RU2556183C2 - Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film - Google Patents
Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film Download PDFInfo
- Publication number
- RU2556183C2 RU2556183C2 RU2013119139/02A RU2013119139A RU2556183C2 RU 2556183 C2 RU2556183 C2 RU 2556183C2 RU 2013119139/02 A RU2013119139/02 A RU 2013119139/02A RU 2013119139 A RU2013119139 A RU 2013119139A RU 2556183 C2 RU2556183 C2 RU 2556183C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- titanium
- heterostructure
- silicide
- silicon substrate
- titanium oxide
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
- BAQNULZQXCKSQW-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ti+4] BAQNULZQXCKSQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical group [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021352 titanium disilicide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] Chemical compound [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов.The invention relates to a technology for producing semiconductor materials and can be used to create semiconductor devices.
Известны различные способы формирования слоев диоксида титана на подложках путем термического оксидирования пленок титана, где источником атомов окислителя является газовая среда [1, 2]. Также известны различные способы формирования слоев силицидов титана на подложке кремния путем термического окисления пленок титана, где источником атомов окислителя является подложка [3-6]. Что касается формирования пленочных гетероструктур диоксид титана-силицид титана на подложке кремния, то предложенный в работе [7] способ формирования гетероструктуры TiO2 / TiSi2 путем термического оксидирования пленки TiSi2 на подложке монокристаллического кремния не позволяет получить однофазную пленку TiO2, а способ, предложенный в работе [8], основанный на твердофазной реакции разложения пленки TiO2 в контакте с подложкой Si - сплошную пленку TiSi2. К недостаткам последнего способа следует отнести и невозможность получения предельной фазы силицида TiSi2(C54), обусловленную ингибирующим влиянием кислорода на кинетику силицидообразования [9].There are various methods of forming layers of titanium dioxide on substrates by thermal oxidation of titanium films, where the source of oxidizing atoms is a gaseous medium [1, 2]. Various methods are also known for the formation of layers of titanium silicides on a silicon substrate by thermal oxidation of titanium films, where the substrate is the source of oxidizing atoms [3-6]. As for the formation of titanium dioxide-titanium silicide film heterostructures on a silicon substrate, the method proposed in [7] for forming a TiO 2 / TiSi 2 heterostructure by thermal oxidation of a TiSi 2 film on a single-crystal silicon substrate does not allow obtaining a single-phase TiO 2 film, and the method proposed in [8], based on the solid-phase decomposition of a TiO 2 film in contact with a Si substrate, is a continuous TiSi 2 film. The disadvantages of the latter method include the impossibility of obtaining the limiting phase of TiSi 2 silicide (C54), due to the inhibitory effect of oxygen on the kinetics of silicide formation [9].
Наиболее близким аналогом к заявляемому решению является способ получения гетероструктуры TiO2 / TiSi2, предложенный в работе [10]. Этот способ включает следующие стадии:The closest analogue to the claimed solution is a method for producing a TiO 2 / TiSi 2 heterostructure proposed in [10]. This method includes the following steps:
размещение кремниевой подложки в вакуумной камере;placement of the silicon substrate in a vacuum chamber;
очистка кремниевой подложки от естественного оксида;purification of the silicon substrate from natural oxide;
формирование методом магнетронного распыления нанокристаллической пленки титана на поверхности пластины кремния;the formation by magnetron sputtering of a nanocrystalline titanium film on the surface of a silicon wafer;
синтез гетероструктуры TiO2 / TiSi2 происходит в результате активированных термической обработкой в диапазоне температур от 700 до 1000°C в течение 30 мин реакций оксидирования пленки Ti со стороны свободной поверхности и силицидобразования с межфазной границы Ti/Si.the synthesis of the TiO 2 / TiSi 2 heterostructure occurs as a result of oxidation reactions of the Ti film from the free surface and silicide formation from the Ti / Si interface activated by heat treatment in the temperature range from 700 to 1000 ° C for 30 min.
Основным недостатком этого способа является относительно высокая температура и большая длительность процесса формирования гетероструктуры, а также, как и в способе [8], невозможность получения фазы силицида TiSi2(C54), характеризующейся наивысшей электропроводностью.The main disadvantage of this method is the relatively high temperature and long duration of the heterostructure formation process, as well as, as in the method [8], the impossibility of obtaining the TiSi 2 (C54) silicide phase, which is characterized by the highest electrical conductivity.
