RU2461429C2 - Способ получения пленок полипараксилилена и его производных - Google Patents
Способ получения пленок полипараксилилена и его производных Download PDFInfo
- Publication number
- RU2461429C2 RU2461429C2 RU2010136698/05A RU2010136698A RU2461429C2 RU 2461429 C2 RU2461429 C2 RU 2461429C2 RU 2010136698/05 A RU2010136698/05 A RU 2010136698/05A RU 2010136698 A RU2010136698 A RU 2010136698A RU 2461429 C2 RU2461429 C2 RU 2461429C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- derivatives
- substrate
- pyrolysis
- monomer
- inert gas
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical group [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims abstract description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 11
- OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 1633-22-3 Chemical compound C1CC(C=C2)=CC=C2CCC2=CC=C1C=C2 OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- SAWMBALHUHLRLG-UHFFFAOYSA-N C(=O)=O.[Kr] Chemical compound C(=O)=O.[Kr] SAWMBALHUHLRLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 abstract 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полимерным материалам, к способам получения тонких полимерных пленок. Способ получения пленок полипараксилилена и его производных включает конденсацию на подложке паров параксилилена и его производных, получаемых пиролизом [2.2]парациклофана и его производных. Процесс проводится в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного. В качестве инертного газа по отношению к мономеру используют гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, углекислый газ, азот, молекулярный водород, ксилол или толуол. Техническим результатом изобретения является усовершенствование способа получения пленок полипараксилилена и его производных. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Изобретение относится к полимерным материалам, конкретно к способам получения тонких полимерных пленок. Такие материалы могут найти применение в качестве защитных покрытий, пленок с низкой диэлектрической проницаемостью, пьезо- и пироэлектриков, нелинейных оптических устройств и т.д.
В последние годы значительные усилия были направлены на разработку экономически эффективных способов получения различных тонкопленочных полимерных материалов с полезными потребительскими свойствами, нанесенных на твердые подложки из газовой фазы. Как правило, эти способы при своей реализации должны решать следующие общие проблемы.
1. Синтез или формирование мономера, осаждаемого из газовой фазы.
2. Транспорт мономера от источника его генерации к подложке.
3.Конденсация мономера на подложке с последующей полимеризацией и рост полимерной пленки.
Известен способ получения тонких полимерных пленок (W.F. Gorham, A new, general synthetic method for the preparation of linear poly-p-xylylenes. J. of Polym. Sci. Part A-1. 1966. V.4. P.3027-3039), в котором осаждаемые из газовой фазы мономеры получают сублимацией циклического димера параксилилена или его замещенных с образованием газообразного циклического димера и его последующим пиролизом. В результате пиролиза образуется мономер параксилилен или его замещенные, которые при конденсации на подложку одновременно полимеризуются с получением полипараксилилена или его замещенных. Транспорт мономеров от источника их формирования к подложке осуществляется путем поддержания низкого давления (0,001-0,1 мм рт.ст.) в зоне конденсации.
Таким образом, получают химически чистые, прочные, конформные, низкопористые пленки различной площади и толщины. Следует подчеркнуть, что пленки формируются без применения растворителя, наличие которого может приводить к побочным реакциям и влиять на качество материала. Проведение процесса в условиях вакуума приводит к отсутствию в системе кислорода, который может сополимеризоваться с мономером, что приводит к значительному ухудшению качества покрытия.
Существенным недостатком при проведении процесса нанесения полимерной пленки в вакууме является низкая скорость ее роста при формировании на подложке при комнатной температуре. Увеличить скорость роста пленки за счет повышения давления мономера невозможно, так как при давлении мономера более 1 Торр молекулы мономера начинают взаимодействовать в газовой фазе, что приводит к образованию низкомолекулярного полимера с плохими эксплуатационными свойствами. Данный способ также характеризуется низкой скоростью транспорта мономеров от источника их генерации к подложке и низкой степенью превращения циклического димера параксилилена или его замещенных в конечную полимерную пленку, которая защищает необходимый объект. По пути к защищаемой подложке (особенно если она значительно удалена от источника генерации мономера) происходит преждевременная конденсация мономера и его полимеризация на нецелевых поверхностях. Одним из недостатков метода является сложность и высокая стоимость вакуумной установки. Кроме того, для сохранения важных свойств ряда покрываемых объектов полимеризацию часто необходимо проводить не в условиях вакуума, а в естественных условиях существования объектов (например, в биотехнологии).
