RU2491683C2 - Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства - Google Patents
Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2491683C2 RU2491683C2 RU2010129073/28A RU2010129073A RU2491683C2 RU 2491683 C2 RU2491683 C2 RU 2491683C2 RU 2010129073/28 A RU2010129073/28 A RU 2010129073/28A RU 2010129073 A RU2010129073 A RU 2010129073A RU 2491683 C2 RU2491683 C2 RU 2491683C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- type
- contact
- semiconductor structure
- contact layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/018—Bonding of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/835—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Полупроводниковые светоизлучающие устройства широко применяются в качестве источников света во многих приложениях, которые требуют низкого потребления энергии, малого размера и высокой надежности. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых: выращивают полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, на подложке роста; формируют n- и p-контакты, электрически соединенные с областями n- и p-типа полупроводниковой структуры, причем оба контакта расположены на одной стороне полупроводниковой структуры и причем, по меньшей мере, один из n- и p-контактов является отражающим; присоединяют данную полупроводниковую структуру к креплению; и после присоединения полупроводниковой структуры к креплению удаляют подложку роста; причем данная полупроводниковая структура содержит контактный слой p-типа, расположенный между данной областью p-тина и данным p-контактом; и часть данного контактного слоя p-типа легируют до концентрации дырок, по меньшей мере, 5×1018 см-3 для обеспечения электрического контакта. Также предложено полупроводниковое светоизлучающее устройство, изготовленное описанным выше способом. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
ОПИСАНИЕ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ
Светоизлучающие диоды (СИД) широко применяются в качестве источников света во многих приложениях, которые требуют низкого потребления энергии, малого размера и высокой надежности. Энергетически-эффективные диоды, которые излучают свет в областях видимого спектра от желто-зеленой до красной, содержат активные слои, образованные из сплава AlGaInP. Фиг.1 и 2 показывают изготовление AlGaInP СИД с обычной прозрачной подложкой (ПП). На фиг.1 слой 12 остановки травления, такой как 1000 n-In0,5Ga0,5P слой, выращивают над полупроводниковой подложкой 10, обычно GaAs. Слои 14 устройства, включающие в себя нижний ограничивающий слой, по меньшей мере, один (AlxGa1-x)yIn1-yP активный слой и верхний ограничивающий слой, все находятся в двойной гетероструктурной конфигурации, выращивают над слоем 12 остановки травления с последующим необязательным толстым (например, от 5 до 100 мкм толщины) оконным слоем 16, часто из GaP p-типа, выращенного путем эпитаксии из паровой фазы. Ограничивающие слои сделаны из прозрачного полупроводника и увеличивают внутреннюю квантовую эффективность СИД, определенную как доля электроно-дырочных пар в активном слое, которые рекомбинируют и излучают свет.Светоизлучающая область может состоять из одного толстого слоя однородной композиции или ряда тонких карманов и барьеров.
GaAs является предпочтительным в качестве подложки роста, так как подходит по решетке для (AlxGa1-x)yIn1-yP при композициях, благоприятных для формирования СИД, которые излучают свет в областях видимого спектра от желто-зеленой до красной, при у ~0,5. Ge является альтернативной подложкой, подходящей по решетке. Так как типичные подложки роста являются поглощающими, их часто удаляют и замещают прозрачной подложкой, как показано на фиг.2. GaAs подложка 10, показанная на фиг.1, удаляется с помощью травления, которое стравливает GaAs гораздо быстрее, чем слой 12 остановки травления. Прозрачная подложка 18, обычно GaP n-типа, представляет собой пластину, присоединенную к нижней поверхности эпитаксиальной структуры (слой 12 остановки травления на фиг.2) обычно путем прокаливания данной структуры при повышенной температуре при приложении одноосной силы. СИД кристаллы затем изготавливают из прикрепленных пластин, используя обычные металлические контакты и технологии изготовления кристаллов, подходящие для p-типа эпитаксиального GaP анода и n-типа GaP катода, прикрепленного к пластине.
Прозрачная подложка 18 и оконный слой 16, также прозрачный полупроводник, латерально распространяют ток в устройстве и увеличивают боковое излучение света. Распространение тока особенно важно на p-стороне активной области вследствие низкой подвижности дырок в слоях AlGaInP. Использование толстых полупроводниковых слоев имеет несколько недостатков над другими подходами, однако, из-за компромисса между поглощением света и электрическим и термическим сопротивлением, общим для полупроводниковых материалов.
Альтернативой структуре устройства ПП AlGaInP является тонкопленочная структура, где устраняется соединение полупроводник-полупроводник. Вместо этого, частично обработанная пластина присоединяется к перемещаемой подложке, обычно Si, Ge или металлической подложке. После присоединения к перемещаемой подложке подложка роста удаляется и обработка платины завершается. Такие устройства часто включают в себя поглощающий слой n-контакта, такой как GaAs, и структуру с вертикальной геометрией, где n- и p-контакты образованы на противоположных сторонах полупроводниковой структуры, как на фиг.2.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Согласно вариантам осуществления данного изобретения AlGaInP светоизлучающее устройство образуют в виде тонкого устройства с перевернутым кристаллом. Данное устройство включает в себя полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. N-и p-контакты, электрически соединенные с n- и p-областями, формируют оба на одной стороне полупроводниковой структуры. В некоторых вариантах осуществления данное устройство включает и себя толстый n-слой для латерального распределения тока и более тонкий p-слой, чтобы проводить ток, главным образом, вертикально. Полупроводниковая структура соединяется с держателем посредством данных контактов. Подложка роста удалена из полупроводниковой структуры, и толстая прозрачная подложка, описанная выше, пропущена, так что полная толщина полупроводниковых слоев в устройстве может быть меньше, чем 15 мкм в некоторых вариантах осуществления, меньше, чем 10 мкм в некоторых вариантах осуществления. Верхняя сторона полупроводниковой структуры может быть текстурированной, шероховатой или узорчатой.