Изобретение направлено на снижение температурной нагрузки на кремниевую подложку, сокращение времени процесса. Это достигается тем, что проводят фотонную обработку исходной гетероструктуры Si/Ti излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана. Снижение температурной нагрузки происходит за счет уменьшения времени обработки и локализации излучения в приповерхностном слое металла.The invention is aimed at reducing the temperature load on the silicon substrate, reducing the process time. This is achieved by performing photon processing of the initial Si / Ti heterostructure by radiation of xenon lamps with a radiation range of 0.2-1.2 μm in an air atmosphere with a pulse packet of 10 -2 s duration for 2.0-2.2 s at an energy dose in the range of 220-240 J cm -2 to activate oxidation and silicide formation reactions during the formation of a heterostructure titanium oxide - titanium silicide. Reducing the temperature load occurs by reducing the processing time and localization of radiation in the surface layer of the metal.
Способ реализуется следующим образом.The method is implemented as follows.
Формирование гетероструктуры TiO2 / TiSi2 / Si производили на модернизированной установке импульсной фотонной обработки УОЛП-1. Исходную гетероструктуру готовили в процессе магнетронного распыления титановой мишени и нанесения пленки толщиной около 0,4 мкм на поверхность монокристаллической пластины кремния толщиной 450 мкм. Гетероструктуру помещали в рабочую камеру параллельно плоскости, в которой расположены лампы. Импульсную фотонную обработку проводили в атмосфере воздуха или кислорода в течение 2,0-2,2 с. При этом плотность энергии излучения, поступающего на образец (ЕИ), составляет 220-240 Дж·см-2.The formation of the TiO 2 / TiSi 2 / Si heterostructure was carried out on a modernized installation of pulsed photon processing УОЛП-1. The initial heterostructure was prepared by magnetron sputtering of a titanium target and coating a film with a thickness of about 0.4 μm on the surface of a 450 nm thick single crystal silicon wafer. The heterostructure was placed in the working chamber parallel to the plane in which the lamps are located. Pulse photon processing was carried out in an atmosphere of air or oxygen for 2.0-2.2 s. In this case, the energy density of the radiation entering the sample (E AND ) is 220-240 J · cm -2 .
В результате реакции кислорода с титаном образуется слой диоксида титана, а в результате реакции между титаном и кремнием образуется слой силицида титана. В указанном интервале дозы энергии излучения в атмосфере воздуха при давлении 100 кПа формируется гетероструктура, в которой толщина слоя силицида и слоя оксида близки по величине.As a result of the reaction of oxygen with titanium, a layer of titanium dioxide is formed, and as a result of the reaction between titanium and silicon, a layer of titanium silicide is formed. In the indicated interval of the dose of radiation energy in the air atmosphere at a pressure of 100 kPa, a heterostructure is formed in which the thickness of the silicide layer and the oxide layer are close in magnitude.
Пример 1. В качестве подложки использовали пластину монокристаллического кремния марки КДБ-10 ориентации (111) диаметром 100 мм. Перед конденсацией Ti поверхность кремния очищали химическим травлением в растворе плавиковой кислоты и промывкой в дистиллированной воде. Из рабочей камеры с помощью вакуумной системы откачивали воздух до получения давления 5·10-3 Па. После откачки в камеру напускали аргон до достижения давления в камере 5,3·10-1 Па. После достижения необходимого давления проводили очистку поверхности подложки ионным пучком. Затем на поверхность ненагретой подложки в процессе магнетронного распыления или электронно-лучевого испарения в сверхвысоком вакууме не хуже 10-5 Па наносили пленку титана. Для предотвращения загрязнения подложки и пленки углеродом откачка вакуумной камеры установки осуществляли безмасляными средствами. Исходную гетероструктуру, представляющую собой пластину монокристаллического кремния толщиной 450 мкм с пленкой титана толщиной около 0,4 мкм, помещали в рабочую камеру установки. Фотонную обработку проводили в атмосфере воздуха при давлении 100 кПа в течение 2,0 с, что соответствовало дозе поступившего на образец излучения 220 Дж·см-2. После обработки образец извлекали из камеры и исследовали фазовый состав методом рентгеновской дифрактометрии на приборе СУР-01 «РЕНОМ» (CuKα излучение). Исследование структуры проводили на электронно-ионном сканирующем микроскопе Quanta 3D и просвечивающем электронном микроскопе Philips ЕМ-430 ST.Example 1. As the substrate used a plate of single crystal silicon grade KDB-10 orientation (111) with a diameter of 100 mm Before Ti condensation, the silicon surface was cleaned by chemical etching in a solution of hydrofluoric acid and washing in distilled water. Using a vacuum system, air was pumped out of the working chamber to obtain a pressure of 5 · 10 -3 Pa. After evacuation, argon was introduced into the chamber until the pressure in the chamber reached 5.3 · 10 -1 Pa. After reaching the required pressure, the surface of the substrate was cleaned with an ion beam. Then, a titanium film was deposited on the surface of an unheated substrate during magnetron sputtering or electron beam evaporation in ultrahigh vacuum no worse than 10 -5 Pa. To prevent contamination of the substrate and the film with carbon, the vacuum chamber was evacuated by oil-free means. The initial heterostructure, which is a 450 μm thick single crystal silicon wafer with a titanium film about 0.4 μm thick, was placed in the working chamber of the installation. Photon processing was carried out in an atmosphere of air at a pressure of 100 kPa for 2.0 s, which corresponded to a dose of 220 J cm –2 radiation received on the sample. After processing, the sample was removed from the chamber and the phase composition was studied by X-ray diffractometry on a SUR-01 RENOM device (CuK α radiation). The structure was studied using a Quanta 3D electron-ion scanning microscope and a Philips EM-430 ST transmission electron microscope.
