RU2413328C1 - Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода - Google Patents
Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2413328C1 RU2413328C1 RU2010100760/28A RU2010100760A RU2413328C1 RU 2413328 C1 RU2413328 C1 RU 2413328C1 RU 2010100760/28 A RU2010100760/28 A RU 2010100760/28A RU 2010100760 A RU2010100760 A RU 2010100760A RU 2413328 C1 RU2413328 C1 RU 2413328C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- heavy ions
- etching
- microneedles
- polymer film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229920004936 Lavsan® Polymers 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 xenon ions Chemical class 0.000 description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005713 exacerbation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике и может найти применение в качестве источников электронных потоков в лучевых приборах. Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода включает облучение диэлектрической полимерной пленки ускоренными тяжелыми ионами с энергией, достаточной для создания сквозных латентных треков сквозь пленку. Проводят облучение пленки со стороны, облученной ускоренными тяжелыми ионами, ультрафиолетовым излучением и ее химическое травление для образования глухих отверстий конической формы. Осуществляют металлизацию глухих отверстий и одновременную металлизацию прилегающей к ним поверхности пленки с последующим утолщением осажденного слоя гальваническим методом. Затем с противоположной стороны полимерной пленки осуществляют травление пленки до вскрытия глухих отверстий. Технический результат - создание ансамбля микроигл с диаметром острий 20÷40 нм и реализация межэлектродных расстояний в микронном диапазоне с точностью ~0,2 мкм. 2 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике и может найти применение в качестве источника электронных потоков в лучевых приборах, дисплеях, для генерации рентгеновских лучей, возбуждения лазеров, а также в качестве источника ионов в приборах типа «люстра Чижевского».
Автоэмиссия в настоящее время занимает весьма скромное место в ряду широко используемых других методов получения свободных электронов, таких, например, как термоэмиссия и различные виды газового разряда. Тем не менее, автоэмиссия электронов обладает набором ценнейших особенностей, при использовании которых могут быть созданы приборы с уникальными характеристиками: эмиттеры с плотностью тока ~106 А/см2, сверхминиатюрные диоды и триоды с быстродействием ~10-13 сек, приборы, работающие в области СВЧ, новые конструкции плоских дисплеев, сенсорные устройства и т.д. Широкому использованию автоэмиссии в различных областях науки и производства препятствует необходимость создания больших градиентов электрических полей (Е≥109 В/м) для получения технически значимых токов эмиссии. В связи с этим особенно актуальным стало создание электрических полей с большой напряженностью без использования высоких потенциалов. Электрические поля необходимой напряженности могут быть достигнуты при сравнительно небольших разностях потенциалов (200-300 В) вблизи острий при условии малости межэлектродных расстояний. Как следует из результатов нашей работы (см. Л.А.Баранова, Г.М.Гусинский. Компьютерное моделирование многоострийных автоэмиссионных катодов. Прикладная физика, №2, 2008 г.), при диаметре острия ~35 нм, межэлектродном расстоянии 1,5 мкм, разности потенциалов на электродах 250 В, напряженность поля у вершины иглы эмиттера достигает значения Е=6·109 В/м. Поэтому современные разработки эмиссионных систем базируются на создании катодов с элементами микронного и субмикронного размера. За последние 10-15 лет появился ряд патентов на изготовление, конструкцию и использование эмиссионных микрокатодов.
К 2009 году опубликовано несколько патентов на способ изготовления многоострийных микроэмиттеров с использованием при их создании трековых технологий. Как хорошо известно (см. Г.М.Гусинский, С.В.Барышев, А.В.Нащекин, Д.А.Саксеев, В.О.Найденов, С.Г.Конников. Использование трековой технологии для создания микроигл, микродюз и микротрубок из никеля. Письма в ЖЭТФ т.35, вып.14, 2009 г.), трековая технология создания микрообъектов заключается в облучении материала (как правило, полимера) тяжелыми ионами, ускоренными до энергий в десятки МэВ для образования латентных: треков областей с большой плотностью радиационных дефектов. Далее следует физико-химическая обработка облученного материала, в результате чего создаются осесимметричные полости необходимой формы и размера. Эти матрицы заполняются различными материалами с помощью вакуумного испарения, химических реакций или гальваническим осаждением.