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому техническому решению является способ получения тонких полимерных пленок путем конденсации паров параксилиленов, получаемых пиролизом циклического димера параксилилена ([2.2]парациклофана) его производных или их смесей, на подложку в потоке He или Ar при давлении 1 Торр [US Patent №6,165,554, Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films, 2000]. Согласно указанному способу получают однородные высокомолекулярные полимерные пленки.
Недостатком указанного способа является использование средств откачки большой мощности для обеспечения высоких скоростей потока газа носителя. Другим недостатком является то, что проведение процесса конденсации и полимеризации мономера при указанных давлениях требует контроля большого количества технологических параметров, так как процесс проходит в вязкостном режиме (промежуточный характер процесса между кинетическим режимом (высокий вакуум), когда рост пленки определяется константами скорости химических реакций на поверхности подложки, и диффузионным режимом (большое давление), когда рост пленки определяется диффузией мономера к поверхности подложки). В результате технологические параметры нанесения в значительной степени зависят от конструкции установки и ее размеров.
Технической задачей заявленного способа является устранение указанных недостатков, что достигается тем, что полимерные пленки получают путем конденсации паров параксилилена (его производных или их смесей) на подложку в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного.
Технический результат изобретения состоит в усовершенствовании технологии получения пленок.
"Инертным" газом в заявленном решении считается любой газ (или продукты его пиролиза при используемой температуре), который химически не реагирует с параксилиленом и его производными. Такими газами являются, например, гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, CO2, азот, молекулярный водород, ксилол, толуол и др.
Пары параксилилена и его производных получают испарением и последующим пиролизом [2.2]парациклофана (ПЦФ) и его производных общей формулы:
где X - H, Cl, F;
Y - H, Cl, F, Br, CN, NO2, NH2, N(Alk)2.
Отличие предложенного способа от прототипа состоит в том, что процесс получения полимерных пленок происходит в потоке инертного газа при давлении газа носителя выше атмосферного. Это позволяет отказаться от использования вакуумного оборудования, расширяет круг объектов, на которые можно наносить полимерные покрытия (например, биообъекты). Кроме того, увеличивается скорость роста пленок, при этом потребительские свойства полимерных пленок не ухудшаются.
Для осуществления способа применяется стандартный реактор [Сыркин В.Г. CVD-метод. Химическое парофазное осаждение. М.: Наука. 2000].
Реактор включает:
1) подложки различной природы, например, кварц, металл, полимер, на которые конденсируются пары мономера. Температура подложки регулируется;
2) устройства подачи и регулирования потока газа-носителя;
3) высокотемпературные камеры испарения и пиролиза [2.2]парациклофана и его производных.
В качестве газа-носителя использовали инертный газ (определение см. выше), который проходил дополнительную каталитическую очистку от следов кислорода. В зону сублимации помещали навеску ПЦФ или его производных или их смесей. Пары ПЦФ или его производных или их смесей из зоны сублимации в потоке инертного газа попадали в зону пиролиза, где они превращались в пары нефункционального реакционного интермедиата - п-ксилилена или его производного или их смесей. В реакторе полимеризации пары параксилилена адсорбировались на твердой подложке и полимеризовались с образованием полимерного покрытия. Температуру сублимации ПЦФ или его производных или их смесей поддерживали от 120 до 140°C. Температура зоны пиролиза составляла 600°C. Полимерные покрытия формировали на стеклянной подложке, температуру которой изменяли в диапазоне от -10 до 100°C. Расход газа-носителя поддерживали от 60 до 200 л/ч, который определяли с помощью ротаметра. Давление газа-носителя составляло выше одной атмосферы и до 1,5 атмосферы. Минимальное давление 1,05 атм позволяет отказаться от использования средств откачки. Максимальное рабочее значение давления газа-носителя (1,5 атм) определяется оптимизацией скорости потока газа-носителя для поддержания скорости потока мономера. Она, как известно, прямо пропорциональна скорости потока газа-носителя и обратно пропорциональна давлению газа-носителя. Кроме того, значительное увеличение скорости потока газа-носителя может привести к нарушению ламинарности потока и времени контакта в камере пиролиза [2.2]парациклофана и его производных. Расстояние от источника мономера до подложки составляло 50-150 см. При конденсации паров параксилилена (его производных или их смесей) на подложке происходит полимеризация параксилилена (его производных или их смесей) и образуется полимерный материал.
