RU2318928C1 - Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием - Google Patents
Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием Download PDFInfo
- Publication number
- RU2318928C1 RU2318928C1 RU2006120500/15A RU2006120500A RU2318928C1 RU 2318928 C1 RU2318928 C1 RU 2318928C1 RU 2006120500/15 A RU2006120500/15 A RU 2006120500/15A RU 2006120500 A RU2006120500 A RU 2006120500A RU 2318928 C1 RU2318928 C1 RU 2318928C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zinc
- cadmium telluride
- mpa
- hardness
- microhardness
- Prior art date
Links
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 238000003825 pressing Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 101001123530 Nicotiana tabacum Putrescine N-methyltransferase 3 Proteins 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью. Сущность изобретения состоит в том, что нанопорошок теллурида цинка-кадмия со средним размером частиц 10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 350-500 МПа при температурах от +20 до +25°С, а затем выдерживают под давлением в течение 1-10 мин. При этом получают материал, твердость которого составляет 1010-1860 МПа, что превышает твердость полученных известными способами кристаллов теллурида цинка-кадмия не менее чем в 2 раза. 2 табл.
Description
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов на основе теллурида цинка-кадмия и может использоваться для получения объемного материала высокой плотности и механической твердости, изготавливаемого из нанопорошка для заготовок и изделий, в частности детекторов ионизирующих излучений.
Механическая твердость является эксплуатационной характеристикой материалов, работающих в области физики высоких энергий. Это свойство важно при создании полупроводниковых приборов, а именно при закреплении изделий в обоймы (оправки) и при нанесении контактов. У Cd1-xZnxTe, полученного известными способами, твердость низкая - на уровне 450 МПа.
Известен способ получения объемного кристаллического теллурида цинка-кадмия выращиванием из расплава в атмосфере аргона [Н.J. von Bardeleben, T.Arnoux, С.Launay. intrinsic Defects in Photorefractive Buil CdTe and ZnCdTe. Journal of Crystal Growth, 1999, v.197, pp.718-723] - аналог. Этот метод позволяет получить монокристаллы, механическая твердость которых невысока: микротвердость по Виккерсу (измеренная на приборе ПМТ-3 с использованием алмазной пирамиды с углом 136° при вершине) составляет 450 МПа.
Известен способ выращивания объемных кристаллов теллурида цинка-кадмия из расплава в условиях контролируемых парциальных давлениий паров компонентов над расплавом [Wanwan Li, Wenbin Sang, Jihna Min, Fang Yu, Bin Zhang and Kunsu Wang. Cd1-xZnxTe Crystal Growth Controlied by Cd/Zn Partia) Pressures. Semiconductor Science and Technology, 2002, v.17, p.L55-L58] - аналог. Этот способ получения теллурида цинка-кадмия имеет тот же недостаток, а именно низкую микротвердость на уровне 450 МПа.
Помимо указанного недостатка перечисленные способы получения объемных кристаллов Cd1-xZnxTe не обеспечивают получения постоянного химического состава по всей длине кристалла в связи с различием коэффициентов диффузии компонентов в паровой фазе. Прилагаемые давления атмосферы инертного газа либо контроль давления паров компонентов позволяют лишь частично устранить этот недостаток.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ получения селенида цинка [Ch.В.Willingham, J.Pappis. Optical Element, Especialy of Zinc Sulphide or Selenide, Having improved Optical Quality. UK Patent Application No GB 2090237 A, 1982] - прототип. Способ включает горячее изостатическое прессование при температурах в диапазоне 700-1050°С и давлениях 34-205 МПа кристаллов ZnSe, полученных методом химического осаждения из газовой фазы. Сравнение способов получения теллурида цинка-кадмия и селенида цинка оправдано, поскольку оба они относятся к ряду соединений АIIВVI, и их физико-химические свойства весьма близки между собой [N.N.Kolesnikov, R.В.James, N.S.Berzigiarova, М.P.Kulakov. HPVB and HPVZM Shaped Growth of CdZnTe, CdSe and ZnSe Crystals. Proceedings of SPIE: X-Ray and Gamma-Ray Detectors and Applications IV, Editors: R.B.James, L.A.Frank, A.Burger, E.M.Westbrook, R.D.Durst. 2002, v.4784, pp.93-104]. Микротвердость ZnSe составляет 720 МПа. Горячее изостатическое прессование повышает плотность материала и частично предотвращает образование пор, тем самым позволяя улучшить некоторые оптические характеристики, например пропускание света в инфракрасном диапазоне. К недостаткам этого способа относится высокая стоимость изготовления и эксплуатации высокотемпературных газостатов. Кроме того, соединения АIIВVI, к которым относятся теллурид цинка-кадмия и ZnSe, частично разлагаются на компоненты при температурах 300°С и выше, что вызывает нарушение стехиометрии этих веществ. Поэтому прессование таких материалов при высоких температурах нежелательно, т.к. контроль химического состава усложняет процесс и повышает стоимость получения материала. Прессование соединений АIIВVI на воздухе при температурах 300°С и выше невозможно, т.к. эти вещества в таких условиях окисляются кислородом воздуха. Кроме того, изостатическое прессование материалов АIIВVI ведется в течение 3 часов и более, что также повышает стоимость и снижает производительность процесса. Помимо этого, при обработке материалов давлением при повышенных температурах могут происходить процессы динамического отдыха и рекристаллизации, что приводит к снижению механической твердости за счет роста зерен и уменьшения внутренних напряжений.