Известен способ изготовления многоострийного эмиссионного катода (см. патент US №5607335, МПК H01J 9/02, опубликован 04.03.1997), при изготовлении которого используется эффект избирательного травления вдоль треков тяжелых ионов в полимерном материале. Если материал, пригодный для изготовления эмиттера, покрытый полимерной пленкой, облучить тяжелыми ионами, растворить щелочью латентные треки до границы с эмиттируемым материалом, покрыть полученный рельеф за исключением стенок треков защитной пленкой, нерастворимой в щелочи и в растворителях, эмиттерного материала, то при дальнейшем полном стравливании полимерной пленки через эти незащищенные области на поверхности эмиттерного материала окажутся хаотично распределенные диски защитного покрытия. При травлении соответствующим травителем незащищенной поверхности эмиттерного слоя на нем образуются ложбины, под центрами защитных дисков образуются острия из эмиттерного материала, а защитные диски отваливаются.
Принципиальным недостатком такого способа изготовления автоэмиссионного катода является зависимость формы и высоты микроигл от расположения соседних микроигл, что исключает возможность создания микроэмиттеров с одинаковой эффективностью.
Известен способ изготовления многоострийного эмиссионного катода (см. патент US №5562516, МПК H01J 1/304, опубликован 08.10.1996), заключающийся в том, что структуру, состоящую из жесткой плоской изоляционной подложки, на которую последовательно нанесены: проводящий слой (металл), слой полимера, затем второй проводящий слой и внешний полимерный слой, облучают тяжелыми ионами с энергией, обеспечивающей создание латентных треков в обоих полимерных слоях. В результате последующих травлений вдоль латентных треков верхнего полимерного слоя (щелочью), верхнего металлического слоя (кислотой) и нижнего полимерного слоя с остатками верхнего полимерного слоя (щелочью) образуются проходящие до нижнего проводящего слоя каналы, соосные с отверстиями в верхнем проводящем слое. Микроканалы, заполненные с помощью гальванического процесса металлом, образуют основу для создания острийных эмиттеров. Для увеличения электрической прочности микрокатодов проводится вытравливание лунок в полимерном материале вокруг микроигл.
Основным недостатком известного способа изготовления многоострийных эмиссионных катодов является необходимость процесса химического заострения иголок в неоднородном электрическом поле, создаваемом между иглой и анодным электродом, нанесенным на поверхность полимерного материала. Хорошо известно, что успешное создание даже одиночных игл с диаметром острий в нанометровом диапазоне носит случайный характер. Поэтому трудно ожидать необходимой идентичности геометрических и, соответственно, эмиссионых параметров такого устройства. Определенные трудности представляет необходимость использовать многослойную пленку с полимерными и металлическими слоями прецизионной толщины. Наконец, особенности процесса химического травления полимера, находящегося в контакте с металлом, о котором будет сказано ниже, могут серьезно усложнить процесс протравливания микроканалов в многослойном материале.
Известен способ изготовления многоострийных эмиссионных катодов (см. патент RU №2143766, МПК H01J 1/04, опубликован 27.12.1999), в соответствии с которым каналы в облученной тяжелыми ионами и протравленной полимерной пленке заполняют жидким металлом. Эмиттерами являются цилиндрические или конические столбики жидкого металла, заполняющего поры. Форма эмиттирующих острий определяется диаметром пор и напряженностью электрического поля вблизи острий.
Недостатком такой системы микрокатодов является непрерывное разрушение микроканалов вблизи эмиттирующих острий из жидкого металла. Кроме того, эта система также не предусматривает близкого расположения анодного электрода к остриям, вследствие чего требуется межэлектродная разность потенциалов >7.5 кэВ.