Изобретение иллюстрируется следующими примерами:
Пример 1.
[2.2]парациклофан загружают в камеру испарения. Температура подложки в реакторе полимеризации комнатная. Расстояние от источника мономера до подложки - 50 см. Включается поток инертного газа-носителя (азот), давление - 1,05 атм, скорость потока - 100 л/ч. Доводят температуру камеры пиролиза [2.2]парациклофана до температуры 600°C, затем повышают температуру камеры испарения [2.2]парациклофана до 140°C и проводят конденсацию паров параксилилена на подложке. Время конденсации 40 мин. В результате получается полимерная пленка полипараксилилена (ППК) толщиной 10 мкм. Химическая структура полученных пленок соответствует ППК, что подтверждается данными ИК- и КР-спектроскопии. ИК и КР спектры образцов соответствуют спектрам ППК, полученным методом Горхема (вакуумные условия). Изучение надмолекулярной структуры ППК методом рентгенографического анализа показало, что структура образцов ППК совпадает со структурой ППК, полученного методом Горхема. Температура плавления образцов ППК составляет 420°C, что также соответствует температуре плавления ППК, полученному классическим методом (в условиях вакуума).
Примеры 2-11.
Примеры 2-11 приведены в таблице, отличаются получаемым полимером при различных газах-носителях и условиях проведения синтеза пленки из газовой фазы.
Обозначения, приведенные в таблице:
ППК - полипараксилилен
CNППК - полицианпараксилилен
2ClППК - полидихлорпараксилилен
NH2ППК - полиаминопараксилилен
NO2ППК - полинитропараксилилен
N(CH3)2ППК - полидиметиламинопараксилилен
4FППК - поли-α,α,α`,α`-тетрафторпараксилилен
ClППК - хлорполипараксилилен
Claims (2)
1. Способ получения пленок полипараксилилена и его производных путем конденсации на подложке паров параксилилена и его производных, получаемых пиролизом [2.2] парациклофана и его производных, отличающийся тем, что процесс проводится в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве инертного по отношению к мономеру газа используют гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, углекислый газ, азот, молекулярный водород, ксилол или толуол.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010136698/05A RU2461429C2 (ru) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Способ получения пленок полипараксилилена и его производных |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010136698/05A RU2461429C2 (ru) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Способ получения пленок полипараксилилена и его производных |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010136698A RU2010136698A (ru) | 2012-03-10 |
| RU2461429C2 true RU2461429C2 (ru) | 2012-09-20 |
Family
ID=46028836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010136698/05A RU2461429C2 (ru) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | Способ получения пленок полипараксилилена и его производных |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2461429C2 (ru) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2011431C1 (ru) * | 1991-11-19 | 1994-04-30 | Институт механики металлополимерных систем АН Беларуси | Устройство для формирования поли-n-ксилиленовых покрытий |
| US5512330A (en) * | 1994-10-04 | 1996-04-30 | Dearnaley; Geoffrey | Parylene precursors for diamond-like carbon coatings |
| US5536321A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter |
| EP0862664A2 (en) * | 1995-10-27 | 1998-09-09 | Specialty Coating Systems, Inc. | Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers |
| US6165554A (en) * | 1997-11-12 | 2000-12-26 | Jet Process Corporation | Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films |
| EP1255874A2 (en) * | 2000-02-16 | 2002-11-13 | Specialty Coating Systems, Inc. | Tumble coater |
| EP1414588A2 (en) * | 2001-04-05 | 2004-05-06 | Honeywell International Inc. | Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition for manufacturing said barrier coating |
| EP1998338A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-03 | Agfa HealthCare NV | Needle image plate or panel suitable for use in CR or DR imaging. |
| RU2010154436A (ru) * | 2008-06-03 | 2012-07-20 | Айкстрон Аг (De) | Способ и устройство осаждения тонких слоев полипараксилилена или замещенного полипараксилилена |
-
2010
