[go: up one dir, main page]

RU2494983C2 - Стеклянные фритты - Google Patents

Стеклянные фритты Download PDF

Info

Publication number
RU2494983C2
RU2494983C2 RU2010135771/03A RU2010135771A RU2494983C2 RU 2494983 C2 RU2494983 C2 RU 2494983C2 RU 2010135771/03 A RU2010135771/03 A RU 2010135771/03A RU 2010135771 A RU2010135771 A RU 2010135771A RU 2494983 C2 RU2494983 C2 RU 2494983C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
frit
amount
substrate
conductive paste
following
Prior art date
Application number
RU2010135771/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010135771A (ru
Inventor
Роберт ПРАНЧЭК
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2010135771A publication Critical patent/RU2010135771A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2494983C2 publication Critical patent/RU2494983C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/08—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/20—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

Изобретение относится к стеклянным фриттам, проводящим пастам, содержащим фритту, и изделиям, на которые нанесены такие проводящие пасты. Техническим результатом изобретения является снижение температуры обжига фритты. Фритта для проводящей пасты для применения в просветляющем покрытии на полупроводнике для использования в качестве фотогальванического элемента содержит: ТеО2, В2О3, Bi2O3 и SiO2. При этом данная фритта не содержит целенаправленно добавленного свинца, так что при обжиге, фритта проникает через просветляющий слой, позволяя тем самым формировать омический контакт между проводящей пастой и полупроводником. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл.

