RU2301141C1 - Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката - Google Patents
Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката Download PDFInfo
- Publication number
- RU2301141C1 RU2301141C1 RU2005137191/02A RU2005137191A RU2301141C1 RU 2301141 C1 RU2301141 C1 RU 2301141C1 RU 2005137191/02 A RU2005137191/02 A RU 2005137191/02A RU 2005137191 A RU2005137191 A RU 2005137191A RU 2301141 C1 RU2301141 C1 RU 2301141C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrates
- range
- substrate
- carried out
- double
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 claims abstract description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 15
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к обработке пьезоэлектрических подложек, в частности касается прецизионной обработки пластин лантангаллиевого силиката ориентации (0, 138.5, 26.7) методом шлифовки и полировки. Изобретение может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических устройств, работающих на поверхностных акустических волнах. Способ включает двухстороннюю шлифовку с использованием водной суспензии микропорошка карбида кремния зеленого при удельном давлении на подложку 20-60 г/см2 и химико-механическую полировку предварительно склеенных попарно нерабочими сторонами подложек с использованием раствора, содержащего, мас.%: суспензию двуокиси кремния 8-11,5, ортофосфорную кислоту 0,8-1,5, дистиллированную воду 87-91,2, при удельном давлении на подложку 50-90 г/см2. Способ позволяет улучшить частотные характеристики устройств на поверхностных акустических волнах, обеспечив получение плоскопараллельных подложек при скорости съема материала подложки из диапазона 5-10 мкм/час при достижении шероховатости полированной поверхности величины Ra≤0,7 нм. 4 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к обработке пьезоэлектрических подложек, в частности касается прецизионной обработки пластин лантангаллиевого силиката методом шлифовки и полировки, и может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах.
Новые достижения проводных и беспроводных систем коммуникаций вызывают необходимость развивать технологии обработки эффективных пьезоэлектрических материалов.
Подложки из монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) La3Ga5SiO14 являются перспективным материалом для обеспечения электронной аппаратуры малогабаритными селектирующими устройствами, поскольку обладают комплексом определенных свойств: они относятся к кристаллическим структурам, которые могут поддерживать колебания в системах за счет пьезоэлектрического эффекта, при котором механические напряжения в кристалле создают разность электрических потенциалов, и, наоборот, при этом они могут обеспечить очень высокую температурную стабильность частоты - малый дрейф относительно центральной частоты в широком температурном диапазоне, при весьма умеренной стоимости.
Длительное время используется способ алмазно-абразивной обработки подложек из керамики, стекла, полупроводниковых материалов, сапфира, кварца и других материалов, раскрытый, например, в международной заявке на патент WO 94/17956, 1994 г., а также в патентах US, 5110428, RU, 2172235, включающий относительное перемещение деталей и, по меньшей мере, одного диска с закрепленными на нем по концентрическим зонам абразивными таблетками. Известный способ не применим для финишного шлифования и полирования подложек из лангасита ввиду особенностей анизотропии физико-механических свойств данного материала (Bohm et. al. "Czochralski growth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure", J. Of Crystal Growth 1999, 204, pp.128-136).
Анализ научно-технической литературы (см., например, В.И.Карбань, Ю.И.Борзаков. "Обработка монокристаллов в микроэлектронике", М., "Радио и связь", 1988) показывает, что широко используется способ обработки подложек из монокристаллов пьезоэлектриков, включающий, главным образом, влажное травление после полировки с целью очистки поверхности подложки. Кроме того, подложку из пьезоэлектрика, предназначенную для производства устройств на поверхностных акустических волнах, подвергают грубой механической обработке со стороны нерабочей (обратной) поверхности подложки с целью устранения эффектов отражения объемных волн от этой поверхности. Указанное различие состояний рабочей и нерабочей поверхностей подложки вызывает ее деформацию. В свою очередь деформация может приводить к растрескиванию подложки и оказывать влияние на точность фотолитографии при формировании электродов. В целях уменьшения деформации подложки пьезокристалла обработку подложек проводят с использованием влажного травителя (G.W.Fynn and W.J.Powell. "The cutting and polishing of electrooptic materials", John Wiley & Sons, 1979, pp.178-184; H.Vora "Study of mechanochemical machining of ceramics and effect of thin film behavior". Technical Report 1, February 1984, AD-A 142542).
