[go: up one dir, main page]

RU2404484C2 - Электродная структура для использования в электронном устройстве и способ ее изготовления - Google Patents

Электродная структура для использования в электронном устройстве и способ ее изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2404484C2
RU2404484C2 RU2008137651/28A RU2008137651A RU2404484C2 RU 2404484 C2 RU2404484 C2 RU 2404484C2 RU 2008137651/28 A RU2008137651/28 A RU 2008137651/28A RU 2008137651 A RU2008137651 A RU 2008137651A RU 2404484 C2 RU2404484 C2 RU 2404484C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
buffer layer
solar cell
silicon nitride
glass substrate
Prior art date
Application number
RU2008137651/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2008137651A (ru
Inventor
Алексей КРАСНОВ (US)
Алексей КРАСНОВ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп.
Publication of RU2008137651A publication Critical patent/RU2008137651A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2404484C2 publication Critical patent/RU2404484C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/126—Active materials comprising only Group I-III-VI chalcopyrite materials, e.g. CuInSe2, CuGaSe2 or CuInGaSe2 [CIGS]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1694—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике. Согласно изобретению предложен солнечный элемент, выполненный на стеклянной подложке, содержащей SiO2, Na2O, CaO с возможными добавками MgO, Al2O3, K2O, при этом солнечный элемент содержит буферный слой из нитрида кремния, сформированный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней; задний электрод, содержащий Мо, сформированный на буферном слое, находящийся в непосредственном контакте с ним; слой абсорбера, сформированный на заднем электроде, содержащем Мо; и фронтальный электрод. Также предложены электронное устройство и способ его изготовления. Изобретение обеспечивает возможность предотвращения или ослабления неконтролируемой миграции натрия в полупроводниковый слой (слои) солнечных элементов или других электронных устройств. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к электродной структуре для использования в электронном устройстве. В некоторых примерах воплощения электродная структура включает в себя опорную стеклянную подложку (например, из натрий-кальциевого силикатного флоат-стекла), буферный слой (например, SixNy) и токопроводящий электрод (например, Mo), обеспеченный поверх этой структуры. Буферный слой обладает преимуществом, состоящим в том, что он предотвращает или ослабляет миграцию натрия (Na) из стеклянной подложки в полупроводниковый слой (слои) электронного устройства (например, солнечного элемента или другого подходящего электронного устройства). Также обеспечен способ изготовления электродной структуры.
ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задние электроды для солнечных элементов и т.п. известны из уровня техники. В качестве неограничивающих примеров можно привести патентные документы США №№ 2004/0261841, 2005/0253142, 5981868, 2005/0236032, 5477088, 2005/0186342, 2005/0257825, 2005/0284518, 2004/0087172 и 2005/0072461, которые, таким образом, включены в данный документ путем ссылки.
Задние электроды для электронных устройств, таких как солнечные элементы на основе CIS (copper indium diselenide, диселенид меди и индия) и CIGS (copper indium gallium diselenide, диселенид меди, индия и галлия), обычно изготавливают в виде слоя Mo, который наносят путем напыления непосредственно на подложку. В некоторых применениях подложку можно изготавливать из стекла, такого как натрий-кальциевое силикатное стекло. После серии следующих друг за другом осаждений и скрайбирований/рельефообразований изготовление устройства завершают созданием контактов к электрической шине, помещением устройства в капсулу и каркас. Каждый компонент устройства вносит вклад в его кпд.
Что касается стеклянных подложек, натрий-кальциевое силикатное флоат-стекло содержит Na (например, в форме Na2O). Известно, что иногда является желательным обеспечение Na в слое поликристаллического CIGS-абсорбера для повышения кпд солнечного элемента. Следовательно, в отличие от многих других электрооптических покрытий, присутствие натрия в CIS и CIGS является практически приемлемым. Однако при наличии решения вводить Na в абсорбирующий слой CIS и/или CIGS важно, чтобы натрий вводили контролируемым и предсказуемым образом.
При изготовлении солнечных элементов и других электронных устройств полупроводниковые слои часто подвергают существенной термообработке в ходе процесса изготовления. Такая термообработка может включать в себя воздействие на стеклянную подложку и полупроводниковый слой (слои) температурами, по меньшей мере, 400°C, иногда, по меньшей мере, 500°C, и возможно более высокими температурами. К сожалению, такие температуры термообработки часто вызывают диффузию Na из стеклянной подложки в покрытие неконтролируемым и непредсказуемым образом. Это означает, что неконтролируемые и непредсказуемые количества натрия в солнечном элементе или другом электронном устройстве могут диффундировать из стеклянной подложки в слой CIGS или CIS, что во многих случаях может привести к нежелательному и/или непредсказуемому функционированию.