Известен способ изготовления многоострийного эмиссионного катода, совпадающий с заявляемым решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип (см. патент ЕР №0945885, МПК H01J 3/02; H01J /02, опубликован 29.09.1999). В способе-прототипе плоскую изоляционную подложку, на которой последовательно нанесены проводящий слой и слой полимера, со стороны полимерной пленки облучают тяжелыми ионами с энергией, обеспечивающей после ультрафиолетового облучения и травления в щелочи, образование микроканалов по всей толщине полимерной пленки до проводящего слоя. В полученные каналы на всю их длину гальваническим способом высаживают металл, находящийся в контакте с проводящим слоем. Затем на торцы образовавшихся микростолбиков металла, лежащие в одной плоскости с поверхностью полимерной пленки, гальванически высаживают другой металл (обладающий другими условиями травления), который образует на торцах столбиков грибовидные шляпки (с диаметрами, существенно большими диаметров столбиков), основания которых лежат на полимерном слое. Далее проводят травление верхней поверхности полимерной пленки на несколько десятых мкм, в результате чего металлические шляпки становятся экранами в процессе создания анодного проводящего слоя. Он создается путем напыления на полимерную пленку материала с условиями травления, отличающимися от условий травления материала шляпок. После стравливания шляпок для увеличения электрической прочности вокруг микростолбиков в полимерной пленке щелочью вытравливают лунки; затем кислотой укорачивают микростолбики для получения необходимого расстояния до плоскости анодного электрода и заостряют их концы с помощью химического травления в неоднородном электрическом поле, создаваемом между микроиглами и анодным электродом.
Помимо достаточно сложной технологии основной недостаток способа-прототипа заключается в необходимости проведения электрохимического процесса заострения микроигл до размеров, лежащих в нанометровом диапазоне. Как отмечено выше, реализация качественных острий с такими размерами носит случайный характер, и, соответственно, маловероятно, что эмиссионные параметры в различных областях таких катодов будут достаточно идентичны.
Задачей заявляемого изобретения является разработка более простого и экономичного способа изготовления многоострийного эмиссионного катода.
Поставленная задача решается тем, что способ изготовления многоострийного эмиссионного катода включает облучение диэлектрической полимерной пленки ускоренными тяжелыми ионами с энергией, достаточной для создания латентных треков по всей толщине пленки, облучение пленки со стороны, облученной ускоренными тяжелыми ионами, ультрафиолетовым излучением и ее химическое травление для образования глухих отверстий конической формы, металлизацию глухих отверстий с одновременной металлизацией прилегающей к ним поверхности пленки, гальваническим осаждением металла для утолщения слоя, после чего осуществляют травление пленки с противоположной стороны до вскрытия глухих отверстий.
В качестве тяжелых ионов могут быть использованы, например, ионы хлора, аргона, ксенона. Использование более легких ионов существенно менее эффективно.
Диэлектрическая полимерная пленка может иметь толщину 3-100 мкм в зависимости от желаемой длины микроиголок, необходимой межэлектродной емкости и доступной энергии тяжелых ионов.
Заявляемый способ иллюстрируется фотографиями, где:
на фиг.1 показана фотография, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа, изготовленного заявляемым способом многоострийного эмиссионного катода;
на фиг.2 показана фотография, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа, изготовленного заявляемым способом многоострийного эмиссионного катода (при большем увеличении).
С целью возможности демонстрации с помощью сканирующего электронного микроскопа эмиттирующих острий технологические параметры при изготовлении этих образцов были изменены.
Заявляемый способ осуществляют следующим образом. Диэлектрическую полимерную пленку толщиной 3-100 мкм, например лавсановую (полиэтилентерефталат), облучают ускоренными тяжелыми ионами, например аргоном с энергией порядка нескольких десятков МэВ, т.е. с энергией, превышающей сумму потери энергии при прохождении пленки и пороговую энергию образования треков. Тип ионов и их энергию выбирают расчетным путем. Предпочтительная плотность облучения тяжелыми ионами составляет 102-109 см-2. Пленку со стороны, облученной тяжелыми ионами, облучают ультрафиолетовым излучением и затем травят щелочью, например КОН, для образования глухих отверстий конической формы, вершины которых, например, находятся от противоположной стороны пленки на расстоянии 2-3 мкм. Полученные глухие отверстия по стандартной методике металлизации диэлектриков (см. Справочник «Гальванотехника», М.: Металлургия, 1987, стр.520) заполняют металлом, например никелем, образуя микроиглы. Для подачи отрицательного потенциала на образовавшиеся микроиглы одновременно металл также высаживают на всю поверхность пленки со стороны оснований конусов глухих отверстий. Этот слой металла гальваническим способом увеличивают, например, до толщины 3-5 мкм. Затем щелочью проводят травление оставшейся области латентного трека с противоположной стороны пленки для образования отверстий над микроиглами. При этом происходит уменьшение толщины пленки за счет стравливания поверхности, а также усиленное травление пленки вдоль поверхности микроигл из-за большой разности электродных потенциалов никеля и катиона щелочи. Образовавшиеся полости существенно увеличивают электрическую прочность многоострийного катода.
