT plasma discharge, the synthesis of compounds of glass-forming components with a predetermined ratio is carried out in a non-equilibrium plasma conditions, high capacitive discharge under reduced pressure.
Сущность предлагаемого способа получения высокочистых халькойодидных стекол заключается в том, что компоненты шихты постоянно поступают в проточный плазмохимический реактор, инициирование реакции взаимодействия халькогена и летучих йодидов производят плазменным разрядом, синтез стеклообразующего состава проводят в условиях неравновесной плазмы высокочастотного емкостного разряда при пониженном давлении, а твердые продукты реакции, представляющие собой стеклообразующие соединения, осаждаются на стенку реактора и находятся на ней до гомогенизации расплава при температуре не более 350°C.The essence of the proposed method for producing high-purity chalcioiodide glasses consists in the fact that the charge components are constantly fed into a flow plasma-chemical reactor, the reaction of the interaction of chalcogen and volatile iodides is initiated by a plasma discharge, the synthesis of a glass-forming composition is carried out under non-equilibrium plasma of a high-frequency capacitive discharge under reduced pressure, and solid products reactions, which are glass-forming compounds, are deposited on the wall of the reactor and are not before homogenization of the melt at a temperature of not more than 350 ° C.
Техническим результатом изобретения является снижение загрязняющих примесей в составе стекол.The technical result of the invention is the reduction of contaminants in the composition of the glasses.
Новизна способа подтверждается отсутствием в источниках информации ссылок на использование предлагаемого технического решения для решения поставленной задачи.The novelty of the method is confirmed by the absence in the sources of information of references to the use of the proposed technical solution to solve the problem.
Достижение технического результата обеспечивается тем, что взаимодействие халькогена и летучих йодидов происходит в неравновесной плазме высокочастотного емкостного разряда при пониженном давлении в проточном реакторе из кварцевого стекла.The achievement of the technical result is ensured by the fact that the interaction of chalcogen and volatile iodides occurs in a nonequilibrium plasma of a high-frequency capacitive discharge at reduced pressure in a flow reactor made of quartz glass.
При этом плазменный разряд, используемый вместо термического нагрева, обеспечивает активацию химических связей за счет высокой концентрации активных электронов, способных снять кинетические ограничения химической реакции, что дает не только высокий выход конечного продукта, но и высокую чистоту, в т.ч. за счет того, температура стенок реактора не превышает 350°C.In this case, a plasma discharge used instead of thermal heating ensures the activation of chemical bonds due to the high concentration of active electrons capable of removing the kinetic limitations of the chemical reaction, which gives not only a high yield of the final product, but also high purity, including due to the fact that the temperature of the walls of the reactor does not exceed 350 ° C.
Синтезированная шихта осаждается на поверхность реактора в реакционной зоне плазмы в виде твердых продуктов реакции, что предотвращает контакт основной массы шихты со стенками реактора на стадии синтеза и понижает температуру синтеза шихты на 250-300°C по сравнению с прототипом.The synthesized charge is deposited on the surface of the reactor in the plasma reaction zone in the form of solid reaction products, which prevents contact of the bulk of the charge with the walls of the reactor at the synthesis stage and lowers the temperature of the synthesis of the charge by 250-300 ° C compared with the prototype.
Упомянутые признаки являются существенными, т.к. они необходимы и достаточены для решения поставленной задачи - уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры.The mentioned features are significant, because they are necessary and sufficient to solve the problem - to reduce the amount of impurities coming from the equipment materials.
Способ осуществляют следующим образом.The method is as follows.
Исходные вещества - халькоген и йодиды элементов помещают в загрузочные стеклянные емкости, снабженные внешними нагревательными элементами. Температуры нагрева каждой емкости устанавливают индивидуально, в соответствии с величиной давления насыщенного пара компонента и задаваемым составом стекла. В качестве плазмообразующего газа и газа-носителя используют аргон, который с постоянной скоростью продувают через стеклянные резервуары, содержащие загрузочные стеклянные емкости.The starting materials — chalcogen and element iodides — are placed in loading glass containers equipped with external heating elements. The heating temperature of each tank is set individually, in accordance with the value of the saturated vapor pressure of the component and the specified glass composition. As a plasma-forming gas and a carrier gas, argon is used, which is blown at a constant speed through glass tanks containing loading glass containers.
