RU2387047C1 - Spin transistor - Google Patents
Spin transistor Download PDFInfo
- Publication number
- RU2387047C1 RU2387047C1 RU2008138019/28A RU2008138019A RU2387047C1 RU 2387047 C1 RU2387047 C1 RU 2387047C1 RU 2008138019/28 A RU2008138019/28 A RU 2008138019/28A RU 2008138019 A RU2008138019 A RU 2008138019A RU 2387047 C1 RU2387047 C1 RU 2387047C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- spin
- emitter
- euo
- semiconductor
- transistor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005418 spin wave Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне.The invention relates to the field of spin electronics (spintronics), and more particularly to devices that can be used as an element of cells of spin (quantum) memory and logical information systems, as well as a source of spin-polarized radiation (laser) in the millimeter and submillimeter ranges.
Известна многослойная структура, содержащая слой ферромагнитного металла, слой чистого кремния, затем снова слой ферромагнитного металла и слой кремния с примесями (I.R. Appelbaum, В. Huang, D. J. Monsma "Nature", v.447, p.295, 2007). К разным слоям этой структуры прикладывают специальное подобранное напряжение, управляющее током электронов. Поток электронов на входе не поляризован, но после прохождения ферромагнитного слоя он приобретает поляризацию, то есть становится спиновым током. Попадая в слой из чистого кремния, электроны проходят значительную дистанцию, и затем попадают во второй слой ферромагнетика и выходят наружу. Экспериментально доказано, что спин-электронный ток проходит дистанцию в 350 мкм, что является вполне приемлемым макроскопическим размером. Степень спиновой ориентации на выходе устройства достигает 31%.A multilayer structure is known comprising a layer of a ferromagnetic metal, a layer of pure silicon, then again a layer of a ferromagnetic metal and a layer of silicon with impurities (I.R. Appelbaum, B. Huang, D. J. Monsma "Nature", v.447, p.295, 2007). A special selected voltage is applied to different layers of this structure, which controls the electron current. The electron flow at the input is not polarized, but after passing through the ferromagnetic layer, it acquires polarization, that is, it becomes a spin current. Once in a layer of pure silicon, the electrons travel a considerable distance, and then fall into the second layer of the ferromagnet and exit. It has been experimentally proved that the spin-electron current passes a distance of 350 microns, which is a perfectly acceptable macroscopic size. The degree of spin orientation at the output of the device reaches 31%.
Однако рабочие температуры известного устройства ограничиваются 180 К, что значительно ниже комнатной.However, the operating temperatures of the known device are limited to 180 K, which is significantly lower than room temperature.
Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является спинтронное устройство, в основе работы которого положен контакт ферромагнетик/GaAs (Патент США 7244997, МКИ H01L 29/82, 2007). Известное устройство по принципу работы представляет собой спин-волновой транзистор, светогенерирующие параметры которого в силу большой разницы удельных электросопротивлений ферромагнетика и GaAs, достигающей величины в 6-8 порядков, определяются процессами рекомбинации спин-поляризованных носителей тока на квантовых ямах коллектора - монокристаллического n-GaAs. Известное устройство допускает получение на своей основе спинового транзистора путем создания диэлектрической базы между ферромагнетиком (Cu, Co, NiFe) и полупроводником GaAs, выполненной из оксида металла AI2O3, и использования регулирующего напряжения база - коллектор.Closest to the proposed technical solution is a spintronic device based on a ferromagnet / GaAs contact (US Patent 7244997, MKI H01L 29/82, 2007). The known device according to the principle of operation is a spin-wave transistor, the light-generating parameters of which, due to the large difference in the electrical resistivity of a ferromagnet and GaAs, reaching values of 6-8 orders of magnitude, are determined by the recombination of spin-polarized current carriers in quantum wells of a collector - single-crystal n-GaAs . The known device allows obtaining on its basis a spin transistor by creating a dielectric base between a ferromagnet (Cu, Co, NiFe) and a GaAs semiconductor made of metal oxide AI 2 O 3 , and using a base-collector voltage regulator.
Однако известное устройство не будет работоспособно при комнатной температуре в силу того, что большая разность удельных электросопротивлений в граничном слое эмиттер - база является причиной спин-флипа и деполяризации спинового тока.However, the known device will not work at room temperature due to the fact that the large difference in the electrical resistivity in the boundary layer of the emitter - base is the cause of the spin flip and depolarization of the spin current.