Пример. Лавсановую пленку толщиной ~10 мкм облучали ионами Аr с энергией 53 МэВ. Плотность облучения (N) составляла 6·106 см-2. В результате последующего ультрафиолетового облучения и травления в щелочи (КОН, 3,5 N) при температуре 72°С в течение ~20 минут в пленке сформировались растравленные глухие конусные отверстия длиной 8,0±0,2 мкм. Эти отверстия по указанной выше методике заполнялись никелем. Для подачи отрицательного потенциала на образовавшиеся микроиглы никель также высаживали на всю поверхность лавсановой пленки со стороны оснований конусов треков. После утолщения гальваническим способом никелевой пленки до толщины 4 мкм щелочью (КОН, 6 N) проводили травление оставшейся области латентного трека для образования отверстий диаметром ~0,7 мкм над микроиглами.
Заявляемый способ изготовления многоострийного эмиссионного катода позволяет реализовать оптимальное расстояние (~1,5 мкм) от острий микроигл до поверхности пленки. Анодный электрод можно затем создавать путем напыления металла на поверхность пленки со стороны вершин микроигл под углом 30°.
Принципиальной особенностью способа является использование единой полимерной пленки как для создания ансамбля микроигл на основе трековой технологии, так и в качестве базы для расположения второго электрода - анода.
В рабочих образцах диаметр отверстия над микроиглами ~0,7 мкм, острия расположены ниже поверхности пленки на расстоянии ~1,5 мкм, а их диаметр составляет 20÷40 нм.
Оценим теоретическое значение плотности тока эмиссии из полученных заявляемым способом никелевых микроигл (работа выхода ср для Ni составляет 4,5 эВ) для значения напряженности Е=6·107 В/см, характерного при разности межэлектродных потенциалов 250 В и указанных выше геометрических параметрах.
Среднее расстояние между треками, статистически распределенными по облученной пленке 
определяется плотностью облучения N, которая легко варьируется в пределах (102÷109) см-2.
Согласно данным, приведенным в работе (см. Бугаев и др. Электронные пучки большого сечения. М.: Энергоатомиздат, 1984), ослабление напряженности Е для ансамбля микроигл с указанными параметрами пренебрежимо мало.
В соответствии с формулой Фаулера-Нордгейма
теоретическое значение плотности тока эмиссии j~4,2·106 А·см-2. При этом значении j токовая нагрузка на отдельную эмигрирующую микроиглу составляет несколько десятков мкА.
Реальный ток эмиссии будет значительно меньше по ряду причин: наличию локальных областей эмиссии из острий, существенно большему значению φ из-за загрязнений поверхности эмиттеров и ряда других факторов. Так, для загрязненной поверхности Ni наблюдали значение φ=6,3 эВ, что должно на несколько порядков уменьшить эмиссию.
Таким образом, использование заявляемого способа решает основные задачи конструирования многоострийного автоэмиссионного источника электронов, работающего без использования высоких потенциалов: создание ансамбля микроигл с диаметром острий 20÷40 нм и реализацию межэлектродных расстояний в микронном диапазоне с точностью ~0,2 мкм.
В заявляемом способе используют единую диэлектрическую полимерную пленку как для создания ансамбля микроигл на основе трековой технологии, без последующего их обострения, так и в качестве базы для расположения второго электрода.
