RU2411304C1 - Device for vacuum sputtering of films - Google Patents
Device for vacuum sputtering of films Download PDFInfo
- Publication number
- RU2411304C1 RU2411304C1 RU2009128306/02A RU2009128306A RU2411304C1 RU 2411304 C1 RU2411304 C1 RU 2411304C1 RU 2009128306/02 A RU2009128306/02 A RU 2009128306/02A RU 2009128306 A RU2009128306 A RU 2009128306A RU 2411304 C1 RU2411304 C1 RU 2411304C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- evaporator
- current
- substrate
- layers
- current leads
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п.The invention relates to techniques for producing films in vacuum and can be used for epitaxial layer growth in the manufacture of semiconductor devices, integrated optical devices, when applying functional coatings of metals and silicon, etc.
Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п.The invention relates to techniques for producing films in vacuum and can be used for epitaxial layer growth in the manufacture of semiconductor devices, integrated optical devices, when applying functional coatings of metals and silicon, etc.
Одним из методов, применяемых для выращивания эпитаксиальных слоев, является метод, основанный на сублимации напыляемого материала путем резистивного нагрева в вакууме при давлении ~10-8 Торр. По сравнению с другими известными методами эпитаксиального выращивания, основанными на испарении материала из его расплава в тигле в вакууме ~10-10 Торр (метод молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием твердотельных источников) или на использовании газового потока напыляемого материала, вводимого в вакуумную камеру (метод молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками), метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием резистивного нагрева испаряемого материала обладает рядом преимуществ. Этот метод в отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием твердотельных источников не требует использования сверхвысокого вакуума (~10-10 Торр), а реализуется в высоком вакууме (~10-8 Торр), не требует частой дозагрузки в тигель испаряемого материала, позволяет получать слои, не содержащие микрокапель. Существенным преимуществом сублимационного метода перед методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием газовых источников является возможность выращивания более совершенных по структуре слоев, поскольку рост слоя осуществляется в более глубоком вакууме.One of the methods used for growing epitaxial layers is a method based on the sublimation of the sprayed material by resistive heating in vacuum at a pressure of ~ 10 -8 Torr. Compared with other known methods of epitaxial growth, based on the evaporation of material from its melt in a crucible in a vacuum of ~ 10 -10 Torr (molecular beam epitaxy method using solid-state sources) or the use of a gas stream of a sprayed material introduced into a vacuum chamber (method molecular beam epitaxy with gas sources), the method of sublimation molecular beam epitaxy using resistive heating of the vaporized material has several advantages. This method, unlike molecular beam epitaxy using solid-state sources, does not require the use of ultrahigh vacuum (~ 10 -10 Torr), but is implemented in high vacuum (~ 10 -8 Torr), does not require frequent reloading of the evaporated material into the crucible, and allows one to obtain microdrop-free layers. A significant advantage of the sublimation method over molecular beam epitaxy using gas sources is the possibility of growing layers that are more advanced in structure, since the layer grows in a deeper vacuum.
Известны устройства для вакуумного напыления пленок, основанные на сублимации испаряемого материала при резистивном нагреве. Основными элементами этих устройств являются помещенные в вакуумную камеру источник напыляемого материала и подложкодержатель с подложкой, на которую наносится пленка; при этом напыляемый материал помещен в металлическую емкость, соединенную с токовводами, которые подключены к источнику тока, расположенному вне вакуумной камеры (например, US 2008193644 А1, 2008.08.14).Known devices for vacuum deposition of films based on the sublimation of the evaporated material during resistive heating. The main elements of these devices are a source of sprayed material placed in a vacuum chamber and a substrate holder with a substrate on which the film is applied; while the sprayed material is placed in a metal container connected to current leads that are connected to a current source located outside the vacuum chamber (for example, US 2008193644 A1, 2008.08.14).