Description

Область техники изобретения
Варианты выполнения настоящего изобретения относятся к стеклянным фриттам, проводящим пастам, содержащим фритту, и изделиям, на которые нанесены такие проводящие пасты.
Предшествующий уровень техники изобретения
В проводящих пастах, матовых эмалях и декоративных эмалях обычно используют стеклянные фритты на основе свинца, так как они обладают низким интервалом плавления, низкой вязкостью расплава и устойчивостью относительно неконтролируемого расстеклования. Матовые эмали используют в автомобильной промышленности, а проводящие пасты используют в электронной промышленности, в том числе в производстве фотоэлементов или фотогальванических элементов.
Фотогальванические (ФГ) элементы превращают солнечный свет в электричество за счет переноса носителей заряда из валентной зоны полупроводника в проводящую зону полупроводника. При взаимодействии фотонов солнечного света и легированных полупроводниковых материалов образуются пары электрон-дырка, являющиеся носителями заряда. Эти пары электрон-дырка, являющиеся носителями заряда, мигрируют в электрическом поле, генерируемом p-n полупроводниковым переходом, и собираются посредством проводящей сетки или металлического контакта, отпечатанных или нанесенных на поверхность полупроводника, через который ток идет во внешнюю цепь. Кристаллические кремниевые ФГ элементы в современной промышленности обычно покрывают просветляющим покрытием для способствования поглощению света, что повышает эффективность ФГ элементов. Однако просветляющее покрытие обуславливает высокое электрическое сопротивление носителю заряда, движущемуся от полупроводника к металлическому контакту. Такие просветляющие покрытия обычно содержат нитрид кремния, диоксид титана или оксид кремния.
Проводящие пасты используют для формирования упомянутых проводящих сеток или металлических контактов. Проводящие пасты обычно содержат стеклянную фритту, проводящий материал, такой как частицы серебра, и органическую среду. Для формирования металлических контактов проводящие пасты наносят на субстрат в форме линий сетки или в другой форме посредством трафаретной печати или другим способом. Субстрат затем обжигают, во время чего возникает электрический контакт между линиями сетки и субстратом. Образовавшийся контакт усиливается за счет образования отдельных кристаллитов серебра на границе между стеклом и субстратом. Не ограничиваясь какой-либо теорией, считают, что носители заряда переносятся из субстрата к кристаллитам серебра и затем переносятся к линиям сетки через слой стекла посредством туннельного перехода или непосредственно к серебру линий сетки, если существует прямой контакт кристаллита и с сеткой, и полупроводником. В данном способе желательны более низкие температуры обжига ввиду более низкой стоимости и экономии энергии.
Как указано в настоящем тексте, просветляющее покрытие усиливает поглощение света, но также выступает в качестве изолятора, который предотвращает движение возбужденных электронов от субстрата к металлическим контактам. Соответственно, проводящая паста должна проникать через просветляющее покрытие для формирования металлических контактов, имеющих омический контакт с субстратом. Для этого проводящие пасты содержат стеклянные фритты для содействия спеканию частиц серебра с субстратом и улучшения адгезии и омического контакта между сформированным металлическим контактом и субстратом. При разжижении стеклянная фритта приобретает склонность к течению в направлении границы между частицами серебра и просветляющим покрытием субстрата. Расплавленное стекло растворяет вещества просветляющего покрытия, а также некоторые металлические частицы и субстрат. При снижении температуры расплавленное серебро и расплавленный или растворенный субстрат кристаллизуются из жидкой фазы. В результате, некоторые из кристаллитов серебра способны проникать через просветляющий слой и образовывать омический контакт с субстратом. Данный способ называется "fire-through", он облегчает формирование низкого сопротивления контакта и более прочной связи между токопроводящей сеткой или металлическим контактом и субстратом.
В автомобильной, электронной промышленности и в производстве солнечных фотоэлементов придается большое значение использованию безопасных для окружающей среды компонентов и способов. Это также было вызвано необходимостью соответствия природоохранному законодательству. В результате, индустрия солнечных фотоэлементов стремится избежать использования свинца в компонентах и материалах, используемых в панелях солнечных фотоэлементов.
Соответственно, существует потребность в стеклянной фритте, не содержащей свинец, которую можно обжигать при более низкой температуре, и которая может проникать через просветляющий слой и формировать металлические контакты в омическом контакте с субстратом.
Краткое описание изобретения
Варианты выполнения настоящего изобретения касаются теллурсодержащих фритт без целенаправленного добавления свинца и их применения. По одному или более вариантам выполнения изобретения описанные здесь фритты обладают очень низкой вязкостью и являются особенно коррозионными. Например, в одном или более вариантах выполнения изобретения фритты имеют тенденцию растворять огнеупорные материалы, обычно используемые в ФГ применениях в качестве просветляющих слоев, такие как SiO2, TiO2 и SiNx.
Частные варианты выполнения изобретения включают фритту без целенаправленного добавления свинца, которая включает TeO2 и Bi2O3 и/или SiO2. При использовании в тексте настоящей заявки термины "без целенаправленного добавления свинца" и "по существу не содержащая свинца" означают фритту, содержащую свинец в количестве менее около 1000 чнм. В одном или более вариантах выполнения изобретения ТеО2 присутствует в количестве от около 0.01 масс.% до около 10 масс.%. Другой вариант выполнения изобретения также включает B2O3. По одному варианту выполнения изобретения фритта также включает по меньшей мере один первый оксидный компонент. Второй вариант выполнения настоящего изобретения также включает по меньшей мере один второй оксидный компонент, в то время как третий вариант выполнения включает по меньшей мере один оксид щелочного металла. По меньшей мере один оксид щелочноземельного металла включен в другой вариант выполнения по настоящему изобретению.
Первый оксидный компонент по одному или более вариантам выполнения изобретения может включать ZnO и/или Al2O3. ZnO присутствует в одном варианте выполнения в количестве от около 0 масс.% до около 15 масс.%, в то время как Al2O3 присутствует в количестве от около 0 масс.% до около 3 масс.% в другом варианте выполнения изобретения. Второй оксидный компонент по одному варианту выполнения изобретения включает Ag2O, Sb2O3, GeO2, In2O3, P2O5, V2O5, Nb2O5 и Ta2O5 и может присутствовать в следующих количествах: Ag2O, P2O5, V2O5, Nb2O5 и/или Ta2O5 присутствуют в количестве от около 0 масс.% до около 8 масс.%; In2O3 и/или Sb2O3 присутствуют в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 5 масс.%; и GeO2 присутствует в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 10 масс.%. В вариантах выполнения с применением по меньшей мере одного оксида щелочного металла используются Na2O, Li2O и/или K2O в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 3 масс.%, в то время как в вариантах выполнения с по меньшей мере одним оксидом щелочноземельного металла используются ВаО, СаО, MgO и/или SrO в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 8 масс.%.
По другому аспекту настоящего изобретения проводящая паста содержит по существу не содержащую свинца фритту, содержащую TeO2 и Bi2O3 и/или SiO2, вместе с проводящими материалами, и без целенаправленного добавления свинца. Один или более вариантов выполнения проводящей пасты включают ТеО2 в количестве в диапазоне от около 0.01 масс.% до около 10 масс.%. В другом варианте выполнения изобретения в качестве проводящего материала используют серебро. По одному или более вариантам выполнения проводящая паста включает фритты, которые также содержат В2О3. Другие варианты выполнения проводящей пасты могут включать фритту, которая содержит по меньшей мере один первый оксидный компонент, по меньшей мере один второй оксидный компонент, по меньшей мере один оксид щелочного металла и/или по меньшей мере один оксид щелочноземельного металла. По одному варианту выполнения изобретения фритта присутствует в проводящей пасте в количестве в диапазоне от около 1 масс.% до около 5 масс.%.