Чтобы минимизировать сопротивление контакта на p-стороне светоизлучающего слоя, полупроводниковая структура может включать в себя контактный слой p-типа, расположенный между областью p-типа и p-контактом. Поверхность раздела между контактным слоем p-типа и p-контактом может быть организована так, что, когда данное устройство смещается вперед, носители туннелируют через данную поверхность раздела. В результате, контакт не нужно прокаливать, что может улучшать отражательную способность контакта, так как прокаливание обычно вызывает сплавление между полупроводниковым материалом и металлическим контактом, что часто снижает отражательную способность контакта. В некоторых вариантах осуществления слой p-контакта представляет собой один слой из GaP, AlGaInP и GaInP, легированный, по меньшей мере, частично до концентрации дырок, по меньшей мере, 5 1018 см-3. P-контакт может быть полным листом металла, что увеличивает оптическую отражательную способность, минимизирует сопротивление электрического контакта и уменьшает термический импеданс устройства. Туннельный контакт может позволять использование множества высокоотражающих металлов для p-контакта, таких как Ag.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 изображает структуру AlGaInP устройства предшествующего уровня техники, выращенную на поглощающей подложке.
Фиг.2 изображает AlGaInP СИД с прозрачной подложкой предшествующего уровня техники.
Фиг.3 изображает полупроводниковую структуру устройства согласно вариантам осуществления данного изобретения.
Фиг.4 изображает устройство с перевернутым кристаллом согласно вариантам осуществления данного изобретения.
Фиг.5 представляет собой покомпонентное изображение упакованного светоизлучающего устройства.
Фиг.6 изображает часть p-контакта и контактного слоя p-типа с высоколегированными полупроводниковыми точками и диэлектрическим слоем, расположенным между частями p-контакта и контактный слой p-типа.
Фиг.7 изображает часть p-контакта и контактного слоя p-типа, где вытравлены части контактного слоя p-типа.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
В зависимости от контекста, применяемый здесь термин "AlGaInP" может относиться, в частности, к четверному сплаву алюминия, индия, галлия и фосфора или, в общем, к любому двойному, тройному или четвертному сплаву алюминия, индия, галлия и фосфора. В зависимости от контекста, применяемый здесь термин "контакт" может относиться, в частности, к металлическому электроду или, в общем, к комбинации полупроводникового контактного слоя, металлического электрода и любых структур, расположенных между полупроводниковым контактным слоем и металлическим электродом.
Как описано выше, AlGaInP устройства обычно имеют включенные толстые слои, в частности, на p-стороне светоизлучающей области для распространения тока из-за низкой подвижности дырок в AlGaInP материале p-типа. Более тонкие слои p-типа обычно не используются из-за трудности достижения высоких концентраций дырок в AlGaInP.
Согласно вариантам осуществления данного изобретения AlGaInP светоизлучающее устройство включает в себя высоколегированный тонкий контактный слой p-типа. Отражающий слой может быть образован -на данном контактном слое p-типа, так что данное устройство может быть организовано в виде тонкопленочного перевернутого кристалла. III-V слои n-типа обычно имеют более высокую подвижность носителей, чем слои p-типа, следовательно толщина слоя распределения тока может быть снижена путем построения устройства таким образом, что наибольшее латеральное распределение тока происходит в слое n-типа, а не в слое p-типа. В таком устройстве характеристики слоя n-типа выбирают так, чтобы обеспечивать адекватное распределение тока, минимизировать последовательное сопротивление устройства и минимизировать потери на поглощение.
Фиг.3 изображает эпитаксиальную структуру устройства согласно вариантам осуществления данного изобретения. Слой 20 остановки травления выращивают на обычной GaAs подложке 10. Слой 20 остановки травления может представлять собой любой материал, который может быть использован, чтобы останавливать травление, применяемое для позднейшего удаления GaAs подложки 10. Слой 20 остановки травления может представлять собой, например, InGaP, AlGaS или AlGaInP. Материал слоя 20 остановки травления может соответствовать по решетке подложке роста (обычно GaAs), хотя это не необходимо. Слои остановки травления, которые не соответствуют по решетке подложке роста, могут быть достаточно тонкими, чтобы избегать релаксации, и/или могут быть деформационно компенсированными. Толщина слоя 20 остановки травления зависит от избирательности растворов травления, используемых для удаления GaAs подложки 10; чем меньше избирательность травления, тем толще слой остановки травления. AlGaAs слой остановки травления может быть, например, от 2000 до 5000, хотя более толстый слой остановки травления может быть использован, если слой остановки травления используется для текстурирования излучающей поверхности устройства, как описано ниже. Величина х в AlxGa1-xAs слое остановки травления может быть, например, от 0,50 до 0,95.
В некоторых вариантах осуществления множество слоев остановки травления включены в устройство. Множество слоев остановки травления могут отделять друг от друга с помощью GaAs слоев, хотя это не обязательно. В одном примере первый слой остановки травления выращивают на GaAs подложке роста с последующим GaAs слоем, с последующим вторым слоем остановки травления. Слои устройства выращивают на втором слое остановки травления. Любой из слоев остановки травления, описанных выше, может использоваться в устройстве с множеством слоев остановки травления. Каждый слой остановки травления в устройстве может иметь обязательны. В первом примере, AlGaAs первый слой остановки травления выращивают на GaAs подложке с последующим InGaP вторым слоем остановки травления. Во втором примере AlGaAs первый слой остановки травления выращивают на GaAs подложке с последующим AlGaInP вторым слоем остановки травления.
В одном варианте осуществления AlGaAs слой 20 остановки травления выращивают на GaAs подложке 10 роста. AlGaInP слой n-типа, часть области 22 n-типа, выращивают в прямом контакте с AlGaAs слоем 20 остановки травления.