При сублимации напыляемого материала из емкости, выполненной из другого материала, нежели подлежащий напылению, может испаряться и материал емкости из-за его разогрева, что может загрязнить поток испаряемого материала и в конечном счете привести к формированию дефектной структуры напыляемого слоя, поэтому для выращивания структур из кремния было предложено в качестве испарителя использовать брусок кремния, торцы которого закреплены на двух токовводах, которые в свою очередь соединены с источником тока и жестко соединены с корпусом камеры роста (Instruments and Experimental Techniques, v.44, no.5, p.700-703). Использование испарителя в виде бруска кремния, который резистивно нагревается, позволяет исключить загрязнение потока атомов кремния посторонними примесями, а его протяженность позволяет формировать поток равномерной плотности по всей длине источника, что обеспечивает получение однородной по толщине пленки на подложке, расположенной параллельно этому источнику и имеющей размеры, близкие к размерам источника.When the sprayed material is sublimated from a container made of a material different from the one to be sprayed, the container material can also evaporate due to its heating, which can contaminate the flow of vaporized material and ultimately lead to the formation of a defective structure of the sprayed layer, therefore, for growing structures from Silicon was proposed as an evaporator to use a block of silicon, the ends of which are mounted on two current leads, which in turn are connected to a current source and rigidly connected to the housing growth EASURES (Instruments and Experimental Techniques, v.44, no.5, p.700-703). The use of an evaporator in the form of a bar of silicon, which is resistively heated, eliminates contamination of the flux of silicon atoms by extraneous impurities, and its length allows you to form a stream of uniform density along the entire length of the source, which ensures a uniform film thickness on a substrate parallel to this source and having dimensions close to the size of the source.
Общим недостатком известных устройств для нанесения слоев методом сублимации является неоднородность свойств напыляемых слоев по площади подложки, обусловленная следующими обстоятельствами. Во-первых, площадь потока атомов из сублимирующего источника определяется размерами самого источника и часто не соответствует площади подложки, на которую осаждается этот поток. Во-вторых, необходимость разогрева источника пропусканием тока заставляет значительно ограничить его поперечные размеры для обеспечения однородного разогрева бруска кремния.A common disadvantage of the known devices for applying layers by sublimation is the heterogeneity of the properties of the sprayed layers over the surface of the substrate, due to the following circumstances. First, the area of the flux of atoms from the sublimating source is determined by the size of the source itself and often does not correspond to the area of the substrate onto which this flux is deposited. Secondly, the need to heat the source by passing current makes it significantly limit its transverse dimensions to ensure uniform heating of the silicon bar.
Известно использование в технике вакуумного испарения механизмов, позволяющих с помощью сильфонов, соединенных с соответствующим приводом, осуществить перемещение в вакуумной камере тех или иных элементов. Механизмы позволяют осуществить поступательное движение (например, US 5482892 А, 1996.01.09), плоскопараллельное движение (например, RU 2007500 С1, 1994.02.15), а также вращательное движение (например, RU 2115764 С1, 1998.07.20). Однако ни один из известных механизмов не применим для перемещения источника испаряемого материала в установках, реализующих сублимационный метод напыления пленок.It is known to use mechanisms in the vacuum evaporation technique that allow, using bellows connected to an appropriate drive, to carry out the movement of certain elements in a vacuum chamber. The mechanisms allow translational motion (for example, US 5482892 A, 1996.01.09), plane-parallel motion (for example, RU 2007500 C1, 1994.02.15), and also rotational motion (for example, RU 2115764 C1, 1998.07.20). However, none of the known mechanisms is applicable for moving the source of evaporated material in installations that implement the freeze-drying method of film deposition.
Ближайшим аналогом заявляемой установке является установка, известная по Instruments and Experimental Techniques, v.44, no.5, p.700-703, которая содержит помещенные в вакуумную камеру снабженный токовводами резистивный испаритель напыляемого материала и подложкодержатель и расположенный вне вакуумной камеры соединенный с токовводами источник тока.The closest analogue of the claimed installation is the installation, known by Instruments and Experimental Techniques, v.44, no.5, p.700-703, which contains a resistive evaporator of the sprayed material equipped with current leads and a substrate holder located outside the vacuum chamber connected to the current leads current source.
Техническим результатом, достигаемым при использовании настоящего изобретения, является повышение однородности толщины напыляемых слоев и возможность выращивания однородных эпитаксиальных слоев на подложках большой площади.The technical result achieved using the present invention is to increase the uniformity of the thickness of the sprayed layers and the possibility of growing uniform epitaxial layers on substrates of a large area.