Другой аспект настоящего изобретения включает изделие, содержащее субстрат и проводящую пасту, описанную в настоящем тексте, нанесенную на субстрат. По одному или более вариантам выполнения изобретения субстрат представляет собой полупроводник, листовое стекло и/или эмаль, нанесенную на листовое стекло. Варианты выполнения изобретения с использованием полупроводникового субстрата также включают просветляющий слой, нанесенный на субстрат, с проводящей пастой, нанесенной на просветляющий слой. В более частном варианте выполнения просветляющий слой содержит SiO2, TiO2 или SiNx.
В одном или более вариантах выполнения данного изделия проводящая паста содержит по существу не содержащую свинца фритту и проводящий материал. В частном варианте выполнения фритта содержит B2O3 и TeO2.
Выше довольно широко были очерчены некоторые признаки и технические преимущества настоящего изобретения. Специалистам в данной области техники будет понятно, что описанные частные варианты выполнения можно легко использовать в качестве основы для изменения или разработки других структур или способов в рамках объема настоящего изобретения. Также специалистам в данной области техники будет понятно, что такие эквивалентные конструкции не выходят за рамки сущности и объема настоящего изобретения, описанных в прилагаемой формуле изобретения.
Подробное описание изобретения
Перед описанием некоторых иллюстративных вариантов выполнения настоящего изобретения, необходимо понимать, что настоящее изобретение не ограничивается деталями конструкции или стадиями способов, описанными далее в данном тексте. Возможны другие варианты выполнения настоящего изобретения, которые можно осуществлять или выполнять различными способами.
Частные варианты выполнения настоящего изобретения включают фритту без целенаправленного добавления свинца, которая содержит TeO2 и Bi2O3 и/или SiO2. В одном или более вариантах выполнения изобретения TeO2 присутствует в количестве от около 0.01 масс.% до около 10 масс.%. В более частном варианте выполнения изобретения TeO2 присутствует в количестве от около 0.5 масс.% до около 5 масс.%. В еще более частном варианте выполнения ТеО2 присутствует в количестве от около 0.5 масс.% до около 2 масс.%. В одном или более вариантах выполнения изобретения B2O3 содержится во фритте в количестве в диапазоне от около 40 масс.% до около 95 масс.%. В частном варианте выполнения изобретения B2O3 присутствует в диапазоне от около 50 масс.% до около 80 масс.%, в то время как в более частном варианте выполнения, В2О3 содержится в диапазоне от около 60 масс.% до около 75 масс.%.
Один или более вариантов выполнения изобретения фритты включают SiO2 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 30 масс.%. В частных вариантах выполнения SiO2 может содержаться в количестве в диапазоне от около 1 масс.% до около 4 масс.%.
По одному или более вариантам выполнения изобретения в состав фритты также включен B2O3. В частном варианте выполнения B2O3 содержится в количестве в диапазоне от около 0.1 масс.% до около 10 масс.%. В более частном варианте выполнения, B2O3 содержится в количестве в диапазоне от около 0.5 масс.% до около 8 масс.%. В еще более частном варианте выполнения В2О3 содержится в количестве в диапазоне от около 1 масс.% до около 4 масс.%.
Один вариант выполнения настоящего изобретения включает фритту, содержащую TeO2, Bi2O3, SiO2 и B2O3. Другой пример фритты содержит TeO2, Bi2O3, SiO2, B2O3, ZnO и Al2O3. Дополнительный вариант выполнения фритты содержит от 0.01% до 10 масс.% TeO2, от 40% до 95 масс.% B2O3, от 0% до 30 масс.% SiO2, от 0.1% до 10 масс.% B2O3, от 0% до 15 масс.% ZnO и от 0% до 3 масс.% Al2O3. Другой вариант выполнения настоящего изобретения включает фритту, содержащую TeO2, Bi2O3, SiO2, ВэОз, ZnO и второй оксидный компонент. В одном или более вариантах выполнения ZnO замещен Al2O3, в то время как другой вариант выполнения содержит как ZnO, так и Al2O3.
Один вариант выполнения настоящего изобретения включает но меньшей мере первый оксидный компонент, такой как:
ZnO в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 10 масс.%; и/или
Al2O3 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 2 масс.%.
Другой вариант выполнения настоящего изобретения включает по меньшей мере один второй оксидный компонент, включая:
Ag2O в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
Sb2O3 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
GeO2 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
In2O3 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
P2O5 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
V2O5 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
Nb2O5 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%; и/или
Ta2O5 в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%.
Один или более варианты выполнения настоящего изобретения включают по меньшей мере один оксид щелочного металла, включая:
Na2O в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 2 масс.%;
Li2O в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 2 масс.%; и/или
К2О в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 2 масс.%.
Дополнительные варианты выполнения настоящего изобретения также включают по меньшей мере один оксид щелочноземельного металла, такой как:
ВаО в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%;
СаО в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 2 масс.%;
MgO в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 2 масс.%; и/или
SrO в количестве в диапазоне от около 0 масс.% до около 4 масс.%.
Один или более варианты выполнения настоящего изобретения включают проводящие пасты, в которых используются описанные в настоящем тексте фритты и проводящие материалы. В одном или более вариантах выполнения в проводящей пасте используется проводящий материал, такой как серебро в порошкообразной или дисперсной форме. В одном или более вариантах выполнения частицы серебра могут быть сферическими, хлопьевидными или аморфными, или могут находиться в коллоидной суспензии. Другие неограничивающие примеры подходящих проводящих материалов включают проводящие металлы, такие как золото, медь и платина в порошкообразной или дисперсной форме.
Соединения серебра, используемые в одном или более вариантах выполнения, могут иметь вид тонкоизмельченного порошка металлического серебра или сплавов серебра. В других вариантах выполнения некоторую часть серебра можно добавлять в виде оксида серебра (Ag2O), солей серебра, таких как хлорид серебра (AgCl), нитрат серебра (AgNO3) и/или ацетат серебра.
Проводящие пасты по одному или более вариантам выполнения настоящего изобретения также содержат порошки теллурата висмута и/или силиката висмута. Было обнаружено, что добавление порошков теллурата висмута и/или силиката висмута может управлять кристаллизацией стеклянной фритты за счет смещения начала кристаллизации в сторону более низких температур. Хотя настоящее изобретение не связано с какой-либо теорией, считают, что порошки теллурата висмута и/или силиката висмута обеспечивают центры кристаллизации для роста кристаллов. При фотогальваническом применении стеклянная фритта должна проникать через просветляющий слой или растворять его, чтобы обеспечить образование серебром омического контакта, однако желательно регулирование агрессивности стеклянной фритты для предотвращения ее проникновения через полупроводниковый переход, что приведет к шунтированию устройства. В других вариантах выполнения изобретения используются другие известные фазы, которые производят такой же или аналогичный эффект, как и теллурат висмута и/или силикат висмута, такие как диоксид титана, диоксид циркония, фосфорные соединения и другие.
Проводящая паста по одному или более вариантам выполнения также может включать жидкий носитель. Считают, что жидкий носитель диспергирует дисперсные компоненты и облегчает перенос композиции пасты на поверхность. В частности, жидкий носитель, который по одному или более вариантам выполнения, изобретения состоит из растворителя (растворителей) и растворенного органического полимера (полимеров), диспергирует проводящие материалы и фритту с получением пасты, имеющую подходящую вязкость. Помимо влияния на вязкость пасты считают, что полимер (полимеры) улучшают адгезию и дообжиговую прочность пасты после нанесения на субстрат и сушки. Различные жидкие носители с загустителями, стабилизаторами, поверхностно-активными средствами, противовспенивателями и/или другими обычными добавками или без них могут использоваться в получении вариантов выполнения настоящего изобретения. Примеры жидких носителей, которые можно использовать, включают спирты (включая гликоли), сложные эфиры данных спиртов, такие как ацетаты, пропионаты и фталаты, например, дибутилфталат, терпены, такие как сосновое масло, терпинеол и тому подобные. Более частные примеры жидких носителей включают монобутиловый эфир диэтиленгликоля, терпинеол, изопропанол, тридеканол, воду и 2,2,4-триметил-1,3-пентандиол моноизобутират. В некоторых вариантах выполнения используются носители, которые также содержат летучие жидкости для способствования быстрому осаждению после нанесения на субстрат.