Таким образом, перед авторами стояла задача разработать спиновый транзистор, характеризующийся достаточно высокими параметрами спин-поляризованного тока при комнатной температуре.Thus, the authors were faced with the task of developing a spin transistor characterized by rather high parameters of the spin-polarized current at room temperature.
Поставленная задача решена в предлагаемом спиновом транзисторе, содержащем эмиттер спинов, выполненный из ферромагнетика, базу, выполненную из оксидного соединения, и детектор, выполненный из монокристаллического широкозонного полупроводника, в котором эмиттер спинов выполнен из тонкопленочного композита состава (EuO)Fe при соотношении EuO:Fe=(4÷6):1.The problem is solved in the proposed spin transistor containing a spin emitter made of a ferromagnet, a base made of an oxide compound, and a detector made of a single-crystal wide-gap semiconductor, in which the spin emitter is made of a thin-film composite of the composition (EuO) Fe at a ratio of EuO: Fe = (4 ÷ 6): 1.
В настоящее время из патентной и научно-исследовательской литературы не известна конструкция спинового транзистора, эмиттер спинов которого выполнен из тонкопленочного композита состава (EuO)Fe при определенном соотношении EuO и Fe.Currently, the design of a spin transistor, the spin emitter of which is made of a thin-film composite of the composition (EuO) Fe at a certain ratio of EuO and Fe, is not known from the patent and research literature.
Предлагаемое устройство является полевым транзистором, работа которого основана на создании гетеро(или многослойной) структуры, содержащей эмиттер или спиновый инжектор (ферромагнитный полупроводник) и спиновый приемник (немагнитный полупроводник), в котором эмиттер (спиновый инжектор) выполнен из ферромагнитного полупроводника - тонкопленочного композита состава (EuO)Fe при определенном соотношении EuO и Fe, а детектор (спиновый приемник) выполнен из широкозонного немагнитного полупроводника (ширина запрещенной зоны Eg≥1,5 эВ), обладающего повышенным значением гиромагнитного отношения (g-фактора) для электронов проводимости (g≥50), например, InSb, GaAs, GaN. База предлагаемого транзистора выполнена из слоя оксида кремния SiO2 нанометровой толщины (10-30 нм).The proposed device is a field-effect transistor, the operation of which is based on creating a hetero (or multilayer) structure containing an emitter or spin injector (ferromagnetic semiconductor) and a spin receiver (non-magnetic semiconductor), in which the emitter (spin injector) is made of a ferromagnetic semiconductor - a thin-film composite of the composition (EuO) Fe at a certain ratio of EuO and Fe, and the detector (spin receiver) is made of a wide-gap non-magnetic semiconductor (band gap Eg≥1.5 eV), which has increased value of the gyromagnetic ratio (g-factor) for conduction electrons (g≥50), for example, InSb, GaAs, GaN. The base of the proposed transistor is made of a layer of silicon oxide SiO 2 nanometer thickness (10-30 nm).