Было установлено, что полирующие травители в виде суспензий редкоземельных элементов, пригодные для полировки кварцевых подложек, не позволяют получать поверхности подложек лангасита высокого качества. Лучшие результаты наблюдались при использовании суспензии двуокиси кремния и оксида церия (S.Laffey et. al. Polishing and etching langasite and quartz crystals. Vitronics, Inc. and U.S. Army Research Laboratory. Fort Monmouth, NJ 07703-5601, U.S.A.). В указанном источнике информации раскрыт способ обработки подложек лангасита Y-среза, включающий шлифовку, двухстадийную полировку предварительно с использованием суспензии двуокиси кремния, а затем с использованием суспензии двуокиси кремния с размером частиц 50 нм, разбавленной водой в соотношении 1:15, и травление в растворе, содержащем соляную кислоту, плавиковую кислоту и воду в соотношении HCl:HF:H2O как 1:50:150. Известный способ не позволяет получать плоскопараллельные подложки лангасита с величиной шероховатости менее 10 мкм.
Известен способ обработки подложек монокристаллического лангасита для производства устройств, работающих на поверхностных акустических волнах, включающий полировку поверхности подложек лангасита La3Ga5SiO14 и, так называемое, влажное травление с использованием водного раствора соляной и плавиковой кислот (см., например, "Etching langasite and quartz crystals", Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium (1994), pp.245-250). Известный раствор получают путем смешения соляной кислоты, плавиковой кислоты и воды при объемном соотношении 1:50:150, соответственно. Перед травлением полученную смесь нагревают до температуры 70°С. Было установлено, что при использовании в процессе полировки коллоидного раствора двуокиси кремния на поверхности подложки образуется пленка, предположительно, состава LaF3. Кроме того, поскольку температура травления была относительно высокая, порядка 70°С, то со временем происходило изменение состава травителя вследствие испарения воды, т.е. процесс травления был нестабилен во времени. Кроме того, наличие плавиковой кислоты в составе травителя вызывает необходимость дополнительного обслуживания оборудования для сохранения его срока службы.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявленному способу является способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката, раскрытый в патенте US, 6525447. Известный способ обработки подложек лантангаллиевого силиката кристаллографической ориентации <001> включает полировку основной и нерабочей поверхностей подложки и последующее их травление в растворе, содержащем фосфорную H3PO4, азотную HNO3 и уксусную CH3COOH кислоты. Известный травящий раствор предпочтительно содержит указанные кислоты в следующем количестве, об.%: фосфорная кислота - 50-90; азотная кислота - 70-80; уксусная кислота - 6-10. Отмечаются трудности с получением подложек, свободных от царапин, и позволяющих получать устройства на поверхностно-активных волнах, обладающих удовлетворительными частотными характеристиками. Известный способ характеризуется недостаточной величиной добротности устройств на поверхностных акустических волнах и существенным затуханием акустических волн, а также низкой скоростью обработки поверхности подложек лангасита.
В рамках данной заявки решается задача разработки промышленного прецизионного высокопроизводительного способа обработки подложек из монокристаллов лантангаллиевого силиката, характеризующихся высоким качеством поверхности подложек с шероховатостью поверхности Ra≤0,7 нм. Имеется потребность в воспроизводимом получении плоскопараллельных подложек, свободных от царапин и пригодных для устройств на поверхностных акустических волнах, с улучшенными частотными характеристиками. Имеется потребность в улучшении частотных характеристик приборов, использующих подложки из монокристаллов лангасита, путем увеличения добротности устройств и снижения вносимых затуханий.
Поставленная задача решается тем, что в способе обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката для производства устройств на поверхностно-активных волнах, включающем предварительную двустороннюю шлифовку и последующую химико-механическую полировку подложек из монокристаллического лантангаллиевого силиката, в качестве подложек используют пластины кристаллографической ориентации (0, 138.5, 26.7), шлифовку проводят с использованием водной суспензии микропорошка карбида кремния зеленого при удельном давлении на подложку, взятом из диапазона 20-60 г/см2, а химико-механическую полировку предварительно склеенных попарно нерабочими сторонами пластин проводят с использованием раствора, содержащего дистиллированную воду, суспензию двуокиси кремния, ортофосфорную кислоту, мас.%:
| дистиллированная вода | 87-91,2 |
| суспензия двуокиси кремния | 8-11,5 |
| ортофосфорная кислота | 0,8-1,5 |
при удельном давлении на подложку, взятом из диапазона 50-90 г/см2.
