RU2556177C1 - Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек - Google Patents
Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек Download PDFInfo
- Publication number
- RU2556177C1 RU2556177C1 RU2014100184/02A RU2014100184A RU2556177C1 RU 2556177 C1 RU2556177 C1 RU 2556177C1 RU 2014100184/02 A RU2014100184/02 A RU 2014100184/02A RU 2014100184 A RU2014100184 A RU 2014100184A RU 2556177 C1 RU2556177 C1 RU 2556177C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- laser
- masks
- radiation
- sublimation
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000005553 drilling Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002090 nanochannel Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- -1 aluminum carbides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу сублимационной лазерной обработки прозрачных подложек с формированием рельефных микроструктур и может найти использование в микроэлектронике, оптике, микросистемной технике. Предварительно на поверхность подложек в местах углублений рельефа или отверстий наносят маски из поглощающего материала. Затем облучают подложку многократными лазерными импульсами нано- и субнаносекундной длительности , меньшей времени распространения тепловой волны нагревания подложки на половину расстояния между соседними масками. Температуру в местах масок доводят до уровня сублимации материала подложек. Изобретение позволяет осуществить лазерную микрообработку пластин из прозрачных диэлектриков, а также лазерное профилирование или сверление алмаза и других прозрачных диэлектриков с размерами элементов рельефа меньше длины волны лазерного излучения. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к технологиям микроэлектроники, оптики, микросистемной техники, к нелитографическим лазерным микротехнологиям формирования на подложках рельефных микроструктур.
При обработках изделий с помощью лазерного излучения на поверхности изделия с помощью объектива формируют или фокальное пятно, или оптическую картину формируемого на поверхности рисунка. Дифракция на объективе приводит к невозможности получать фокальное пятно или элементы рисунка с размерами меньше длины волны излучения.
В качестве аналога предлагаемого изобретения выбран способ лазерной обработки по заданному рисунку тонкой пленки, нанесенной на поверхность подложки [Вейко В.П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л.: Машиностроение, Ленингр. отд-ние, 1986. - 248 с.]. Лазерный сфокусированный луч сканирует по заданной программе профилируемую пленку, облучаемые участки пленки испаряются, формируется рисунок.
Недостатками способа являются невозможность получения элементов рисунка с размерами в плане меньше длины волны из-за дифракционных ограничений, а также тот факт, что обработке поддаются только поглощающие излучение материалы.
В качестве прототипа заявленного способа выбран способ лазерного сверления отверстий в алмазных волоках [Григорьянц А.Г., Соколов А.А. Лазерная обработка неметаллических материалов. - М.: Высшая школа, 1988. - 191 с.]. В соответствии с этим способом отверстие пробивается импульсно-периодическим лазерным облучением алмаза сфокусированным лучом. Алмаз прозрачен для излучения; для снижения требующейся лазерной мощности первыми импульсами излучения графитизируют поверхность алмаза за счет нагревания примыкающей металлической детали, нагреваемой излучением сквозь прозрачное в начале обработки тело алмаза. При нагревании происходит полимофный переход, углерод переходит из одной аллотропической модификации - алмаза - в состояние графита. Графит поглощает лазерное излучение, графитизация позволяет вести лазерную обработку прозрачного алмаза, алмаз нагревается путем теплопроводности от графитового слоя и удаляется за счет процесса лазерной абляции.
Недостатками способа-прототипа являются невозможность получения элементов с размерами в плане меньше длины волны из-за дифракционных ограничений при фокусировании излучения, а также тот факт, что этот способ применяется только для лазерной обработки алмаза, способного при нагревании превращаться в графит.
Задачей, решаемой в данном изобретении, является лазерное профилирование или сверление алмаза и других прозрачных диэлектриков с размерами элементов рельефа меньше длины волны лазерного излучения.
Задача решается тем, что в способе сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек, использующем многократные лазерные импульсы нано- и субнаносекундной длительности, в соответствии с изобретением на поверхность подложек в местах углублений профилирования или сверления наносят маски из поглощающего материала с толщиной, допускающей их удаление первым лазерным импульсом облучения, затем облучают подложку лазерным пучком с поперечником больше размера области, занятой масками, причем длительность лазерных импульсов меньше времени распространения тепловой волны нагревания подложки на половину расстояния между соседними масками.