Технический результат достигается тем, что в устройстве для вакуумного напыления пленок, содержащем расположенные в вакуумной камере подложкодержатель, резистивный испаритель напыляемого материала, снабженный подключенными к источнику тока токовводами, токовводы подключены к источнику напыляемого материала, соединены между собой изолятором и расположены внутри герметично укрепленного в стенке камеры силъфона, при этом токовводы соединены с приводом для обеспечения качательного движения испарителя напыляемого материалаThe technical result is achieved in that in a device for vacuum deposition of films containing a substrate holder located in a vacuum chamber, a resistive evaporator of the sprayed material, equipped with current leads connected to the current source, the current leads are connected to the source of the sprayed material, interconnected by an insulator and located inside a hermetically fixed wall the chamber of the sylphon, while the current leads are connected to the drive to ensure the oscillating movement of the evaporator of the sprayed material
При этом целесообразно резистивный испаритель напыляемого материала выполнить в виде стержня.In this case, it is advisable to perform a resistive evaporator of the sprayed material in the form of a rod.
Для обеспечения равномерного качательного движения испарителя желательно в состав привода включить соединенный с электродвигателем кривошипный механизм с кардиноидом.To ensure uniform swinging motion of the evaporator, it is desirable to include a crank mechanism with a cardinoid connected to the electric motor in the drive.
Для обеспечения качательного движения испарителя можно сильфон открытым торцом закрепить в стенке вакуумной камере, токовводы закрепить на изоляторе в дне стакана, открытый торец которого закреплен в дне сильфона, а стакан шарнирно соединить со стенкой камеры.To ensure the oscillatory movement of the evaporator, the bellows can be fixed with an open end to the wall of the vacuum chamber, the current leads must be mounted on the insulator in the bottom of the cup, the open end of which is fixed in the bottom of the bellows, and the cup is pivotally connected to the chamber wall.
Для обеспечения возможности равномерного напыления пленок большой площади целесообразно к источнику тока подключить блок управления током.To ensure the uniform spraying of films of a large area, it is advisable to connect a current control unit to the current source.
Сущность изобретения заключается в придании токовводам дополнительной функции приводного элемента для обеспечения качательного движения испарителя, позволяющего получить высокую однородность напыляемых слоев и возможность выращивания эпитаксиальных слоев равномерной толщины на подложках большой площади.The essence of the invention is to provide current leads with an additional function of the drive element to provide oscillatory motion of the evaporator, which allows to obtain high uniformity of the sprayed layers and the possibility of growing epitaxial layers of uniform thickness on large area substrates.
Изобретение поясняется чертежом, на котором схематично представлен один из возможных вариантов устройства.The invention is illustrated in the drawing, which schematically shows one of the possible variants of the device.
Устройство содержит вакуумную камеру 1 роста, в которой расположены подложкодержатель 2 для крепления на нем подложки напыляемой полупроводниковой структуры и испаритель 3 напыляемого материала, расположенный на расстоянии h от подложкодержателя 2. В качестве испарителя 3 использован непосредственно напыляемый материал в форме стержня, что обеспечивает равномерный нагрев испарителя 3. При использовании существующих геометрий камер 1 ширина стержня может соотноситься к его длине как 1:10 и более, а длина - превышать соответствующий линейный размер подложки как минимум на 20% в обе стороны.The device comprises a growth chamber 1 in which a substrate holder 2 is located for attaching the substrate of the sprayed semiconductor structure to it and an evaporator 3 of the sprayed material located at a distance h from the substrate 2. As the evaporator 3, a directly sprayed material in the form of a rod is used, which ensures uniform heating evaporator 3. When using existing chamber geometries 1, the width of the rod can be related to its length as 1:10 or more, and the length can exceed the corresponding linear substrate size by at least 20% in both directions.
Испаритель 3 контактно соединен с токовводами 4, подключенными к источнику 5 тока, управляемому блоком 6 управления током. Токовводы 4 выполнены в виде жестких прямых или изогнутых стержней. В представленном на чертеже устройстве токовводы 4 расположены внутри сильфона 7, герметично укрепленного одним из торцов на корпусе камеры 1. Для обеспечения электрической изоляции токовводов 4 друг от друга они закреплены через изолятор 8 на дне стакана 9. Открытый торец стакана 9 закреплен на свободном торце сильфона 7, при этом стакан 9 с помощью шарнира 10 соединен со стенкой камеры 1.The evaporator 3 is contacted with current leads 4 connected to a current source 5 controlled by a current control unit 6. Current leads 4 are made in the form of rigid straight or curved rods. In the device shown in the drawing, the current leads 4 are located inside the bellows 7, hermetically mounted by one of the ends on the camera body 1. To ensure electrical isolation of the current leads 4 from each other, they are fixed through an insulator 8 at the bottom of the glass 9. The open end of the glass 9 is mounted on the free end of the bellows 7, while the glass 9 by means of a hinge 10 is connected to the wall of the chamber 1.
