[go: up one dir, main page]

RU2446219C1 - Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets - Google Patents

Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets Download PDF

Info

Publication number
RU2446219C1
RU2446219C1 RU2010137602/02A RU2010137602A RU2446219C1 RU 2446219 C1 RU2446219 C1 RU 2446219C1 RU 2010137602/02 A RU2010137602/02 A RU 2010137602/02A RU 2010137602 A RU2010137602 A RU 2010137602A RU 2446219 C1 RU2446219 C1 RU 2446219C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nickel
sublimation
nickel chloride
temperature
argon
Prior art date
Application number
RU2010137602/02A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Вадим Георгиевич Глебовский (RU)
Вадим Георгиевич Глебовский
Николай Сергеевич Сидоров (RU)
Николай Сергеевич Сидоров
Евгений Дмитриевич Штинов (RU)
Евгений Дмитриевич Штинов
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) filed Critical Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН)
Priority to RU2010137602/02A priority Critical patent/RU2446219C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2446219C1 publication Critical patent/RU2446219C1/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

FIELD: metallurgy.
SUBSTANCE: sublimation of nickel chloride powder and diffusion reduction of nickel chloride vapours is performed until compact reduced nickel is obtained. At that, sublimation of nickel chloride powder is performed in 10 passes of sublimation zone in wet argon flow at temperature of 930°C, and the obtained nickel chloride ingot is loaded to reactor and its sublimation is performed in the flow of dried argon and diffusion reduction of nickel chloride vapours is performed at temperature of 930°C in dried hydrogen flow. Then, vacuum floating-zone refining is performed until nickel monocrystals are obtained, and the required amount (as to weight) of nickel monocrystals is remolten in flat crystalliser in vacuum so that flat ingot with penetration through the whole depth of not less than two times on each side is obtained.
EFFECT: improving nickel purity for obtaining monocrystals and sputtering targets.
1 tbl, 1 ex

Description

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых магнетронных мишеней в технологии производства кремниевых интегральных схем в микроэлектронике.The invention relates to the field of metallurgy of non-ferrous metals and can be used in the production of sputtered magnetron targets in the production technology of silicon integrated circuits in microelectronics.

Известен способ получения высокочистого никеля и мишеней из него [Патент РФ №2377330], взятый за прототип, в соответствии с которым никель производят хлоридным способом и водородным восстановлением с последующими вакуумными переплавами с целью глубокой очистки металла и формообразования. Недостатком известного способа является то, что в хлоридном процессе удаление примесей сильно зависит от выбора материала и емкости реакционного сосуда, соотношения хлора и исходного металла, подбора температуры для осаждения и чистоты исходного продукта. Использование вакуумного плавления и очистки исходных порошков хлорида никеля, полученных по хлоридной технологии, часто не позволяет достигать желаемого результата, так как финишный литой никель имеет макроструктуру невысокого качества, а выращивание монокристаллов, особенно ориентированных, сильно осложняется наличием примесей.A known method for producing high-purity nickel and targets from it [RF Patent No. 2377330], taken as a prototype, according to which nickel is produced by the chloride method and hydrogen reduction with subsequent vacuum remelting with the aim of deep metal purification and shaping. A disadvantage of the known method is that in the chloride process, the removal of impurities strongly depends on the choice of material and capacity of the reaction vessel, the ratio of chlorine to the starting metal, the selection of temperature for precipitation and the purity of the starting product. The use of vacuum melting and purification of the initial nickel chloride powders obtained by the chloride technology often does not allow to achieve the desired result, since the final cast nickel has a low-quality macrostructure, and the growth of single crystals, especially oriented ones, is greatly complicated by the presence of impurities.

Техническая задача - повышение чистоты никеля для получения монокристаллов и распыляемых мишеней, используемых для тонкопленочной металлизации различными методами распыления, поскольку чистота никеля в значительной мере определяет электрофизические параметры наносимых тонких слоев.The technical task is to increase the purity of nickel to obtain single crystals and sputtering targets used for thin-film metallization by various spraying methods, since the purity of nickel largely determines the electrophysical parameters of the applied thin layers.