В настоящее время основой существующих логических систем памяти микроэлектронных информационных систем являются полевые транзисторы на основе контакта М/П, где М - немагнитный металл, П - полупроводник, в основном, кремний, n- или p-типа. Работа известного полевого транзистора основана только на зарядовом токопереносе носителей по примесным уровням полупроводника и никак не зависит от их спиновой ориентации. Использование в качестве эмиттера полевого спинового транзистора ферромагнитного полупроводника - композита EuO:Fe заданного состава позволяет существенно понизить и свести до минимума высоту барьера на границе ФП/П в силу достигаемой близости удельных электросопротивлений эмиттера и детектора (разница в 1-2 порядка величины), что, в свою очередь, обеспечивает практически беззатратное по энергии туннелирование носителей заряда и спина из ФП в П. При этом выбор в качестве детектора - приемника спинов - широкозонного немагнитного полупроводника, подобного GaAs, обладающего существенно повышенной величиной g-фактора для носителей заряда в нем, является необходимым условием для обеспечения значительного по энергии зеемановского расщепления примесных электронных уровней в его запрещенной зоне, определяемой соотношением: Е=µБ g Н (здесь µБ - магнетон Бора, Н - внешнее магнитное поле). Это обеспечивает локализацию спин-ориентированных электронов на этих зеемановских уровнях и возможность их инверсной заселенности с выделением соответствующей энергии перехода.Currently, the basis of existing logical memory systems of microelectronic information systems is field effect transistors based on the M / P contact, where M is a non-magnetic metal, P is a semiconductor, mainly silicon, n- or p-type. The work of the known field effect transistor is based only on charge carrier charge transfer over the impurity levels of the semiconductor and does not depend on their spin orientation. Using a ferromagnetic semiconductor composite EuO: Fe composite emitter of a given composition as an emitter makes it possible to significantly lower and minimize the barrier height at the FP / P interface due to the attainable proximity of the electrical resistivities of the emitter and detector (a difference of 1-2 orders of magnitude), which , in turn, provides tunneling of charge carriers and spin from the phase transition to the plasma almost without energy in energy. In this case, the choice of a wide-gap nonmagnetic semiconductor as the detector - receiver of spins ika-like GaAs, having a substantially increased size of g-factor for charge carriers therein is a prerequisite to ensure a substantial energy of the Zeeman splitting of the impurity electronic levels in its forbidden band, defined by the relation: E = μ B g H (where μ B - Bohr magneton, N - external magnetic field). This ensures the localization of spin-oriented electrons at these Zeeman levels and the possibility of their inverse population with the release of the corresponding transition energy.
На фиг.1 изображена принципиальная схема предлагаемого устройства. Спиновый транзистор выполнен многослойным на основе гетероструктуры ферромагнитный полупроводник / немагнитный полупроводник. Первый слой выполнен из монокристаллической пластины, например, n-GaAs (детектор), обе поверхности которой для деоксидирования обработаны стандартным методом, применяемым в промышленной микроэлектронике, например, СВЧ плазменной обработкой. На внутреннюю поверхность пластины нанесен слой (10-30 нм) диоксида кремния, который является базой транзистора. На него напылен слой (от 300 до 1000 нм) композита состава (EuO)Fe при соотношении EuO:Fe=(4÷6):1, который является эмиттером (спиновым инжектором). Электрические контакты, прикрепленные к внешней поверхности монокристаллической пластины и к внешней поверхности композита, выполнены из золота.Figure 1 shows a schematic diagram of the proposed device. The spin transistor is multilayer based on a heterostructure ferromagnetic semiconductor / non-magnetic semiconductor. The first layer is made of a single-crystal plate, for example, n-GaAs (detector), both surfaces of which for deoxidation are processed by the standard method used in industrial microelectronics, for example, microwave plasma treatment. A layer of silicon dioxide (10-30 nm), which is the base of the transistor, is deposited on the inner surface of the plate. A layer (from 300 to 1000 nm) of a composite of the composition (EuO) Fe is sprayed on it at a ratio of EuO: Fe = (4–6): 1, which is an emitter (spin injector). The electrical contacts attached to the outer surface of the single crystal plate and to the outer surface of the composite are made of gold.
Измеряли вольтамперную характеристику (ВАХ) транзистора при комнатной температуре как в ненамагниченном состоянии эмиттера, так и в состоянии его намагничивания.The current-voltage characteristic (CVC) of the transistor was measured at room temperature both in the unmagnetized state of the emitter and in the state of its magnetization.
На фиг.2 приведена кривая намагничивания предлагаемой гетероструктуры, свидетельствующая о том, что насыщение ферромагнитного момента эмиттера наступает во внешнем магнитном поле величиной Н≈0,5 Тл.Figure 2 shows the magnetization curve of the proposed heterostructure, indicating that the saturation of the ferromagnetic moment of the emitter occurs in an external magnetic field of H≈0.5 T.