Предлагается также, что при лазерном воздействии температуру в местах удаления покрытия доводят до уровня, достаточного для полиморфного преобразования материала подложки или для активирования диссоциации химических соединений поверхности подложки.
Предлагается также, что лазерное облучение подложки ведут в атмосфере углеродсодержащих газов или в восстановительной атмосфере.
Предлагается также, что облучают подложку лазерным излучением ультрафиолетового спектра.
Способ поясняется с помощью фиг. 1, на которой иллюстрируются этапы а)-г) лазерного получения рельефа на прозрачной пластине из диэлектрика в соответствии с заявленным изобретением. На фиг. 1 обозначено: 1 - прозрачная пластина из диэлектрика; 2 - тонкопленочные маски из поглощающего материала толщиной d с поперечником а, размещенные в областях поверхности подложки, где необходимо получить углубления рельефа, маски занимают область поверхности с поперечником L; 3 - поток лазерного излучения с поперечником D больше размера области, занятой масками; 4 - нагретая приповерхностная область толщиной lТ подложки; 5 - область на дне растущего углубления 6 рельефа, в которой произошло полиморфное преобразование материала подложки или диссоциация химического соединения из состава подложки; H - глубина углубления 6 рельефа; 7 - выступ образовавшегося рельефа.
Обсуждение процессов, происходящих при реализации способа
На поверхности прозрачной не поглощающей используемое лазерное излучение подложки 1 формируют тонкопленочные маски 2 из поглощающего материала с толщиной d. Поперечник а участка маски может быть много меньше длины волны лазерного излучения, так что по ширине D лазерного пучка может уложиться несколько таких масок и промежутков между ними. Маски располагают в тех местах подложки, где предполагается иметь углубления рельефа.
Затем поверхность подвергают импульсно-периодическому лазерному облучению. Лазерное излучение, попадающее на маску, частично поглощается и ее нагревает; промежутки между масками не поглощают излучение и не нагреваются. Материал масок и его толщина выбираются такими, чтобы за один первый лазерный импульс пленка маски нагрелась до температуры сублимации маски. За время своего существования маска прогреет за счет теплопроводности приповерхностный слой подложки толщиной lТ, температура нагревания подложки должна быть достаточна для диссоциации в приповерхностном слое вещества подложки или для полиморфного преобразования материала подложки. При получении рельефа на тугоплавких подложках типа алмаза, карбида кремния или сапфира материал покрытия также должен быть тугоплавким, температура сублимации материала должна быть не меньше температуры указанных выше преобразований в подложке. Следует также учитывать, что часть материала покрытия внедрится в подложку во время сублимации.
Лазерное облучение при плотности мощности падающего излучения более 108-109 Вт/см2 может приводить к температурам на поверхности подложки более 5000-10000 K. К приходу на поверхность следующего из последовательности лазерных импульсов при импульсно-периодическом облучении поверхность подложки может остыть. От предыдущего импульса на поверхности подложки в местах, где имелись маски, остаются продукты диссоциации вещества подложки и внедренные атомы вещества масок.
В качестве примера рассмотрим лазерное профилирование сапфира. В случае подложек из сапфира реакция диссоциации может происходить в соответствии с уравнением:
Al2O3→Al+O
Образуются также субокислы Al2O и AlO. В диапазоне температур выше 1000 K основными компонентами газовой фазы над окислом являются одноатомные газы кислород и алюминий.
Как установлено для лазерной сублимации металлов [Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970. 179 с.], из возникшего за импульс облака пара металла 18% вещества возвращается на поверхность подложки; можно принять, что часть вещества возникшей газовой фазы в нашем случае также вернется на поверхность облучаемой подложки.
Существование инертной или химически активной газовой атмосферы над подложкой при лазерном облучении вносит свои коррективы в химические процессы на поверхности. При наличии в атмосфере углеродсодержащих газов или других реакционно-активных газов или паров химических соединений возможно образование и отложение на поверхности подложки тугоплавких карбидов алюминия или других соединений:
Al2O3+CO2→Al4C3+O2,
Al2O3+CO→Al4C3+O2,
Al2O3+CH4→Al4C3+H2O.