Это достигается тем, что используется способ получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней, включающий сублимацию порошка исходного хлорида никеля, диффузионное восстановление паров хлорида никеля с получением компактного восстановленного никеля, его вакуумную зонную перекристаллизацию с получением монокристаллов никеля, переплав необходимого по массе количества монокристаллов никеля в плоском кристаллизаторе в вакууме с получением плоского слитка, проплавленного с каждой стороны на полную глубину не менее двух раз, причем сублимацию порошка хлорида проводят за 10 проходов сублимационной зоны в потоке влажного аргона при температуре 930°С, полученный слиток хлорида никеля загружают в реактор и осуществляют его сублимацию в потоке осушенного аргона и восстановление паров хлорида никеля до металлического никеля при температуре 930°С в потоке осушенного водорода.This is achieved by using a method for producing high-purity nickel for sputtering targets, including sublimation of the powder of the initial nickel chloride, diffusion recovery of nickel chloride vapors to obtain compact reduced nickel, its vacuum zone recrystallization to produce nickel single crystals, remelting the required amount of nickel single crystals in flat mold in vacuum to obtain a flat ingot melted on each side to a full depth of at least two times, Chloride powder is sublimated in 10 passes of the sublimation zone in a stream of wet argon at a temperature of 930 ° С, the obtained nickel chloride ingot is loaded into a reactor and it is sublimated in a stream of dried argon and the nickel chloride vapor is reduced to metallic nickel at a temperature of 930 ° С in a stream dried hydrogen.

Способ получения высокочистого никеля для получения мишеней осуществляют следующим образом. Порошок хлорида никеля помещают в реактор, через который пропускают поток влажного аргона со скоростью 50 мл/мин, разогревают зонную печь до температуры 930°С и перемещают зонную печь вдоль засыпки хлорида никеля длиной 500 мм со скоростью 50 мм/час. При этом направления потока влажного аргона и перемещения зонной печи противоположны. За один проход зоны исходная засыпка хлорида никеля перемещается на 50 мм по направлению потока влажного аргона. После 10 проходов паровой зоны слиток хлорида никеля перемещается на 500 мм, т.е. полностью переносится с первоначального места исходной засыпки. При этом легко гидролизующиеся примеси остаются на месте первоначального места исходной засыпки, а легколетучие примеси собираются в конечной части реактора. Такое совмещение двух процессов очистки - высокотемпературного гидролиза и сублимации существенно повышает эффективность очистки. После окончания процесса 90% начальной части полученного слитка хлорида никеля загружают в реактор и осуществляют его сублимацию в потоке осушенного аргона и диффузионное восстановление паров хлорида никеля до металлического никеля в потоке осушенного водорода при температуре 930°С. Потоки осушенного аргона и осушенного водорода подаются в зону восстановления раздельно. Восстановленный никель в виде фольги и кристаллов прессуют и подвергают вакуумной зонной перекристаллизации до получения монокристаллов. Для получения мишени необходимое по массе количество монокристаллов никеля переплавляют в вакууме в плоском кристаллизаторе до получения плоского слитка, проплавляя его с каждой стороны на полную глубину.A method of obtaining high-purity Nickel to obtain targets is as follows. Nickel chloride powder is placed in a reactor through which a stream of wet argon is passed at a rate of 50 ml / min, the zone furnace is heated to a temperature of 930 ° C and the zone furnace is moved along the bed of nickel chloride with a length of 500 mm at a speed of 50 mm / hour. In this case, the directions of the flow of wet argon and the movement of the zone furnace are opposite. In one pass of the zone, the initial charge of nickel chloride moves 50 mm in the direction of flow of wet argon. After 10 passes of the vapor zone, the nickel chloride ingot moves 500 mm, i.e. completely transferred from the original place of the initial filling. In this case, easily hydrolyzed impurities remain in place of the initial place of the initial filling, and volatile impurities are collected in the final part of the reactor. This combination of two cleaning processes - high-temperature hydrolysis and sublimation significantly increases the cleaning efficiency. After the end of the process, 90% of the initial part of the obtained nickel chloride ingot is loaded into the reactor and its sublimation is carried out in a stream of dried argon and diffusion reduction of nickel chloride vapor to metallic nickel in a stream of dried hydrogen at a temperature of 930 ° C. The flows of dried argon and dried hydrogen are fed to the reduction zone separately. Reduced nickel in the form of foil and crystals is pressed and subjected to vacuum zone recrystallization to obtain single crystals. To obtain a target, the required mass amount of nickel single crystals is melted in a vacuum in a flat mold to obtain a flat ingot, melting it from each side to full depth.

