RU2434959C1 - Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней - Google Patents
Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней Download PDFInfo
- Publication number
- RU2434959C1 RU2434959C1 RU2010137605/02A RU2010137605A RU2434959C1 RU 2434959 C1 RU2434959 C1 RU 2434959C1 RU 2010137605/02 A RU2010137605/02 A RU 2010137605/02A RU 2010137605 A RU2010137605 A RU 2010137605A RU 2434959 C1 RU2434959 C1 RU 2434959C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- molybdenum
- temperature
- zone
- oxide
- purity
- Prior art date
Links
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims abstract description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней. Способ включает очистку раствора парамолибдата аммония от примесей ионным обменом в нейтральных и слабощелочных средах на гидратированном оксиде олова и на слабоосновном анионите АН-106. Затем ведут термическое разложение парамолибдата аммония при температуре 600-800°С до получения оксида молибдена и его очистку зонной сублимацией при температуре 750-800°С в постоянном потоке кислорода. После этого проводят гетерогенное восстановление оксида молибдена водородом при температуре 700-750°С до образования порошка молибдена, прессование порошка молибдена до получения прутка, электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка молибдена до получения кристалла высокочистого молибдена и электронную вакуумную плавку кристаллов в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка высокочистого молибдена с каждой стороны на всю глубину не менее двух раз. При этом перед зонной перекристаллизацией пруток молибдена обрабатывают хлором при скорости подачи 100 мл/мин при температуре 300°С в течение 1 часа. Техническим результатом является резкое повышение чистоты молибдена.
Description
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых магнетронных мишеней, предназначенных для тонкопленочной металлизации кремниевых интегральных схем в микроэлектронике.
Известен способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней, который включает очистку раствора парамолибдата аммония от примесей ионным обменом в нейтральных и слабощелочных средах на гидратированном оксиде олова и на слабоосновном анионите АН-160. Термическое разложение парамолибдата аммония проводят при температуре 600-800°С до получения оксида молибдена. Очистку оксида молибдена от летучих оксидов примесей проводят с помощью зонной сублимации при температуре 750-800°С в постоянном потоке кислорода. После сублимации проводят гетерогенное восстановление оксида молибдена водородом при температуре 700-750°С до образования порошка молибдена с последующим прессованием порошка молибдена в пруток. Затем проводят электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка до получения кристалла высокочистого молибдена и электронную вакуумную плавку кристаллов в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка с каждый стороны на всю глубину не менее двух раз [патент РФ №2375479]. Этот способ принят нами за прототип. В принципе, известный способ позволяет получать мишени из высокочистого молибдена, которые удовлетворяют основным требованиям по чистоте получаемых пленок. Тем не менее, наличие в этом материале относительно высоких концентраций тяжелых металлов (медь, железо, кобальт, никель, свинец, ванадий, вольфрам и др.) стимулировало поиски методов дополнительной глубокой очистки молибдена.
Техническая задача - повышение чистоты молибдена для распыляемых мишеней, используемых для тонкопленочной металлизации с целью улучшения электрофизических параметров наносимых тонких слоев.
Это достигается тем, что в способе получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней, включающем очистку раствора парамолибдата аммония от примесей ионным обменом в нейтральных и слабощелочных средах на гидратированном оксиде олова и на слабоосновном анионите АН-106, термическое разложение парамолибдата аммония при температуре 600-800°С до получения оксида молибдена, очистку оксида молибдена зонной сублимацией при температуре 750-800°С в постоянном потоке кислорода, гетерогенное восстановление оксида молибдена водородом при температуре 700-750°С до образования порошка молибдена, прессование порошка молибдена до получения прутка, зонную перекристаллизацию прутка молибдена до получения кристалла высокочистого молибдена и электронную вакуумную плавку кристаллов молибдена в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка высокочистого молибдена с каждой стороны на всю глубину не менее двух раз, причем пруток молибдена перед зонной перекристаллизацией обрабатывают хлором при скорости подачи хлора 100 мл/мин при температуре 300°С в течение 1 часа.
Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней осуществляется следующим образом. Раствор парамолибдата аммония очищают от примесей в нейтральных и слабощелочных средах на гидратированном оксиде олова и на слабоосновном анионите АН-106. Термическое разложение парамолибдата аммония проводят при температуре 600-800°С до получения оксида молибдена, который подвергают зонной сублимации при температуре 750-800°С. После этого оксид молибдена подвергают зонной очистке и гетерогенному восстановлению водородом при температуре 700-750°С до получения мелкодисперсного порошка молибдена. Полученный порошок прессуют в пруток молибдена, который подвергают обработке хлором при скорости подачи хлора в реактор 100 мл/мин при температуре 300°С в течение 1 часа. В результате происходит насыщение поверхности прутка молибдена хлором и при прохождении зоны по прутку в процессе предварительного зонного отжига и последующей зонной перекристаллизации растворенный хлор активно взаимодействует с примесями в расплаве. В результате образуются легколетучие хлориды этих примесей, которые удаляются из очищаемого молибдена простым испарением. Это приводит к существенному повышению эффективности очистки в ходе зонной перекристаллизации. Кристаллы высокочистого молибдена, полученные вакуумной зонной перекристаллизацией, переплавляют в вакууме в охлаждаемом плоском кристаллизаторе с помощью аксиальной электронной пушки, причем плоский слиток с каждый стороны проплавляют на всю глубину не менее двух раз.