В связи с вышеизложенным должно быть ясно, что в данной области техники существует необходимость в технологии для предотвращения или ослабления неконтролируемой миграции натрия в полупроводниковый слой (слои) солнечных элементов или других электронных устройств.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ПРИМЕРОВ ВЫПОЛНЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В некоторых примерах выполнения данного изобретения обеспечена электродная структура для использования в солнечных элементах и подобных устройствах. В некоторых примерах выполнения электродная структура включает в себя несущую стеклянную подложку (например, из натрий-кальциевого силикатного флоат-стекла), буферный слой (например, SixNy) и проводящий электрод (например, Mo), расположенные в указанном порядке. Преимущество буферного слоя состоит в том, что он предотвращает или ослабляет миграцию натрия (Na) из стеклянной подложки через молибденовый задний электрод в полупроводниковый слой (слои) электронного устройства (например, солнечного элемента или другого подходящего электронного устройства). Таким образом, при желании натрий может быть добавлен к полупроводниковому слою из верхних слоев при обработке после осаждения (т.е. не из стекла). Буферный слой может быть изготовлен из нитрида кремния и может включать в себя кислород и/или другой элемент (элементы) в некоторых примерах выполнения данного изобретения. Буферный слой в различных примерах выполнения настоящего изобретения может представлять собой один слой или несколько слоев.
В некоторых примерах выполнения данного изобретения буферный слой содержит нитрид кремния, который обогащен кремнием. В качестве неограничивающего примера можно привести буферный слой, который может содержать SixNy, где x/y составляет, по меньшей мере, 0,76, более предпочтительно, по меньшей мере, 0,80, даже более предпочтительно, по меньшей мере, 0,85, и, возможно, по меньшей мере, 0,90. Неожиданно было обнаружено, что нитрид кремния, обогащенный Si, является лучшим абсорбером Na из стекла, по сравнению со стехиометрическим Si3N4.
Другие преимущества буферного слоя относятся к улучшенному контролю механических свойств, и/или кпд слоя электрода, и/или электронного устройства. В некоторых примерах выполнения электродный слой Mo действует как слой для кристаллообразования для комплекта CIS/CIGS. Путем регулирования параметров осаждения буферного слоя можно достигать желаемых свойств молибденового электродного слоя и, в свою очередь, также достигать желаемого уровня селенизации слоя абсорбера и т.п. Высокая производительность и давления осаждения, используемые в установках для вакуумного напыления, также являются благоприятными при получении более пористой металлической (например, молибденовой) поверхности, что приводит к лучшей адгезии между абсорбером и Mo, с образованием переходного слоя MoSe2-xOx на границе Mo и абсорбера, что используется (необязательно) в некоторых примерах выполнения данного изобретения. Этот переходный слой MoSe2-xOx на границе Mo и абсорбера в некоторых примерах выполнения данного изобретения приводит к более высоким кпд слоя CIS или CIGS.
В некоторых примерах выполнения данного изобретения толщина буферного слоя составляет примерно 10-1000 нм, более предпочтительно - примерно 100-500 нм, а наиболее предпочтительно - примерно 100-200 нм (например, 150 нм). Более того, в некоторых примерах выполнения данного изобретения толщина электродного слоя (например, слоя на основе Mo) составляет примерно 50-1000 нм, более предпочтительно - примерно 100-900 нм, а наиболее предпочтительно - примерно 200-600 нм (например, примерно 440 нм).
В некоторых примерах выполнения данного изобретения обеспечен солнечный элемент, содержащий: стеклянную подложку, содержащую SiO2 (67-75%), Na2O (10-20%), CaO (5-15%), MgO (0-7%), Al2O3 (0-5%), K2O (0-5%); буферный слой, содержащий нитрид кремния, созданный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней; задний электрод, содержащий Mo, сформированный на буферном слое, содержащим нитрид кремния, и находящийся в непосредственном контакте с ним; слой абсорбера, созданный на заднем электроде, содержащем Mo; и фронтальный электрод. В некоторых примерах воплощения между слоем абсорбера и фронтальным электродом может быть обеспечен слой окон для пропускания излучения.
В других примерах выполнения данного изобретения обеспечено электронное устройство, содержащее: стеклянную подложку, содержащую SiO2 и Na2O; буферный слой, содержащий нитрид кремния, сформированный (прямо или косвенно) на стеклянной подложке; проводящий электрод, содержащий Mo, Al и/или Cr, сформированный (прямо или косвенно) на буферном слое, содержащем нитрид кремния; и полупроводниковый слой, содержащий, по меньшей мере, один элемент каждой из групп IB, IIIA и VIA, сформированный на проводящем электроде.
В других примерах выполнения данного изобретения обеспечен способ изготовления электронного устройства, причем способ включает в себя: обеспечение стеклянной подложки, содержащей SiO2 и Na2O3, причем на стеклянную подложку нанесен буферный слой, содержащий нитрид кремния, сформированный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней, и проводящий электрод, содержащий Mo, Al и/или Cr, сформированный на буферном слое, содержащим нитрид кремния и находящийся в непосредственном контакте с ним; формирование полупроводникового слоя, содержащего, по меньшей мере, один элемент из каждой группы IB, IIIA и VIA на проводящем электроде; и использование термообработки при температуре, по меньшей мере, примерно 350°C с введением натрия в полупроводниковый слой.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 представляет собой поперечное сечение солнечного элемента согласно примеру выполнения данного изобретения.
Фиг.2 представляет собой поперечное сечение солнечного элемента согласно другому примеру выполнения данного изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРИМЕРОВ ВЫПОЛНЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Рассмотрим теперь подробнее прилагаемые чертежи, на которых одинаковые номера позиций означают одинаковые детали на всех изображениях.