Примеры подходящих органических полимеров, растворенных в жидком носителе, включают этилцеллюлозу, метилцеллюлозу, нитроцеллюлозу, этилгидроксиэтилцеллюлозу, карбоксиметилцеллюлозу, гидроксипропилцеллюлозу и другие производные целлюлозы. Другие примеры включают такие полимеры, как эфиры акриловой кислоты, эфиры метакриловой кислоты, поливиниловые спирты, поливинилбутирали, полиэфиры и поликетоны.
В одном частном варианте выполнения изобретения используют растворы полимеров, таких как полиметакрилаты низших спиртов, в то время как в более частном варианте выполнения жидкий носитель включает этилцеллюлозу, растворенную в растворителях, таких как сосновое масло и монобутиловый эфир диэтиленгликоля.
Соотношение жидкого носителя и твердого остатка в проводящей пасте по одному или более вариантам выполнения может значительно варьироваться и определяется вязкостью конечного требуемого состава, которая, в свою очередь, определяется требованиями системы к трафаретной печати. В одном или более вариантах выполнения изобретения проводящая паста может содержать от около 50 до около 95 масс.% твердого остатка и от около 5 до около 50 масс.% жидкого носителя.
Один или более вариантов выполнения проводящих паст могут также дополнительно содержать другие добавки, известные в данной области техники, такие как красители и красящие вещества, модификаторы реологии, средства, повышающие адгезию, ингибиторы спекания, модификаторы дообжиговой прочности, поверхностно-активные вещества и так далее.
В одном или более вариантах выполнения настоящего изобретения в композицию покрытия включен консервант. В некоторых вариантах выполнения используются такие консерванты, как борная кислота, фосфорная кислота, соляная кислота, азотная кислота, серная кислота и/или их комбинации, в то время как в других вариантах выполнения используются другие консерванты, известные в данной области техники.
Другой аспект настоящего изобретения касается изделий, включающих субстрат и проводящую пасту, нанесенную на субстрат. Один или более вариантов выполнения включают проводящую пасту, содержащую описанную в данном тексте фритту, то есть, фритту, содержащую TeO2, без целенаправленного добавления свинца. Примеры субстратов включают полупроводниковые пластины, листовое стекло и другие подходящие субстраты, используемые в фотогальванической промышленности для получения фотоэлементов. В одном варианте выполнения полупроводниковый субстрат легируют фосфором, в то время как другой вариант выполнения включает легированные проводящие пасты. По одному варианту выполнения настоящего изобретения полупроводниковый субстрат содержит аморфный, поликристаллический или монокристаллический кремний.
В одном или более вариантах выполнения изобретения полупроводниковый субстрат имеет нанесенное на него просветляющее покрытие, и проводящая паста отпечатана на поверхности просветляющего покрытия. Просветляющее покрытие по некоторым вариантам выполнения содержит диоксид кремния, диоксид титана, нитрид кремния или другие покрытия, известные в данной области техники.
Для получения полупроводниковых субстратов с нанесенной на них проводящей пасты можно использовать способы, известные в данной области техники. В одном или более вариантах выполнения используется кристаллический кремний, который может быть аморфным, монокристаллическим или поликристаллическим. Покрытия можно наносить на субстраты, и такие покрытия или слои можно получать известными способами, такими как химическое осаждение из паровой среды, осаждение из плазмы и так далее. Просветляющие покрытия также можно наносить с использованием методик химического осаждения из паровой среды. В некоторых вариантах выполнения изобретения для нанесения просветляющего покрытия на субстрат используют усиленные плазмой методики химического осаждения из паровой среды. Полупроводниковые изделия по одному или более вариантам выполнения изобретения также могут быть протравлены или текстурированы для уменьшения отражения солнечного света и повышения степени поглощения света. По одному или более вариантам выполнения после этого на поверхность субстрата или на просветляющее покрытие наносится проводящая паста трафаретной печатью или другими методиками. Субстрат нагревают или обжигают до температуры от около 750° до 850°С для спекания частиц проводящей пасты в линии сетки. Как описано в настоящей заявке, обжигание позволяет стеклянной фритте расплавиться и проникнуть через просветляющее покрытие, нанесенное на субстрат, или растворить его. В одном или более вариантах выполнения изобретения проводящие материалы формируют кристаллиты на границе с фриттой и с поверхностью субстрата, что улучшает электрический или омический контакт между металлическими контактами, сформированными проводящей пастой, и полупроводниковым субстратом.
Один или более варианты выполнения настоящего изобретения включают субстраты в виде листового стекла с нанесенной на них методом печати проводящей пастой. В частном примере листовое стекло представляет собой автомобильный задний фонарь. В других примерах на листовое стекло нанесена эмаль, и на эмаль нанесена проводящая паста. Используемые в некоторых вариантах выполнения эмали могут представлять собой матовые эмали, обеспечивающие защиту от ультрафиолетовых лучей, способных повреждать адгезивные клеи, которыми крепятся автомобильные ветровые стекла к корпусу машины. Варианты выполнения субстратов в виде листового стекла также могут включать гибкий промежуточный слой, обычно изготовленный из поливинилбутирата ("PVB").
Как и в вариантах выполнения изобретения, касающихся полупроводниковых изделий с нанесенной на них проводящей пастой, проводящую пасту можно наносить на субстрат в виде листового стекла или эмалевый субстрат методом трафаретной печати или другим известным способом. В других вариантах выполнения субстраты обжигают при температуре от около 600° до 750°С для спекания частиц проводящей пасты в линии сетки.
Не ограничивая настоящее изобретение каким-либо образом, в представленных далее примерах более полно описаны варианты выполнения изобретения.
ПРИМЕРЫ
Получали две пасты (Паста А и Паста В), содержащие по меньшей мере фритту и проводящий материал. Пасты А и В получали по общей методике. Общая методика включает дозирование и диспергирование образцов с помощью трехвалковой мельницы. Альтернативные способы диспергирования, известные в данной отрасли промышленности, такие как помол в шаровой мельнице, помол в песчаной мельнице и помол в коллоидной мельнице, также можно использовать для диспергирования твердых частиц в органической связующей среде.
Обе пасты А и В имели содержание фритты 3 масс.% и серебро в количестве 97 масс.% (из расчета на массу твердого вещества). Обе фритты представляли собой висмут-боросиликатные композиции, имели одинаковые коэффициенты термического расширения и температуры стеклования. Паста А содержала известную в данной области техники фритту без целенаправленного добавления свинца. Паста В содержала известную в данной области техники фритту без целенаправленного добавления свинца, которая также содержала TeO2.
Использовали восемь текстурированных, монокристаллических кремниевых пластин с 40 ом/квадрат фосфор-легированным эмиттером и бор-легированной базой, имеющих просветляющее покрытие из нитрида кремния. На задних поверхностях этих восьми пластин отпечатывали коммерчески доступную алюминиевую пасту для задних поверхностей и серебряную пасту контакта с тыльной поверхности. Обе пасты тщательно высушивали. Затем на фронтальной поверхности четырех пластин отпечатывали пасту А с помощью сита 325 меш (Элементы 1-4). На фронтальной поверхности четырех остальных пластин аналогичным образом отпечатывали пасту В (Сравнительные Элементы 5-8). ФГ элементы затем высушивали и обжигали в печи с инфракрасным излучением до пиковой температуры обжига, указанной в Таблице 1. Каждую пластину обжигали при пиковой температуре приблизительно от 3 до 5 секунд. После охлаждения полученные части тестировали на предмет их вольт-амперных (ВА) характеристик.
ТАБЛИЦА 1:
СРАВНЕНИЕ СЛОЕВ ЭМАЛИ
  Элемент 1 Элемент 2 Элемент 3 Элемент 4
Коэффициент заполнения(FF) 0.467 0.523 0.494 0.562
Эффективность (Eff) 9.8 11.4 10.8 12.3
Пиковая температура обжига 800°C 820°C 820°C 820°C
 