Слои устройства, включая, по меньшей мере, один светоизлучающий слой в светоизлучающей области, находящийся между областью n-типа и областью p-типа, выращивают над слоем 20 остановки травления, начиная с области 22 n-типа. Толщину и концентрацию легирования области 2 n-типа выбирают для низкого электрического сопротивления и хорошего распределения тока. Например, область 22 n-типа может представлять собой AlGaInP слой толщиной от 4 до 10 мкм, легированный Те до концентрации приблизительно 1 1018 см-3. AlGaInP область 22 n-типа обычно соответствует по решетке GaAs. При более высоких концентрациях легирующей добавки такое же распределение тока может быть достигнуто с более тонким слоем; однако нежелательное поглощение свободных носителей может увеличиваться при более высоких концентрациях легирующей добавки. Область 22 n-типа может, следовательно, иметь неоднородную концентрацию легирования, такую как одна или несколько толстых областей, легированных при 1 1018 см-3, и одна или несколько тонких областей легированных сильнее, например, до 1 1019 см-3. Эти высоколегированые области могут быть легированы Те, Si, S или другими подходящими легирующими примесями, и высокие легирующие концентрации могут быть достигнуты путем эпитаксиального роста, путем диффузии легирующей добавки или обоими путями.
Композицию области 22 n-типа выбирают так, чтобы минимизировать ступень в показателе преломления на поверхности раздела со светоизлучающей областью, чтобы избежать волноводного распространения света при этой поверхности раздела. В одном примере композиция области 22 n-типа в устройстве со светоизлучающей областью, организованной так, чтобы излучать красный свет, представляет собой (Al0,40Ga0,60)0,5In0,5P, приблизительно такая же, как средняя композиция в светоизлучающей области.
Светоизлучающую или активную область 24 выращивают на области 22 n-типа. Примеры подходящих светоизлучающих областей включают в себя единственный светоизлучающий слой и Светоизлучающую область с множеством карманов, где множество толстых и тонких светоизлучающих карманов разделены барьерными слоями. В одном примере светоизлучающая область 26 устройства, приспособленного излучать красный свет, включает в себя (Al0,60Ga0,94)0,5In0,5P светоизлучающие слои, разделенные (Al0,65Ga0,35)0,5In0,5P барьерами. Данные светоизлучающие слои и барьеры могут каждый иметь толщину, например, от 20 до 200 Полная толщина светоизлучающей области может быть, например, от 500 до 3 мкм.
Область 26 p-типа выращивают на светоизлучающей области 24. Область 26 p-типа сформирована так, удерживать носители в светоизлучающей области 24. В одном примере область 26 p-типа представляет собой (Al0,65Ga0,35)0,5In0,5P и включает в себя очень тонкий слой с более высокой Al композицией, чтобы помогать в удерживании электронов. Так как инжекция тока от p-стороны светоизлучающей области 24 является, главным образом, вертикальной, толщина области 26 p-типа может быть порядка микронов; например, от 0,5 до 3 мкм. Близость светоизлучающих слоев светоизлучающей области к p-контакту через тонкую область 26 p-типа может также снижать термический импеданс устройства.
Контактный слой 28 p-типа выращивают на области 26 p-типа. Контактный слой 28 p-типа является высоколегированным и прозрачным к свету, излучаемому светоизлучающей областью 24. Например, контактный слой 28 p-типа может быть легирован до концентрации дырок, по меньшей мере, 5 1018 см-3 в некоторых вариантах осуществления и, по меньшей мере, 1 1019 см-3 в некоторых вариантах осуществления. Контактный слой 28 p-типа может иметь толщину от 100 до 1000. В некоторых вариантах осуществления отражающий слой формируют над p-контактным слоем 28, формируя контакт без сплавления. Электрический контакт между контактным слоем 28 p-типа и отражающим слоем достигается путем туннелирования носителей сквозь поверхностную обедненную область поверхности раздела.
В некоторых вариантах осуществления контактный слой 28 p-типа высоколегирован GaP. Например, GaP контактный слой 28, выращенный путем металлоорганического химического осаждения из паровой фазы, может быть легированным Mg или Zn, активированным до концентрации дырок, по меньшей мере, 8 1018 см-3. GaP слой может выращиваться при низкой температуре роста и низкой скорости роста; например, при температурах роста на приблизительно от 50 до 200°С ниже типичных температур роста GaP ~850°С, и при скоростях роста приблизительно от 1% до 10% от типичных скоростей роста GaP ~5 мкм/ч. GaP контакт, выращенный с помощью эпитаксии с молекулярным пучком, может быть легирован С до концентрации, по меньшей мере, 1 1019 см-3.
В качестве альтернативы внедрению легирующих примесей во время роста, может быть выращен контактный слой p-типа, затем легирующие примеси диффундируют в контактный слой p-типа из парового источника (испарителя) после роста, например, путем обеспечения высокого давления источника примеси в диффузионной печи или в реакторе роста, как известно в данной области техники. Легирующие примеси могут диффундировать из испарителя во всю площадь поверхности контактного слоя 28 p-типа или в отдельные области контактного слоя 28 p-типа, например, путем маскировки частей контактного слоя 28 p-типа, например, диэлектрическим слоем до диффузии добавки.
В некоторых вариантах осуществления контактный слой 28 p-типа является высоколегированным GaP или соответствующим по решетке AlGaInP слоем. Данный слой легируется путем выращивания полупроводникового материала, затем осаждения слоя, включающего источник легирующей примеси, над выращенным слоем. Например, слой источника легирующей примеси может представлять собой элементарный Zn, сплав AuZn или легированный диэлектрический слой. Слой, содержащий источник легирующей примеси, может, необязательно, накрываться блокирующим диффузию слоем. Данная структура прокаливается таким образом, что легирующие примеси диффундируют в полупроводник из слоя источника легирующих примесей. Блокирующий диффузию слой и оставшийся слой источника легирующих примесей затем обдирают. В одном примере от 3000 до 5000 сплава AuZn, содержащего 4% Zn, осаждают на GaP слой с последующим TiW блокирующим диффузию слоем. Данную структуру нагревают, затем оставшийся TiW и AuZn обдирают.