Токовводы 4 соединены с приводом электродвигателя 11 и являются частью приводного механизма, обеспечивающего качательное движение испарителя 3 напыляемого материала. Токовводы 4 могут быть соединены с электродвигателем 11 посредством кривошипного механизма 12, включающего кардиноид (не приведен). Кардиоид обеспечивает равномерное движения токковводов 4 и обеспечивает смену направления движения испарителя 3 на противоположное при приближении последнего к краю подложкодержателя 2 и, следовательно, к краю подложки напыляемой полупроводниковой структуры.The current leads 4 are connected to the drive of the electric motor 11 and are part of a drive mechanism that provides oscillatory motion of the evaporator 3 of the sprayed material. The current leads 4 can be connected to the electric motor 11 by means of a crank mechanism 12, including a cardinoid (not shown). The cardioid provides uniform movement of the current leads 4 and provides a change in the direction of movement of the evaporator 3 to the opposite when the latter approaches the edge of the substrate holder 2 and, therefore, to the edge of the substrate of the sprayed semiconductor structure.
Токководы 4 могут быть соединены с приводом электродвигателя 11 или кривошипного механизма 12 непосредственно или посредством других элементов, в частности, в схему привода может быть включен стакан 9 (см. чертеж).The conductors 4 can be connected to the drive of the electric motor 11 or the crank mechanism 12 directly or through other elements, in particular, a cup 9 can be included in the drive circuit (see drawing).
Режим работы электродвигателя И задается блоком программного управления (не приведен).The operation mode of the electric motor AND is set by the program control unit (not shown).
Блок программного управления необходим в тех случаях, когда необходимо изготавливать структуры с заданным распределением толщины слоя напыляемого вещества по площади подложки. Программируемое устройство задает испарителю 3 движение по требуемому закону и тем самым реализует желаемое распределение вещества по площади подложки (например, равномерно спадающая к краю подложки толщина слоя материала).A program control unit is necessary in cases where it is necessary to produce structures with a given distribution of the thickness of the layer of the sprayed substance over the substrate area. The programmable device sets the evaporator 3 to move according to the desired law and thereby realizes the desired distribution of the substance over the area of the substrate (for example, the thickness of the material layer evenly falling to the edge of the substrate).
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
Включают источник питания испарителя 3 и нагревают его до рабочей температуры, соответствующей требуемой скорости, с которой частицы напыляемого материала поступают на подложку напыляемой структуры. Затем включают электродвигатель 11.The power source of the evaporator 3 is turned on and it is heated to a working temperature corresponding to the required speed with which particles of the sprayed material enter the substrate of the sprayed structure. Then turn on the electric motor 11.
При вращении вала электродвигателя 11 связанный с ним кривошипный механизм 12 с кардиоидом приводит в движение стакан 9, который совершает качательное движение относительно шарнира 8 с постоянной скоростью. При этом связанные со стаканом 9 токовводы 4 с закрепленным на них испарителем 3 также совершают качательное движение в плоскости, перпендикулярной плоскости чертежа.When the shaft of the electric motor 11 rotates, the crank mechanism 12 connected with it with a cardioid sets in motion a glass 9, which makes a swinging motion relative to the hinge 8 at a constant speed. At the same time, the current leads 4 connected to the glass 9 with the evaporator 3 fixed to them also oscillate in a plane perpendicular to the plane of the drawing.