В случае лазерной сублимационной обработки подложек, содержащих окислы, например стеклянных подложек, восстановительная атмосфера может способствовать выделению на поверхности при лазерном нагревании чистых элементов (свинца, алюминия, кремния и др.) или их низших окислов, например, в соответствии с химической реакцией:
PbO+H2→Pb+H2O,
обладающих повышенным поглощением излучений.
Если лазерное облучение коротковолновое, например 4 и 5 гармоники излучения твердотельного лазера с длиной волны 1,06 мкм, то прохождение химических реакций может интенсифицироваться, происходить при более низких температурах.
Удаление вещества подложки происходит путем сублимации как материала подложки, так и продуктов реакций и преобразований.
Наличие на поверхности подложки к приходу следующего импульса продуктов диссоциации или продуктов высокотемпературных реакций с атмосферными газами, которые имеют большее значение коэффициента поглощения излучения, чем лейкосапфир, или результатов полиморфного преобразования приводит к поглощению излучения участками поверхности, на которых перед первым импульсом имелись маски, их разогреванию и сублимации. Имеют важное значение термическая зависимость поглощения от температуры, увеличение коэффициента поглощения излучения прозрачными диэлектриками при увеличении их температуры. Первоначальное во время лазерного импульса нагревание подложки происходит за счет имеющегося на подложке слоя поглощающего материала, оставшегося от процессов, происходивших во время предыдущего импульса; нагревание приводит к увеличению поглощения излучения нагревающимися слоями подложки, прилегающими к оставшемуся слою. Увеличение поглощения зависит от значения длины волны сублимирующего излучения: с укорочением длины волны, ее приближением к ультрафиолетовому диапазону спектра поглощение увеличивается, при прочих равных условиях растет температура нагревания поверхностного слоя подложки, модифицированного обсуждаемыми процессами (диссоциацией, полиморфными превращениями, химическими реакциями на поверхности, вызванными активными составляющими газовой атмосферы, увеличением температуры приповерхностного слоя).
С каждым следующим лазерным импульсом процессы испарения и образования поглощающего слоя повторяются, образуется самоподдерживающаяся последовательность процессов, приводящих к углублению впадин рельефа.
Таким образом, следующие основные причины могут приводить к самоподдерживающейся последовательности сублимирующих импульсов:
- диссоциация вещества подложки с образованием нелетучих продуктов, остающихся на поверхности в конденсированной фазе и поглощающих излучение;
- диссоциация вещества с образованием только газообразных при температуре сублимации продуктов, частично возвращающихся на поверхность и способных поглощать излучение;
- прохождение химических реакций с атмосферными газами в газовой среде или на поверхности подложки во время лазерного импульса при высокой температуре поверхности с образованием продуктов на поверхности подложки, способных поглощать излучение;
- увеличение поглощения излучения подложкой с увеличением ее температуры.
Подробный анализ процессов, происходящих при температурах, возникающих на прозрачных диэлектрических подложках при мощных лазерных облучениях, в литературе не найден, однако мы экспериментально обнаружили описываемый эффект при лазерном получении рельефа на сапфире, карбиде кремния, алмазе.
Разрешающая способность микрообработки подложки, достигаемая по способу, определяется длиной тепловой волны в подложке 
, где χ - температуропроводность подложки, τ - длительность лазерного импульса. Для сапфира, стекла и алмаза при длительности лазерного импульса 6 нс длина тепловой волны составляет 0,11 мкм, 0,05 мкм, 1,17 мкм, соответственно; при укорочении импульса до 100 пс разрешение улучшается в 7-8 раз. Таким образом, достижимо получение рельефов с размерами его элементов менее длины волны излучения, с применением которого ведут микрообработку.
Длительность лазерных импульсов по обсуждаемому способу со стороны больших длительностей ограничена возможностью образования в парах вещества подложки лазерной плазмы, перехватывающей падающее излучение; известно, что лазерная плазма не возникает при длительностях менее десятков нс [Анисимов С.В., см выше].