Установлено, что исходные пленки Ti имеют нанокристаллическую зеренную структуру с сильно выраженной текстурой <0001>, параметры кристаллической решетки соответствовали содержанию до 16% кислорода.It was found that the initial Ti films have a nanocrystalline grain structure with a strongly pronounced texture <0001>, the crystal lattice parameters corresponded to up to 16% oxygen.
На рис. 1 приведены рентгеновская дифрактограмма (а), РЭМ-изображение поперечного среза в отраженном ионном пучке (б) и РЭМ-изображение свободной поверхности во вторичных электронах (в) гетероструктуры TiO2-TiSi2-Si, сформированной в течение 2,0 с, ЕИ=220 Дж·см-2 на воздухе.In fig. Figure 1 shows an X-ray diffraction pattern (a), a SEM image of a cross section in a reflected ion beam (b), and a SEM image of a free surface in secondary electrons (c) of a TiO 2 -TiSi 2 -Si heterostructure formed over 2.0 s, Е And = 220 J · cm -2 in air.
Анализ дифрактограммы показал, что фотонная обработка исходной гетероструктуры приводит к образованию гетероструктуры, состоящей из смеси оксидов титана: TiO2(Р), TiO2(А) и TiO, и смеси двух модификаций конечной фазы силицида титана TiSi2(C49) и TiSi2(C54). На дифрактограмме в области малых углов наблюдается увеличение фона, свидетельствующее о содержании аморфной фазы. При этом установлено, что фазы TiO2(Р) и TiSi2(C54) являются преобладающими из кристаллических фаз.Analysis of the diffraction pattern showed that photon processing of the initial heterostructure leads to the formation of a heterostructure consisting of a mixture of titanium oxides: TiO 2 (P), TiO 2 (A) and TiO, and a mixture of two modifications of the final phase of titanium silicide TiSi 2 (C49) and TiSi 2 (C54). An increase in the background is observed in the diffractogram in the region of small angles, indicating the content of the amorphous phase. It was found that the phases TiO 2 (P) and TiSi 2 (C54) are predominant from the crystalline phases.
Из РЭМ-изображения поперечного среза следует, что гетероструктура состоит из трех слоев: верхний слой - диоксид титана, имеет анизотропную структуру, ниже идет слой диоксида с более дисперсной структурой, причем на границе этих слоев выявляются поры. Слой под оксидными слоями, контактирующий с кремнием, соответствует смеси двух силицидных фаз: TiSi2(C49) и TiSi2(C54).It follows from the cross-sectional SEM image that the heterostructure consists of three layers: the upper layer is titanium dioxide, has an anisotropic structure, and below the layer of dioxide with a more dispersed structure, pores are revealed at the boundary of these layers. The layer under the oxide layers in contact with silicon corresponds to a mixture of two silicide phases: TiSi 2 (C49) and TiSi 2 (C54).
Пример 2. Пример осуществляется аналогично примеру 1. В этом примере плотность энергии излучения, поступающего на образец, составляет 240 Дж·см-2.Example 2. The example is carried out analogously to example 1. In this example, the energy density of the radiation entering the sample is 240 J · cm -2 .
На рис. 2 приведена рентгеновская дифрактограмма синтезированной гетероструктуры. Из нее следует, что гетероструктура состоит из фаз: TiO2, TiSi2(C54) и Si. В результате фотонной обработки формируется слоевая гетероструктура: нижний слой - дисилицид титана структурного типа С54, контактирует с подложкой кремния, верхний слой - диоксид титана в модификации рутила. Тем самым получено изделие, представляющее собой гетероструктуру TiO2-TiSi2(C54)-Si.In fig. Figure 2 shows an X-ray diffraction pattern of a synthesized heterostructure. It follows that the heterostructure consists of the phases: TiO 2 , TiSi 2 (C54) and Si. As a result of photonic processing, a layered heterostructure is formed: the lower layer is a titanium disilicide of structural type C54, is in contact with a silicon substrate, the upper layer is titanium dioxide in the modification of rutile. Thereby, an article is obtained which is a TiO 2 —TiSi 2 (C54) —Si heterostructure.