Фиг.1 представляет собой поперечное сечение солнечного элемента согласно примеру выполнения данного изобретения. Солнечный элемент включает в себя стеклянную подложку 1, которая в некоторых вариантах выполнения настоящего изобретения может представлять собой натрий-кальциевое силикатное флоат-стекло (например, толщиной 1-10 мм), буферный слой 3 для ослабления или предотвращения диффузии натрия из стеклянной подложки, проводящий электродный слой 5, переходный слой 7a (необязательно), полупроводниковый слой 7, поглощающий свет или другое излучение, буферный слой 9 (необязательно), слой 11 окон для пропускания излучения и фронтальный 15 электрод.
В некоторых примерах выполнения электродная структура включает в себя стеклянную подложку 1, буферный слой 3 (например, SixNy) и проводящий электрод 5 (например, Mo), которые расположены в указанном порядке. Буферный слой 3 обладает преимуществом, состоящим в том, что он предотвращает или ослабляет миграцию натрия (Na) из стеклянной подложки 1 в полупроводниковый слой 7 (слои) электронного устройства (например, солнечного элемента или другого подходящего электронного устройства). Таким образом, при желании в ходе обработки после осаждения натрий можно добавлять к полупроводниковому слою 7 из верхних слоев, но это необязательно. В некоторых вариантах воплощения данного изобретения слои 3, 5 и 7 проходят непрерывно через всю подложку или, по меньшей мере, через значительную часть подложки и не имеют никаких образованных в них апертур или отверстий.
Стеклянная 1 подложка в некоторых вариантах выполнения данного изобретения может представлять собой натрий-кальциевое силикатное флоат-стекло. Пример натрий-кальциевого силикатного стекла согласно некоторым вариантам выполнения настоящего изобретения включает в себя следующие основные компоненты, мас.%:
SiO2 67-75
Na2O 10-20
CaO 5-15
MgO 0-7
Al2O3 0-5
K2O 0-5
BaO 0-1
В состав стеклянной подложки могут входить также другие, второстепенные компоненты, включающие в себя различные стандартные осветляющие добавки, такие как SO3, углерод и т.п. В некоторых вариантах воплощения, например, приведенное здесь стекло можно изготавливать из шихтового сырья, например из кварцевого песка, кальцинированной соды, доломита, известняка, с использованием сульфата натрия, (SO3) и/или соли Эпсома (например, в сочетании примерно 1:1) в качестве осветлителя. Является предпочтительным, чтобы стекла на основе сплава натриевой извести и диоксида кремния включали примерно 10-15 мас.% Na2O и примерно 6-12 мас.% CaO. С этой точки зрения следует отметить значительное количество натрия (Na) в стекле, который может быть подверженным диффузии при высокотемпературных условиях. Более того, помимо вышеуказанных материалов, в стекле в подходящих количествах могут присутствовать красители, такие как оксид железа и/или другие красители.
Буферный слой 3 в некоторых вариантах выполнения данного изобретения может представлять собой или включать в себя нитрид кремния, а также может включать в себя кислород и/или другой элемент (элементы), такие как Al. Буферный слой 3 в различных примерах выполнения настоящего изобретения может быть одиночным или многослойным. В некоторых примерах выполнения настоящего изобретения буферный слой 3 представляет собой или включает в себя нитрид кремния, который обогащен Si. В качестве неограничивающего примера буферный слой 3 может представлять собой или включать в себя SixNy, где x/y составляет, по меньшей мере, 0,76, более предпочтительно, по меньшей мере, 0,80, даже более предпочтительно, по меньшей мере, 0,85, и возможно, по меньшей мере, 0,90. Более того, в некоторых примерах выполнения это соотношение x/y обычно составляет менее 2, более предпочтительно, менее примерно 1,5. Неожиданно было обнаружено, что нитрид кремния, обогащенный Si, является лучшим поглотителем Na из стекла 1, чем стехиометрический Si3N4. В некоторых примерах выполнения данного изобретения толщина буферного слоя 3 составляет примерно 10-1000 нм, более предпочтительно примерно 100-500 нм, а наиболее предпочтительно примерно 100-200 нм (например, 150 нм). Буферный слой 3 в некоторых примерах выполнения настоящего изобретения можно осаждать путем напыления или подобным способом. Буферный слой 3 в некоторых примерах может также включать в себя алюминий и/или кислород (дополнительно к нитриду кремния). В некоторых примерах воплощения буферный слой 3 включает примерно 1-15% алюминия и/или примерно 1-25% кислорода, более предпочтительно примерно 2-20% кислорода.