Пример реализации способаAn example implementation of the method

В качестве исходного материала использовали порошок хлорида никеля марки ОСЧ. В начальную часть кварцевого реактора длиной 1200 мм загружали хлорид никеля. Длина исходной засыпки хлорида никеля составляла 500 мм. Реактор помещали в зонную установку и внутрь реактора подавали поток влажного аргона со скоростью 50 мм/мин. Аргон увлажняли парами воды пропусканием через барботер с водой при комнатной температуре. В направлении, противоположном направлению потока влажного аргона, перемещали зонную печь шириной 50 мм со скоростью 50 мм/ч, нагретую до температуры 930°С. Проводили 10 проходов паровой зоны. По окончании процесса хлорид никеля полностью перемещался с первоначального места исходной засыпки. Далее 90% длины слитка (за исключением его конечной части) переносили в другой реактор, в котором проводили сублимацию в потоке осушенного аргона и диффузионное восстановление хлорида никеля в потоке осушенного водорода до металлического никеля при температуре 930°С. Потоки осушенного аргона и осушенного водорода подавали в реактор раздельно. В Таблице приведены результаты анализа хлорида никеля, полученного по способу-прототипу и предлагаемому способу, а также результаты анализа примесного состава металлического никеля после диффузионного восстановления. Видно, что сублимация в потоке увлажненного аргона существенно повышает глубину очистки никеля от металлических примесей.As a starting material, a powder of nickel chloride of the OChS brand was used. Nickel chloride was charged into the initial part of a 1200 mm long quartz reactor. The length of the initial nickel chloride backfill was 500 mm. The reactor was placed in a zone unit and a stream of wet argon was fed into the reactor at a speed of 50 mm / min. Argon was moistened with water vapor by passing through a bubbler with water at room temperature. In the direction opposite to the direction of flow of wet argon, a zone furnace with a width of 50 mm was moved at a speed of 50 mm / h, heated to a temperature of 930 ° C. Conducted 10 passes of the steam zone. At the end of the process, nickel chloride was completely moved from the original place of the initial filling. Next, 90% of the length of the ingot (except for its final part) was transferred to another reactor, in which sublimation was carried out in a stream of dried argon and diffusion reduction of nickel chloride in a stream of dried hydrogen to metallic nickel at a temperature of 930 ° C. The flows of dried argon and dried hydrogen were fed to the reactor separately. The table shows the results of the analysis of nickel chloride obtained by the prototype method and the proposed method, as well as the results of the analysis of the impurity composition of metallic nickel after diffusion reduction. It is seen that sublimation in a stream of humidified argon significantly increases the depth of nickel purification from metallic impurities.

Содержание примесей в исходном хлориде никеля и металлическом никеле, полученном диффузионным восстановлением хлорида никеля (ррm)Impurity content in the initial nickel chloride and metallic nickel obtained by diffusion reduction of nickel chloride (ppm) ЭлементыItems Исходный NiCl2 (ОСЧ)Starting NiCl 2 (OSH) NiNi NiNi Способ-прототипPrototype method Предлагаемый способThe proposed method NaNa 30,0030.00 <0,1<0.1 <0,01<0.01 KK 100,00100.00 0,30.3 <0,01<0.01 MgMg 10,0010.00 0,30.3 <0,01<0.01 AlAl 30,0030.00 0,10.1 <0,01<0.01 CaCa 10,0010.00 1,01,0 0,010.01 MnMn 300,00300.00 <0,1<0.1 <0,01<0.01 FeFe 40,0040.00 0,10.1 0,010.01 CuCu 3,003.00 0,30.3 0,010.01 BaBa 50,0050.00 1,01,0 0,010.01 CoCo 30,0030.00 0,10.1 0,010.01 BrBr -- <0,1<0.1 <0,01<0.01 SiSi 1000,001000,00 0,10.1 0,010.01 CrCr 1,001.00 <0,1<0.1 <0,01<0.01 AsAs 3,003.00 0,30.3 <0,01<0.01

Таким образом, предлагаемый способ получения высокочистого никеля позволяет с высокой эффективностью производить очистку исходных материалов пониженной чистоты, что чрезвычайно важно для приготовления магнетронных мишеней, поскольку появляется возможность использовать никелевый продукт рекордной чистоты.Thus, the proposed method for producing high-purity nickel allows high-purity purification of starting materials of reduced purity, which is extremely important for the preparation of magnetron targets, since it becomes possible to use a nickel product of record purity.

Claims (1)

Способ получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней, включающий сублимацию порошка хлорида никеля, диффузионное восстановление паров хлорида никеля с получением компактного восстановленного никеля, его вакуумную зонную перекристаллизацию с получением монокристаллов никеля, переплав необходимого по массе количества монокристаллов никеля в плоском кристаллизаторе в вакууме с получением плоского слитка, проплавленного с каждой стороны на полную глубину не менее двух раз, отличающийся тем, что сублимацию порошка хлорида никеля проводят за 10 проходов сублимационной зоны в потоке влажного аргона при температуре 930°С, полученный слиток хлорида никеля загружают в реактор и осуществляют его сублимацию в потоке осушенного аргона и диффузионное восстановление паров хлорида никеля при температуре 930°С в потоке осушенного водорода. A method for producing high-purity nickel for sputtering targets, including sublimation of nickel chloride powder, diffusion recovery of nickel chloride vapors to obtain compact reduced nickel, its vacuum zone recrystallization to produce nickel single crystals, remelting the required mass of nickel single crystals in a flat crystallizer in vacuum to obtain a flat ingot melted on each side to a full depth of at least two times, characterized in that the sublimation of nickel chloride powder Spruce is carried out in 10 passes of the sublimation zone in a stream of wet argon at a temperature of 930 ° C, the obtained nickel chloride ingot is loaded into the reactor and its sublimation is carried out in a stream of dried argon and diffusion recovery of nickel chloride vapors at a temperature of 930 ° C in a stream of dried hydrogen.
RU2010137602/02A 2010-09-10 2010-09-10 Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets RU2446219C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010137602/02A RU2446219C1 (en) 2010-09-10 2010-09-10 Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010137602/02A RU2446219C1 (en) 2010-09-10 2010-09-10 Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2446219C1 true RU2446219C1 (en) 2012-03-27