Испарение материала из испарителя 3 происходит во все стороны, при этом осаждаемые на подложку частицы распространяются в узком телесном угле, определяемом размерами испарителя 3. Выполнение испарителя 3 в виде стержня обеспечивает его равномерный нагрев и, следовательно, одинаковые скорости испаряемых частиц. В то же время вследствие качательного движения испарителя 3 скорости поступления испаряемого материала на подложку отличаются. Скорость V осаждаемых на подложку частиц напыляемого материала определяется углом α отклонения токководов 4 от нормали к поверхности подложки: V=V0/[1+R(1-cosα)/h0], где V0 - скорость частиц в точке движения испарителя 3, максимально приближенной к поверхности подложки, R - длина токоввода 4 от испарителя 3 до шарнира 10, h0 - расстояние от источника 3 до поверхности подложки в точке движения испарителя 3, максимально приближенной к поверхности подложки.Evaporation of material from the evaporator 3 occurs in all directions, while the particles deposited on the substrate propagate in a narrow solid angle determined by the size of the evaporator 3. The implementation of the evaporator 3 in the form of a rod ensures its uniform heating and, therefore, the same speed of the evaporated particles. At the same time, due to the swinging motion of the evaporator 3, the rates of arrival of the evaporated material on the substrate are different. The speed V of the particles of the deposited material deposited on the substrate is determined by the angle α of the deviation of the current leads 4 from the normal to the surface of the substrate: V = V 0 / [1 + R (1-cosα) / h 0 ], where V 0 is the particle velocity at the point of movement of the evaporator 3 closest to the surface of the substrate, R is the length of the current lead 4 from the evaporator 3 to the hinge 10, h 0 is the distance from the source 3 to the surface of the substrate at the point of movement of the evaporator 3, as close as possible to the surface of the substrate.
При использовании испарителя 3 в виде стержня с вышеприведенными размерами толщина осаждаемого на подложку материала на расстоянии d≤0,1·h от нормали, проходящей через центр к поверхности подложки, изменяется незначительно (снижается на не более чем на 1%).When using the evaporator 3 in the form of a rod with the above dimensions, the thickness of the material deposited on the substrate at a distance of d≤0.1 · h from the normal passing through the center to the surface of the substrate changes slightly (decreases by no more than 1%).
При изготовлении полупроводниковых структур с использованием подложек большой площади (100 мм и более) для получения слоев равной толщины целесообразно выравнять скорость осаждения частиц напыляемого материала. Это достигается программным управлением источника 5 тока с помощью блока 6, изменяющего величину пропускаемого через испаритель 3 тока и, следовательно, температуру испарителя 3 в соответствии с траекторией его движения (пропорционально изменению скорости V).In the manufacture of semiconductor structures using substrates of a large area (100 mm or more) to obtain layers of equal thickness, it is advisable to equalize the deposition rate of particles of the sprayed material. This is achieved by programmed control of the current source 5 using the unit 6, which changes the value of the current passed through the evaporator 3 and, consequently, the temperature of the evaporator 3 in accordance with its trajectory (proportional to the change in speed V).
Приведенный в описании вариант устройства не исчерпывает других возможностей конструктивного объединения его основных элементов с целью обеспечения колебательного движения испарителя напыляемого материала, позволяющего получить сформулированный выше технический результат.The variant of the device described in the description does not exhaust other possibilities of constructive unification of its main elements in order to ensure the oscillatory movement of the evaporator of the sprayed material, which makes it possible to obtain the technical result formulated above.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009128306/02A RU2411304C1 (en) | 2009-07-21 | 2009-07-21 | Device for vacuum sputtering of films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009128306/02A RU2411304C1 (en) | 2009-07-21 | 2009-07-21 | Device for vacuum sputtering of films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2411304C1 true RU2411304C1 (en) | 2011-02-10 |
Family
ID=46309262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009128306/02A RU2411304C1 (en) | 2009-07-21 | 2009-07-21 | Device for vacuum sputtering of films |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2411304C1 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2457277C1 (en) * | 2011-03-09 | 2012-07-27 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации | Vacuum plasma installation for application of multipurpose coatings |
| RU2468121C1 (en) * | 2011-11-11 | 2012-11-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Объединение "Техномаш" | Device for resistive evaporation of metals and alloys in vacuum |
| RU2473147C1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Vacuum sputtering plant |
| RU2487188C1 (en) * | 2011-11-21 | 2013-07-10 | Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) | Method for formation of ultrathin film |