Пример реализации способа
В качестве исходных материалов использовали раствор парамолибдата аммония, который очищали от вольфрама в нейтральных и слабощелочных средах на гидратированном оксиде олова (IV) и на слабоосновном анионите АН-106. Полученный парамолибдат аммония подвергали термическому разложению при температуре 600-800°С до получения оксида молибдена, который подвергали зонной сублимации на установке с кварцевым реактором и зонным нагревателем, перемещаемым горизонтально, в результате чего получали очищенный оксид молибдена. В процессе зонной сублимации происходила очистка от летучих оксидов примесей. При этом высшие летучие оксиды молибдена собирались в дальней части реактора, а нелетучие оксиды примесей - в начальной части реактора. Скорость потока кислорода 50-60 мл/мин, скорость перемещения зоны 20 мм/ч, температура 750-800°С. Проводили десять проходов паровой зоны. Оксид молибдена подвергали гетерогенному восстановлению водородом при температуре 700-750°С в течение 3-5 часов при загрузке 0,5-1 кг. В результате получали мелкодисперсный порошок молибдена, который прессовали в прутки. Прутки обрабатывали хлором при скорости подачи хлора в реактор 100 мл/мин при температуре 300°С в течение 1 часа. При этом происходило насыщение поверхности прутков молибдена хлором. Вакуумную зонную перекристаллизацию проводили в установке электронно-лучевой зонной плавки с предварительным вакуумным отжигом прутка молибдена в этой же установке. Необходимое по массе число кристаллов молибдена переплавляли в плоском кристаллизаторе в вакууме в установке электронно-лучевой плавки, причем плоский слиток проплавляли с помощью аксиальной электронной пушки с каждый стороны на всю глубину не менее двух раз. По данным масс-спектрального анализа содержание примесей в молибдене было следующим (ppm): Сu<0,01; Pb<0,01; Fe<0,05; Ni<0,01; Со<0,05; Cr<0,01; Nb<0,05; V<0,05; W<0,1.
Таким образом, введение дополнительного этапа очистки при получении молибдена для распыляемых мишеней позволяет существенно снизить содержание примесей тяжелых металлов, хотя в некоторой степени и осложняет технологический процесс.
Claims (1)
- Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней, включающий очистку раствора парамолибдата аммония от примесей ионным обменом в нейтральных и слабощелочных средах на гидратированном оксиде олова и на слабоосновном анионите АН-106, термическое разложение парамолибдата аммония при температуре 600-800°С до получения оксида молибдена, очистку оксида молибдена зонной сублимацией при температуре 750-800°С в постоянном потоке кислорода, гетерогенное восстановление оксида молибдена водородом при температуре 700-750°С до образования порошка молибдена, прессование порошка молибдена до получения прутка, электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка молибдена до получения кристалла высокочистого молибдена и электронную вакуумную плавку кристаллов в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка высокочистого молибдена с каждой стороны на всю глубину не менее двух раз, отличающийся тем, что перед зонной перекристаллизацией пруток молибдена обрабатывают хлором при скорости подачи 100 мл/мин при температуре 300°С в течение 1 ч.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010137605/02A RU2434959C1 (ru) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010137605/02A RU2434959C1 (ru) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2434959C1 true RU2434959C1 (ru) | 2011-11-27 |
Family
ID=45318194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010137605/02A RU2434959C1 (ru) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2434959C1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112207287A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-01-12 | 西安稀有金属材料研究院有限公司 | 一种掺杂氧化钇纳米颗粒的纳米钼粉制备方法及应用 |
| CN114574821A (zh) * | 2022-01-31 | 2022-06-03 | 北京科技大学 | 一种大尺寸钼靶材的制备方法 |
| CN115740477A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-03-07 | 成都虹波实业股份有限公司 | 一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉及其工艺制备方法 |
| CN116037946A (zh) * | 2022-12-05 | 2023-05-02 | 鑫沣电子科技(常州)有限公司 | 一种大规模集成电路用超高纯钼粉及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2178059A (en) * | 1985-06-03 | 1987-02-04 | Mitsubishi Metal Corp | Process for preparing an ingot from metal scrap |
| US5224534A (en) * | 1990-09-21 | 1993-07-06 | Nippon Mining And Metals Company, Limited | Method of producing refractory metal or alloy materials |