- 2010-09-03 RU RU2010136698/05A patent/RU2461429C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2011431C1 (ru) * | 1991-11-19 | 1994-04-30 | Институт механики металлополимерных систем АН Беларуси | Устройство для формирования поли-n-ксилиленовых покрытий |
| US5512330A (en) * | 1994-10-04 | 1996-04-30 | Dearnaley; Geoffrey | Parylene precursors for diamond-like carbon coatings |
| US5536321A (en) * | 1995-10-27 | 1996-07-16 | Specialty Coating Systems, Inc. | Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter |
| EP0862664A2 (en) * | 1995-10-27 | 1998-09-09 | Specialty Coating Systems, Inc. | Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers |
| US6165554A (en) * | 1997-11-12 | 2000-12-26 | Jet Process Corporation | Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films |
| EP1255874A2 (en) * | 2000-02-16 | 2002-11-13 | Specialty Coating Systems, Inc. | Tumble coater |
| EP1414588A2 (en) * | 2001-04-05 | 2004-05-06 | Honeywell International Inc. | Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition for manufacturing said barrier coating |
| EP1998338A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-03 | Agfa HealthCare NV | Needle image plate or panel suitable for use in CR or DR imaging. |
| RU2010154436A (ru) * | 2008-06-03 | 2012-07-20 | Айкстрон Аг (De) | Способ и устройство осаждения тонких слоев полипараксилилена или замещенного полипараксилилена |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2010136698A (ru) | 2012-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Baxamusa et al. | Thin polymer films with high step coverage in microtrenches by initiated CVD | |
| Yoon et al. | Molecular Layer Deposition of Hybrid Organic‐Inorganic Polymer Films using Diethylzinc and Ethylene Glycol | |
| US5013338A (en) | Plasma-assisted polymerization of monomers onto polymers and gas separation membranes produced thereby | |
| Wrobel et al. | Polymerization of organosilicones in microwave discharges. II. Heated substrates | |
| Contreras-García et al. | Low-pressure plasma polymerization of acetylene–ammonia mixtures for biomedical applications | |
| KR102317300B1 (ko) | 클로로다이실라잔 | |
| Klepper et al. | Guidance of growth mode and structural character in organic–inorganic hybrid materials–a comparative study | |
| EP0711817A2 (en) | Water-repellent thin films and methods for the preparation thereof | |
| CN102187011A (zh) | Cvd前体 | |
| RU2461429C2 (ru) | Способ получения пленок полипараксилилена и его производных | |
| Petersen et al. | Atmospheric plasma deposition process: A versatile tool for the design of tunable siloxanes‐based plasma polymer films | |
| Alentiev et al. | Synthesis and properties of metathesis polymer based on 3-silatranyltricyclo [4.2. 1.02. 5] non-7-ene | |
| Gilman et al. | Organosilicon-based hybrid materials produced using low temperature plasma | |
| Fracassi et al. | Plasma deposition of silicon nitride-like thin films from organosilicon precursors | |
| US8552131B1 (en) | Hard, impermeable, flexible and conformal organic coatings | |
| Blaszczyk-Lezak et al. | Silicon carbonitride by remote microwave plasma CVD from organosilicon precursor: Growth mechanism and structure of resulting Si: C: N films | |
| US9339770B2 (en) | Organosiloxane films for gas separations | |
| Wrobel et al. | Effect of glow discharge conditions on structure and thermal properties of polysilazane thin films | |
| US20130158189A1 (en) | Method for Polymer Plasma Deposition | |
| Matsuyama et al. | Plasma polymerized membranes from organosilicon compounds for separation of oxygen over nitrogen | |
| WO2013152068A1 (en) | Adhesion promotion of vapor deposited films | |
| Yeping et al. | Study of plasma-polymerization deposition of C2H2/CO2/H2 onto ethylene-co-propylene rubber membranes | |
| US20220372201A1 (en) | Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene | |
| Lau | Growth mechanism, kinetics, and molecular weight | |
| Kyaw et al. | Gas permeation properties and preparation of carbon membrane by PECVD method using indene as precursor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150904 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20170117 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190904 |