В некоторых вариантах осуществления контактный слой 28 p-типа является высоколегированным InGaP или AlGaInP слоем, который не соответствует по решетке GaAs. Данный слой может быть толщиной от 100 до 300 и легированным Mg или Zn до концентрации дырок, по меньшей мере, 1×1013 см-3.
Фиг.4 изображает эпитаксиальную структуру с фиг.3, превращенную в тонкопленочное устройство с перевернутым кристаллом. Отражающий металл 30, такой как Ад, сформирован над контактным слоем 28 p-типа. В обычных устройствах контактный металл осаждают на полупроводнике, затем прокаливают при высокой температуре (например, при температуре больше чем 500°С), чтобы улучшить контакт. Прокаливание может уменьшать отражающую способность металла, возможно вызывая взаимное перемешивание металла и полупроводника. В устройстве, изображенном на фиг.4, так как контакт между, по меньшей мере, частью контактного слоя 28 p-типа и отражающим металлом 30 достигается путем туннелирования, данный контакт называется контактом без сплавления, и высокотемпературное прокаливание не является необходимым. Низкотемпературное прокаливание (например, при температурах меньше чем 300°С) может улучать туннельный контакт путем геттерирования примесей или улучшения связи между металлическим контактом и полупроводниковым контактным слоем.
В некоторых вариантах осуществления неметаллический проводящий материал, такой как оксид индия олова (ИОО) или ZnO, располагается между, по меньшей мере, частью контактного слоя 28 p-типа и отражающим металлом 30.
В некоторых вариантах осуществления комбинация небольших областей контакта и диэлектрического зеркала может располагаться между контактным слоем 28 p-типа и отражающим металлом 30, как изображено на фиг.6, который показывает часть контактного слоя 28 p-типа и отражающего металла 30. Например, небольшие точки металлического сплава, такого как AuZn, могут быть упорядоченно расположены на p-контактном слое 28, окруженные непроводящим оксидом 52, таким как Al2O3. Данную структуру прокаливают, чтобы вызвать диффузию легирующих примесей AuZn в полупроводник с формированием высоколегированных полупроводниковых точек 50, затем оставшийся AuZn металл обдирают.Отражающий металл 30, такой как Ag, формируют над диэлектриком 52 и высоколегированными полупроводниковыми точками 50. В этом примере небольшие области 54, открытые для диффузии AuZn, обеспечивают электрический контакт, а больший процент площади, покрытой диэлектриком 52/отражающим металлом 30, обеспечивает высокоотражающую поверхность. Слой 26 p-типа (показанный на фиг.3) может быть толщиной от 1 мкм до 3 мкм, чтобы обеспечить достаточно хорошее латеральное распределение тока от высоколегированных полупроводниковых точек 50 (показанных на фиг.6). В дизайне контакта, изображенном на фиг.6, так как оптическое поглощение от областей диффузии AuZn минимизировано, контакт имеет надлежащую хорошую отражающую способность от диэлектрических/металлических областей.
Высоколегированные полупроводниковые точки 50 на фиг.6 также могут быть образованы путем выращивания контактного слоя 28 p-типа, формирования диэлектрических областей 52 с отверстиями 54, затем диффузии легирующих примесей в контактный слой 28 p-типа из испарителя через отверстия 54, как описано выше.
В некоторых вариантах осуществления части контактного слоя 28 p-типа удаляют, например, травлением, как изображено на фиг.7. Высоколегированный слой, такой как контактный слой 28 p-типа, обычно является отчасти поглощающим. Чтобы снизить поглощение, области 59 поглощающего материала при поверхности контактного слоя 28 p-типа могут стравливаться. Вся толщина контактного слоя 28 p-типа может стравливаться у областей 59, или некоторая толщина контактного слоя 28 p-типа может сохраняться, как изображено на фиг.7. Оставшиеся части 58 контактного слоя 28 p-типа находятся в электрическом контакте с p-контактом 30, например, посредством туннельного контакта, как здесь описано. P-контакт 30 может непосредственно контактировать с поверхностью материала p-типа у областей 59, или необязательный диэлектрический материал 56 может быть расположен между контактным слоем 28 p-типа и р-контактом 30 в областях 59, где часть контактного слоя 28 p-типа стравлена.
Возвращаясь к фиг.4, одно или несколько сквозных отверстий вытравливают в данном устройстве, например, путем сухого травления, чтобы обнажить часть области 22 n-типа, на которой формируется n-контакт 34. Прямой электрический контакт между областью 22 n-типа и n-контактом 34 может быть достигнут, например, с помощью Au/Ge n-контакта 34. Альтернативно, n-контакт 34 может быть туннельным отражающим контактом без образования сплава, таким как Al, осажденный на высоколегированной области слоя 22 n-типа. N- и p-контакты 34 и 30 могут быть электрически изолированными, перераспределенными и сглаженными посредством одного или нескольких диэлектрических слоев 32. Пластину устройств затем разрезают на кристаллы. Индивидуальное устройство затем присоединяют к креплению 40 с помощью p- и n-соединений 38 и 36. Контакты 42 и 44 могут быть сформированы на обратной стороне крепления 40.