  Сравнительный Элемент 5 Сравнительный Элемент 6 Сравнительный Элемент 7 Сравнительный Элемент 8
Коэффициент заполнения (FF) 0.591 0.659 0.659 0.681
Эффективность (Eff) 11.2 14.3 14.3 14.8
Пиковая температура обжига 800°С 820°С 820°С 820°С
"Коэффициент заполнения" и "эффективность" относятся к измерениям производительности полупроводника. Термин "коэффициент заполнения" определяют как соотношение максимальной мощности (Vmp×Jmp), деленной на ток короткого замыкания (Isc) и напряжение разомкнутой цепи (Voc) в характеристиках плотности фототока-напряжения (J-V) для фотоэлементов. Напряжение разомкнутой цепи (Voc) представляет собой максимальное напряжение, получаемое в нагрузке в режиме холостого хода. Плотность тока короткого замыкания (Jsc) представляет собой максимальный ток через нагрузку в режиме короткого замыкания. Коэффициент заполнения (FF), таким образом, определяют как (VmpJmp)/(VocJsc), где Jmp и Vmp представляют собой плотность тока и напряжение при максимальном значении мощности. КПД гальванического элемента, η, задается уравнением η=(IscVocFF)/Pin где Isc равно току короткого замыкания, Voc равно напряжению разомкнутой цепи, FF равно коэффициенту заполнения и Pin представляет собой мощность падающего солнечного излучения.
Коэффициент заполнения и эффективность Сравнительных Элементов 5-8, которые содержат TeO2, была значительно выше, чем у Элементов 1-4, которые не содержали TeO2. Данное улучшение наблюдали при обеих температурах обжига. Без опоры на какую-либо теорию, считают, что использование TeO2 снижает вязкость расплавленной фритты, таким образом позволяя фритте проникать через просветляющий слой ФГ элемента, растворять и/или разъедать его, улучшая омический контакт между серебром или сформированным металлическим контактом и субстратом элемента.
Упоминание в настоящем описании "одного варианта выполнения изобретения", "некоторых вариантов выполнения изобретения", "одного или более вариантов выполнения изобретения" или "варианта выполнения изобретения" означает, что конкретный признак, структура, материал или особенность, описанные в связи с данным вариантом выполнения, включены по меньшей мере в один вариант выполнения данного изобретения. Таким образом фразы, такие как "в одном или более вариантах выполнения изобретения", "в некоторых вариантах выполнения изобретения", "в одном варианте выполнения изобретения" или "в варианте выполнения изобретения" в различных местах настоящего описания необязательно касаются одного и того же варианта выполнения изобретения. Кроме того, частные признаки, структуры, материалы или особенности могут комбинироваться любым подходящим образом в одном или более вариантах выполнения.
Несмотря на то, что изобретение в данном тексте было описано со ссылкой на частные варианты выполнения, необходимо понимать, что данные варианты выполнения только иллюстрируют принципы и области применения настоящего изобретения. Специалистам в данной области техники понятно, что возможны различные модификации и изменения способа и аппаратного оформления настоящего изобретения без выхода за рамки сущности и объема изобретения. Таким образом, предполагается, что настоящее изобретение включает модификации и изменения, которые находятся в рамках прилагаемой формулы изобретения и ее эквивалентов.

