RU2301840C2 - Устройство для очистки жидкого кремния - Google Patents
Устройство для очистки жидкого кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2301840C2 RU2301840C2 RU2005128747/02A RU2005128747A RU2301840C2 RU 2301840 C2 RU2301840 C2 RU 2301840C2 RU 2005128747/02 A RU2005128747/02 A RU 2005128747/02A RU 2005128747 A RU2005128747 A RU 2005128747A RU 2301840 C2 RU2301840 C2 RU 2301840C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- magnetic field
- channel
- silicon
- cleaning liquid
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- -1 silicon Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относится к металлургии, химической технологии, получению металлов высокой чистоты, преимущественно кремния, устройствам для очистки жидких металлов электропереносом в поперечном магнитном поле. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции устройства очистки, повышение надежности и снижение энергозатрат. Устройство для очистки жидких металлов, преимущественно кремния, содержит нагреваемый объем с емкостями для исходного металла и очищенного металла, соединенными между собой каналом, электроды, расположенные в емкостях для исходного и очищенного металла. Канал выполнен в виде спирали, создающей магнитное поле в канале при пропускании тока. Канал может быть выполнен из проводящего материала (углерод, карбид кремния) и являться одновременно электродом, что упрощает конструкцию. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к металлургии, химической технологии, получению металлов высокой чистоты, преимущественно кремния, в частности к устройствам для очистки жидких металлов электропереносом в поперечном магнитном поле.
Известны устройства [1, 2], в которых имеется канал с электродами, помещенный в поперечное магнитное поле. По каналу протекает постоянный электрический ток. В магнитном поле ток создает поперечные движущие силы, которые приводят к поперечному переносу примесей и удалению их из объема металла. При увеличении длины канала возрастает производительность очистки. Производительность устройств очистки в поперечном магнитном поле в сотни - тысячи раз выше, чем обычный электроперенос. Указанные устройства очистки электропереносом в магнитном поле успешно применяются для получения высокочистых 99,99999% индия и галлия. Однако эти устройства не предназначены для проведения очистки жидких металлов с высокой температурой плавления, в том числе кремния (кремний в жидком состоянии является металлом).
Известно устройство [3] для очистки жидких металлов, преимущественно кремния, которое содержит нагреваемый объем с емкостями для исходного металла и для очищенного металла, соединенные между собой каналом, магнит для создания магнитного поля в канале. Недостатком данного устройства является наличие специального магнита с системой охлаждения и блоком питания.
Наиболее близким к заявляемому изобретению является устройство [4] очистки кремния электропереносом в магнитном поле, которое представляет собой нагреваемый объем с емкостями: для исходного металла, в которую осуществляется подзагрузка, и для очищенного металла, соединенными между собой каналом, помещенным в магнитное поле. Металл прокачивается через канал и вытекает из емкости для очищенного металла в кристаллизатор, где затвердевает. При прокачке металл проходит через область скрещенных электрического и магнитного полей. Электрический ток подводится электродами, расположенными в емкостях. Электроды погружены в жидкий кремний. Очищенный металл попадает в кристаллизатор через выпускное отверстие. Электрические и магнитные поля позволяют удалять примеси из объема кремния.
Однако при высоких температурах имеются трудности в подведении магнитного поля. Чем ближе расположены полюса магнита к каналу, через который пропускают электрический ток и жидкий металл, тем сильнее величина магнитной индукции в зазоре и действующие на примеси силы. С другой стороны, магнитные свойства сердечника из ферромагнитного металла, который нельзя нагревать выше температуры точки Кюри, при этом все ферромагнитные свойства теряются и магнитное поле уменьшается в сотни раз. Поэтому магниты приходится охлаждать водой. Охлаждение магнитов водой приводит к необходимости повышения мощности нагревателя, чтобы металл не закристаллизовался при температуре ниже 1420°С. При работе с жидким кремнием для разогревания канала применяют токи 1500-5000 А и напряжения до 100 В. А охлаждение вызывает необходимость увеличивать ток, то есть мощность трансформатора, величину подводящих медных шин, что увеличивает эксплуатационные расходы на электроэнергию.
Задача предлагаемого изобретения заключается в обеспечении работоспособности устройства очистки жидких металлов электропереносом в поперечном магнитном поле без наличия специального магнита и блока питания, что делает устройство более экономичным и удобным в работе.
Предлагается:
1. Устройство для очистки жидкого кремния от примесей электропереносом в магнитном поле, содержащее нагреваемые емкости для исходного металла и очищенного металла с расположенными в них электродами и соединенные между собой нагреваемом каналом, отличающееся тем, что канал выполнен в виде спирали для создания магнитного поля в нем при пропускании тока.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что стенки канала выполнены из проводящего материала.