В некоторых вариантах осуществления, чтобы устранить необходимость использования неполного заполнения между креплением и кристаллом СИД, чтобы поддерживать кристалл, n- и p-контакты 34 и 30 могут быть сформированы, по существу, в одной плоскости и могут покрывать, по меньшей мере, 85% обратной поверхности структуры СИД. Данное крепление имеет соответствующее выравнивание анодного и катодного контактов, по существу, в одной плоскости. Контакты кристалла СИД и контакты крепления соединяются вместе так, что фактически вся поверхность кристалла СИД поддерживается данными контактами и субкреплением. Не требуется никакого неполного заполнения. Могут быть использованы различные способы для соединения СИД с субкреплением, такие как ультразвуковая или термоакустическая взаимная диффузия металл-металл (золото-золото, медь-медь, другие пластичные металлы или комбинация вышеуказанного) или пайка различными композициями сплавов, такими как золото-олово, золото-германий, олово-серебро, олово-свинец или другие аналогичные системы сплавов. Подходящие соединения описаны более подробно в опубликованной патентной заявке США 20070096130, озаглавленной "LED Assembly Having Maximum Metal Support for Laser Lift-Off of Growth Substrate", и включены сюда посредством ссылки.
После присоединения данного устройства к креплению 40, подложку 10 роста удаляют, например, путем травления, которое заканчивается на слое 20 остановки травления. Слой 20 остановки травления может быть удален сухим травлением или травлением, которое заканчивается на области 22 n-типа. Обнаженная поверхность области 22 n-типа может быть текстурированной (т.е. шероховатой или с узором светового кристалла, например) чтобы улучшить извлечение света. Например, область 22 n-типа может быть сделана шероховатой с помощью сухого травления, фотохимического травления или фотоэлектрохимического травления. Альтернативно, слой 20 остановки травления может быть текструрированным, затем данный узор переносится на область 22 n-типа путем сухого травления. В некоторых вариантах осуществления дополнительный прозрачный проводящий оксидный слой осаждают на текстурированной поверхности области 22 n-типа, чтобы улучшить распределение тока в устройстве.
Полная толщина оставшегося полупроводникового материала в конечном устройстве может быть меньше чем 15 мкм в некоторых вариантах осуществления, меньше чем 10 мкм в некоторых вариантах осуществления. В одном примере область 22 n-типа имеет толщину от 4 до 6 мкм, светоизлучающая область 24 имеет толщину 1,5 мкм, и область 26 p-типа имеет толщину 1,5 мкм для полной толщины от 7 до 9 мкм.
В некоторых вариантах осуществления все полупроводниковые слои (кроме светоизлучающих слоев) в конечном устройстве, в частности слой n-типа, на котором сформирован n-контакт, имеют ширину запрещенной зоны большую, чем ширина запрещенной зоны светоизлучающих слоев светоизлучающей области. Соответственно, в таких вариантах осуществления никакие полупроводниковые слои в данном устройстве, иные чем светоизлучающие слои, непосредственно не поглощают свет, излучаемый светоизлучающей областью.
Описанные здесь варианты осуществления могут предлагать другие преимущества относительно обычных ПП AlGaInP устройств. Например, эффективность извлечения вариантов осуществления данного изобретения может приближаться к эффективности толстооконных ПП AlGaInP устройств с оформленными боковыми стенками, но усиленная поверхностная эмиссия от тонкопленочного устройства может приводить в лучшей направленности и более высокой поверхностной яркости. Кроме того, варианты осуществления, описанные здесь, позволяют более простые структуры роста, недорогое изготовление и потенциально лучшее извлечение тепла из активной области. Проблемы выращивания, общие для обычных ПП AlGaInP устройств, такие как диффузия р-легирующих примесей во время выращивания GaP окон с помощью VPE, могут избегаться с помощью вариантов осуществления, описанных здесь.
Варианты осуществления, описанные здесь, могут предлагать несколько преимуществ относительно других тонкопленочных устройств. Например, в некоторых вышеуказанных вариантах осуществления не требуется никакое связывание пластина-основа, ни связывание полупроводник-полупроводник пластина-основа, ни связывание пластина-основа с перемещаемой подложкой. Связывание пластина-основа может повреждать полупроводниковую структуру путем возникновения напряжений из-за плохого сочетания теплового расширения между связанными структурами или слоями. Также связь пластина-основа может повреждаться посредством последующих этапов обработки. Вышеописанные варианты осуществления могут также просто изготавливаться, так как они не требуют охвата структуры, присоединенной к перемещаемой подложке. Кроме того, вышеописанные варианты осуществления устраняют проблемы, связанные с вертикальной геометрией структуры, такие как оптическая окклюзия светоизлучающей области, ломкие проволочные соединения и структурная интерференция с близкой оптикой.
Фиг.5 представляет собой покомпонентное изображение упакованного светоизлучающего устройства, описанного более подробно в патенте США 6274924. Теплоотводящий стержень 100 помещается в рамку с выводами, формованную со вставками. Рамка с выводами, формованная со вставками, представляет собой, например, заполненный пластический материал 105, формованный вокруг металлического каркаса 106, который обеспечивает путь электрического тока. Стержень 100 может включать в себя необязательную отражательную чашку 102. Кристалл 104 светоизлучающего устройства, который может представлять собой любое из устройств, описанных выше в вариантах осуществления, прикрепляется непосредственно или опосредованно через теплопроводящее суб-крепление 103 к стержню 100. Крышка 108, которая может быть оптической линзой, может быть добавлена.
Имея подробное описание данного изобретения, специалистам в данной области техники будет ясно, что, обусловленные настоящим описанием, модификации могут быть сделаны к данному изобретению без отклонения от сущности описанной здесь концепции изобретения. Следовательно, не предполагается, что объем данного изобретения ограничен конкретными вариантами осуществления, изображенными и описанными.