Целесообразно в качестве подложек лантангаллиевого силиката использовать подложки толщиной 800-1000 мкм, а двухстороннюю шлифовку проводить до толщины подложки из диапазона 450-600 мкм.
Предпочтительно двухстороннюю шлифовку проводить при скорости вращения притира с подложками из диапазона 15-30 об/мин.
Кроме того, предпочтительно химико-механическую полировку проводить со скоростью съема материала подложки из диапазона 5-10 мкм/час.
Сущность изобретения состоит в установлении причинно-следственной связи между физико-механическими свойствами подложек лангасита, их кристаллографической ориентации, режимами проведения двухстадийной обработки подложек, включая выбор химического состава растворов на стадии двусторонней шлифовки и на стадии химико-механической полировки и качеством подложек.
Авторами экспериментально были найдены химические составы растворов, включая качественный и количественный составы активных ингредиентов на стадии шлифовки и химико-механической полировки, для целей обеспечения высокого качества полированных поверхностей при достаточно высокой скорости полировки.
Сущность изобретения поясняется неисключающим примером его реализации.
Пример
Для реализации способа обработки подложек из монокристаллического лантангаллиевого силиката согласно изобретению используют подложки лангасита диаметром 76 или 100 мм. Кассеты с 10-ю подложками толщиной 900 мкм укладывают на нижний притир диаметром 640 мм, опускают верхний притир. Шлифовку подложек осуществляют с использованием водной суспензии микропорошка карбида кремния зеленого марки F 600 (зернистостью М 9) при удельном давлении на подложку 30 г/см2 и скорости вращения нижнего притира с подложками 20 об/мин. Двустороннюю шлифовку ведут до достижения толщины подложки 540 мкм. Для проведения химико-механической полировки подложек готовят водный раствор, содержащий коммерчески доступную суспензию двуокиси кремния торговой марки Nalco™ и ортофосфорной кислоты, взятые в соотношении, мас.%: вода дистиллированная - 89,4; суспензия двуокиси кремния - 9,5; ортофосфорная кислота - 1,1. После этого подложки склеивают попарно и проводят химико-механическую полировку с использованием полученного трехкомпонентного раствора при удельном давлении на подложку 60 г/см2. Полировку ведут со скоростью съема материала 6 мкм/час до достижения толщины подложек, равной 500 мкм. Полученные подложки характеризуются высокой плоскопараллельностью и величиной шероховатости Ra менее 0,7 нм.
Изобретение может быть использовано при производстве подложек из монокристаллического лантангаллиевого силиката, характеризующихся высокой плоскопараллельностью и низкой шероховатостью. Изобретение позволяет производить подложки, характеризующиеся отсутствуем царапин, сколов, ямок, непрополированных областей. Изобретение предусматривает получение приборов с улучшенными частотными характеристиками. Это приводит к ряду коммерческих преимуществ, включая снижение себестоимости производимых подложек путем увеличения скорости съема материала подложки при сохранении их высокой плоскопараллельности.
Claims (5)
1. Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката для устройств, работающих на поверхностно-акустических волнах, включающий предварительную двустороннюю шлифовку и последующую химико-механическую полировку подложек, отличающийся тем, что в качестве подложек используют пластины лантангаллиевого силиката кристаллографической ориентации (0, 138.5, 26.7), шлифовку проводят с использованием водной суспензии микропорошка карбида кремния зеленого при удельном давлении на подложку, взятом из диапазона 20-60 г/см2, а химико-механическую полировку предварительно склеенных попарно нерабочими сторонами подложек проводят с использованием раствора, содержащего, мас.%:
при удельном давлении на подложку, взятом из диапазона 50-90 г/см2.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложек используют пластины лантангаллиевого силиката толщиной 800-1000 мкм.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что двухстороннюю шлифовку подложек проводят до толщины подложки из диапазона 450-600 мкм.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что двухстороннюю шлифовку подложек проводят при скорости вращения притира с подложками из диапазона 15-30 об/мин.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что химико-механическую полировку ведут со скоростью съема материала подложки из диапазона 5-10 мкм/ч до достижения шероховатости полированной поверхности величины Ra≤0,7 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005137191/02A RU2301141C1 (ru) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005137191/02A RU2301141C1 (ru) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2301141C1 true RU2301141C1 (ru) | 2007-06-20 |
Family