При продолжении импульсно-периодического облучения подложки (фиг. 1(в)) глубина впадин 6 профиля увеличивается, образуются гребни 7 профиля; материал подложки вне области масок не удаляется. На дне впадин глубиной Н в течение каждого лазерного импульса исчезает и возобновляется участок 5 слоя поглощающего вещества, имеющий толщину h. Прогретый за время импульса слой 4 подложки ограничен на фиг. 1 пунктирной линией, имеет толщину lТ и ширину, большую ширины участка 5 слоя поглощающего вещества. По мере увеличения глубины впадины указанный эффект расширения прогретого слоя может приводить к увеличению ширины впадины; края углубления являются естественной маской, ограничивающей поперечник лазерного потока, попадающего во впадину, и тем компенсирующего упомянутое расширение впадины за счет температуропроводности подложки. Данная компенсация позволяет увеличивать аспектное отношение элементов профиля вплоть до возможности формировать узкие глубокие каналы - отверстия в теле подложки. Если первоначальное покрытие 2 подложки выполнено в виде островковой пленки со сквозными микро- и наноразмерными отверстиями, то при лазерном облучении в теле подложки формируется пористая структура с глубокими порами в виде микро- и наноканалов.
Если поперечный размер впадины меньше длины волны лазерного излучения, то проникновению энергии световой волны к поглощающему участку 5 способствует прозрачность гребней 7 рельефа, благодаря прозрачности гребней фронт световой волны искажается в меньшей степени, чем было бы в случае непрозрачных гребней, что увеличивает глубину проникновения волны; если поперечный размер углублений много меньше длины волны, то волна распространяется внутри подложки практически без искажений фронта и может инициировать сублимацию материала в глубине подложки на дне наноканалов.
Таким образом, показано, что новые элементы в предложениях обеспечивают возникновение полезных эффектов; показаны реализуемость изобретения и достижимость целей изобретения.
Практическое применение изобретение может найти в технологиях обработки стеклянных подложек или подложек из тугоплавких прозрачных соединений, плохо поддающихся химическому травлению. Данный способ позволит изготавливать в одностадийном технологическом процессе изделия типа прозрачных пластин со структурой микроканалов на поверхности.
Техническим результатом изобретения является способ лазерной микрообработки пластин из прозрачных диэлектриков.
Claims (4)
1. Способ сублимационной лазерной обработки прозрачных подложек с формированием рельефных микроструктур, включающий облучение поверхности упомянутой подложки многократными лазерными импульсами нано- и субнаносекундной длительности, отличающийся тем, что предварительно на поверхность подложек в местах углублений рельефа или отверстий наносят маски из поглощающего материала, затем облучают подложку с длительностью лазерных импульсов, меньшей времени распространения тепловой волны нагревания подложки на половину расстояния между соседними масками, причем температуру в местах масок доводят до уровня сублимации материала подложек.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при лазерном воздействии температуру в местах масок доводят до уровня, достаточного для полиморфного преобразования материала подложки или для активирования диссоциации химических соединений поверхности подложки.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что лазерное облучение подложки ведут в атмосфере углеродсодержащих газов или в восстановительной атмосфере.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучают подложку лазерным излучением ультрафиолетового спектра.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014100184/02A RU2556177C1 (ru) | 2014-01-09 | 2014-01-09 | Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014100184/02A RU2556177C1 (ru) | 2014-01-09 | 2014-01-09 | Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2556177C1 true RU2556177C1 (ru) | 2015-07-10 |
Family
ID=53538706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014100184/02A RU2556177C1 (ru) | 2014-01-09 | 2014-01-09 | Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2556177C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2661165C1 (ru) * | 2017-10-25 | 2018-07-12 | Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод" | Способ и устройство формирования микроканалов на подложках из оптического стекла, оптических кристаллов и полупроводниковых материалов фемтосекундными импульсами лазерного излучения |
| US20210146475A1 (en) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Diamond rotors for mas-nmr |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2102231C1 (ru) * | 1990-10-11 | 1998-01-20 | Гарри Уинстон С.А. | Способ выполнения маркировки на алмазе, способ изготовления вкладыша пресс-формы, способ обработки изделий из бриллиантов, пресс-форма для экструдирования волокон, проволок, нитей и подобных изделий и способ выполнения маркировки на жемчуге, драгоценном или полудрагоценном камне |