Claims (15)
1. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства, содержащий этапы, на которых выращивают полупроводниковую структуру, содержащую AlGalnP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, на подложке роста;
формируют n- и p-контакты, электрически соединенные с областями n- и p-типа полупроводниковой структуры, причем оба контакта расположены на одной стороне полупроводниковой структуры и, по меньшей мере, один из n- и p-контактов является отражающим; присоединяют данную полупроводниковую структуру к креплению и после присоединения полупроводниковой структуры к креплению удаляют подложку роста, причем данная полупроводниковая структура содержит контактный слой p-типа, расположенный между данной областью p-типа и данным p-контактом и часть данного контактного слоя p-типа легируют до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3 для обеспечения электрического контакта.
формируют n- и p-контакты, электрически соединенные с областями n- и p-типа полупроводниковой структуры, причем оба контакта расположены на одной стороне полупроводниковой структуры и, по меньшей мере, один из n- и p-контактов является отражающим; присоединяют данную полупроводниковую структуру к креплению и после присоединения полупроводниковой структуры к креплению удаляют подложку роста, причем данная полупроводниковая структура содержит контактный слой p-типа, расположенный между данной областью p-типа и данным p-контактом и часть данного контактного слоя p-типа легируют до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3 для обеспечения электрического контакта.
2. Способ по п.1, в котором удаление подложки роста содержит травление подложки роста травлением, которое заканчивается на слое остановки травления, который дополнительно расположен между данной полупроводниковой структурой и данной подложкой роста, причем данный слой остановки травления представляет собой AlGaAs и часть полупроводниковой структуры, находящаяся в непосредственном контакте со слоем остановки травления, представляет собой AlGaInP.
3. Способ по п.1, в котором n- и p-контакты формируют до присоединения полупроводниковой структуры к креплению, n-контакт содержит Au и Ge и n-контакт находится в непосредственном контакте с III-P слоем n-типа.
4. Способ по п.1, в котором оставшаяся часть данного контактного слоя p-типа существенно больше чем часть, легированная до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3, которая обеспечивает электрический контакт, причем данная оставшаяся часть обеспечивает отражающую поверхность.
5. Способ но п.4, в котором легирующие примеси p-типа вводят в контактный слой p-типа путем введения во время выращивания контактного слоя p-типа или путем диффузии из испарителя после выращивания контактного слоя p-типа.
6. Способ по п.1, дополнительно содержащий этапы, на которых стравливают части контактного слоя p-типа перед формированием контакта и размещают диэлектрик между p-контактом и областью p-типа в, по меньшей мере, одной области, соответствующей вытравленной части контактного слоя p-типа.
7. Способ по п.4, дополнительно содержащий этап, на котором формируют диэлектрический слой с отверстиями над контактным слоем p-типа, причем части контактного слоя p-типа, легированные до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3, выравнивают с отверстиями в диэлектрическом слое.
8. Способ по п.4, в котором при выращивании данной полупроводниковой структуры выращивают контактный слой p-типа путем металлоорганического химического осаждения из паровой фазы при скорости роста меньше 5000'Е в час.
9. Способ по п.1, в котором контактный слой p-типа представляет собой один из GaP, AlGaInP и InGaP, причем при выращивании данной полупроводниковой структуры выращивают контактный слой p-типа; осаждают диэлектрический слой с отверстиями над контактным слоем p-типа; осаждают слой, содержащий легирующую примесь, над данным диэлектрическим слоем, причем данный слой, содержащий легирующую примесь, представляет собой металл или диэлектрик; прокаливают данную структуру; удаляют слой, содержащий легирующую примесь.
10. Способ по п.1, в котором выращивание полупроводниковой структуры содержит выращивание полупроводниковой пластины, причем в способе дополнительно разрезают пластину на индивидуальные полупроводниковые структуры перед присоединением полупроводниковой структуры к креплению, и поверхность раздела между p-контактом и областью p-типа сконфигурирована так, что, когда полупроводниковая структура смещается вперед, носители туннелируют через поверхность раздела.
11. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее
полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; n- и p-контакты, электрически соединенные с данными областями n- и p-типа, причем оба из n- и p-контактов сформированы на одной стороне полупроводниковой структуры и, по меньшей мере, один из n- и p-контактов является отражающим; и крепление, причем данная полупроводниковая структура соединена с креплением посредством контактов; полная толщина полупроводниковых слоев в устройстве меньше 15 мкм и, по меньшей мере, часть верхней стороны полупроводниковой структуры является текстурированной.
полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; n- и p-контакты, электрически соединенные с данными областями n- и p-типа, причем оба из n- и p-контактов сформированы на одной стороне полупроводниковой структуры и, по меньшей мере, один из n- и p-контактов является отражающим; и крепление, причем данная полупроводниковая структура соединена с креплением посредством контактов; полная толщина полупроводниковых слоев в устройстве меньше 15 мкм и, по меньшей мере, часть верхней стороны полупроводниковой структуры является текстурированной.
12. Устройство по п.11, дополнительно содержащее контактный слой p-типа, расположенный между областью p-типа и p-контактом, причем поверхность раздела между контактным слоем p-типа и p-контактом сконфигурирована так, что, когда устройство смещается вперед, носители туннелируют через поверхность раздела.
13. Устройство по п.11, дополнительно содержащее контактный слой p-типа, расположенный между областью p-типа и p-контактом, причем поверхность раздела между, по меньшей мере, частью контактного слоя p-типа и p-контактом является отражающей, причем часть контактного слоя p-типа легирована до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3 для обеспечения электрического контакта, и остальная часть контактного слоя p-типа существенно больше чем часть, легированная до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3, которая обеспечивает электрический контакт, причем остальная часть обеспечивает отражающую поверхность.
14. Устройство по п.13, дополнительно содержащее проводящий оксид, расположенный между, по меньшей мере, частью контактного слоя p-типа и p-контактом, причем данный проводящий оксид представляет собой ИОО (оксид индия олова) или ZnO, причем контактный слой p-типа представляет собой один из GaP, AlGaInP и InGaP
и p-контакт содержит Ag.
и p-контакт содержит Ag.