Claims (1)
- Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода, включающий облучение диэлектрической полимерной пленки ускоренными тяжелыми ионами с энергией, достаточной для создания сквозных латентных треков сквозь пленку, облучение пленки со стороны, облученной ускоренными тяжелыми ионами, ультрафиолетовым излучением и ее химическое травление для образования глухих отверстий конической формы, металлизацию глухих отверстий и одновременную металлизацию прилегающей к ним поверхности пленки с последующим утолщением осажденного слоя гальваническим методом, после чего осуществляют травление пленки до вскрытия глухих отверстий с противоположной стороны полимерной пленки.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010100760/28A RU2413328C1 (ru) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010100760/28A RU2413328C1 (ru) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2413328C1 true RU2413328C1 (ru) | 2011-02-27 |
Family
ID=46310738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010100760/28A RU2413328C1 (ru) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2413328C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2546053C1 (ru) * | 2013-09-13 | 2015-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Способ создания сверхбыстродействующего вакуумного туннельного фотодиода с наноструктурированным эмиттером |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992002030A1 (en) * | 1990-07-18 | 1992-02-06 | International Business Machines Corporation | Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device |
| US5564959A (en) * | 1993-09-08 | 1996-10-15 | Silicon Video Corporation | Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices |
| RU2308781C2 (ru) * | 2005-11-18 | 2007-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "СПАРК" | Рентгеновская трубка |
-
2010
- 2010-01-11 RU RU2010100760/28A patent/RU2413328C1/ru active IP Right Revival
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992002030A1 (en) * | 1990-07-18 | 1992-02-06 | International Business Machines Corporation | Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device |
| US5564959A (en) * | 1993-09-08 | 1996-10-15 | Silicon Video Corporation | Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices |
| EP0945885A1 (en) * | 1993-09-08 | 1999-09-29 | Silicon Video Corporation | Fabrication and structure of electron-emitting devices having high emitter packing density |
| RU2308781C2 (ru) * | 2005-11-18 | 2007-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "СПАРК" | Рентгеновская трубка |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2546053C1 (ru) * | 2013-09-13 | 2015-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Способ создания сверхбыстродействующего вакуумного туннельного фотодиода с наноструктурированным эмиттером |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6515407B1 (en) | Gated filament structures for a field emission display | |
| US10410821B2 (en) | Method and apparatus for a porous electrospray emitter | |
| US8237114B2 (en) | Sample target used in mass spectrometry, method for producing the same, and mass spectrometer using the sample target | |
| US7070472B2 (en) | Field emission display and methods of forming a field emission display | |
| US5851669A (en) | Field-emission device that utilizes filamentary electron-emissive elements and typically has self-aligned gate | |
| US20130098774A1 (en) | Method and Apparatus for a Porous Metal Electrospray Emitter | |
| US6803704B2 (en) | Channel plate and manufacturing method thereof | |
| US20130228700A1 (en) | Method and apparatus for a porous electrospray emitter | |
| US5089742A (en) | Electron beam source formed with biologically derived tubule materials | |
| US20120219118A1 (en) | Low voltage electron source with self aligned gate apertures, fabrication method thereof, and x-ray generator using the electron source | |
| US7220971B1 (en) | Multi-pixel electron microbeam irradiator systems and methods for selectively irradiating predetermined locations | |
| US8545764B2 (en) | Microplasma array | |
| Serbun et al. | Copper nanocones grown in polymer ion-track membranes as field emitters | |
| RU2413328C1 (ru) | Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода | |
| US7554255B2 (en) | Electric field emission device having a triode structure fabricated by using an anodic oxidation process and method for fabricating same | |
| Navitski et al. | Efficient field emission from structured gold nanowire cathodes | |
| Filip et al. | Miniature x-ray tubes: current state and future prospects | |
| US5665421A (en) | Method for creating gated filament structures for field emission displays | |
| EP0807314B1 (en) | Gated filament structures for a field emission display | |
| KR101399064B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 엑스선 발생장치의 음극부 모듈 제조방법 | |
| RU2524353C2 (ru) | Трехмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод | |
| RU2640355C2 (ru) | Способ изготовления катода на основе массива автоэмиссионных эмиттеров | |
| TW202104625A (zh) | 離子產生複合靶材以及使用其之雷射驅動離子加速裝置 | |
| US7025892B1 (en) | Method for creating gated filament structures for field emission displays | |
| WO2025063944A1 (en) | Cold cathode electron sources and methods of production |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120112 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20130120 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140112 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20160410 |