Claims (14)

1. Фритта для проводящей пасты для применения в просветляющем покрытии на полупроводнике для использования в качестве фотогальванического элемента, причем фритта содержит: ТеО2, В2О3, Bi2O3 и SiO2, при этом данная фритта не содержит целенаправленно добавленного свинца, так что при обжиге фритта проникает через просветляющий слой, позволяя тем самым формировать омический контакт между проводящей пастой и полупроводником.
2. Фритта по п.1, дополнительно содержащая по меньшей мере один первый оксидный компонент, выбранный из одного или более из следующих: ZnO, Al2O3 и их комбинаций.
3. Фритта по п.1 или 2, дополнительно содержащая по меньшей мере один второй оксидный компонент, выбранный из одного или более из следующих: Ag2O, Sb2O3, GeO2, ln2O3, P2O5, V2O5, Nb2O5, Ta2O5 и их комбинаций.
4. Фритта по п.1, дополнительно содержащая по меньшей мере один оксид щелочного металла, выбранный из одного или более из следующих: Na2O, Li2O, K2O и их комбинаций.
5. Фритта по п.1, дополнительно содержащая по меньшей мере один оксид щелочноземельного металла, выбранный из одного или более из следующих: BaO, CaO, MgO, SrO и их комбинаций.
6. Фритта по п.1, где ТеО2 присутствует в количестве в диапазоне от около 0,1 мас.% до около 10 мас.%.
7. Фритта по п.6 дополнительно содержащая по меньшей мере один первый оксидный компонент, выбранный из одного или более из следующих:
ZnO в количестве до около 15 мас.% и
Аl2О3 в количестве до около 3 мас.%.
8. Фритта по п.6 или 7, дополнительно содержащая по меньшей мере один второй оксидный компонент, выбранный из одного или более из следующих:
Ag2O в количестве до около 8 мас.%;
Sb2O3 в количестве до около 5 мас.%;
GeO2 в количестве до около 10 мас.%;
In2О3 в количестве до около 5 мас.%;
Р2О5 в количестве до около 8 мас.%;
V2O5 в количестве до около 8 мас.%;
Nb2O5 в количестве до около 8 мас.% и
Та2О5 в количестве до около 8 мас.%.
9. Проводящая паста, содержащая, по существу, не содержащую свинца фритту по любому из пп.1-8 и проводящий материал.
10. Паста по п.9, где фритта содержится в количестве в диапазоне от около 1 мас.% до около 5 мас.%.
11. Паста по п.9, дополнительно содержащая один или более из следующих: теллурат висмута и силикат висмута, диоксид титана, диоксид циркония, соединения фосфора и их комбинации.
12. Изделие, содержащее субстрат и проводящую пасту по п.9, нанесенную на субстрат.
13. Изделие по п.12, в котором субстрат представляет собой один из следующих: полупроводник, листовое стекло или эмаль, нанесенную на листовое стекло.
14. Изделие по п.13, в котором просветляющий слой, содержащий TiO2 и Si3N4, нанесен непосредственно на субстрат, и проводящая паста нанесена на просветляющий слой.
RU2010135771/03A 2008-01-30 2009-01-27 Стеклянные фритты RU2494983C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/022,294 US7736546B2 (en) 2008-01-30 2008-01-30 Glass frits
US12/022,294 2008-01-30
PCT/US2009/032107 WO2009097264A1 (en) 2008-01-30 2009-01-27 Glass frits

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010135771A RU2010135771A (ru) 2012-03-10
RU2494983C2 true RU2494983C2 (ru) 2013-10-10

Family

ID=40566541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010135771/03A RU2494983C2 (ru) 2008-01-30 2009-01-27 Стеклянные фритты

Country Status (11)

Country Link
US (2) US7736546B2 (ru)
EP (1) EP2247547B1 (ru)
JP (1) JP5523349B2 (ru)
KR (1) KR101552745B1 (ru)
CN (1) CN101932535B (ru)
BR (1) BRPI0907092A2 (ru)
CA (1) CA2712348C (ru)
IL (1) IL206987A (ru)
MY (1) MY153986A (ru)
RU (1) RU2494983C2 (ru)
WO (1) WO2009097264A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2614763C1 (ru) * 2016-02-09 2017-03-29 Юлия Алексеевна Щепочкина Эмалевое покрытие