15. Устройство по п.11, в котором все полупроводниковые слои в данном устройстве, за исключением любых светоизлучающих слоев, имеют ширину запрещенной зоны больше ширины запрещенной зоны, по меньшей мере, одного светоизлучающего слоя.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/956,984 US20090173956A1 (en) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | Contact for a semiconductor light emitting device |
| US11/956,984 | 2007-12-14 | ||
| PCT/IB2008/055315 WO2009077974A2 (en) | 2007-12-14 | 2008-12-15 | Contact for a semiconductor light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010129073A RU2010129073A (ru) | 2012-01-20 |
| RU2491683C2 true RU2491683C2 (ru) | 2013-08-27 |
Family
ID=40404263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010129073/28A RU2491683C2 (ru) | 2007-12-14 | 2008-12-15 | Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20090173956A1 (ru) |
| EP (1) | EP2220695A2 (ru) |
| JP (1) | JP5496104B2 (ru) |
| KR (2) | KR20150139630A (ru) |
| CN (1) | CN101897048B (ru) |
| BR (1) | BRPI0819933A2 (ru) |
| RU (1) | RU2491683C2 (ru) |
| TW (2) | TWI528577B (ru) |
| WO (1) | WO2009077974A2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2672776C2 (ru) * | 2014-02-25 | 2018-11-19 | Конинклейке Филипс Н.В. | Светоизлучающие полупроводниковые устройства с геттерным слоем |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090173956A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-07-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact for a semiconductor light emitting device |
| JP2010186808A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ |
| US7732231B1 (en) * | 2009-06-03 | 2010-06-08 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of forming a dielectric layer on a semiconductor light emitting device |
| US20100327300A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
| DE102009051746A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| JP2011165799A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Showa Denko Kk | フリップチップ型発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
| JP5693375B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2015-04-01 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光素子 |
| KR101194844B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2012-10-25 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102011012924A1 (de) * | 2011-03-03 | 2012-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger |
| US10074778B2 (en) * | 2011-03-22 | 2018-09-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode package and method for manufacturing the same |
| CN103548162B (zh) | 2011-05-24 | 2016-11-09 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于倒装芯片led的p-n分离金属填充物 |
| JP5887638B2 (ja) | 2011-05-30 | 2016-03-16 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 発光ダイオード |
| KR101939333B1 (ko) | 2011-10-07 | 2019-01-16 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| CN103022334B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-01-13 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种高压倒装led芯片及其制造方法 |
| JP6306308B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2018-04-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| JP6462274B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2019-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| KR102376468B1 (ko) | 2014-12-23 | 2022-03-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 적색 발광소자 및 조명장치 |
| CN113130725B (zh) * | 2015-03-31 | 2024-09-24 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
| US12364074B2 (en) | 2015-03-31 | 2025-07-15 | Creeled, Inc. | Light emitting diodes and methods |
| CN105489732B (zh) * | 2015-12-08 | 2017-12-22 | 天津三安光电有限公司 | 垂直发光二极管的制作方法 |
| US10784398B2 (en) * | 2015-12-24 | 2020-09-22 | Vuereal Inc. | Vertical solid state devices |
| CN109075221B (zh) * | 2016-04-22 | 2021-06-11 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光器件和包括发光器件的显示器 |
| EP3568873B1 (en) * | 2017-01-13 | 2023-11-08 | Massachusetts Institute of Technology | A method of forming a multilayer structure for a pixelated display and a multilayer structure for a pixelated display |
| JP2019071323A (ja) * | 2017-10-06 | 2019-05-09 | 鼎元光電科技股▲ふん▼有限公司 | 基板がない発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN109671810A (zh) * | 2017-10-16 | 2019-04-23 | 鼎元光电科技股份有限公司 | 无衬底的发光二极管及其制造方法 |
| CN109638132A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-16 | 广东德力光电有限公司 | 倒装红光led芯片结构及其制备方法 |
| CN110767781A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-07 | 国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司 | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 |
| CN111540817A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-14 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管芯片 |
| TWI750664B (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體晶片 |
| EP4412741A4 (en) * | 2021-10-05 | 2025-08-20 | Karsten Mfg Corp | SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING BALL FLIGHT DATA TO CREATE A CONSTANT SPACE GOLF CLUBS SET |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111272A (en) * | 1997-09-29 | 2000-08-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor light source formed of layer stack with total thickness of 50 microns |
| WO2001047039A1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a iii-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| RU2212734C1 (ru) * | 2002-07-10 | 2003-09-20 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник света |
| RU2231171C1 (ru) * | 2003-04-30 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Светоизлучающий диод |
| RU2267188C2 (ru) * | 2003-06-23 | 2005-12-27 | Федорова Галина Владимировна | Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа |
| EP1653523A2 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-03 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Light emitting diode package |
| US7265392B2 (en) * | 2000-05-26 | 2007-09-04 | Osram Gmbh | Light-emitting-diode chip comprising a sequence of GaN-based epitaxial layers which emit radiation and a method for producing the same |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315709A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Omron Corp | 半導体発光素子及び当該半導体発光素子を用いた光学装置 |
| JPH07162034A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US5917202A (en) * | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
| US6784463B2 (en) * | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
| US6229160B1 (en) * | 1997-06-03 | 2001-05-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping |
| JP3181262B2 (ja) * | 1998-06-04 | 2001-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 平面実装型ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| US6274924B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
| JP2001044502A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Matsushita Electronics Industry Corp | 複合発光素子及びその製造方法 |