Реализация предлагаемого способа позволяет получить изделия, состоящие из кремниевой подложки и сформированной гетероструктуры TiO2-TiSi2(C54). В сравнении с известными способами предложенное техническое решение обеспечивает снижение температурной нагрузки на кремниевую подложку, сокращение времени процесса при изготовлении изделия, что позволяет избежать протекания негативных процессов, активируемых продолжительным высокотемпературным нагревом.The implementation of the proposed method allows to obtain products consisting of a silicon substrate and the formed heterostructure TiO 2 -TiSi 2 (C54). In comparison with known methods, the proposed technical solution provides a decrease in the temperature load on the silicon substrate, a reduction in the process time during the manufacture of the product, which avoids the occurrence of negative processes activated by continuous high-temperature heating.
Источники информацииInformation sources
1. Патент RU 2369663, МПК С23С 8/10, 2009; Бай А.С., Лайнер Д.И., Слесарева Е.Н., Цыпин М.И. Окисление титана и его сплавов. М: Металлургия, 1970.1. Patent RU 2369663, IPC С23С 8/10, 2009; Bai A.S., Liner D.I., Slesareva E.N., Tsypin M.I. Oxidation of titanium and its alloys. M: Metallurgy, 1970.
2. Zhang Y., Ma X., Chen P., Yang D. Crystallization behaviors of TiO2 films derived from thermal oxidation of evaporated and sputtered titanium films // J. of Alloys and Compounds. 2009.- V.480.- No. 2. - P. 938-941.2. Zhang Y., Ma X., Chen P., Yang D. Crystallization behaviors of TiO 2 films derived from thermal oxidation of evaporated and sputtered titanium films // J. of Alloys and Compounds. 2009.- V.480.- No. 2. - P. 938-941.
3. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. (ред.). Тонкие Пленки - Взаимная Диффузия и Реакции // М., Мир, 1982. - 576 с. 3. Pout J., Tu K., Meyer J. (eds.). Thin Films - Mutual Diffusion and Reactions // M., Mir, 1982. - 576 p.
4. Мьюрарка С.П. Силициды для БИС. М.: Мир, 1986. - 175 с. 4. Muyrarka S.P. Silicides for LSI. M .: Mir, 1986.- 175 p.
5. Barbarini Е., Guastella S., Pirri C.F. Furnace annealing effects in the formation of titanium silicide Schottky barriers // Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP), 2010 18th International Conference on Sept. 28 2010-Oct. 1 2010.- P. 119-122.5. Barbarini E., Guastella S., Pirri C.F. Furnace annealing effects in the formation of titanium silicide Schottky barriers // Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP), 2010 18th International Conference on Sept. 28 2010-Oct. 1 2010.- P. 119-122.
6. V.A. Pilipenko, V.V. Molofeev, V.N. Ponomar′, A.N. Mikhnyuk, V.A. Gorushko. Modeling of Diffusion Synthesis of Titanium Disilicide // Journal of Engineering Physics and Thermophysics 2005.- V.78. - No. 3. - P.610-615.6. V.A. Pilipenko, V.V. Molofeev, V.N. Ponomar ′, A.N. Mikhnyuk, V.A. Gorushko. Modeling of Diffusion Synthesis of Titanium Disilicide // Journal of Engineering Physics and Thermophysics 2005.- V.78. - No. 3. - P.610-615.
7. G.J. Huang, L.J. Chen Investigation of the oxidation kinetics of C54-TiSi2 on (001)Si by transmission electron microscopy // J. Appl. Phys. 1992.- V.72.-P.3143-3150.7. GJ Huang, LJ Chen Investigation of the oxidation kinetics of C54-TiSi 2 on (001) Si by transmission electron microscopy // J. Appl. Phys. 1992.- V.72.-P.3143-3150.
8. G.J. Yong, Rajeswari M. Kolagani, S. Adhikari, W. Vanderlinde, Y. Liang, K. Muramatsu, S. Friedrich. Thermal stability of SrTiO3 / SiO2/Si Interfaces at Intermediate Oxygen Pressures // Journal of Applied Physics 2010.- V.108.- P.033502-(1-8).8. GJ Yong, Rajeswari M. Kolagani, S. Adhikari, W. Vanderlinde, Y. Liang, K. Muramatsu, S. Friedrich. Thermal stability of SrTiO 3 / SiO 2 / Si Interfaces at Intermediate Oxygen Pressures // Journal of Applied Physics 2010.- V.108.- P.033502- (1-8).