Буферный слой 3 в некоторых примерах выполнения данного изобретения градуируют по кислороду. Здесь можно привести неограничивающий пример, в котором, когда буферный слой 3 представляет собой оксинитрид кремния, данный буферный слой 3 градуирован по содержанию кислорода таким образом, что он содержит кислород вблизи границы со стеклянной подложкой 1 в большей степени, чем вблизи границы с проводящим задним электродом 5. В частности, в буферном слое 3 больше кислорода присутствует в его части, близкой к стеклянной подложке 1, чем в другой его части, близкой к заднему электроду 5. В различных вариантах выполнения данного изобретения уровень окисленности может изменяться плавно или резко. В некоторых примерах выполнения данного изобретения преимущество такого уровня окисленности буферного слоя 3 состоит в том, что это позволяет добиться наилучшего оптического выравнивания на границе со стеклянной подложкой 1, с точки зрения показателя преломления и т.п. Это может позволить улучшить оптические свойства и/или адгезию.
Задний проводящий электрод 5 в некоторых примерах выполнения изобретения обычно состоит из Мо или включает в себя Mo. В некоторых примерах выполнения данного изобретения электродный слой 5 (например, слой на основе Mo, который в некоторых примерах выполнения может быть металлическим) имеет толщину примерно 50-1000 нм, более предпочтительно - примерно 100-900 нм и наиболее предпочтительно - примерно 200-600 нм (например, примерно 440 нм). Притом, что задний электрод 5 в некоторых примерах выполнения состоит из Mo, электрод 5 в других вариантах воплощения данного изобретения может вместо этого состоять из сплава Mo-Ni, алюминия, стали, сплава на основе Cr или другого металла, или иметь смешанный состав. Слой электрода 5 в различных примерах воплощения изобретения можно осаждать путем напыления, путем нанесения гальванического покрытия и т.п.
Полупроводниковый абсорбирующий слой 7 в некоторых вариантах выполнения данного изобретения может представлять собой слой на основе CIGS (copper indium gallium diselenide, диселенид меди, индия и галлия). В некоторых вариантах выполнения данного изобретения, слой абсорбера 7 может включать в себя материал, содержащий элементы групп IB, IIIA и VIA. В некоторых примерах выполнения абсорбирующий 7 слой в качестве элемента группы IB включает в себя медь (Cu), в качестве элемента(ов) группы IIIA - галлий (Ga) и/или индий (In), и/или алюминий, а в качестве элементов группы VIA - селен (Se) и/или серу (S). Слой 7 абсорбера в некоторых случаях можно изготавливать с использованием серии осаждений атомных слоев на базовом электроде 5, и в различных примерах выполнения данного изобретения он может иметь толщину примерно 500-2000 нм. В качестве альтернативы абсорбирующий слой 7 может быть изготовлен из любого из материалов для абсорбирующих слоев, описанных в любом из патентных документов США №№ 2004/0261841, 2005/0253142, 5981868, 2005/0236032, 5477088, 2005/0186342, 2005/0257825, 2005/0284518, 2004/0087172 и 2005/007246I5, которые, таким образом, включены в данный документ путем ссылки.
После того, как абсорбирующий слой 7 был сформирован, устройство (например, с любым другим слоем (слоями) или без таковых) можно подвергать термообработке. В качестве неограничивающего примера, устройство, включающее в себя слой 7, можно подвергать термообработке при температуре, по меньшей мере, примерно 400°C, иногда, по меньшей мере, примерно 500°C, и, возможно, более высоким температурам. Такую термообработку можно осуществлять, например, в ходе этапа нанесения раствора, содержащего натрий, поверх слоя 7, и эта термообработка вызывает диффузию натрия в слой 7, что приводит к добавлению натрия к слою 7 контролируемым и предсказуемым способом. В качестве неограничивающего примера диффузия натрия в слой 7 может происходить вследствие осаждения примерно 30 нм соединения-предшественника, содержащего Na, такого как NaF, на растущий и охлажденный абсорбирующий слой 7, с последующим отжигом примерно при 400°C или выше в вакууме, чтобы натрий мог диффундировать в слой 7 абсорбера. Следует отметить, что вместо или помимо NaF можно использовать соединение-предшественник, содержащее Na, такое как Na2S и/или Na2Se. Таким образом, в некоторых примерах выполнения слой 7 абсорбера также включает в себя небольшое количество натрия (например, примерно 0,05-2% натрия, более предпочтительно - примерно 0,1-1% натрия). Другим примером возможной термообработки в некоторых примерах выполнения данного изобретения является выращивание самого слоя 7 при температурах, по меньшей мере, примерно 350°C, и, возможно, по меньшей мере, примерно 400°C. В качестве альтернативы соединение-предшественник, содержащее Na, можно наносить прямо поверх молибденового электрода, чтобы оно находилось непосредственно под слоем 7 абсорбера во время его роста; а тепло (например, при температуре, по меньшей мере, примерно 350°C, и возможно, по меньшей мере, примерно 400°C), используемое при росте слоя 7 абсорбера, можно использовать для порождения диффузии натрия, по меньшей мере, в часть слоя 7 в ходе его роста.
Слой 11 окон для пропускания излучения можно использовать в качестве соединительного элемента для слоя 7 абсорбера. Например, в некоторых примерах воплощения данного изобретения слой 11 соединительного элемента может включать в себя сульфид кадмия, сульфид цинка или селенид цинка, или их сочетание. Этот слой в некоторых примерах воплощения можно осаждать путем осаждения из соляной ванны или путем химического поверхностного осаждения, до достижения толщины примерно 50-100 нм. В некоторых примерах воплощения к слою абсорбера можно отнести сочетание, по меньшей мере, слоев 7 и 11.