Парогазовую смесь подают в кварцевый плазмохимический реактор (трубка из кварцевого стекла), где твердые продукты плазмохимической реакции осаждаются на внутренней поверхности реактора. Общее рабочее давление в системе поддерживают в интервале от 1.9 до 21 тор. После стадии осаждения реактор отпайкой отделяют от основной системы и проводят гомогенизацию полученного расплава в качающейся печи при температуре гомогенизации не выше 750°C в течение 1 часа. После гомогенизации реактор извлекают из печи и отверждают расплав в стекло. Для снятия механических напряжений проводят отжиг стекла.The gas-vapor mixture is fed into a quartz plasma-chemical reactor (a quartz glass tube), where the solid products of the plasma-chemical reaction are deposited on the inner surface of the reactor. The total operating pressure in the system is maintained in the range from 1.9 to 21 torr. After the deposition step, the reactor is sealed off by soldering from the main system and the obtained melt is homogenized in a rocking furnace at a homogenization temperature of not higher than 750 ° C for 1 hour. After homogenization, the reactor is removed from the furnace and the melt is solidified into glass. To relieve mechanical stress, the glass is annealed.
Работоспособность и промышленная применимость заявляемого способа подтверждается конкретными примерами выполнения способа.The performance and industrial applicability of the proposed method is confirmed by specific examples of the method.
Пример 1Example 1
Исходные вещества - серу и тетрайодид германия помещали в загрузочные стеклянные емкости, снабженные внешними нагревательными элементами в количествах 10.2 и 8 граммов соответственно. Температура нагрева серы составляла 200°C, температура нагрева тетрайодида германия 155°C. Соотношение GeI4:S в парогазовой смеси было постоянно и равно 1:4.1 при суммарной скорости подачи смеси 15 мл/мин. В качестве плазмообразующего газа и газа-носителя использовался аргон марки ОСЧ, который с постоянной скоростью продувался через стеклянные резервуары, содержащие загрузочные стеклянные емкости с тетрайодидом германия и серой. Твердые продукты плазмохимической реакции осаждались на внутренней поверхности реактора. Общее рабочее давление в системе поддерживалось равным 1.9 тор. Продукты реакции, состоявшие в основном из йода, конденсировали в ловушке, охлаждаемой жидким азотом.The starting materials, sulfur and germanium tetraiodide, were placed in loading glass containers equipped with external heating elements in quantities of 10.2 and 8 grams, respectively. The sulfur heating temperature was 200 ° C, and the heating temperature of germanium tetraiodide was 155 ° C. The ratio of GeI 4 : S in the vapor-gas mixture was constant and equal to 1: 4.1 at a total feed rate of the mixture of 15 ml / min. As a plasma-forming gas and a carrier gas, OSCH grade argon was used, which was blown at a constant speed through glass tanks containing loading glass containers with germanium tetraiodide and sulfur. The solid products of the plasma chemical reaction precipitated on the inner surface of the reactor. The total working pressure in the system was maintained equal to 1.9 torr. The reaction products, consisting mainly of iodine, were condensed in a trap cooled by liquid nitrogen.
После стадии осаждения реактор отпайкой отделяли от основной системы и проводили гомогенизацию полученного расплава в качающейся печи. Температура гомогенизации не превышает 750°C в течение 1 часа. После гомогенизации реактор извлекали из печи и отверждали расплав в стекло. Для снятия механических напряжений проводили отжиг стекла. Масса полученного образца стекла составляла 3.5 г, что соответствует выходу конечного продукта 62% в пересчете на Ge.After the deposition step, the reactor was sealed off from the main system by soldering and the obtained melt was homogenized in a rocking furnace. The homogenization temperature does not exceed 750 ° C for 1 hour. After homogenization, the reactor was removed from the furnace and the melt was solidified in glass. Glass was annealed to relieve mechanical stress. The mass of the obtained glass sample was 3.5 g, which corresponds to a final product yield of 62% in terms of Ge.
Содержание примесей в получаемых стеклах по данным атомно-эмиссионной спектроскопии с дуговым разрядом: Si - 3·10-5 мас. %, содержание Mg - 10-4 мас. %, содержание примесей переходных элементов ниже предела обнаружения.The impurity content in the resulting glasses according to atomic emission spectroscopy with an arc discharge: Si - 3 · 10 -5 wt. %, Mg content - 10 -4 wt. %, the impurity content of the transition elements is below the detection limit.
Таблица 1Table 1
Пример 2Example 2
Дополнительно к смеси серы и тетрайодида германия в зону реакции подавали пары SbI3. Температура нагрева загрузочной емкости с SbI3 составляла 172°C. Соотношение GeI4:S:SbI3 в парогазовой смеси было постоянно и равно 1:4.1:0.14.In addition to a mixture of sulfur and germanium tetraiodide, SbI 3 pairs were introduced into the reaction zone. The heating temperature of the loading vessel with SbI 3 was 172 ° C. The ratio of GeI 4 : S: SbI 3 in the vapor-gas mixture was constant and equal to 1: 4.1: 0.14.