На фиг.3 приведена ВАХ предлагаемого устройства. В отсутствие внешнего магнитного поля при ненамагниченном эмиттере эта характеристика типична для полевого транзистора. В случае намагничивания эмиттера до Н=0.2 Тл ток в коллекторе появляется уже при нулевом смещении на базе и по величине он уступает току коллектора при Н=0. Иными словами, он определяется той спиновой составляющей туннельного тока, которая совпадает с направлением намагниченности эмиттера - спинового инжектора. С подачей на базу напряжения смещения величина спинового тока также уменьшается.Figure 3 shows the I-V characteristic of the proposed device. In the absence of an external magnetic field with an unmagnetized emitter, this characteristic is typical of a field effect transistor. In the case of magnetization of the emitter to H = 0.2 T, the current in the collector appears even at zero bias at the base and is inferior in magnitude to the collector current at H = 0. In other words, it is determined by the spin component of the tunneling current, which coincides with the direction of magnetization of the emitter — the spin injector. When bias voltage is applied to the base, the magnitude of the spin current also decreases.
Если рассматривать ток через коллектор в ненамагниченном состоянии эмиттера как только 100%-й зарядовый токоперенос (J0), то оценить степень спинового токопереноса (Р) из намагниченного эмиттера (JH) можно из соотношения:If we consider the current through the collector in the non-magnetized state of the emitter as only a 100% charge current transfer (J 0 ), then we can estimate the degree of spin current transfer (P) from the magnetized emitter (J H ) from the relation:
что по данным фиг.3 определяется величиной Р≈70%, т.е. весьма значительной и, по-видимому, определяемой EuO-составляющей композита, поскольку ферромагнитный полупроводник EuO, температура Кюри которого ТК=69 К, обладает в состоянии магнитного насыщения при Т=4,2 К 100%-й степенью спиновой поляризацией носителей заряда в своей структуре (А.C.Борухович "Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники", Екатеринбург: УрО РАН, 2004).that according to figure 3 is determined by the value of P≈70%, i.e. very significant and, apparently, determined by the EuO component of the composite, since the ferromagnetic EuO semiconductor, whose Curie temperature Т К = 69 K, has in the state of magnetic saturation at T = 4.2 K a 100% degree of carrier polarization in its structure (A.S. Borukhovich "Physics of materials and structures of superconducting and semiconductor spin electronics", Ekaterinburg: Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, 2004).
На фиг.4 изображен внешний вид интегральной схемы на основеFigure 4 shows the appearance of an integrated circuit based on
предлагаемого спинового транзистора, созданной с использованием стандартных промышленных технологий.proposed spin transistor, created using standard industrial technologies.
Таким образом, использование в качестве эмиттера полевого транзистора ферромагнитного полупроводникового композита (EuO)Fe в контакте с широкозонным немагнитным полупроводником GaAs (InSb, GaN) позволяет создать комнатнотемпературный спиновый транзистор, рабочие характеристики которого управляются внешним магнитным полем. При этом степень спиновой поляризации носителей тока в нем достигает весьма значительной величины. Предлагаемое устройство может быть использовано для создания на его основе:Thus, the use of a ferromagnetic semiconductor composite (EuO) Fe as an emitter of a field transistor in contact with a wide-gap non-magnetic semiconductor GaAs (InSb, GaN) allows you to create a room-temperature spin transistor, the performance of which is controlled by an external magnetic field. Moreover, the degree of spin polarization of current carriers in it reaches a very significant value. The proposed device can be used to create on its basis:
1) логических систем спиновой информатики с использованием методов литографии при подготовке рабочей поверхности детектора;1) logical systems of spin informatics using lithography methods in preparing the working surface of the detector;
2) двухуровнего твердотельного лазера миллиметрового и субмиллиметрового диапазона, частота излучения которого регулируется магнитным полем.2) a two-level solid-state laser of the millimeter and submillimeter range, the radiation frequency of which is regulated by the magnetic field.