| RU179865U1 (en) * | 2017-12-21 | 2018-05-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Resistive vaporization unit for epitaxial vacuum growing of silicon layers doped with erbium |
| RU202920U1 (en) * | 2020-11-16 | 2021-03-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Device for obtaining organic thin-film coatings in vacuum |
| RU2839566C1 (en) * | 2024-11-27 | 2025-05-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Амурский государственный университет" | Device with programmed numerical control for application of thickness-specified layers of materials on surface of substrates |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2046154C1 (en) * | 1993-03-09 | 1995-10-20 | Евгений Николаевич Ивашов | Cathodic unit preferably for plasma-beam vacuum deposition of thin films |
| RU2115764C1 (en) * | 1997-07-10 | 1998-07-20 | Николай Васильевич Василенко | Apparatus for moving substrate holder |
| RU2344902C1 (en) * | 2007-03-29 | 2009-01-27 | Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" | Device used for applying coatings to powders |
-
2009
- 2009-07-21 RU RU2009128306/02A patent/RU2411304C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2046154C1 (en) * | 1993-03-09 | 1995-10-20 | Евгений Николаевич Ивашов | Cathodic unit preferably for plasma-beam vacuum deposition of thin films |
| RU2115764C1 (en) * | 1997-07-10 | 1998-07-20 | Николай Васильевич Василенко | Apparatus for moving substrate holder |
| RU2344902C1 (en) * | 2007-03-29 | 2009-01-27 | Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" | Device used for applying coatings to powders |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2457277C1 (en) * | 2011-03-09 | 2012-07-27 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации | Vacuum plasma installation for application of multipurpose coatings |
| RU2473147C1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Vacuum sputtering plant |
| RU2468121C1 (en) * | 2011-11-11 | 2012-11-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Объединение "Техномаш" | Device for resistive evaporation of metals and alloys in vacuum |
| RU2487188C1 (en) * | 2011-11-21 | 2013-07-10 | Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) | Method for formation of ultrathin film |
| RU179865U1 (en) * | 2017-12-21 | 2018-05-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Resistive vaporization unit for epitaxial vacuum growing of silicon layers doped with erbium |
| RU202920U1 (en) * | 2020-11-16 | 2021-03-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Device for obtaining organic thin-film coatings in vacuum |
| RU2839566C1 (en) * | 2024-11-27 | 2025-05-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Амурский государственный университет" | Device with programmed numerical control for application of thickness-specified layers of materials on surface of substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2411304C1 (en) | Device for vacuum sputtering of films | |
| Jilani et al. | Advance deposition techniques for thin film and coating | |
| US20180258519A1 (en) | Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking the substrate during vacuum deposition | |
| CN111748772A (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| JP7144232B2 (en) | Film formation rate monitor device and film formation device | |
| JP2012510568A (en) | Top-down material deposition system and method | |
| JPH01139763A (en) | Membrane deposition process | |
| CN111074231B (en) | Film forming apparatus, base film forming method, and film forming method | |
| US20140245947A1 (en) | Methods of producing large grain or single crystal films | |
| CN104498873A (en) | Preparation method of controllable-composition boron carbide film | |
| KR20150076467A (en) | Aluminum coating layer with controllable structure and the method thereof | |
| JPH11260724A (en) | Method and apparatus for manufacturing compound semiconductor thin film | |
| CN100366786C (en) | Preparation Technology of Metal Thin Film on Liquid Substrate Surface | |
| CN108823540A (en) | A kind of Ion Aided Film Coating evaporation equipment | |
| Strunin et al. | Structural features of aluminum nitride films obtained by magnetron sputtering | |
| JP2009287069A (en) | Apparatus for manufacturing multi-compound | |
| RU2471705C1 (en) | Method of precipitating monomolecular films of fluorofullerene c60f18 on padding, device for padding introduction into vaccuum and device for fluorofullerene c60f18 evaporation | |
| CN207793408U (en) | A kind of surface graded film preparation device based on PVD | |
| CN113774335A (en) | Thin film deposition equipment and coating method thereof, and vacuum coating machine | |
| KR102567143B1 (en) | Vacuum evaporation apparatus | |
| US3344054A (en) | Art of controlling sputtering and metal evaporation by means of a plane acceptor | |
| CN119685747B (en) | A device and method for preparing low defect density thin film material by mass-energy asynchronous deposition | |
| CN120925073A (en) | Preparation method and device of aluminum scandium nitrogen film and substrate product | |
| Lee et al. | Nucleation and growth of condensate clusters on solid surfaces | |
| WO2010106432A2 (en) | Deposition apparatus with high temperature rotatable target and method of operating thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190722 |