| JP2001168385A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| TW456058B (en) * | 2000-08-10 | 2001-09-21 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and the manufacturing method thereof |
| JP2002238486A (ja) | 2001-02-21 | 2002-08-27 | Ndc Kk | 豆腐製造装置 |
| US6555405B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-04-29 | Uni Light Technology, Inc. | Method for forming a semiconductor device having a metal substrate |
| US6746948B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light-emitting device |
| US7179731B2 (en) * | 2002-01-22 | 2007-02-20 | Eric Harmon | Hypercontacting |
| JP2003243308A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20040227151A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-18 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
| TWI223460B (en) * | 2003-09-23 | 2004-11-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diodes in series connection and method of making the same |
| EP1705764B1 (en) * | 2004-01-07 | 2012-11-14 | Hamamatsu Photonics K. K. | Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method |
| US7022550B2 (en) * | 2004-04-07 | 2006-04-04 | Gelcore Llc | Methods for forming aluminum-containing p-contacts for group III-nitride light emitting diodes |
| US20050274970A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting device with transparent substrate having backside vias |
| WO2006001462A1 (en) * | 2004-06-24 | 2006-01-05 | Showa Denko K.K. | Reflective positive electrode and gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device using the same |
| JP2006066449A (ja) | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US7274040B2 (en) * | 2004-10-06 | 2007-09-25 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices |
| TWI239668B (en) * | 2004-10-21 | 2005-09-11 | Formosa Epitaxy Inc | Structure of gallium-nitride based (GaN-based) light-emitting diode with high luminance |
| CN1330011C (zh) * | 2004-12-17 | 2007-08-01 | 北京工业大学 | 低接触电阻、低光吸收、全角高反射的led电极 |
| US7244630B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-07-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | A1InGaP LED having reduced temperature dependence |
| US7736945B2 (en) * | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
| JP2007096162A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| US20070181905A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-09 | Hui-Heng Wang | Light emitting diode having enhanced side emitting capability |
| JP2007250896A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| WO2008044608A1 (fr) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Procédé destiné à produire un polymère polaire et composé d'organosilicium |
| US20090173956A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-07-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact for a semiconductor light emitting device |
-
2007
- 2007-12-14 US US11/956,984 patent/US20090173956A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-12-15 TW TW097148862A patent/TWI528577B/zh active
- 2008-12-15 RU RU2010129073/28A patent/RU2491683C2/ru active
- 2008-12-15 JP JP2010537595A patent/JP5496104B2/ja active Active
- 2008-12-15 KR KR1020157033843A patent/KR20150139630A/ko not_active Ceased
- 2008-12-15 TW TW104143887A patent/TW201624755A/zh unknown
- 2008-12-15 WO PCT/IB2008/055315 patent/WO2009077974A2/en active Application Filing
- 2008-12-15 KR KR1020107015519A patent/KR101677770B1/ko active Active
- 2008-12-15 CN CN2008801209182A patent/CN101897048B/zh active Active
- 2008-12-15 EP EP08862297A patent/EP2220695A2/en not_active Withdrawn
- 2008-12-15 BR BRPI0819933-7A patent/BRPI0819933A2/pt active Search and Examination
-
2012
- 2012-03-19 US US13/423,625 patent/US8679869B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111272A (en) * | 1997-09-29 | 2000-08-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor light source formed of layer stack with total thickness of 50 microns |
| WO2001047039A1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a iii-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| US7265392B2 (en) * | 2000-05-26 | 2007-09-04 | Osram Gmbh | Light-emitting-diode chip comprising a sequence of GaN-based epitaxial layers which emit radiation and a method for producing the same |
| RU2212734C1 (ru) * | 2002-07-10 | 2003-09-20 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник света |
| RU2231171C1 (ru) * | 2003-04-30 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Светоизлучающий диод |
| RU2267188C2 (ru) * | 2003-06-23 | 2005-12-27 | Федорова Галина Владимировна | Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа |
| EP1653523A2 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-03 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Light emitting diode package |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2672776C2 (ru) * | 2014-02-25 | 2018-11-19 | Конинклейке Филипс Н.В. | Светоизлучающие полупроводниковые устройства с геттерным слоем |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101897048A (zh) | 2010-11-24 |
| BRPI0819933A2 (pt) | 2019-02-26 |
| JP5496104B2 (ja) | 2014-05-21 |
| CN101897048B (zh) | 2012-09-05 |
| KR20150139630A (ko) | 2015-12-11 |
| US20090173956A1 (en) | 2009-07-09 |
| US8679869B2 (en) | 2014-03-25 |
| KR101677770B1 (ko) | 2016-11-18 |
| KR20100099286A (ko) | 2010-09-10 |
| WO2009077974A2 (en) | 2009-06-25 |
| EP2220695A2 (en) | 2010-08-25 |
| WO2009077974A3 (en) | 2009-08-13 |
| JP2011507261A (ja) | 2011-03-03 |
| RU2010129073A (ru) | 2012-01-20 |
| TW200939546A (en) | 2009-09-16 |
| TWI528577B (zh) | 2016-04-01 |
| US20120187372A1 (en) | 2012-07-26 |
| TW201624755A (zh) | 2016-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2491683C2 (ru) | Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства | |
| US6586773B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| KR101589855B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP5961358B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR100992497B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| CN103238222B (zh) | 发光二极管、发光二极管灯和照明装置 | |
| CN102822999B (zh) | 发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯 | |
| KR20130064748A (ko) | 트렌치 및 상단 접촉부를 갖는 발광 다이오드 | |
| KR101296959B1 (ko) | 발광 다이오드, 발광 다이오드 램프 및 조명 장치 | |
| KR20100108597A (ko) | 화합물 반도체 발광 다이오드 | |
| TW201817033A (zh) | 具有超晶格之iii-p發光器件 | |
| WO2011090112A1 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
| US20130134390A1 (en) | Light-emitting diode, light-emitting diode lamp, and illumination device | |
| JP2012129281A (ja) | 発光素子 | |
| JP2007173551A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP6921179B2 (ja) | 超格子を用いたｉｉｉ−ｐ発光デバイス | |
| JPH09172198A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP4918245B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2007173575A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |