[go: up one dir, main page]

RU2494997C1 - Способ получения прозрачной керамики - Google Patents

Способ получения прозрачной керамики Download PDF

Info

Publication number
RU2494997C1
RU2494997C1 RU2012111310/04A RU2012111310A RU2494997C1 RU 2494997 C1 RU2494997 C1 RU 2494997C1 RU 2012111310/04 A RU2012111310/04 A RU 2012111310/04A RU 2012111310 A RU2012111310 A RU 2012111310A RU 2494997 C1 RU2494997 C1 RU 2494997C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
powder
zno
mpa
hot pressing
ceramic
Prior art date
Application number
RU2012111310/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Петр Александрович Родный
Кирилл Александрович Черненко
Станислав Дмитриевич Гаин
Ольга Геннадьевна Климова
Рачкаускас Симас
Насибулин Альберт
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "ИКС-Детектор"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "ИКС-Детектор" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "ИКС-Детектор"
Priority to RU2012111310/04A priority Critical patent/RU2494997C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2494997C1 publication Critical patent/RU2494997C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к сцинтилляционной технике, прежде всего к эффективным, быстродействующим сцинтилляционным детекторам. Описан способ получения прозрачной керамики, заключающийся в том, что предварительно в металлический порошкообразный цинк добавляют металлический порошкообразный магний, далее газофазным методом проводят синтез порошка для получения гранул в форме тетраподов и имеющих трехмерную наноструктуру, содержащую оксид магния в количестве 0,5-2,3 мас.%, затем полученную смесь подвергают горячему прессованию при температуре 1100-1200°C и давлении 100-200 МПа. Технический результат - увеличение светового выхода и уменьшение энергетических потерь. 2 ил., 3 пр.

Description

Изобретение относится к сцинтилляционной технике, прежде всего к эффективным, быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации ионизирующих излучений: рентгеновских и гамма-квантов, и может быть использовано в медицинских томографах, промышленности, космической технике, научных исследованиях.
Основные требования, предъявляемые к сцинтилляторам, - это высокая конверсионная эффективность (световой выход) и малые времена высвечивания, что особенно важно в медицинских томографах для улучшения качества детектирования и уменьшения дозы, получаемой пациентом. Во многих устройствах с высокой скоростью счета событий (время-пролетные и другие детекторы) желательно получение наносекудных и субнаносекудных времен срабатывания. Проблема высокой конверсионной эффективности, то есть уменьшения энергетических потерь при преобразовании различных видов возбуждений в световое излучение, существенна для всех видов преобразователей энергии: люминофоров, сцинтилляторов, рентгеновских экранов, лазеров и т.д. Высокое быстродействие и большая конверсионная эффективность сцинтилляторов крайне необходимы для создания высокочувствительных детекторов с высокой скоростью счета событий.
В качестве неорганических сцинтилляторов часто используют монокристаллы, поскольку они должны быть прозрачны к собственному излучению. Одним из лучших по световому выходу (38000 фотонов на МэВ) кристаллических сцинтилляторов является NaI:Tl, однако его быстродействие неудовлетворительно: постоянная спада τ=230 нс. Альтернативой монокристаллам служат прозрачные в области собственного излучения керамики. Есть области, например рентгеновская томография, в которых используют преимущественно керамические сцинтилляторы.
Прозрачные керамики оказываются в ряде случаев предпочтительнее кристаллов благодаря их высокой гомогенности. В больших кристаллах достаточно сложно получить равномерное распределение примеси (активатора). Кроме того, керамики обладают лучшими механическими и термическими свойствами (по этой причине их используют в мощных лазерах).
Известен способ получения поликристаллического керамического сцинтиллятора на основе соединения Gd3Ga5O12:Pr (US патент №6358441, С09К 011/08, 2002). Известным способом изостатического горячего прессования получают прозрачные керамики из материалов, обладающих кубической сингонией, в частности из обладающего структурой кубического граната Gd3Ga5O12:Pr, полученный сцинтиллятор обладает высоким световым выходом, но очень длительным временем высвечивания, τ=3 мкс.
Известен быстрый монокристаллический сцинтиллятор BaF2, имеющий одну из постоянных высвечивания τ=0,8 нс (US Patent 4510394, G01J 1/58, 1985). Существенным недостатком известного сцинтиллятора является низкий световой выход быстрого свечения кристалла: 5% от такового для наиболее широко используемого сцинтиллятора NaI:Tl. Другими недостатками BaF2 являются: наличие интенсивного длительного (~700 нс) компонента свечения и неудачное, с точки зрения регистрации, спектральное положение быстрого компонента (с максимумом при 220 нм).
Выращивание монокристаллического ZnO весьма дорогостоящий и трудоемкий процесс. В последнее десятилетие появились данные о выращивании небольших монокристаллов. Так в работе (Simpson, P.J., Tjossem, R., Hunt, A.W., Lynn, K..G., Munne, V., Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research A 505, 2003, 82-84) получен кристалл ZnO размером 8 мм. В работе (A. Mycielski, L. Kowalczyk, A. Szadkowski, В. Chwalisz et al. The chemical vapour transport growth of ZnO single crystals. Jornal of Alloys and Compounds 371 (2004) 150-152) сообщается о выращивании небольших монокристаллов ZnO методом Chemical Vapour Transport. При этом скорость роста кристалла составляет всего 1-2 мм в день, а прозрачность в видимой области не превышает 6%. Есть публикации по выращиванию ZnO гидротермальным методом. Это сложный технологический процесс, т.к. используемые щелочные растворы высокоагрессивны (Кортунова Е.В., Лютин В.И. Выращивание кристаллов цинкита// Разведка и охрана недр. 1995. №3, стр.9).
Известен тонкопленочный сверхбыстрый (τ=0,44 нс) сцинтиллятор на основе оксида цинка (Lorenz M., Johne R., Nobis Т., et al., Appl. Phys. Lett. 89, 2006, 243510). Такой сцинтиллятор не пригоден для регистрации рентгеновских и гамма-лучей и используется для регистрации катодных лучей. Кроме того, существенным недостатком тонкопленочного ZnO сцинтиллятора является очень низкий световой выход: 420 фотонов на МэВ или ~1% от такового для NaI:Tl.
Наиболее близким к заявляемому изобретению является способ получения прозрачной керамики на основе оксида цинка (Патент RU №2328755, МПК G01T 1/20, опубл. 10.07.2008 в бюл. №19). Известный способ получения прозрачной керамики на основе оксида цинка заключается в горячем прессовании при температуре 1150°-1250°C и давлении 100-200 МПа порошка оксида цинка с добавлением элементов III группы с концентрациями 0,05-0,4%.
Недостатком данного способа является неравномерное распределение добавки по объему керамики, что приводит к присутствию во временной зависимости интенсивности люминесценции медленной компоненты с достаточно высокой интенсивностью (-10% от общей интенсивности). Вследствие чего ухудшаются свойства получаемых из этого порошка сцинтилляционных керамик: прозрачности и энергетического разрешения.
Технические результаты, на достижение которых направлено заявляемое изобретение, заключаются в увеличении светового выхода и быстродействия, а также уменьшении энергетических потерь.
Данный технический результат достигается тем, что предварительно в исходный металлический порошкообразный цинк добавляют порошкообразный металлический магний, далее с использованием газофазного метода получения проводят синтез порошка, в результате чего получают гранулы оксида цинка в форме тетраподов, имеющих трехмерную наноструктуру, при этом полученная смесь содержит оксид магния в количестве 0,5-2,3 мас.%. После синтеза полученную смесь подвергают горячему прессованию при температуре 1100-1200°C и давлении 100-200 МПа.
Процесс газофазного метода синтеза состоит в том, что исходные вещества испаряются с испарителя и захватываются газом-носителем в объем реактора. В реакторе исходные вещества окисляются и образуют гранулы порошка, которые затем собираются на выходном фильтре реактора (А.Н. Редькин, А.И. Грузинцев, Е.Е. Якимов, О.В. Кононенко, Д.В. Рощупкин. Газофазный синтез упорядоченных массивов наностержней ZnO на подложках различного типа. // Неорганические материалы, том 47, №7, июль 2011, с.825-830).
Главной особенностью метода синтеза наноразмерных порошков оксида цинка является использование вертикального кварцевого реактора; также использовано непосредственное перемешивание металлических порошков в одном испарителе, что позволяет получать наиболее равномерное захватывание паров металлов газом-носителем (в данном случае - сухим аргоном). При этом экспериментально подобранный размер диаметра сопла (dвнутр=1 мм) в соединении испарителя и реактора позволяет эффективнее влиять на перемешивание потоков газа-окислителя и газа-носителя паров цинка. Совокупность данных особенностей синтеза порошка ZnO позволяет получать гранулы с правильной формой тетрапода.
Применение порошка оксида цинка ZnO с примесью оксида магния MgO, гранулы которого выполнены в виде тетраподов и имеющие трехмерную наноструктуру (далее нанопорошок ZnO), позволяет подавить излучение медленной компоненты люминесценции. Введение оксида магния MgO позволяет увеличить ширину запрещенной зоны. В совокупности это позволяет уменьшить энергетические потери за счет уменьшения собственного поглощения и увеличить световой выход.
Добавление оксида магния MgO в оксид цинка ZnO позволяет избавиться от медленной компоненты и получить равномерное распределение примеси.
Спектры рентгенолюминесценции ZnO:MgO керамики характеризуются основной интенсивной полосой с максимумом в области 380-390 нм, за которую ответственен распад экситонных центров.
Керамики ZnO:MgO, полученные по описанному способу, являются оптическими материалами с гексагональной решеткой, обладают плотностью более 0.99 от рентгеноструктурной и прозрачностью в видимой области спектра на уровне 30-35% при толщине образца 1 мм.
Таким образом, предлагается способ получения прозрачной керамики на основе нанопорошка ZnO с добавкой MgO, равномерно распределенной по структуре порошка. Полученный неорганический сцинтиллятор характеризуется излучением в коротковолновой (380-390 нм) области спектра и обладает повышенным быстродействием (субнаносекундный диапазон).
На фиг.1 приведен спектр люминесценции керамики ZnO:MgO (2,3 мас.%) при рентгеновском возбуждении. Видно, что на спектре отсутствует компонента, отвечающая медленному времени высвечения.