| US5722034A (en) * | 1994-12-09 | 1998-02-24 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing high purity refractory metal or alloy |
| RU2116969C1 (ru) * | 1996-05-13 | 1998-08-10 | Институт химии и химико-металлургических процессов СО РАН | Способ очистки растворов молибдата аммония от тяжелых цветных металлов |
| WO2002052051A3 (en) * | 2000-12-27 | 2002-09-12 | Rmi Titanium Co | Methods of melting titanium and other metals and alloys by plasma arc or electron beam |
| RU2263721C2 (ru) * | 2003-12-25 | 2005-11-10 | ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение (ВСМПО) | Способ получения слитков |
| RU2375479C1 (ru) * | 2008-06-26 | 2009-12-10 | Вадим Георгиевич Глебовский | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней и устройство для его реализации |
-
2010
- 2010-09-10 RU RU2010137605/02A patent/RU2434959C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2178059A (en) * | 1985-06-03 | 1987-02-04 | Mitsubishi Metal Corp | Process for preparing an ingot from metal scrap |
| US5224534A (en) * | 1990-09-21 | 1993-07-06 | Nippon Mining And Metals Company, Limited | Method of producing refractory metal or alloy materials |
| US5722034A (en) * | 1994-12-09 | 1998-02-24 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing high purity refractory metal or alloy |
| RU2116969C1 (ru) * | 1996-05-13 | 1998-08-10 | Институт химии и химико-металлургических процессов СО РАН | Способ очистки растворов молибдата аммония от тяжелых цветных металлов |
| WO2002052051A3 (en) * | 2000-12-27 | 2002-09-12 | Rmi Titanium Co | Methods of melting titanium and other metals and alloys by plasma arc or electron beam |
| RU2263721C2 (ru) * | 2003-12-25 | 2005-11-10 | ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение (ВСМПО) | Способ получения слитков |
| RU2375479C1 (ru) * | 2008-06-26 | 2009-12-10 | Вадим Георгиевич Глебовский | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней и устройство для его реализации |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112207287A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-01-12 | 西安稀有金属材料研究院有限公司 | 一种掺杂氧化钇纳米颗粒的纳米钼粉制备方法及应用 |
| CN114574821A (zh) * | 2022-01-31 | 2022-06-03 | 北京科技大学 | 一种大尺寸钼靶材的制备方法 |
| CN116037946A (zh) * | 2022-12-05 | 2023-05-02 | 鑫沣电子科技(常州)有限公司 | 一种大规模集成电路用超高纯钼粉及其制备方法 |
| CN115740477A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-03-07 | 成都虹波实业股份有限公司 | 一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉及其工艺制备方法 |
| CN115740477B (zh) * | 2022-12-06 | 2023-06-23 | 成都虹波实业股份有限公司 | 一种溅射靶材用高纯度高分散钼粉及其工艺制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100438670B1 (ko) | 탄탈륨 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 | |
| JP5746207B2 (ja) | 熱プラズマを用いた高純度銅粉の製造方法 | |
| US6007597A (en) | Electron-beam melt refining of ferroniobium | |
| RU2434959C1 (ru) | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней | |
| CN108441651B (zh) | 一种提高钼纯度和收率的制备方法 | |
| CN101984101B (zh) | 一种高纯钛的生产方法 | |
| KR101009656B1 (ko) | 초미세 귀금속 분말 제조방법 | |
| JP5925384B2 (ja) | 高純度マンガンの製造方法及び高純度マンガン | |
| KR101678334B1 (ko) | 고순도 망간의 제조 방법 | |
| CN102010007A (zh) | 一种联合法生产工业级二钼酸铵的方法 | |
| JP4042095B2 (ja) | 高純度金属粉の製造方法および高純度金属粉の製造装置 | |
| RU2370558C1 (ru) | Способ получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней | |
| RU2434960C1 (ru) | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней | |
| RU2375479C1 (ru) | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней и устройство для его реализации | |
| RU2434955C1 (ru) | Способ получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней | |
| RU2375480C1 (ru) | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации | |
| RU2446219C1 (ru) | Способ получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней | |
| US2927853A (en) | Method and apparatus for producing spectrally pure gallium | |
| Vutova et al. | Refining effect of electron beam melting on recycling of nickel wastes | |
| JP2002180112A (ja) | 高融点金属粉末材料の製造方法 | |
| EP2757166B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Gewinnung von Magnesium aus magnesiumhaltigen Metallabfällen | |
| RU2534323C1 (ru) | Способ получения металлического кобальта | |
| RU2418874C1 (ru) | Способ получения высокочистого титана для распыляемых мишеней | |
| TW503218B (en) | Tantalum sputtering target and method of manufacture | |
| RU2377330C1 (ru) | Способ получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней и устройство для его реализации |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160911 |