Получены стекла системы Ge-Sb-S-I с содержанием Sb до 3.8 мол. %.The glasses of the Ge-Sb-S-I system with an Sb content of up to 3.8 mol. %
Таким образом, заявленный способ позволяет уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры за счет снижения температуры синтеза шихты.Thus, the claimed method allows to reduce the amount of impurities coming from equipment materials by reducing the temperature of the synthesis of the mixture.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014144582/03A RU2579096C1 (en) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | Method production of high-purity chalco-iodide glass |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014144582/03A RU2579096C1 (en) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | Method production of high-purity chalco-iodide glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2579096C1 true RU2579096C1 (en) | 2016-03-27 |
Family
ID=55657044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014144582/03A RU2579096C1 (en) | 2014-11-05 | 2014-11-05 | Method production of high-purity chalco-iodide glass |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2579096C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU833603A1 (en) * | 1979-09-17 | 1981-05-30 | Предприятие П/Я Х-5594 | Chalcogenide glass |
| RU2021218C1 (en) * | 1991-05-05 | 1994-10-15 | Санкт-Петербургский государственный технологический университет | METHOD OF CHALCOGENIDE GLASS GeS2 PRODUCING |
| US7018604B2 (en) * | 2002-07-26 | 2006-03-28 | Iowa State University Research Foundation Inc | Compounds for novel proton conducting membranes and methods of making same |
| RU2467962C1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) | Method of producing especially pure heat-resistant chalco-iodide glass |
-
2014
- 2014-11-05 RU RU2014144582/03A patent/RU2579096C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU833603A1 (en) * | 1979-09-17 | 1981-05-30 | Предприятие П/Я Х-5594 | Chalcogenide glass |
| RU2021218C1 (en) * | 1991-05-05 | 1994-10-15 | Санкт-Петербургский государственный технологический университет | METHOD OF CHALCOGENIDE GLASS GeS2 PRODUCING |
| US7018604B2 (en) * | 2002-07-26 | 2006-03-28 | Iowa State University Research Foundation Inc | Compounds for novel proton conducting membranes and methods of making same |
| RU2467962C1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) | Method of producing especially pure heat-resistant chalco-iodide glass |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI580710B (en) | Method for preparing halogenated polysilane | |
| RU2338686C1 (en) | Method of obtaining carbon nanotubes | |
| JP5886831B2 (en) | Generation of single crystal semiconductor materials | |
| JPH11157982A (en) | Method for producing calcium fluoride crystal and method for treating raw material | |
| RU2451635C2 (en) | Method of producing highly pure elementary silicon | |
| Mochalov et al. | Preparation of Ge–S–I and Ge–Sb–S–I glasses by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| TWI582044B (en) | Preparation of hexachlorodisilane by splitting higher polychlorosilanes such as octachlorotrisilane | |
| Vorotyntsev et al. | PECVD synthesis of As–S glasses | |
| KR101811933B1 (en) | Process and apparatus for preparation of octachlorotrisilane | |
| Mochalov et al. | Preparation of glasses in the Ge–S–I system by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| RU2579096C1 (en) | Method production of high-purity chalco-iodide glass | |
| RU2687403C1 (en) | Method for producing high-purity tellure by distillation with low content of selenium | |
| JP5878013B2 (en) | Halogen-containing silicon, its production and use | |
| KR20120104214A (en) | Method for removing deposits | |
| JP5635985B2 (en) | Method for removing non-metallic impurities from metallic silicon | |
| Logunov et al. | Synthesis of gallium oxide from the elements at rf plasma discharge in the argon-oxygen mixture | |
| RU2467962C1 (en) | Method of producing especially pure heat-resistant chalco-iodide glass | |
| RU2644213C1 (en) | Method of vacuum cleaning tellurium from carbon-containing nanoscale hetero-inclusions | |
| CN108862282A (en) | The preparation method of disilane | |
| Mochalov et al. | A Method for Deep Purification of Iodine for Semiconductor Applications | |
| Mochalov et al. | Gallium oxide films prepared by oxidation of gallium in oxygen-hydrogen plasma | |
| JP2011231402A (en) | Method for producing titanium and production device | |
| US2944874A (en) | Preparation of silicon | |
| Sukhanova et al. | Synthesis of high pure crystalline paratellurite by chemical combustion reaction | |
| RU2450983C2 (en) | Ultra-pure sulphide-arsenic material for synthesis of highly transparent chalcogenide glass and method of producing said material |