Таким образом, известные способы получения кристаллов типа АIIВVI не позволяют получать объемный теллурид цинка-кадмия с высокой механической твердостью и постоянным стехиометрическим составом.
Поскольку теллурид цинка-кадмия предназначен, в частности, для использования в детекторах ионизирующих излучений, одной из его рабочих характеристик является механическая твердость, высокие значения которой важны при нанесении контактов и при закреплении изделий в обоймы (оправки), и постоянный химический состав, обеспечивающий стабильность свойств данного материала.
Задачей данного изобретения является получение объемного теллурида цинка-кадмия, обладающего высокой механической твердостью и заданным составом.
Эта задача решается в предлагаемом способе получения объемного теллурида цинка-кадмия прессованием полученного методом осаждения из газовой фазы нано-кристаллического порошка с размерами частиц 10 нм при температурах от +20 до +25°С на воздухе, при давлении прессования 350-500 МПа в течение 1-10 минут.
Выбор размера частиц обусловлен достижением высоких показателей твердости. При прессовании порошка с размером зерен 300 нм твердость существенно ниже, чем в случае прессования нанопорошка (строка 1 таблицы 1).
Интервал давлений, при которых происходит прессование, оптимален для достижения высоких показателей твердости теллурида цинка-кадмия. При давлениях ниже 350 МПа твердость ниже, чем в указанном интервале (строка 2 таблицы 1), а при еще более низких давлениях материал не удается спрессовать. При давлениях 350-500 МПа и выдержке под давлением в течение 1-10 мин. достигается максимальная для данного состава твердость (строки 3, 4, 5 таблицы 1) При давлении выше 500 МПа твердость остается на том же уровне (строка 6 таблицы 1).
Выбор комнатной температуры прессования обусловлен тем, что при повышенных температурах может происходить диссоциация соединения Cd1-xZnxTe, приводящая к изменению состава материала и, следовательно, его свойств. Прессование при комнатной температуре позволяет сохранить постоянным состав керамики, эквивалентный составу исходного порошка. Кроме того, при повышенных температурах возможны процессы динамического отдыха и рекристаллизации, что приводит к снижению механической твердости за счет роста зерен (строка 7 таблицы 1). Помимо этого, горячее прессование требует дополнительных затрат на оборудование. Таким образом, изготовление керамики из нанопорошка теллурида цинка-кадмия при высоких температурах нецелесообразно.
Прессование ведется в пресс-форме с применением одного пуансона. При этом в данном способе прессования не используются пластификаторы и смазки. Такой процесс является простым и экономичным, кроме того, отсутствие пластификаторов и смазки предотвращает загрязнение полученного материала инородными примесями.
Выбор интервала времени прессования является оптимальным для достижения высокой твердости материала. При времени, меньшем 1 мин, не достигается однородности структуры и свойств теллурида кадмия по сечению и объему образца материала. При увеличении времени выдержки свыше 10 мин (строка 8 таблицы 1) не наблюдается дальнейшего повышения твердости, а при увеличении времени выдержки под давлением свыше 30 мин материал стремится к расслоению (строка 9 таблицы 1).