В некоторых примерах выполнения настоящего изобретения фронтальный проводящий электрод 15 является практически прозрачным. Фронтальный электрод 15 может представлять собой слой прозрачного проводящего оксида (transparent conductive oxide, TCO). Электрод 15 может представлять собой или включать в себя оксид цинка, оксид цинка, легированный алюминием, оксид индол-олова (ITO) и т.п. Этот электрод 15 в некоторых примерах выполнения может быть создан путем напыления, испарения, химического испарения из паровой фазы, нанесения гальванического покрытия и т.п.
Помимо фронтального электрода 15 в некоторых примерах выполнения данного изобретения поверх электрода 15 или вместо электрода 15 можно обеспечить слой металлических (например, Ni, Al или Ag) проводящих штырей (не показаны). Это можно сделать для снижения общего поверхностного сопротивления слоя и/или для обеспечения электрического контакта (контактов).
Буферный слой 9 является необязательным. Во многих вариантах выполнения буферный слой 9 отсутствует. В некоторых примерах выполнения промежуточный буферный слой 9 может представлять собой или включать в себя полупроводник, такой как тонкая пленка прозрачного полупроводникового соединения AIIBVI с высоким сопротивлением, которая может содержать гидроксид.
Помимо сказанного выше, преимущество другого примера буферного слоя 3 состоит в лучшем контроле механических свойств и/или кпд слоя электрода 5 или электронного устройства. Слой 5 заднего электрода (например, Mo) в некоторых примерах выполнения действует как слой для кристаллообразования для комплекта CIS/CIGS. Путем регулирования параметров осаждения буферного слоя 3 можно получать желаемые свойства молибденового электродного слоя 5, а также, в свою очередь, получать желаемый уровень селенизации слоя 7 абсорбера и т.п. Высокая линейная скорость и давления осаждения, используемые в установках вакуумного напыления, также являются благоприятными при получении более пористой металлической (например, Mo) поверхности для слоя 5, что приводит к улучшенной адгезии между абсорбером 7 и молибденовым слоем 5, с образованием переходного слоя 7a состава MoSe2-xOx (x может составлять примерно 0-1,99, более предпочтительно - примерно 0,1-1,9 в некоторых примерах воплощения) на границе Mo/абсорбер, как показано на Фиг.1, что имеет место (необязательно) в некоторых примерах выполнения данного изобретения. Этот переходный слой 7a, содержащий MoSe2-xOx, на границе Mo/абсорбер в некоторых примерах выполнения данного изобретения приводит к повышенным кпд слоя CIS или CIGS.
Фиг.2 представляет собой поперечное сечение солнечного элемента согласно другому примеру выполнения данного изобретения. Солнечный элемент согласно Фиг.2 аналогичен солнечному элементу согласно Фиг.1, за исключением того, что слои 7-11 Фиг.1 в варианте выполнения заменены, по меньшей мере, полупроводниковым слоем (слоями) 17. В некоторых примерах выполнения полупроводниковый слой 17 может представлять собой или включать в себя абсорбирующий слой, такой как диселенид меди-индия (copper indium diselenide, CIS). В некоторых примерах выполнения выше слоя 17 может также присутствовать дополнительный полупроводниковый слой (слои).
Хотя изобретение было описано в соответствии с тем, что в настоящее время считается наиболее целесообразным и предпочтительным вариантом выполнения, следует понимать, что изобретение не ограничено раскрытым вариантом выполнения, а напротив, оно предназначено для охвата различных модификаций и эквивалентное соответствующих сущности и объему прилагаемой формулы изобретения.

Claims (21)

1. Солнечный элемент, содержащий
стеклянную подложку, содержащую
Компонент Мас.% SiO2 67-75% Na2O 10-20% CaO 5-15% MgO 0-7% Al2O3 0-5% K2O 0-5%

буферный слой, содержащий нитрид кремния, сформированный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней;
задний электрод, содержащий Мо, сформированный на буферном слое, содержащем нитрид кремния, и находящийся в непосредственном контакте с ним;
слой абсорбера, сформированный на заднем электроде, содержащем Мо; и фронтальный электрод.
2. Солнечный элемент по п.1, в котором слой абсорбера содержит диселенид меди-индия и/или диселенид меди-индия-галлия.
3. Солнечный элемент по п.1, в котором слой абсорбера содержит, по меньшей мере, один элемент из каждой из групп IB, IIIA и VIA.
4. Солнечный элемент по п.3, в котором слой абсорбера содержит медь в качестве элемента группы IB; один или несколько элементов - галлий, индий и/или алюминий в качестве элементов группы IIIA; и селен и/или серу в качестве элементов группы VIA.
5. Солнечный элемент по п.1, в котором нитрид кремния буферного слоя характеризуется формулой SixNy, где х/у составляет, по меньшей мере, 0,76.
6. Солнечный элемент по п.5, в котором нитрид кремния буферного слоя характеризуется формулой SixNy, где х/у составляет, по меньшей мере, 0,80.
7. Солнечный элемент по п.5, в котором нитрид кремния буферного слоя характеризуется формулой SixNy, где х/у составляет, по меньшей мере, 0,85.
8. Солнечный элемент по п.1, в котором буферный слой дополнительно содержит кислород и/или алюминий.
9. Солнечный элемент по п.1, дополнительно содержащий переходный слой, содержащий MoSe2-xOx на границе между задним электродом и слоем абсорбера.
10. Солнечный элемент по п.1, в котором толщина буферного слоя составляет примерно 100-500 нм.
11. Солнечный элемент по п.1, в котором слой абсорбера дополнительно содержит натрий.
12. Солнечный элемент по п.1, в котором слой абсорбера дополнительно содержит примерно 0,05-2% натрия.
13. Солнечный элемент по п.1, в котором буферный слой дополнительно включает в себя кислород и в котором буферный слой включает в себя большее количество кислорода вблизи стеклянной подложки, чем в других местах, находящихся дальше от стеклянной подложки.
14. Электронное устройство, содержащее
стеклянную подложку, содержащую SiO2 и Na2O;
буферный слой, содержащий нитрид кремния, образованный на стеклянной подложке;
проводящий электрод, содержащий Mo, Al и/или Cr, образованный на буферном слое, содержащем нитрид кремния; и
полупроводниковый слой, содержащий, по меньшей мере, один элемент из каждой из групп IB, IIIA и VIA, образованный на проводящем электроде.
15. Электронное устройство по п.14, в котором полупроводниковый слой содержит медь в качестве элемента группы IB; один или несколько элементов - галлий, индий и/или алюминий в качестве элементов группы IIIA; и селен и/или серу в качестве элементов группы VIA.
16. Электронное устройство по п.14, в котором нитрид кремния буферного слоя характеризуется формулой SixNy, где х/у составляет, по меньшей мере, 0,76.
17. Электронное устройство по п.14, в котором нитрид кремния буферного слоя характеризуется формулой SixNy, где х/у составляет, по меньшей мере, 080.
18. Электронное устройство по п.14, в котором буферный слой дополнительно содержит кислород и/или алюминий.
19. Электронное устройство по п.14, в котором полупроводниковый слой дополнительно содержит примерно 0,05-2% натрия.
20. Способ изготовления электронного устройства, включающий:
получение стеклянной подложки, содержащей SiO2 и Na2O, на которую нанесен буферный слой, содержащий нитрид кремния, сформированный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней, и проводящего электрода, содержащего Mo, Al и/или Cr, сформированного на буферным слое, содержащем нитрид кремния, и находящегося в непосредственном контакте с ним;
формирование на проводящем электроде полупроводникового слоя, содержащего, по меньшей мере, один элемент из каждой из групп IB, IIIA и VIA; и
использование термообработки при температуре, по меньшей мере, примерно 350°С для введения натрия в полупроводниковый слой.
21. Способ по п.20, в котором натрий, который вводят в полупроводниковый слой, не поступает из стеклянной подложки, причем электронное устройство представляет собой солнечный элемент, и при этом полупроводниковый слой содержит медь в качестве элемента группы IB; один или несколько элементов: галлий, индий и/или алюминий - в качестве элементов группы IIIA; и селен и/или сера - в качестве элементов группы VIA.
RU2008137651/28A 2006-02-22 2007-01-29 Электродная структура для использования в электронном устройстве и способ ее изготовления RU2404484C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/358,718 US8389852B2 (en) 2006-02-22 2006-02-22 Electrode structure for use in electronic device and method of making same
US11/358,718 2006-02-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008137651A RU2008137651A (ru) 2010-03-27
RU2404484C2 true RU2404484C2 (ru) 2010-11-20

Family

ID=38426933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008137651/28A RU2404484C2 (ru) 2006-02-22 2007-01-29 Электродная структура для использования в электронном устройстве и способ ее изготовления

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8389852B2 (ru)
EP (1) EP1987544A2 (ru)
BR (1) BRPI0708117A2 (ru)
CA (1) CA2635043A1 (ru)
RU (1) RU2404484C2 (ru)
WO (1) WO2007106250A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2824968C2 (ru) * 2023-01-11 2024-08-19 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук Способ получения интерметаллической мишени Cu-Ga, используемой для получения тонкой пленки магнетронным распылением

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950938B2 (ja) * 1990-07-31 1999-09-20 三洋電機株式会社 飲料販売装置
US20080057203A1 (en) * 2006-06-12 2008-03-06 Robinson Matthew R Solid group iiia particles formed via quenching
US20100236630A1 (en) * 2007-05-30 2010-09-23 University Of Florida Research Foundation Inc. CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInxGa1-x(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
CN101355109A (zh) * 2007-07-26 2009-01-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 太阳能电池组件及其制造设备
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
FR2922046B1 (fr) * 2007-10-05 2011-06-24 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere
FR2922364B1 (fr) * 2007-10-12 2014-08-22 Saint Gobain Procede de fabrication d'une electrode en oxyde de molybdene
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
FR2924863B1 (fr) * 2007-12-07 2017-06-16 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere.