Спиральный канала в устройстве для очистки жидких металлов выполняет несколько функций:
- ограничивает очищаемый жидкий металл в определенной геометрии и обеспечивает протекание жидкого металла;
- создает возможность получения магнитного поля достаточной величины в соленоиде, которым является канал, выполненный в виде спирали, и одновременно обеспечивает возможность существования скрещенных перпендикулярных электрического и магнитного полей.
Поэтому такое устройство:
- является эффективным устройством очистки жидких металлов;
- является нагревательным элементом нагреваемого объема, в котором расположены емкости для исходного и очищенного металла;
- канал может быть выполнен из проводящего материала (углерод, карбид кремния) и являться одновременно электродом, что упрощает конструкцию.
Заявляемое устройство имеет параметры, обеспечивающие плавление и поступление кремния в емкость для исходного металла. Уровень кремния в режиме работы обеспечивает контакт электродов в сообщающихся емкостях с жидким кремнием и протекание тока по каналу с жидким кремнием. Высота расположения выпускного отверстия обеспечивает дальнейшее прохождение очищенного металла после накопления его до некоторого уровня. В системе должно быть некоторое количество металла, обеспечивающего нормальную работу устройства. Магнитное поле в канале создается самим каналом, который является соленоидом. Критерием эффективной работы устройства по очистке жидких металлов (кремния) является наличие достаточной поперечной силы, действующей как на примеси, так и на жидкий металл. Величина поперечной силы [1, 2] на эффективный объем v зависит от произведения плотности тока J на величину магнитного поля В
При величине магнитного поля 0,1 Тл и при плотности тока 25 А/см сила магнитного поля равна по величине силе тяжести, а при больших плотностях тока она может значительно превосходить силу тяжести. Магнитное поле, создаваемое электрическим током I (5000 А), например, в n (20) витках устройства очистки примерно составляет [5]
где в данном случае μμо=4π/10000000 Гн/м - магнитная постоянная.
Тогда величина магнитной индукции В составит примерно 0,1 Тл. А для создания эффективного силового воздействия на жидкий металл при больших токах бывает достаточно и 0,01 Тл, то есть достижение результата не вызовет технических сложностей.
Электроды, обеспечивающие прохождение тока, изготовлены из материалов не загрязняющих расплавленный металл. Кристаллизаторы для приема очищенного металла не загрязняют очищенный металл. Кристаллизаторы могут быть охлаждаемыми, иметь специальные покрытия. Кристаллизаторы могут заменяться по мере их наполнения.
Заявляемое устройство для очистки жидких металлов, преимущественно кремния, представлено на чертеже.
Устройство для очистки жидких металлов, преимущественно кремния, содержит: 1 - очищаемый металл, 2 - емкость для исходного металла, 3, 4 - электроды, 5 - емкость для очищенного металла, 6 - кристаллизатор для очищенного металла, 7 - канал, выполненный в виде спирали, 8 - нагреваемая соединительная трубка.
Устройство работает следующим образом.
Очищаемый кремний 1 поступает в емкость 2 и проходит через канал 7 и соединительную трубку 8 в емкость 5 для очищенного металла. В канале через расплавленный металл проходит электрический ток и создает в нем векторное магнитное поле, направленное вдоль оси соленоида (спирального канала) по правилу буравчика в соответствии с законом Био-Савара-Лапласа. Электрический ток в витках соленоида направлен по направлению спирального канала в направлении перпендикулярном магнитному полю. Векторное произведение электрического тока и магнитного поля создают в жидком металле силу, действующую в перпендикулярном к векторам тока и магнитного поля направлениям по правилу левой руки в соответсвтвии законом Ампера. В это время на примеси действуют силы [1, 2], направленные поперек канала. Примеси выводятся из объема металла и оседают на стенках канала. Таким методом эффективно удаляются микровключения посторонних частиц и примеси металлов.
Источники информации
1. Трунин Е.Б. Перенос примесей в жидких металлах при протекании тока в поперечном магнитном поле. Высокочистые вещества, 1988, №1, с.77-80.
2. Трунин Е.Б., Трунина О.Е. Получение индия и галлия высокой чистоты методом электропереноса в магнитном поле. Неорганические материалы, 2003, Т.39, №8, с.798-802.
3. Патент №2245381. Устройство для очистки жидких металлов преимущественно кремния. Карабанов СМ., Трунин Е.Б., Трунина О.Е.