На фиг.2 приведена кривая зависимости интенсивности люминесценции от времени керамики ZnO:MgO (2,3 мас.%) при импульсном рентгеновском возбуждении. С помощью математической аппроксимации получено, что время высвечивания составляет 0,85 нс.
Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.
Предварительно в металлический порошкообразный цинк добавляют порошкообразный металлический магний, далее газофазным методом синтеза порошка добиваются наноструктуры гранул оксида цинка в форме тетрапода и равномерного распределения примеси оксида магния в количестве 0,5-2,3 мас.%. Для получения подобных гранул используют вертикальный реактор, сухой аргон в качестве газа-носителя и сопло с внутренним диаметром d=1 мм.
Подвергают одноосному горячему прессованию в вакууме при температуре 1100°-1200°C и давлении 100-200 МПа.
Заявляемый диапазон технологических параметров горячего прессования обусловлен необходимостью получения высокоплотной и прозрачной керамики из анизотропного материала. Снижение температуры ниже 1100°C и давления ниже 100 МПа горячего прессования приводит к увеличению пористости, неоднородности по плотности в объеме керамического образца и к потере его прозрачности. Увеличение температуры горячего прессования выше заявляемого предела 1200°C приводит к включению механизма вторичной рекристаллизации зерен, которая приводит к образованию островной разнозернистости в объеме керамики и, как следствие, к уменьшению ее прозрачности. Использование более высокого давления, чем 200 МПа не приводит к увеличению прозрачности или к улучшению других характеристик. В то же время это вызывает необратимые изменения технологического оборудования, в частности пресс-формы. Выбор заявляемого диапазона концентрации Mg обусловлен необходимостью достижения высокой эффективности люминесценции и быстродействия прозрачной керамики на основе ZnO. Поэтому уменьшение концентрации Mg ниже заявляемого предела приводит к существенному снижению эффективности люминесценции, а увеличение концентрации - к концентрационному тушению и к потере прозрачности керамики.
Керамики ZnO:MgO, полученные по описанному способу, являются оптическими материалами с гексагональной решеткой, обладают плотностью более 0.99 от рентгеноструктурной и прозрачностью в видимой области спектра на уровне 30-35% при толщине образца 1 мм.
Предлагаемый способ иллюстрируется следующими примерами.
Пример 1. Берут 1,521 г исходного металлического порошкообразного цинка и смешивают его с 0,079 г металлического порошкообразного магния. Полученную смесь подвергают газофазному синтезу. В результате получается 0,389 г порошка оксида цинка с наноструктрурой тетрапода и добавкой в виде оксида магния в количестве 2,3 мас.%. Эту смесь подвергают горячему прессованию в вакууме при температуре 1100°C и давлении 150 МПа в течение 60 минут. В результате получают прозрачную сцинтилляционную керамику оксида цинка, обладающую постоянной спада 0,8 нс.
Пример 2. Берут 1,432 г исходного металлического порошкообразного цинка и смешивают его с 0,051 г металлического порошкообразного магния. Полученную смесь подвергают газофазному синтезу. В результате получается 0,401 г порошка оксида цинка с наноструктрурой тетрапода и добавкой в виде оксида магния в количестве 1,5 мас.%. Эту смесь подвергают горячему прессованию в вакууме при температуре 1200°C и давлении 100 МПа в течение 85 минут. В результате получают прозрачную сцинтилляционную керамику оксида цинка, обладающую постоянной спада 0,9 нс.
Пример 3. Берут 1,522 г исходного металлического порошкообразного цинка и смешивают его с 0,081 г металлического порошкобразного магния. Полученную смесь подвергают газофазному синтезу. В результате получается 0,391 г порошка оксида цинка с наноструктрурой тетрапода и добавкой в виде оксида магния в количестве 2,3 мас.%. Эту смесь подвергают горячему прессованию в вакууме при температуре 1150°C и давлении 150 МПа в течение 75 минут. В результате получают прозрачную сцинтилляционную керамику оксида цинка, обладающую постоянной спада 0,9 нс.
Оптические сцинтилляционные керамики с улучшенными параметрами востребованы в позитрон-эмиссионной и компьютерной томографии, в смешанных PET-SPEC детекторах, в рентгеновской радиографии, а также в других устройствах, использующих ионизирующую радиацию (таможенный контроль, дефектоскопия, геофизика, мониторинг биологических объектов).