ID=38314279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005137191/02A RU2301141C1 (ru) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2301141C1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2430824C2 (ru) * | 2009-07-27 | 2011-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ изготовления лангаситовых кристаллических элементов y-среза |
| CN102528647A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-07-04 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 硅酸盐复合物抛光垫 |
| RU2662535C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-07-26 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит" | Способ получения гибридного материала на основе прозрачной проводящей графеновой пленки |
| RU2748973C1 (ru) * | 2020-11-18 | 2021-06-02 | Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ" | Способ изготовления монокристаллических чувствительных элементов для высоковольтных оптических измерительных трансформаторов напряжения |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2052546C1 (ru) * | 1993-01-11 | 1996-01-20 | Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова | Способ травления монокристаллов лангасита |
| US5605490A (en) * | 1994-09-26 | 1997-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of polishing langasite |
| US6525447B2 (en) * | 2000-01-13 | 2003-02-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a langasite single crystal substrate, a langasite single crystal substrate, and a piezoelectric device |
-
2005
- 2005-11-30 RU RU2005137191/02A patent/RU2301141C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2052546C1 (ru) * | 1993-01-11 | 1996-01-20 | Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова | Способ травления монокристаллов лангасита |
| US5605490A (en) * | 1994-09-26 | 1997-02-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of polishing langasite |
| US6525447B2 (en) * | 2000-01-13 | 2003-02-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a langasite single crystal substrate, a langasite single crystal substrate, and a piezoelectric device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2430824C2 (ru) * | 2009-07-27 | 2011-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ изготовления лангаситовых кристаллических элементов y-среза |
| CN102528647A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-07-04 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 硅酸盐复合物抛光垫 |
| CN102528647B (zh) * | 2010-11-12 | 2014-12-24 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 硅酸盐复合物抛光垫 |
| RU2662535C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-07-26 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИграфит" | Способ получения гибридного материала на основе прозрачной проводящей графеновой пленки |
| RU2748973C1 (ru) * | 2020-11-18 | 2021-06-02 | Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ" | Способ изготовления монокристаллических чувствительных элементов для высоковольтных оптических измерительных трансформаторов напряжения |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105409119A (zh) | 复合基板及其制造方法 | |
| JP5575384B2 (ja) | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 | |
| EP2930751B1 (en) | Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor | |
| JP2003229392A (ja) | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにｓｏｉウエーハ | |
| CN105612605B (zh) | 镜面研磨晶圆的制造方法 | |
| CN109659221B (zh) | 一种碳化硅单晶薄膜的制备方法 | |
| WO2002005337A1 (en) | Mirror chamfered wafer, mirror chamfering polishing cloth, and mirror chamfering polishing machine and method | |
| CN111230598B (zh) | 一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法 | |
| JP5510614B2 (ja) | 光変換用セラミック複合体の製造方法 | |
| RU2301141C1 (ru) | Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката | |
| CN109065508B (zh) | 一种反向台面复合结构超薄晶片及其制备方法 | |
| JP2014040339A (ja) | 圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法 | |
| TWI452617B (zh) | 平滑化第三族氮化物基材之方法 | |
| JP2000265160A (ja) | 高速鏡面研磨用研磨材 | |
| CN111702565B (zh) | 一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法 | |
| JP2022068747A (ja) | 酸化物単結晶ウエハ、複合基板用ウエハ、複合基板、酸化物単結晶ウエハの加工方法、酸化物単結晶ウエハの製造方法、複合基板用ウエハの製造方法および複合基板の製造方法 | |
| KR101363316B1 (ko) | Ⅲ-ｎ 기판의 평활화방법 | |
| JP7019052B2 (ja) | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 | |
| JP2022068748A (ja) | 酸化物単結晶ウエハ、複合基板用ウエハ、複合基板、酸化物単結晶ウエハの加工方法、酸化物単結晶ウエハの製造方法、複合基板用ウエハの製造方法および複合基板の製造方法 | |
| RU2430824C2 (ru) | Способ изготовления лангаситовых кристаллических элементов y-среза | |
| JP2006015424A (ja) | 非磁性ガーネット基板の製造方法とその非磁性ガーネット基板およびこの基板を用いて得られるビスマス置換型磁性ガーネット膜 | |
| CN119304693A (zh) | 钙镁锆掺杂钆镓石榴石（sggg）单晶衬底抛光方法 | |
| JP2002173398A (ja) | ランガサイト型酸化物単結晶ウェハの製造方法 | |
| JPS5957140A (ja) | 電顕観察用試料作製法 | |
| CN110383684A (zh) | 声表面波器件用基板以及伪声表面波元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091201 |