US20090260678A1 (en) 2008-04-16 2009-10-22 Agc Flat Glass Europe S.A. Glass substrate bearing an electrode
GB0810525D0 (en) * 2008-06-09 2008-07-09 Pilkington Group Ltd Solar unit glass plate composition
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US7855089B2 (en) 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8445394B2 (en) 2008-10-06 2013-05-21 Corning Incorporated Intermediate thermal expansion coefficient glass
US8975199B2 (en) 2011-08-12 2015-03-10 Corsam Technologies Llc Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
TW201034207A (en) * 2009-01-29 2010-09-16 First Solar Inc Photovoltaic device with improved crystal orientation
EP2412031A2 (en) * 2009-03-25 2012-02-01 Dow Global Technologies LLC Method of forming a protective layer on thin-film photovoltaic articles and articles made with such a layer
US9371247B2 (en) 2009-05-29 2016-06-21 Corsam Technologies Llc Fusion formable sodium free glass
US9637408B2 (en) * 2009-05-29 2017-05-02 Corsam Technologies Llc Fusion formable sodium containing glass
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8647995B2 (en) 2009-07-24 2014-02-11 Corsam Technologies Llc Fusion formable silica and sodium containing glasses
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
DE202010018454U1 (de) 2009-09-29 2016-10-20 Kyocera Corporation Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US8440498B2 (en) 2009-10-28 2013-05-14 Nanosolar, Inc. Thin-film devices formed from solid particles
US8859880B2 (en) 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
TWI520367B (zh) * 2010-02-09 2016-02-01 陶氏全球科技公司 具透明導電阻擋層之光伏打裝置
WO2011103341A1 (en) * 2010-02-18 2011-08-25 Alliance For Sustainable Energy, Llc Moisture barrier
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US20110240123A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Hao Lin Photovoltaic Cells With Improved Electrical Contact
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
CN103025910A (zh) * 2010-07-23 2013-04-03 第一太阳能有限公司 缓冲层形成
US8354586B2 (en) 2010-10-01 2013-01-15 Guardian Industries Corp. Transparent conductor film stack with cadmium stannate, corresponding photovoltaic device, and method of making same
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
KR101154654B1 (ko) * 2010-10-05 2012-06-11 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
WO2012074247A2 (ko) * 2010-11-30 2012-06-07 한국전자통신연구원 태양 전지 제조 방법 및 이에 의해 제조된 태양 전지
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
KR101173401B1 (ko) * 2011-01-24 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
KR101896951B1 (ko) * 2011-10-13 2018-09-12 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
FR2983642B1 (fr) * 2011-12-05 2014-01-03 Nexcis Interface perfectionnee entre une couche i-iii-vi2 et une couche de contact arriere, dans une cellule photovoltaique.
TWI564262B (zh) 2012-02-29 2017-01-01 康寧公司 高ｃｔｅ之硼矽酸鉀核心玻璃與包含其之玻璃物件
DE102012205978A1 (de) * 2012-04-12 2013-10-17 Robert Bosch Gmbh Photovoltaische Dünnschichtsolarmodule sowie Verfahren zur Herstellung solcher Dünnschichtsolarmodule
US9159850B2 (en) 2012-04-25 2015-10-13 Guardian Industries Corp. Back contact having selenium blocking layer for photovoltaic devices such as copper—indium-diselenide solar cells
US9246025B2 (en) * 2012-04-25 2016-01-26 Guardian Industries Corp. Back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
US8809674B2 (en) * 2012-04-25 2014-08-19 Guardian Industries Corp. Back electrode configuration for electroplated CIGS photovoltaic devices and methods of making same
US9419151B2 (en) * 2012-04-25 2016-08-16 Guardian Industries Corp. High-reflectivity back contact for photovoltaic devices such as copper—indium-diselenide solar cells
US9935211B2 (en) * 2012-04-25 2018-04-03 Guardian Glass, LLC Back contact structure for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
WO2013160421A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 Saint-Gobain Glass France Method for producing the pentanary compound semiconductor cztsse doped with sodium
US8586457B1 (en) * 2012-05-17 2013-11-19 Intermolecular, Inc. Method of fabricating high efficiency CIGS solar cells
US9246039B2 (en) 2012-10-12 2016-01-26 International Business Machines Corporation Solar cell with reduced absorber thickness and reduced back surface recombination
US9701567B2 (en) 2013-04-29 2017-07-11 Corning Incorporated Photovoltaic module package
KR102042657B1 (ko) * 2013-08-22 2019-11-28 재단법인대구경북과학기술원 박막 태양전지 및 이의 제조방법
US20150083212A1 (en) * 2013-09-23 2015-03-26 Markus Eberhard Beck Thin-film photovoltaic devices with discontinuous passivation layers
JP6328018B2 (ja) * 2014-09-19 2018-05-23 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池
CN104393064A (zh) * 2014-10-31 2015-03-04 徐东 一种太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法
CN111420684B (zh) * 2020-03-26 2022-09-13 内蒙古大学 一种合成气直接制乙醇的催化剂及应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4333407C1 (de) * 1993-09-30 1994-11-17 Siemens Ag Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht
US5626688A (en) * 1994-12-01 1997-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Solar cell with chalcopyrite absorber layer