3) спинового оптоэлектронного устройства, поскольку эмиттер - композит (EuO)Fe - обладает при комнатной температуре шириной запрещенной щели Eg=0.72 эВ, а детектор - например, кристалл GaAs, светодиодные характеристики которого в данном случае определяются механизмом спиновых переходов между зеемановскими уровнями.3) a spin optoelectronic device, since the emitter - the composite (EuO) Fe - has a forbidden gap at room temperature E g = 0.72 eV, and the detector is, for example, a GaAs crystal, the LED characteristics of which in this case are determined by the mechanism of spin transitions between Zeeman levels.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008138019/28A RU2387047C1 (en) | 2008-09-23 | 2008-09-23 | Spin transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008138019/28A RU2387047C1 (en) | 2008-09-23 | 2008-09-23 | Spin transistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2387047C1 true RU2387047C1 (en) | 2010-04-20 |
Family
ID=46275338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008138019/28A RU2387047C1 (en) | 2008-09-23 | 2008-09-23 | Spin transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2387047C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU170009U1 (en) * | 2016-10-13 | 2017-04-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | SPIN TRANSISTOR |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753562B1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-06-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Spin transistor magnetic random access memory device |
| JP2004297072A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Sharp Corp | Spin transistor magnetic random access memory device |
| RU2294026C1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-02-20 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Multi-layer thin-film magneto-resistive nanostructure |
| US7196367B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-03-27 | Intel Corporation | Spin polarization amplifying transistor |
| US7244997B2 (en) * | 2003-07-08 | 2007-07-17 | President And Fellows Of Harvard College | Magneto-luminescent transducer |
| US7423327B2 (en) * | 2002-07-25 | 2008-09-09 | Japan Science And Technology Agency | Spin transistor based on the spin-filter effect and a non-volatile memory using spin transistors |
-
2008
- 2008-09-23 RU RU2008138019/28A patent/RU2387047C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7423327B2 (en) * | 2002-07-25 | 2008-09-09 | Japan Science And Technology Agency | Spin transistor based on the spin-filter effect and a non-volatile memory using spin transistors |
| US6753562B1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-06-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Spin transistor magnetic random access memory device |
| JP2004297072A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Sharp Corp | Spin transistor magnetic random access memory device |
| US7244997B2 (en) * | 2003-07-08 | 2007-07-17 | President And Fellows Of Harvard College | Magneto-luminescent transducer |
| US7196367B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-03-27 | Intel Corporation | Spin polarization amplifying transistor |
| RU2294026C1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-02-20 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Multi-layer thin-film magneto-resistive nanostructure |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU170009U1 (en) * | 2016-10-13 | 2017-04-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | SPIN TRANSISTOR |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Huang et al. | Coherent spin transport through a 350 micron thick silicon wafer | |
| Schmidt et al. | Large magnetoresistance effect due to spin injection into a nonmagnetic semiconductor | |
| US20080246023A1 (en) | Transistor Based on Resonant Tunneling Effect of Double Barrier Tunneling Junctions | |
| US20150311305A1 (en) | Spin mosfet | |
| Kreuzer et al. | Spin polarized tunneling through single-crystal GaAs (001) barriers | |
| Delfanazari et al. | On-chip hybrid superconducting-semiconducting quantum circuit | |
| US20090141409A1 (en) | Spin filter spintronic devices | |
| Sun et al. | Spin injection, relaxation, and manipulation in GaN-based semiconductors | |
| TW201234575A (en) | Magnetic phase change logic | |
| EP3069347A2 (en) | Magneto-optical device | |
| CN109962157A (en) | A spintronic device and method of making the same | |
| RU2387047C1 (en) | Spin transistor | |
| Van Roy et al. | Spin injection and detection in semiconductors—Electrical issues and device aspects | |
| Bratkovsky et al. | High-frequency spin-valve effect in a ferromagnet-semiconductor-ferromagnet structure based on precession of the injected spins | |
| Nakane et al. | Magnetoresistance of a spin metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with ferromagnetic MnAs source and drain contacts | |
| Yamashita et al. | Realization of efficient tuning of the Fermi level in iron-based ferrimagnetic alloys | |
| Tarasov et al. | Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact | |
| Michelfeit et al. | Organic field‐effect transistors for spin‐polarized transport | |
| Borukhovich | Spin Transfer in EuO: Fe/GaAs Contact | |
| Plusnin | Creation of electrical spin injectors for silicon spintronics: Achievements and prospects | |
| Holmes et al. | Sb surface terminated MnSb devices in the niccolite phase | |
| Holmberg et al. | Large magnetoresistance in a ferromagnetic GaMnAs/GaAs Zener diode | |
| Dey et al. | Semiconductor Spintronics | |
| Bamburov et al. | Spin transistor in the EuO: Fe/GaAs contact | |
| Yamada et al. | Temperature dependence of two-terminal local magnetoresistance in co-based Heusler alloy/ge lateral spin-valve devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120924 |