4. Karabanov S.M., Trunin E.В., Prikhodko V.V. Study of solar-grade silicon production technology by the method of carbothermic reduction. Proceeding of the Seventinth European Photovoltaic Solar Energy Conference. s.77-79. Munich, Germany, 22-26 October 2001.
5. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике. М.: Наука, 1968 г.
Claims (2)
1. Устройство для очистки жидкого кремния от примесей электропереносом в магнитном поле, содержащее нагреваемые емкости для исходного металла и очищенного металла с расположенными в них электродами и соединенные между собой нагреваемым каналом, отличающееся тем, что канал выполнен в виде спирали, создающей магнитное поле в нем при пропускании тока.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что стенки канала выполнены из проводящего материала.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005128747/02A RU2301840C2 (ru) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Устройство для очистки жидкого кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005128747/02A RU2301840C2 (ru) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Устройство для очистки жидкого кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005128747A RU2005128747A (ru) | 2007-03-27 |
| RU2301840C2 true RU2301840C2 (ru) | 2007-06-27 |
Family
ID=37998765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005128747/02A RU2301840C2 (ru) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Устройство для очистки жидкого кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2301840C2 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989002415A1 (en) * | 1987-09-15 | 1989-03-23 | Kemanord Industrikemi Ab | Method for the purification of silicon |
| EP0699625A1 (en) * | 1994-09-01 | 1996-03-06 | Elkem A/S | Method for refining silicon |
| RU2245381C1 (ru) * | 2003-05-27 | 2005-01-27 | Открытое акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (ОАО "РЗМКП") | Устройство для очистки жидких металлов, преимущественно кремния |
-
2005
- 2005-09-16 RU RU2005128747/02A patent/RU2301840C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989002415A1 (en) * | 1987-09-15 | 1989-03-23 | Kemanord Industrikemi Ab | Method for the purification of silicon |
| EP0699625A1 (en) * | 1994-09-01 | 1996-03-06 | Elkem A/S | Method for refining silicon |
| RU2245381C1 (ru) * | 2003-05-27 | 2005-01-27 | Открытое акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (ОАО "РЗМКП") | Устройство для очистки жидких металлов, преимущественно кремния |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2005128747A (ru) | 2007-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20120261262A1 (en) | Purifying Apparatus and Purifying Method | |
| JP3801639B2 (ja) | ソレノイドにより励起される間隙付き磁気回路およびその用途 | |
| TW201114695A (en) | Desalination system and method | |
| JP7029798B2 (ja) | リチウム同位体濃縮装置および多段式リチウム同位体濃縮装置、ならびにリチウム同位体濃縮方法 | |
| AU2003236884A1 (en) | Particle separation | |
| JP2006516480A (ja) | 電磁撹拌器の冷却 | |
| JP5611582B2 (ja) | 電気的中性物質の分離方法、及び電気的中性物質の分離装置 | |
| RU2301840C2 (ru) | Устройство для очистки жидкого кремния | |
| CZ354597A3 (cs) | Způsob a zařízení pro tavení a čištění hliníkových, měděných, mosazných, olověných a bronzových slitin | |
| FR2475935A1 (fr) | Procede de nettoyage d'un separateur magnetique et separateur magnetique | |
| US11357243B2 (en) | System and method for the electromagnetic energizing of packaged content and corresponding device | |
| JP4176971B2 (ja) | 磁気分離方法および装置 | |
| RU2245381C1 (ru) | Устройство для очистки жидких металлов, преимущественно кремния | |
| JP5126973B2 (ja) | ガラス溶融炉 | |
| CN106916959B (zh) | 电磁复合场下固态电迁移提纯稀土金属的方法和装置 | |
| RU2706316C1 (ru) | Магнитоэлектродегидратор | |
| JPH0230423A (ja) | 放電加工機の加工液処理装置 | |
| CN101845639A (zh) | 一种连续操作小型电解还原池 | |
| JP2008174423A (ja) | 金属の方向凝固 | |
| RU2224725C1 (ru) | Способ получения однофазового стеклообразного материала вещества нестехиометрического состава | |
| RU2272788C1 (ru) | Устройство для магнитной обработки жидкости | |
| CN102712482A (zh) | 硅真空熔化方法 | |
| Nishijima | Application of superconductivity for magnetic force control in medical and industrial fields | |
| CN118105840A (zh) | 一种导电中空纤维膜及其磁振动系统 | |
| JP2000074568A (ja) | 真空浮揚溶解装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070917 |