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7736546B2 (en) * 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
US8563352B2 (en) * 2008-02-05 2013-10-22 Gtat Corporation Creation and translation of low-relief texture for a photovoltaic cell
WO2009128527A1 (ja) * 2008-04-18 2009-10-22 日本電気硝子株式会社 色素増感型太陽電池用ガラス組成物および色素増感型太陽電池用材料
US20110094584A1 (en) * 2008-06-17 2011-04-28 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Solar cell substrate and oxide semiconductor electrode for dye-sensitized solar cell
US8668798B2 (en) * 2009-06-30 2014-03-11 Guardian Industries Corp. Non-toxic water-based frit slurry paste, and assembly incorporating the same
JP2011044426A (ja) 2009-07-24 2011-03-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 太陽電池用導電膜付ガラス基板
KR101139459B1 (ko) 2009-08-27 2012-04-30 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
JP5559509B2 (ja) 2009-10-28 2014-07-23 昭栄化学工業株式会社 太陽電池電極形成用導電性ペースト
JP5559510B2 (ja) * 2009-10-28 2014-07-23 昭栄化学工業株式会社 太陽電池素子及びその製造方法
CN102939271B (zh) * 2010-04-15 2016-08-03 费罗公司 低温熔化的无铅铋密封玻璃
CN107424662B (zh) * 2010-05-04 2019-11-08 E.I.内穆尔杜邦公司 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途
JP5011428B2 (ja) 2010-10-07 2012-08-29 昭栄化学工業株式会社 太陽電池素子並びにその製造方法
EP2442367B1 (en) * 2010-10-14 2014-07-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Improved method for forming metal contacts
US9290408B2 (en) * 2011-02-22 2016-03-22 Guardian Industries Corp. Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same
US8802203B2 (en) 2011-02-22 2014-08-12 Guardian Industries Corp. Vanadium-based frit materials, and/or methods of making the same
US9359247B2 (en) 2011-02-22 2016-06-07 Guardian Industries Corp. Coefficient of thermal expansion filler for vanadium-based frit materials and/or methods of making and/or using the same
US9458052B2 (en) 2011-02-22 2016-10-04 Guardian Industries Corp. Coefficient of thermal expansion filler for vanadium-based frit materials and/or methods of making and/or using the same
KR101941716B1 (ko) * 2011-02-22 2019-01-23 가디언 인더스트리즈 코퍼레이션. 바나듐-기초 프릿 물질 및 이를 제조하는 방법
US9309146B2 (en) 2011-02-22 2016-04-12 Guardian Industries Corp. Vanadium-based frit materials, binders, and/or solvents and methods of making the same
US20120234383A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 E.I.Du Pont De Nemours And Company Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
US20120234384A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 E.I. Du Pont Nemours And Company Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
US8512463B2 (en) * 2011-04-05 2013-08-20 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
CA2830054C (en) 2011-04-21 2017-07-11 Shoei Chemical Inc. Conductive paste
WO2012158905A1 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
US20120305859A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 E I Du Pont De Nemours And Company Low temperature fireable thick film silver paste
US8790550B2 (en) 2011-06-06 2014-07-29 E I Du Pont De Nemours And Company Low temperature fireable thick film silver paste
US20120312369A1 (en) * 2011-06-13 2012-12-13 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
US20120312368A1 (en) * 2011-06-13 2012-12-13 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
US8696948B2 (en) 2011-08-11 2014-04-15 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
US8691119B2 (en) 2011-08-11 2014-04-08 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing lead-tellurium-lithium-titanium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
TWI574280B (zh) * 2011-11-04 2017-03-11 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 用於導電性漿料之有機載體
EP2607327A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-26 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Thick-film composition containing antimony oxides and their use in the manufacture of semi-conductor devices
JP5732381B2 (ja) * 2011-12-26 2015-06-10 株式会社日立製作所 積層体及びこれを用いた有機ｅｌ素子、窓、太陽電池モジュール
JP5816565B2 (ja) * 2012-01-26 2015-11-18 株式会社日立産機システム インク、被印字基材、印字装置、印字方法、被印字基材の製造方法
US8916954B2 (en) 2012-02-05 2014-12-23 Gtat Corporation Multi-layer metal support
US8841161B2 (en) 2012-02-05 2014-09-23 GTAT.Corporation Method for forming flexible solar cells
SG194311A1 (en) 2012-04-17 2013-11-29 Heraeus Precious Materials North America Conshohocken Llc Conductive thick film paste for solar cell contacts
US8845932B2 (en) 2012-04-26 2014-09-30 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
JP6027765B2 (ja) * 2012-05-02 2016-11-16 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用無鉛導電性ペースト組成物
US8785294B2 (en) 2012-07-26 2014-07-22 Gtat Corporation Silicon carbide lamina
JP6075601B2 (ja) * 2012-08-03 2017-02-08 日本電気硝子株式会社 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料
EP2899761A4 (en) * 2012-09-18 2016-04-20 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc CONDUCTIVE PASTE AND SOLAR CELL
JP2014060261A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト、太陽電池、及び太陽電池の製造方法
WO2014050703A1 (ja) * 2012-09-26 2014-04-03 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池
KR101518500B1 (ko) 2012-12-21 2015-05-11 제일모직주식회사 유리프릿, 이를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101802546B1 (ko) * 2012-12-29 2017-11-30 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20140092744A (ko) * 2012-12-29 2014-07-24 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2014104623A1 (ko) * 2012-12-29 2014-07-03 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2014104618A1 (ko) * 2012-12-29 2014-07-03 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6137852B2 (ja) * 2013-02-04 2017-05-31 ナミックス株式会社 太陽電池の電極形成用導電性ペースト
KR101587683B1 (ko) 2013-02-15 2016-01-21 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6188480B2 (ja) * 2013-02-20 2017-08-30 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子
US11225826B2 (en) 2013-02-28 2022-01-18 Guardian Glass, Llc. Window units made using ceramic frit that dissolves physical vapor deposition (PVD) deposited coatings, and/or associated methods
KR101590226B1 (ko) * 2013-05-29 2016-01-29 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6155965B2 (ja) * 2013-08-23 2017-07-05 旭硝子株式会社 電極形成用ガラス粉末および電極形成用導電ペースト
KR101693070B1 (ko) * 2013-08-28 2017-01-04 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
WO2015030361A1 (ko) * 2013-08-28 2015-03-05 제일모직 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN105474408B (zh) * 2013-08-30 2018-01-02 京瓷株式会社 太阳能电池元件及其制造方法
KR101608123B1 (ko) 2013-09-13 2016-03-31 제일모직주식회사 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US20150075597A1 (en) * 2013-09-16 2015-03-19 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Electroconductive paste with adhension promoting glass
EP2848657A1 (en) 2013-09-16 2015-03-18 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Electroconductive paste with adhesion promoting glass
US9761742B2 (en) 2013-12-03 2017-09-12 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
US9793025B2 (en) 2013-12-03 2017-10-17 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
JP6242198B2 (ja) * 2013-12-10 2017-12-06 京都エレックス株式会社 半導体デバイスの導電膜形成用導電性ペースト、および半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法
JP6046753B2 (ja) 2014-01-17 2016-12-21 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 改良された接着特性を有する鉛−ビスマス−テルル−ケイ酸塩無機反応系
JP5754787B2 (ja) * 2014-02-20 2015-07-29 昭栄化学工業株式会社 太陽電池素子の製造方法
CN104193180A (zh) * 2014-08-22 2014-12-10 洛阳兰迪玻璃机器股份有限公司 一种低熔点玻璃粉
TWI576863B (zh) * 2014-12-08 2017-04-01 碩禾電子材料股份有限公司 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（一）
EP3040320A1 (en) * 2014-12-31 2016-07-06 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Glass composition for electroconductive paste compositions
WO2016193209A1 (en) 2015-06-02 2016-12-08 Basf Se Conductive paste and process for forming an electrode on a p-type emitter on an n-type base semiconductor substrate
CN104979035B (zh) * 2015-06-26 2017-05-03 武汉优乐光电科技有限公司 一种无铅复合玻璃粘结剂太阳能电池正银浆料
CN105153809B (zh) * 2015-09-22 2016-08-03 东莞市贝特利新材料有限公司 一种玻璃喷墨打印墨水
KR101693840B1 (ko) * 2015-10-05 2017-01-09 대주전자재료 주식회사 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지
CN105482553A (zh) * 2015-12-29 2016-04-13 武汉理工大学 一种喷墨打印用蓝色玻璃墨水及其制备方法
CN105482552A (zh) * 2015-12-29 2016-04-13 武汉理工大学 一种喷墨打印用白色玻璃墨水及其制备方法
KR20170108577A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 대주전자재료 주식회사 태양전지용 무연 도전 페이스트
CN105825912B (zh) * 2016-05-13 2017-09-12 浙江光达电子科技有限公司 一种硅太阳能电池正面电极无铅主栅浆料及其制备方法
JP6714275B2 (ja) * 2016-08-23 2020-06-24 ナミックス株式会社 導電性ペースト及び太陽電池
CN106448803A (zh) * 2016-08-31 2017-02-22 王立建 背接触太阳能电池灌孔电子浆料
KR102679797B1 (ko) * 2017-02-02 2024-07-02 엘지전자 주식회사 유리 조성물 및 조리기기
CN110291595A (zh) 2017-02-15 2019-09-27 巴斯夫欧洲公司 玻璃料、导电浆料和导电浆料的用途
TWI745562B (zh) 2017-04-18 2021-11-11 美商太陽帕斯特有限責任公司 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置
US20190164661A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Water-based vehicle for electroconductive paste
KR20190066158A (ko) * 2017-12-05 2019-06-13 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN108314329A (zh) * 2018-02-28 2018-07-24 西安欣贝电子科技有限公司 含铌低温耐酸无铅无镉玻璃粉及其制备方法
CN109616659A (zh) * 2018-12-18 2019-04-12 齐鲁工业大学 一种制备锂离子电池负极材料Nb2O5和Li2O掺杂碲钒玻璃的方法
CN109748514A (zh) * 2019-03-08 2019-05-14 淄博宝晶新材料股份有限公司 一种环保耐冲击玻璃颜料
CN111902881B (zh) * 2019-05-29 2022-03-18 常州聚和新材料股份有限公司 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法
CN112125517A (zh) * 2019-06-24 2020-12-25 湖南衡义材料科技有限公司 高耐酸汽车后挡风玻璃用防粘遮蔽银浆油墨及其制备方法
CN110305523A (zh) * 2019-07-02 2019-10-08 黄山市晶特美新材料有限公司 一种丝印抗冲击玻璃油墨及其制备方法
US12351512B2 (en) 2020-06-17 2025-07-08 Vibrantz Corporation Rare earth frits for fluorescence and methods for laser marking applications
CN114409248B (zh) * 2022-01-06 2023-04-07 江苏日御光伏新材料科技有限公司 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用
CN115295201B (zh) * 2022-09-29 2023-01-10 江苏日御光伏新材料科技有限公司 一种锂-碲硅-铅铋多元玻璃-氧化物复合体系及其导电浆料