Claims (1)

  1. Способ получения прозрачной керамики, заключающийся в том, что предварительно в металлический порошкообразный цинк добавляют металлический порошкообразный магний, далее газофазным методом проводят синтез порошка для получения гранул оксида в форме тетраподов, имеющих трехмерную наноструктуру, содержащую оксид магния в количестве 0,5-2,3 мас.%, затем полученную смесь подвергают горячему прессованию при температуре 1100-1200°C и давлении 100-200 МПа.
RU2012111310/04A 2012-03-26 2012-03-26 Способ получения прозрачной керамики RU2494997C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012111310/04A RU2494997C1 (ru) 2012-03-26 2012-03-26 Способ получения прозрачной керамики

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012111310/04A RU2494997C1 (ru) 2012-03-26 2012-03-26 Способ получения прозрачной керамики

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2494997C1 true RU2494997C1 (ru) 2013-10-10

Family

ID=49302926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012111310/04A RU2494997C1 (ru) 2012-03-26 2012-03-26 Способ получения прозрачной керамики

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2494997C1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU460274A1 (ru) * 1971-12-31 1975-02-15 Предприятие П/Я А-7815 Способ получени прозрачной керамики
US4180483A (en) * 1976-12-30 1979-12-25 Electric Power Research Institute, Inc. Method for forming zinc oxide-containing ceramics by hot pressing and annealing
EP0325797A1 (en) * 1987-12-29 1989-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide whiskers having a tetrapod crystalline form and method for making the same
RU2328755C1 (ru) * 2007-03-12 2008-07-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ") Способ получения прозрачной керамики и сцинтиллятор на основе этой керамики
RU2008131000A (ru) * 2008-07-29 2009-07-20 Институт физики Дагестанского Научного Центра Российской Академии Наук (RU) Способ синтеза керамики на основе оксида цинка

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU460274A1 (ru) * 1971-12-31 1975-02-15 Предприятие П/Я А-7815 Способ получени прозрачной керамики
US4180483A (en) * 1976-12-30 1979-12-25 Electric Power Research Institute, Inc. Method for forming zinc oxide-containing ceramics by hot pressing and annealing
EP0325797A1 (en) * 1987-12-29 1989-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Zinc oxide whiskers having a tetrapod crystalline form and method for making the same
RU2328755C1 (ru) * 2007-03-12 2008-07-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ") Способ получения прозрачной керамики и сцинтиллятор на основе этой керамики
RU2008131000A (ru) * 2008-07-29 2009-07-20 Институт физики Дагестанского Научного Центра Российской Академии Наук (RU) Способ синтеза керамики на основе оксида цинка

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yao et al. High‐Quality Cs3Cu2I5 Single‐Crystal is a Fast‐Decaying Scintillator
Futami et al. Optical and scintillation properties of Sc2O3, Y2O3 and Lu2O3 transparent ceramics synthesized by SPS method
Wu et al. Single crystal and optical ceramic multicomponent garnet scintillators: A comparative study
US9561969B2 (en) Intrinsic complex halide elpasolite scintillators and methods of making and using same
US20180284300A1 (en) A method of shortening the scintillation
Demidenko et al. Scintillation properties of ceramics based on zinc oxide
Luo et al. Microstructure and optical characteristics of Ce: Gd3 (Ga, Al) 5O12 ceramic for scintillator application
Yanagida et al. Ce-doped LiF–SrF2 eutectic scintillators for thermal neutron detection produced at different solidification rates
Voloshyna et al. Fast ultradense GdTa1-xNbxO4 scintillator crystals
EP2685286A1 (en) Neutron beam detection device
Mykhaylyk et al. Growth, structure, and temperature dependent emission processes in emerging metal hexachloride scintillators Cs 2 HfCl 6 and Cs 2 ZrCl 6
Prusa et al. Tailoring and optimization of LuAG: Ce epitaxial film scintillation properties by Mg co-doping
Chewpraditkul et al. Scintillation properties of Gd3 (Al5-xGax) O12: Ce (x= 2.3, 2.6, 3.0) single crystals
Kobayashi et al. Further study on different dopings into PbWO4 single crystals to increase the scintillation light yield
Sreebunpeng et al. Luminescence and scintillation properties of advanced Lu3Al5O12: Pr3+ single crystal scintillators
Mazhdi et al. The investigation of scintillation properties of gadolinium doped zinc oxide nanoparticles for nuclear radiation detection
Chen et al. Fabrication and optical properties of cerium doped Lu3Ga3Al2O12 scintillation ceramics
Arai et al. Development of rare earth doped CaS phosphors for radiation detection
Dormenev et al. Radiation tolerant YAG: Ce scintillation crystals grown under reducing Ar+ CO atmosphere
Rodnyi et al. Scintillating ceramics based on zinc oxide
Drozdowski et al. Scintillation properties of Pr-activated LuAlO3
Ueno et al. Tungsten co-doping effects on Ce: Gd3Ga3Al2O12 scintillator grown by the micro-pulling down method
Horiai et al. Crystal growth and luminescence properties of Yb2Si2O7 infra-red emission scintillator
Owens et al. γ-ray performance of a 1242 cm3 LaCl3: Ce scintillation spectrometer
Rooh et al. The growth and scintillation properties of CsCe2Cl7 crystal

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140327