Различие химического состава керамики теллурида цинка-кадмия оказывает влияние на значение твердости (строки 10, 11, 12 таблицы 1).
| Таблица 1 | ||||||
| N | Состав керамики | Давление прессования, МПа | Время прессования, мин | Т °С | Диаметр частиц кадмий-цинк-теллур, нм | Твердость материала, МПа |
| 1 | Cd0.9Zn0.1Te | 450 | 5 | +20 | 300 | 660 |
| 2 | Cd0.9Zn0.1Te | 300 | 5 | +20 | 10 | 830 |
| 3 | Cd0.9Zn0.1Te | 350 | 10 | +20 | 10 | 1136 |
| 4 | Cd0.9Zn0.1Te | 450 | 2 | +25 | 10 | 1130 |
| 5 | Cd0.9Zn0.1Te | 500 | 1 | +25 | 10 | 1140 |
| 6 | Cd0.9Zn0.1Te | 600 | 5 | +20 | 10 | 1140 |
| 7 | Cd0.9Zn0.1Te | 450 | 5 | +200 | 60 | 806 |
| 8 | Cd0.9Zn0.1Te | 450 | 20 | +20 | 10 | 1030 |
| 9 | Cd0.9Zn0.1Te | 400 | 40 | +20 | 10 | расслоение |
| 10 | Cd0.8Zn0.2Te | 400 | 10 | +25 | 10 | 1536 |
| 11 | Cd0.7Zn0.3Te | 400 | 5 | +20 | 10 | 1751 |
| 12 | Cd0.96Zn0.04Te | 400 | 5 | +20 | 10 | 1008 |
Предложенный способ позволяет получить объемный теллурид цинка-кадмия заданного состава Cd1-xZnxTe, плотность которого составляет 94-95% рентгеновской плотности CdTe. Микротвердость по Виккерсу полученного таким способом объемного теллурида цинка-кадмия изменяется в пределах 1108-1751 МПа, в зависимости от состава керамики (строки 3, 4, 5, 6, 9, 10, 11 таблицы 1). Это в 1,5-2 раза превышает микротвердость кристаллов, изготовленных известными способами (таблица 2).
| Таблица 2 | ||
| Состав кристалла или керамики | Микротвердость кристалла, выращенного из расплава, МПа | Микротвердость керамики из нанопорошка, МПа |
| Cd0.96Zn0.04Те | 630 | 1008 |
| Cd0.9Zn0.1Те | 710 | 1136 |
| Cd0.8Zn0.2Те | 967 | 1536 |
| Cd0.7Zn0.3Те | 1251 | 1751 |
| Cd0.6Zn0.4Те | 1330 | 1852 |
Пример 1
Нанопорошок теллурида цинка-кадмия Cd0.96Zn0.04Те со средним размером частиц 10 нм был загружен в пресс-форму диаметром 10 мм и помещен в камеру пресса. Образец нагружали до давления 400 МПа, а затем выдерживали под давлением в течение 5 мин при температуре +20°С на воздухе. После снятия нагрузки полученный образец диаметром 10 мм и высотой 3 мм извлекали и измеряли его микротвердость на приборе ПМТ-3 с использованием алмазной пирамиды с углом 136° при вершине. Микротвердость составляла 1130 МПа. Значение микротвердости по сечению было постоянным, что указывает на однородность микроструктуры образцов. Точность измерения микротвердости была не хуже ±5%.
Пример 2
Нанопорошок теллурида цинка-кадмия Cd0.8Zn0.2Те со средним размером частиц 10 нм был загружен в пресс-форму диаметром 10 мм и помещен в камеру пресса. Образец нагружали до давления 350 МПа, а затем выдерживали под давлением в течение 10 мин при температуре +20°С на воздухе. После снятия нагрузки полученный образец диаметром 10 мм и высотой 3 мм извлекали и измеряли его микротвердость на приборе ПМТ-3 с использованием алмазной пирамиды с углом 136° при вершине. Микротвердость составляла 1536 МПа. Значение микротвердости по сечению было постоянным, что указывает на однородность микроструктуры образцов. Точность измерения микротвердости была не хуже ±5%.
Пример 3
Нанопорошок теллурида цинка-кадмия Cd0.6Zn0.4Те со средним размером частиц 10 нм был загружен в пресс-форму диаметром 10 мм и помещен в камеру пресса. Образец нагружали до давления 500 МПа, а затем выдерживали под давлением в течение 2 мин при температуре +25°С на воздухе. После снятия нагрузки полученный образец диаметром 10 мм и высотой 3 мм извлекали и измеряли его микротвердость на приборе ПМТ-3 с использованием алмазной пирамиды с углом 136° при вершине. Микротвердость составляла 1862 МПа. Значение микротвердости по сечению было постоянным, что указывает на однородность микроструктуры образцов. Точность измерения микротвердости была не хуже ±5%.
Пример 4
Нанопорошок теллурида цинка-кадмия Cd0.96Zn0.04Те со средним размером частиц 10 нм был загружен в пресс-форму диаметром 10 мм и помещен в камеру пресса. Образец нагружали до давления 400 МПа, а затем выдерживали под давлением в течение 1 мин при температуре +20°С на воздухе. После снятия нагрузки полученный образец диаметром 10 мм и высотой 3 мм извлекали и измеряли его микротвердость на приборе ПМТ-3 с использованием алмазной пирамиды с углом 136° при вершине. Микротвердость составляла 1008 МПа. Значение микротвердости по сечению было постоянным, что указывает на однородность микроструктуры образцов. Точность измерения микротвердости была не хуже ±5%.
Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия прессованием разработан и опробован в Институте физики твердого тела РАН.
Claims (1)
- Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия прессованием, отличающийся тем, что прессованию подвергают нанокристаллический порошок теллурида цинка-кадмия с размером частиц 10 нм при температуре от +20 до +25°С на воздухе при давлении прессования 350-500 МПа в течение 1-10 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006120500/15A RU2318928C1 (ru) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006120500/15A RU2318928C1 (ru) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2318928C1 true RU2318928C1 (ru) | 2008-03-10 |
Family
ID=39280926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006120500/15A RU2318928C1 (ru) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2318928C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1087400A (en) * | 1964-01-03 | 1967-10-18 | Super Temp Corp | Method and apparatus for consolidation of powdered materials and articles of manufacture produced therefrom |
| GB2090237A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-07 | Raytheon Co | Optical element, especially of zinc sulphide or selenide, having improved optical quality |
| WO2000068999A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de detection de rayons x ou gamma et procede de fabrication de ce dispositif |
-
2006
- 2006-06-13 RU RU2006120500/15A patent/RU2318928C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1087400A (en) * | 1964-01-03 | 1967-10-18 | Super Temp Corp | Method and apparatus for consolidation of powdered materials and articles of manufacture produced therefrom |
| GB2090237A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-07 | Raytheon Co | Optical element, especially of zinc sulphide or selenide, having improved optical quality |
| WO2000068999A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif de detection de rayons x ou gamma et procede de fabrication de ce dispositif |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhu et al. | The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition | |
| DE112019003108B4 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Ultraviolett-(UV-)Transparenz eines einkristallinen AlN-Volumenkristalls, einkristalliner AlN Volumenkristall mit verbesserter Ultraviolett-(UV)-Transparenz, Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Aluminiumnitrid (AlN), einkristallines Aluminiumnitrid (AlN), AlN-Einkristall, Verwendung eines AlN-Einkristalls für die Herstellung einer lichtemittierende Diode (LED) und polykristalline AlN-Keramik | |
| Arai et al. | Effect of size confinement on the electronic states of CdS cluster in a germanium oxide matrix | |
| CN104507892B (zh) | 多晶体硫族化物陶瓷材料 | |
| US8803088B1 (en) | Polycrystalline sintered nano-gran zinc sulfide ceramics for optical windows | |
| Neimash et al. | Microstructure of thin Si− Sn composite films | |
| Ezirmik | Concentration quenching of photoluminescence in optically transparent Lu2O3: Eu thin films deposited to be used as scintillators | |
| Grigorjeva et al. | Radioluminescence, thermoluminescence and dosimetric properties of ZnO ceramics | |
| KR20210071954A (ko) | 질화갈륨계 소결체 및 그 제조 방법 | |
| JP2024051069A (ja) | 窒化ガリウム系焼結体及びその製造方法 | |
| RU2318928C1 (ru) | Способ получения объемного теллурида цинка-кадмия холодным прессованием | |
| Agrawal et al. | Growth and characterization of PbI2 thin films by vacuum thermal evaporation | |
| Shan et al. | Aging and annealing effects of ZnO thin films on GaAs substrates deposited by pulsed laser deposition | |
| JP2009013028A (ja) | 酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体およびその製造方法 | |
| Gavrishchuk et al. | Recrystallization behavior of zinc chalcogenides during hot isostatic pressing | |
| RU2278186C1 (ru) | Способ получения объемного теллурида кадмия прессованием | |
| Shoji et al. | Characterization of PbI/sub 2/radiation detectors using the response of/spl alpha/-rays | |
| Hamici et al. | Study of the oxidation process of crystalline powder of In2S3 and thin films obtained by Dr Blade method | |
| Zhao et al. | Macro-and micro-structural manifestation and engineering of large-size polycrystalline ZnSe | |
| US5484736A (en) | Process for producing large grain cadmium telluride | |
| Fan et al. | Seeded growth of bulk ZnO crystals in a horizontal tubular furnace | |
| CN104357798B (zh) | 一种CdZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法 | |
| JP7500941B2 (ja) | 窒化ガリウム系焼結体及びその製造方法 | |
| Kolesnikov et al. | Ceramic materials made of CdTe and Cd-Zn-Te nanocrystalline powders | |
| Ely et al. | Raman characterization of epitaxial Cu–In–Se thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130614 |