| US7807942B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-10-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| RU2435871C2 (ru) * | 2006-02-23 | 2011-12-10 | Пикодеон Лтд Ой | Способ получения поверхностей высокого качества и изделие с поверхностью высокого качества |
| WO2012006736A2 (en) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | Filaser Inc. | Method of material processing by laser filamentation |
-
2014
- 2014-01-09 RU RU2014100184/02A patent/RU2556177C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2102231C1 (ru) * | 1990-10-11 | 1998-01-20 | Гарри Уинстон С.А. | Способ выполнения маркировки на алмазе, способ изготовления вкладыша пресс-формы, способ обработки изделий из бриллиантов, пресс-форма для экструдирования волокон, проволок, нитей и подобных изделий и способ выполнения маркировки на жемчуге, драгоценном или полудрагоценном камне |
| US7807942B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-10-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| RU2435871C2 (ru) * | 2006-02-23 | 2011-12-10 | Пикодеон Лтд Ой | Способ получения поверхностей высокого качества и изделие с поверхностью высокого качества |
| WO2012006736A2 (en) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | Filaser Inc. | Method of material processing by laser filamentation |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ГРИГОРЬЯНЦ А.Г. и др. Лазерная обработка неметаллических материалов, М., Высшая школа, 1988. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2661165C1 (ru) * | 2017-10-25 | 2018-07-12 | Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод" | Способ и устройство формирования микроканалов на подложках из оптического стекла, оптических кристаллов и полупроводниковых материалов фемтосекундными импульсами лазерного излучения |
| US20210146475A1 (en) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Diamond rotors for mas-nmr |
| US11999006B2 (en) * | 2019-11-14 | 2024-06-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Diamond rotors for MAS-NMR |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Stafe et al. | Pulsed laser ablation of solids | |
| Rahman et al. | Laser-induced plasma-assisted ablation (LIPAA) of glass: Effects of the laser fluence on plasma parameters and crater morphology | |
| Veiko et al. | Laser-induced microplasma as a tool for microstructuring transparent media | |
| Shirk et al. | Ultra-short pulsed laser ablation of highly oriented pyrolytic graphite | |
| Dostovalov et al. | Study of the formation of thermochemical laser-induced periodic surface structures on Cr, Ti, Ni and NiCr films under femtosecond irradiation | |
| An et al. | Removal of SiC at atomic and close-to-atomic scale by nanosecond ultraviolet laser | |
| Qi et al. | Improvement of aluminum drilling efficiency and precision by shaped femtosecond laser | |
| RU2544892C1 (ru) | Способ получения микро- и наноструктур на поверхности материалов | |
| RU2556177C1 (ru) | Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек | |
| Ehrhardt et al. | Studies of the confinement at laser-induced backside dry etching using infrared nanosecond laser pulses | |
| Tsvetkov et al. | Thermoplasmonic laser-induced backside wet etching of sapphire | |
| Anghel et al. | Femtosecond laser ablation of TiO2 films for two-dimensional photonic crystals | |
| Yin et al. | Seed-guided high-repetition-rate femtosecond laser oxidation for functional three-dimensional silicon structure fabrication | |
| CN109132998A (zh) | 单脉冲纳秒激光诱导透明介电材料表面周期性结构的方法 | |
| Agrawal et al. | Laser beam machining | |
| Hashida et al. | Threshold fluence for femtosecond laser nanoablation for metals | |
| Kononenko et al. | Effect of absorbing coating on ablation of diamond by IR laser pulses | |
| Makimura et al. | Ablation of silica glass using pulsed laser plasma soft X-rays | |
| Kopitkovas et al. | Chemical and structural changes of quartz surfaces due to structuring by laser-induced backside wet etching | |
| Andreev et al. | Towards optimization of femtosecond laser pulse nanostructuring of targets for high-intensity laser experiments in vacuum | |
| Volodin et al. | Phase transitions in a-Si: H films on a glass irradiated by high-power femtosecond pulses: Manifestation of nonlinear and nonthermal effects | |
| Kononenko | Modification of Diamond Surface by Femtosecond Radiation | |
| RU2546719C1 (ru) | Способ получения рельефа на поверхности | |
| Zhu et al. | Role of oxygen concentration distribution and microstructure in luminescent properties of laser-irradiated silicon | |
| Sobierajski et al. | Interaction of intense ultrashort XUV pulses with silicon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190110 |