Family

ID=46030882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010137602/02A RU2446219C1 (en) 2010-09-10 2010-09-10 Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2446219C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2819192C1 (en) * 2023-09-27 2024-05-15 Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАЦЕНТР" (ООО "ИННОВАЦЕНТР") Method of producing high-purity nickel for sputtered targets

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1381036A (en) * 1971-09-14 1975-01-22 Nickel Le Method for producing high-purity nickel powder with predetermined physical characteristics
RU2102191C1 (en) * 1996-04-16 1998-01-20 Сибирский химический комбинат Method for production of nickel powder
WO2002102533A1 (en) * 2001-06-14 2002-12-27 Toho Titanium Co., Ltd. Method for producing metal powder and metal powder, and electroconductive paste and monolithic ceramic capacitor
RU2377331C1 (en) * 2008-07-14 2009-12-27 Вадим Георгиевич Глебовский Method to produce high-purity nickel for dispersed targets and device to this end

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1381036A (en) * 1971-09-14 1975-01-22 Nickel Le Method for producing high-purity nickel powder with predetermined physical characteristics
RU2102191C1 (en) * 1996-04-16 1998-01-20 Сибирский химический комбинат Method for production of nickel powder
WO2002102533A1 (en) * 2001-06-14 2002-12-27 Toho Titanium Co., Ltd. Method for producing metal powder and metal powder, and electroconductive paste and monolithic ceramic capacitor
RU2377331C1 (en) * 2008-07-14 2009-12-27 Вадим Георгиевич Глебовский Method to produce high-purity nickel for dispersed targets and device to this end

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2819192C1 (en) * 2023-09-27 2024-05-15 Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАЦЕНТР" (ООО "ИННОВАЦЕНТР") Method of producing high-purity nickel for sputtered targets

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101984101B (en) A kind of production method of high-purity titanium
US6007597A (en) Electron-beam melt refining of ferroniobium
CN108441651B (en) Preparation method for improving purity and yield of molybdenum
CN110902685A (en) Method for separating silicon-containing mixture to obtain industrial silicon
CN107345278A (en) A process for preparing high-purity aluminum by vacuum distillation of electrolytic aluminum
JP3838716B2 (en) Purification method of bismuth
JP3838717B2 (en) Magnesium purification method
RU2434959C1 (en) Procedure for production of high purity molybdenum for sputtering target
JP5992244B2 (en) Method for producing high purity magnesium and high purity magnesium
RU2446219C1 (en) Method for obtaining high-purity nickel for sputtering targets
JP5925384B2 (en) Method for producing high purity manganese and high purity manganese
JP2015189996A (en) High-purity strontium and production method thereof
RU2748846C1 (en) Method for producing high-purity metal scandium
CN112680614B (en) Cold cathode EB furnace smelting method for forging-free direct rolling Ti-Al-Nb-Zr-Mo alloy ingot
RU2434955C1 (en) Procedure for production of high purity cobalt for sputtering target
CN104831079B (en) Segregation method refined aluminium effectively removes the method for vanadium in purifying
RU2377331C1 (en) Method to produce high-purity nickel for dispersed targets and device to this end
RU2008112219A (en) ORE REDUCTION PROCESS AND METALIZATION PRODUCT OF TITANIUM OXIDE AND IRON
JPH10324933A (en) Production of high-purity tellurium and production apparatus therefor
RU2377330C1 (en) Method to produce high-purity nickel for dispersed targets and device to this end
CN114262805B (en) A kind of preparation device and method of smelting-free dense metal magnesium ingot
JP2006283192A (en) High purity indium
RU2434960C1 (en) Procedure for production of high purity tungsten for sputtering target
RU2375479C1 (en) Method for production of highly pure molybdenum for spattering targets and device for its realisation
RU2819192C1 (en) Method of producing high-purity nickel for sputtered targets

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160911