9. J.P. Ponpon, A. Saulnier. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semiconductor Science and Technology 1989.- V.4. - P.526-528.9. J.P. Ponpon, A. Saulnier. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semiconductor Science and Technology 1989.- V.4. - P.526-528.
10. Sun Chuan-wei, Wang Yu-tai, Li Nian-qiang. Behavior of Ti Based on Si(l 11) Substrate at High Temperature in Oxygen // Semiconductor Photonics and Technology 2007.- No.2.- P. 161-163.10. Sun Chuan-wei, Wang Yu-tai, Li Nian-qiang. Behavior of Ti Based on Si (l 11) Substrate at High Temperature in Oxygen // Semiconductor Photonics and Technology 2007.- No.2.- P. 161-163.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (en) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (en) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013119139A RU2013119139A (en) | 2014-10-27 |
| RU2556183C2 true RU2556183C2 (en) | 2015-07-10 |
Family
ID=53380632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (en) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2556183C2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146410B (en) * | 2018-11-05 | 2021-03-02 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | Negative electrode active material and battery |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897381A (en) * | 1996-07-11 | 1999-04-27 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer and semiconductor substrate |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| EP1538234A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-08 | Mori Yasuhiro | Method of modifying solid surface and product obtained |
| RU2425908C2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-08-10 | Пикодеон Лтд. Ой | Procedure for application of coating by means of pulse laser and object with coating applied by such procedure |
-
2013
- 2013-04-24 RU RU2013119139/02A patent/RU2556183C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897381A (en) * | 1996-07-11 | 1999-04-27 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer and semiconductor substrate |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| EP1538234A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-08 | Mori Yasuhiro | Method of modifying solid surface and product obtained |
| RU2425908C2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-08-10 | Пикодеон Лтд. Ой | Procedure for application of coating by means of pulse laser and object with coating applied by such procedure |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Sun Chuan-wei et al, Behaviour of Ti based on Si(111) substrate at high temperature in oxygen, том 13, N2, 05.2007, с.161-163; . * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2013119139A (en) | 2014-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101798706B (en) | Method for extending and growing graphene on SiC substrate | |
| Xiong et al. | Solid-state graphene formation via a nickel carbide intermediate phase | |
| Stepanov et al. | Synthesis of porous silicon by ion implantation | |
| Oliveira et al. | High textured AlN thin films grown by RF magnetron sputtering; composition, structure, morphology and hardness | |
| JP5563500B2 (en) | Synthesis method of graphene and carbon molecular thin film | |
| Bong et al. | Ultrathin graphene and graphene oxide layers as a diffusion barrier for advanced Cu metallization | |
| CN104389016A (en) | Method for quickly preparing large-size single-crystal graphene | |
| CN103741224B (en) | High-purity high-density WS 2the preparation method of lamellar nanostructure | |
| JP5578639B2 (en) | Graphite film manufacturing method | |
| CN104313684A (en) | Method for preparing hexagonal boron nitride (h-BN) two-dimensional atomic crystal | |
| CN105568253A (en) | Method for growing hexagonal boron nitride by plasma chemical vapor deposition equipment | |
| Gao et al. | ZnO nanorods/plates on Si substrate grown by low-temperature hydrothermal reaction | |
| CN104176734A (en) | Preparation method of nitrogen-doped graphene | |
| Kogut et al. | Magnesium silicide thin film formation by reactive diffusion | |
| CN104377257B (en) | A kind of silicon-based germanium quantum dots sandwich, its preparation method and application | |
| TW201409180A (en) | Hard mask and process for producing hard mask | |
| CN114162809A (en) | Method for preparing graphene by two-step chemical vapor deposition method | |
| RU2556183C2 (en) | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film | |
| Brennan et al. | Surface and interfacial reaction study of half cycle atomic layer deposited Al2O3 on chemically treated InP surfaces | |
| CN102127743A (en) | Preparation method of Ta-C-N thin-film | |
| CN102925866A (en) | Preparation technology for single-phase Mg2Si semiconductor film | |
| TWI307558B (en) | Method of facbricating buffer layer on substrate | |
| CN102994953B (en) | Method for generating dendritic crystal pattern on surface of Cu/Ti film | |
| CN114381806B (en) | Preparation method of two-dimensional aluminum nitride crystal | |
| RU2341847C1 (en) | Method of making silicon carbide films on silicon substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160425 |