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2348897A1 (fr) * 1976-04-21 1977-11-18 Labo Electronique Physique Contacts ohmiques sur silicium a partir de pates serigraphiables et procede de mise en oeuvre
JPH07126037A (ja) * 1993-10-29 1995-05-16 Central Glass Co Ltd 接着・封止用ガラス
EP0761617A1 (en) * 1995-09-05 1997-03-12 Cookson Matthey Ceramics Plc Method and composition for forming electrically conducting silver tracks on glass
RU2185343C2 (ru) * 2000-07-17 2002-07-20 Белорусский государственный технологический университет Легкоплавкое стекло
JP2006225255A (ja) * 2005-01-18 2006-08-31 Sony Corp 無鉛ガラス組成物及び磁気ヘッド
EP1818997A2 (en) * 2006-02-14 2007-08-15 Samsung SDI Co., Ltd. Organic electroluminescence display device

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57180112A (en) 1981-04-30 1982-11-06 Taiyo Yuden Kk Method of forming electrode for porcelain electronic part
US4591455A (en) * 1982-11-24 1986-05-27 Pedro B. Macedo Purification of contaminated liquid
JP2507040B2 (ja) 1989-04-24 1996-06-12 松下電器産業株式会社 印刷回路用ペ―ストおよび印刷回路の形成方法
JP2839326B2 (ja) 1990-03-28 1998-12-16 京セラ株式会社 磁器電子部品
US5162062A (en) 1991-06-17 1992-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for making multilayer electronic circuits
JP3280414B2 (ja) 1992-05-26 2002-05-13 松下電工株式会社 搬送装置
JPH0657183A (ja) 1992-08-05 1994-03-01 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
US5252521A (en) 1992-10-19 1993-10-12 Ferro Corporation Bismuth-containing lead-free glass enamels and glazes of low silica content
US5378408A (en) 1993-07-29 1995-01-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead-free thick film paste composition
US5578533A (en) 1993-10-01 1996-11-26 Asahi Glass Company Ltd. Ceramic color composition and process for producing a curved surface glass sheet employing it
US5439852A (en) 1994-08-01 1995-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition
US5491118A (en) 1994-12-20 1996-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
US5882722A (en) 1995-07-12 1999-03-16 Partnerships Limited, Inc. Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds
JP3211641B2 (ja) 1995-09-22 2001-09-25 株式会社村田製作所 導電性組成物
US5714420A (en) 1995-12-08 1998-02-03 Cerdec Corporation - Drakenfeld Products Partially crystallizing ceramic enamel composition containing bismuth silicate, and use thereof
JP3419244B2 (ja) 1996-05-24 2003-06-23 株式会社村田製作所 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法
US5753571A (en) 1997-02-13 1998-05-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead and cadmium-free encapsulant composition
JP3419321B2 (ja) 1998-09-24 2003-06-23 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
US6255239B1 (en) 1998-12-04 2001-07-03 Cerdec Corporation Lead-free alkali metal-free glass compositions
JP2000264676A (ja) 1999-03-12 2000-09-26 Asahi Glass Co Ltd 低融点ガラス
DE60043359D1 (de) 2000-01-21 2009-12-31 Midwest Research Inst Verfahren zur herstellung von dünnfilmleitern durch zersetzung von metallchelaten in verbindung mit metallteilchen
DE10116653A1 (de) 2001-04-04 2002-10-10 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte Artikel mit einer leitfähigen Beschichtung auf Glas, Keramik und emailliertem Stahl und Verfahren zu deren Herstellung
US6814795B2 (en) 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
US7241512B2 (en) * 2002-04-19 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Electroluminescent materials and methods of manufacture and use
EP1521811B1 (en) 2002-06-13 2009-12-02 Nanopowders Industries Ltd. A method for the production of conductive and transparent nano-coatings and nano-powder coatings
US7211205B2 (en) 2003-01-29 2007-05-01 Parelec, Inc. High conductivity inks with improved adhesion
US20040178391A1 (en) 2003-01-29 2004-09-16 Conaghan Brian F. High conductivity inks with low minimum curing temperatures
US7138347B2 (en) 2003-08-14 2006-11-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film conductor paste for automotive glass
JP3853793B2 (ja) 2004-02-27 2006-12-06 京セラケミカル株式会社 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP4537092B2 (ja) 2004-03-01 2010-09-01 パナソニック株式会社 ガラス組成物及び磁気ヘッド
JP4506232B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 Ｄｉｃ株式会社 重合性液晶化合物、これを含有する液晶組成物、及びこれらの重合体
JP4393938B2 (ja) 2004-07-16 2010-01-06 信越化学工業株式会社 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法
CN101129092A (zh) 2005-02-24 2008-02-20 埃克阿泰克有限责任公司 脉冲宽度调制的除霜器
US7691294B2 (en) 2005-03-04 2010-04-06 Inktec Co., Ltd. Conductive inks and manufacturing method thereof
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US7435361B2 (en) 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
JP2007049087A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Sharp Corp 太陽電池の電極およびその製造方法
JP2007194580A (ja) 2005-12-21 2007-08-02 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
US8721931B2 (en) 2005-12-21 2014-05-13 E I Du Pont De Nemours And Company Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell
JP2007235082A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
EP2015367A4 (en) 2006-04-25 2011-10-05 Sharp Kk ELECTROCONDUCTIVE PULP FOR SOLAR BATTERY ELECTRODE
US20070253140A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Randall Michael S Base metal electrode multilayer capacitor with localized oxidizing source
US7736546B2 (en) * 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
US8383011B2 (en) * 2008-01-30 2013-02-26 Basf Se Conductive inks with metallo-organic modifiers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2348897A1 (fr) * 1976-04-21 1977-11-18 Labo Electronique Physique Contacts ohmiques sur silicium a partir de pates serigraphiables et procede de mise en oeuvre
JPH07126037A (ja) * 1993-10-29 1995-05-16 Central Glass Co Ltd 接着・封止用ガラス
EP0761617A1 (en) * 1995-09-05 1997-03-12 Cookson Matthey Ceramics Plc Method and composition for forming electrically conducting silver tracks on glass
RU2185343C2 (ru) * 2000-07-17 2002-07-20 Белорусский государственный технологический университет Легкоплавкое стекло
JP2006225255A (ja) * 2005-01-18 2006-08-31 Sony Corp 無鉛ガラス組成物及び磁気ヘッド
EP1818997A2 (en) * 2006-02-14 2007-08-15 Samsung SDI Co., Ltd. Organic electroluminescence display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2614763C1 (ru) * 2016-02-09 2017-03-29 Юлия Алексеевна Щепочкина Эмалевое покрытие

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100125273A (ko) 2010-11-30
CA2712348A1 (en) 2009-08-06
US20090189126A1 (en) 2009-07-30
JP2011510897A (ja) 2011-04-07
JP5523349B2 (ja) 2014-06-18
CA2712348C (en) 2017-05-23
CN101932535B (zh) 2013-06-05
KR101552745B1 (ko) 2015-09-11
CN101932535A (zh) 2010-12-29
BRPI0907092A2 (pt) 2020-07-28
MY153986A (en) 2015-04-30
WO2009097264A1 (en) 2009-08-06
US7935279B2 (en) 2011-05-03
EP2247547A1 (en) 2010-11-10
IL206987A (en) 2014-12-31
EP2247547B1 (en) 2018-06-20
RU2010135771A (ru) 2012-03-10
IL206987A0 (en) 2010-12-30
US7736546B2 (en) 2010-06-15
US20100244205A1 (en) 2010-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2494983C2 (ru) Стеклянные фритты
RU2499810C2 (ru) Проводящие пасты с металлоорганическими модификаторами
JP5422798B2 (ja) アルミニウム−ボロン太陽電池コンタクト
CN108431964B (zh) 用于太阳能电池正面电极的浆料组合物及利用该浆料组合物的太阳能电池
KR101859236B1 (ko) 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지
CN102934174B (zh) 电极用糊剂组合物及太阳能电池
TWI556457B (zh) 銀膠組合物、使用彼形成之用於太陽能電池的前電極、以及利用彼之太陽能電池
TWI432392B (zh) 玻璃料
KR20160012093A (ko) 소결 억제제를 포함하는 태양전지 전극용 전도성 페이스트
TW202034351A (zh) 太陽能電池前電極用糊劑組合物及其製備方法
JP2011253868A (ja) ｐ型拡散層形成組成物、並びに、太陽電池セルおよびその製造方法
HK1204386B (zh) 电极用膏状组合物和光伏电池
KR20140052480A (ko) 알루미늄 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 소자

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200128