RU2170994C1 (ru) * 2000-04-05 2001-07-20 Вологодский государственный технический университет Способ изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования энергии света в электрическую энергию
WO2004032180A2 (en) * 2002-10-04 2004-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury vapour discharge lamp

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5214008A (en) 1992-04-17 1993-05-25 Guardian Industries Corp. High visible, low UV and low IR transmittance green glass composition
US5477088A (en) 1993-05-12 1995-12-19 Rockett; Angus A. Multi-phase back contacts for CIS solar cells
JP3249407B2 (ja) 1996-10-25 2002-01-21 昭和シェル石油株式会社 カルコパイライト系多元化合物半導体薄膜光吸収層からなる薄膜太陽電池
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
US6261693B1 (en) 1999-05-03 2001-07-17 Guardian Industries Corporation Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass
DE19936081A1 (de) 1999-07-30 2001-02-08 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Mehrschichtkörpers, sowie ein unter Anwendung des Verfahrens hergestellter Mehrschichtkörper
US6576349B2 (en) 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US6521558B2 (en) 2001-01-23 2003-02-18 Guardian Industries Corp. Grey glass composition including erbium
US6573207B2 (en) 2001-01-23 2003-06-03 Guardian Industries Corp. Grey glass composition including erbium
FR2820241B1 (fr) 2001-01-31 2003-09-19 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US6881647B2 (en) * 2001-09-20 2005-04-19 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using templates
US6610622B1 (en) 2002-01-28 2003-08-26 Guardian Industries Corp. Clear glass composition
WO2003069684A1 (fr) 2002-02-14 2003-08-21 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Procédé de formation de couche absorbant la lumière
JP4055053B2 (ja) 2002-03-26 2008-03-05 本田技研工業株式会社 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2004103959A (ja) 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
WO2005006393A2 (en) 2003-05-27 2005-01-20 Triton Systems, Inc. Pinhold porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications
JP2005019742A (ja) 2003-06-26 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池
US7087309B2 (en) * 2003-08-22 2006-08-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method
US7179677B2 (en) 2003-09-03 2007-02-20 Midwest Research Institute ZnO/Cu(InGa)Se2 solar cells prepared by vapor phase Zn doping
US7115304B2 (en) 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
JP2006013028A (ja) 2004-06-24 2006-01-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 化合物太陽電池及びその製造方法
CN101087899A (zh) * 2004-11-10 2007-12-12 德斯塔尔科技公司 光电装置的垂直生产

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4333407C1 (de) * 1993-09-30 1994-11-17 Siemens Ag Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht
US5626688A (en) * 1994-12-01 1997-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Solar cell with chalcopyrite absorber layer
RU2170994C1 (ru) * 2000-04-05 2001-07-20 Вологодский государственный технический университет Способ изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования энергии света в электрическую энергию
WO2004032180A2 (en) * 2002-10-04 2004-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury vapour discharge lamp

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2824968C2 (ru) * 2023-01-11 2024-08-19 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук Способ получения интерметаллической мишени Cu-Ga, используемой для получения тонкой пленки магнетронным распылением

Also Published As

Publication number Publication date
RU2008137651A (ru) 2010-03-27
CA2635043A1 (en) 2007-09-20
US20070193623A1 (en) 2007-08-23
US20130019940A1 (en) 2013-01-24
BRPI0708117A2 (pt) 2011-05-17
WO2007106250A2 (en) 2007-09-20
US8389852B2 (en) 2013-03-05
EP1987544A2 (en) 2008-11-05
WO2007106250A3 (en) 2007-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2404484C2 (ru) Электродная структура для использования в электронном устройстве и способ ее изготовления
JP2007266626A (ja) 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
JP2011517132A (ja) 電極を支持するガラス基板
JP2013505889A (ja) 高い耐熱性と低い作業温度を有するアルミノケイ酸塩ガラス
JP5812487B2 (ja) 太陽電池の製造方法
CN1842920A (zh) 太阳电池及其制造方法
US9133055B2 (en) Glass base material
JP2011129631A (ja) Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法
KR20130110099A (ko) 태양 전지의 제조 방법 및 태양 전지
JP6497576B2 (ja) 太陽電池用ガラス板
JP6156553B2 (ja) Ｃｉｇｓ太陽電池用ガラス基板及びｃｉｇｓ太陽電池
JP6023098B2 (ja) 半導体デバイスを含む光電池及び光起電モジュール
US20120118384A1 (en) Cis-based thin film solar cell
JP6593726B2 (ja) 太陽電池用ガラス板
JP6593724B2 (ja) 太陽電池用ガラス板
KR101014106B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
JP6673360B2 (ja) 太陽電池用ガラス基板及び太陽電池
JP6410108B2 (ja) ガラス基材
JP2016098133A (ja) ガラス基板、ｃｉｇｓ太陽電池、及びガラス基板の製造方法
JP2014136667A (ja) 保護膜付きガラス基材
JP2018177592A (ja) Ｃｉｇｓ太陽電池
KR101315311B1 (ko) 후면전극 및 이를 포함하는 ｃｉｓ계 태양전지
KR101338659B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20130059227A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20110111649A (ko) 태양전지의 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150130